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TechnicalSpecificationsforChipThermogravimetric GB/T2423.3-20162CabGB/T26113-2010微機電系統(tǒng)（MEMS）GB/T6425-2008ASTME1582StandardpracticeforcalibrationoftemperaturescaleforthermogravimetryASTME2040StandardtestmethodformassscalecalibrationofthermogravimetricanalyzersJJF1257-2010干體式溫度校準器校準方法JJF1552-2015輻射測溫用-10~200JJG1135-2017NB/T10308-2019GB/T2423.3-20162部分:Cab:thermogravimetricanalysisMEMSthermogravimetricresonanton-chipheatingmicro-masssignalreadingprogrammedheatingandresonant——環(huán)境溫度：10~40室溫波動不超過±2——環(huán)境濕度：5%RH~80——供電電源：電壓220V±22V，頻率50Hz±1芯片尺寸≤2mm×2mm，允許偏差±5μm5000~20000μm2120~1100≥1000≤0.1≤0.3≤0.51.2pg~30≥5000參考行業(yè)標準NB/T10308-2019，測試方法為：使用經過計量檢定校準的顯微紅外熱像儀，自室溫起始逐步加熱至1100℃，紅外熱成像儀應安裝在芯片最大輻射表面或待測表面的法線方向上，使觀察在100℃保持恒溫，待質量讀數(shù)穩(wěn)定后，清零。設置升溫程序，以最大升溫速率，從100℃升溫至11001001100的間隔時間t。=1?

v----T0---- 計時時間間隔，0.5s；將熱重分析儀探測器芯片溫度控制在500℃，然后在顯微紅外熱像儀上選取加熱區(qū)域的“上下左右=1

??5(?

Ti----=1

??50(?

(?(?

第Ti----第個采樣點的溫度值，??----達到設定點溫度后一個半波動周期為平衡判定)，通過計算機軟件記錄的30min內（每1min測量一次）動數(shù)據(jù)，確保在任意設定溫度點上的溫度波動不超過0.3℃。并記錄1s以上的1的值。按照公式（5）計算1的標準差。 )? (?2

1的標準差，1/Hz2； 第(1) 第個采樣點的12 (1) 個12 ? 增加加載微球

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