第一章半導體材料國產(chǎn)化替代的緊迫性與戰(zhàn)略意義第二章高純度硅材料國產(chǎn)化替代的技術(shù)壁壘與突破方向第三章光刻膠國產(chǎn)化替代的技術(shù)路徑與產(chǎn)業(yè)化挑戰(zhàn)第四章特種氣體國產(chǎn)化替代的技術(shù)難點與工程突破第五章高純度電子化學品國產(chǎn)化替代的產(chǎn)業(yè)路徑第六章半導體材料供應鏈安全保障體系建設(shè)101第一章半導體材料國產(chǎn)化替代的緊迫性與戰(zhàn)略意義第1頁：全球半導體材料市場格局與我國依賴現(xiàn)狀預計2026年全球半導體材料市場規(guī)模將達到1100億美元，年復合增長率達8%我國產(chǎn)業(yè)短板我國半導體材料產(chǎn)業(yè)存在技術(shù)、資金、人才等多方面短板政策導向《“十四五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》明確提出加強半導體關(guān)鍵材料保障能力建設(shè)市場發(fā)展趨勢3第2頁：國家政策導向與產(chǎn)業(yè)痛點分析我國在高端材料領(lǐng)域的技術(shù)水平與國際先進水平存在較大差距資金痛點我國半導體材料產(chǎn)業(yè)的研發(fā)投入不足，僅占全球的1%人才痛點我國半導體材料產(chǎn)業(yè)缺乏高端人才，人才缺口達30%技術(shù)痛點4第3頁：關(guān)鍵材料替代的技術(shù)路線與實施場景通過技術(shù)引進與消化實現(xiàn)18nm用硅片量產(chǎn)實施場景二開發(fā)28nm用硅片（良率突破70%）實施場景三突破16nm用硅片（良率80%+）實施場景一5第4頁：戰(zhàn)略意義與章節(jié)總結(jié)標準協(xié)同通過標準協(xié)同提升我國材料產(chǎn)業(yè)的規(guī)范化水平美國對日本碳化硅材料的出口管制美國近年對日本碳化硅材料的出口管制已證明其戰(zhàn)略價值我國材料產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀我國材料產(chǎn)業(yè)存在技術(shù)、資金、人才等多方面短板，亟需通過技術(shù)攻關(guān)、產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)、標準協(xié)同三管齊下解決技術(shù)攻關(guān)通過技術(shù)攻關(guān)提升我國材料產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)通過產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)提升我國材料產(chǎn)業(yè)的競爭力602第二章高純度硅材料國產(chǎn)化替代的技術(shù)壁壘與突破方向第5頁：全球硅材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)圖譜與我國差距政策支持我國政府已出臺多項政策支持硅材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，但效果有限我國差距我國龍頭滬硅產(chǎn)業(yè)僅28.7%，存在61個技術(shù)參數(shù)差距成本控制國際領(lǐng)先企業(yè)通過全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合實現(xiàn)成本控制，我國企業(yè)成本是國際的1.8倍技術(shù)參數(shù)差距我國硅片良率、純度、穩(wěn)定性等技術(shù)參數(shù)與國際先進水平存在較大差距產(chǎn)業(yè)鏈整合我國材料企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈整合度低，研發(fā)投入不足，導致產(chǎn)品性能落后8第6頁：國內(nèi)主要技術(shù)路線對比實施場景三突破16nm用硅片（良率80%+）技術(shù)路線二中科院上海硅酸鹽研究所的“離子交換-等離子體活化”技術(shù)技術(shù)路線三北方華創(chuàng)與廈門大學合作的“濕法冶金+低溫等離子體脫雜”工藝實施場景一通過技術(shù)引進與消化實現(xiàn)18nm用硅片量產(chǎn)實施場景二開發(fā)28nm用硅片（良率突破70%）9第7頁：關(guān)鍵工藝參數(shù)與質(zhì)量控制體系質(zhì)量控制體系我國材料企業(yè)的質(zhì)量控制體系不完善，導致產(chǎn)品性能不穩(wěn)定工藝參數(shù)控制我國材料企業(yè)在工藝參數(shù)控制方面與國際先進水平存在較大差距研發(fā)投入我國材料企業(yè)的研發(fā)投入不足，導致技術(shù)進步緩慢10第8頁：技術(shù)突破方向與實施建議實施建議三通過標準協(xié)同提升我國材料產(chǎn)業(yè)的規(guī)范化水平實施建議四通過風險防控提升我國材料產(chǎn)業(yè)的抗風險能力實施建議五通過人才引進提升我國材料產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新能力1103第三章光刻膠國產(chǎn)化替代的技術(shù)路徑與產(chǎn)業(yè)化挑戰(zhàn)第9頁：全球光刻膠市場格局與我國產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀市場發(fā)展趨勢預計2026年全球半導體材料市場規(guī)模將達到1100億美元，年復合增長率達8%我國產(chǎn)業(yè)短板我國半導體材料產(chǎn)業(yè)存在技術(shù)、資金、人才等多方面短板政策導向《“十四五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》明確提出加強半導體關(guān)鍵材料保障能力建設(shè)13第10頁：國內(nèi)主要技術(shù)路線對比實施場景三突破16nm用硅片（良率80%+）技術(shù)路線二中科院上海硅酸鹽研究所的“離子交換-等離子體活化”技術(shù)技術(shù)路線三北方華創(chuàng)與廈門大學合作的“濕法冶金+低溫等離子體脫雜”工藝實施場景一通過技術(shù)引進與消化實現(xiàn)18nm用硅片量產(chǎn)實施場景二開發(fā)28nm用硅片（良率突破70%）14第11頁：關(guān)鍵材料性能與工藝適配性分析我國材料企業(yè)的質(zhì)量控制體系不完善，導致產(chǎn)品性能不穩(wěn)定工藝參數(shù)控制我國材料企業(yè)在工藝參數(shù)控制方面與國際先進水平存在較大差距研發(fā)投入我國材料企業(yè)的研發(fā)投入不足，導致技術(shù)進步緩慢質(zhì)量控制體系15第12頁：技術(shù)突破方向與實施建議通過標準協(xié)同提升我國材料產(chǎn)業(yè)的規(guī)范化水平實施建議四通過風險防控提升我國材料產(chǎn)業(yè)的抗風險能力實施建議五通過人才引進提升我國材料產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新能力實施建議三1604第四章特種氣體國產(chǎn)化替代的技術(shù)難點與工程突破第13頁：全球特種氣體市場格局與我國產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀我國產(chǎn)業(yè)短板我國半導體材料產(chǎn)業(yè)存在技術(shù)、資金、人才等多方面短板《“十四五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》明確提出加強半導體關(guān)鍵材料保障能力建設(shè)主要集中在硅片、光刻膠、特種氣體等關(guān)鍵品類預計2026年全球半導體材料市場規(guī)模將達到1100億美元，年復合增長率達8%政策導向關(guān)鍵品類分布市場發(fā)展趨勢18第14頁：國內(nèi)主要技術(shù)路線對比實施場景三突破16nm用硅片（良率80%+）技術(shù)路線二中科院上海硅酸鹽研究所的“離子交換-等離子體活化”技術(shù)技術(shù)路線三北方華創(chuàng)與廈門大學合作的“濕法冶金+低溫等離子體脫雜”工藝實施場景一通過技術(shù)引進與消化實現(xiàn)18nm用硅片量產(chǎn)實施場景二開發(fā)28nm用硅片（良率突破70%）19第15頁：關(guān)鍵材料性能與工藝適配性分析研發(fā)投入我國材料企業(yè)的研發(fā)投入不足，導致技術(shù)進步緩慢我國現(xiàn)狀我國中芯國際8英寸硅片直徑僅200mm，且拉晶速度慢30%聲波振動輔助技術(shù)聲波振動輔助技術(shù)可提高硅片拉制效率，我國技術(shù)尚不成熟質(zhì)量控制體系我國材料企業(yè)的質(zhì)量控制體系不完善，導致產(chǎn)品性能不穩(wěn)定工藝參數(shù)控制我國材料企業(yè)在工藝參數(shù)控制方面與國際先進水平存在較大差距20第16頁：技術(shù)突破方向與實施建議實施建議三通過標準協(xié)同提升我國材料產(chǎn)業(yè)的規(guī)范化水平實施建議四通過風險防控提升我國材料產(chǎn)業(yè)的抗風險能力實施建議五通過人才引進提升我國材料產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新能力2105第五章高純度電子化學品國產(chǎn)化替代的產(chǎn)業(yè)路徑第17頁：全球電子化學品市場格局與我國產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀關(guān)鍵品類分布市場發(fā)展趨勢主要集中在硅片、光刻膠、特種氣體等關(guān)鍵品類預計2026年全球半導體材料市場規(guī)模將達到1100億美元，年復合增長率達8%23第18頁：國內(nèi)主要技術(shù)路線對比實施場景一通過技術(shù)引進與消化實現(xiàn)18nm用硅片量產(chǎn)實施場景二開發(fā)28nm用硅片（良率突破70%）實施場景三突破16nm用硅片（良率80%+）24第19頁：關(guān)鍵材料性能與工藝適配性分析質(zhì)量控制體系我國材料企業(yè)的質(zhì)量控制體系不完善，導致產(chǎn)品性能不穩(wěn)定工藝參數(shù)控制我國材料企業(yè)在工藝參數(shù)控制方面與國際先進水平存在較大差距研發(fā)投入我國材料企業(yè)的研發(fā)投入不足，導致技術(shù)進步緩慢25第20頁：技術(shù)突破方向與實施建議實施建議五通過人才引進提升我國材料產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新能力實施建議一通過技術(shù)攻關(guān)提升我國材料產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平實施建議二通過產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)提升我國材料產(chǎn)業(yè)的競爭力實施建議三通過標準協(xié)同提升我國材料產(chǎn)業(yè)的規(guī)范化水平實施建議四通過風險防控提升我國材料產(chǎn)業(yè)的抗風險能力2606第六章半導體材料供應鏈安全保障體系建設(shè)第21頁：全球半導體材料供應鏈風險圖譜技術(shù)風險我國在高端材料領(lǐng)域的技術(shù)水平與國際先進水平存在較大差距供應鏈風險我國材料企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈整合度低，研發(fā)投入不足，導致產(chǎn)品性能落后政策風險我國政府已出臺多項政策支持硅材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，但效果有限28第22頁：我國半導體材料供應鏈短板分析技術(shù)短板我國材料企業(yè)在高端材料領(lǐng)域的技術(shù)水平與國際先進水平存在較大差距資金短板我國材料產(chǎn)業(yè)的研發(fā)投入不足，導致技術(shù)進步緩慢人才短板我國材料產(chǎn)業(yè)缺乏高端人才，人才缺口達30%供應鏈短板我國材料企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈整合度低，研發(fā)投入不足，導致產(chǎn)品性能落后政策短板我國政府已出臺多項政策支持硅材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，但效果有限29第23頁：國內(nèi)主要技術(shù)路線對比實施場景一通過技術(shù)引進與消化實現(xiàn)18nm用硅片量產(chǎn)實施場景二開發(fā)28nm用硅片（良率突破70%）實施場景三突破16nm用硅片（良率80%+）30第24頁：關(guān)鍵材料性能與工藝適配性分析質(zhì)量控制體系我國材料企業(yè)的質(zhì)量控制體系不完善，導致產(chǎn)品性能不穩(wěn)定工藝參數(shù)控制我國材料企業(yè)在工藝參數(shù)控制方面與國際先進水平存在較大差距研發(fā)投入我國材料企業(yè)的研發(fā)投入不足，導致技術(shù)進步緩慢31第25頁：技術(shù)突破方向與實施建議實施建議四通過風險防控提升我國材料產(chǎn)業(yè)的抗風險能力通過人才引進提升我國材料產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新能力通過產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)提升我國材料產(chǎn)業(yè)的競爭力通過標準協(xié)同提升我國材料產(chǎn)業(yè)的規(guī)范化水平實施建議五實施建議二實施建議三3207第六章半導體材料供應鏈安全保障體系建