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《GB/T15876-2015半導(dǎo)體集成電路

塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范》

專(zhuān)題研究報(bào)告目錄專(zhuān)家視角:GB/T15876-2015核心框架解析,為何是塑封QFP引線框架質(zhì)量管控的“定海神針”?聚焦尺寸精度:GB/T15876-2015關(guān)鍵尺寸要求解讀,如何破解微型化封裝的精度難題?表面處理技術(shù)透視:標(biāo)準(zhǔn)要求下的工藝選擇,未來(lái)如何平衡可靠性與低成本需求?包裝儲(chǔ)運(yùn)要點(diǎn)深挖:標(biāo)準(zhǔn)細(xì)節(jié)背后的損耗控制邏輯,適配物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代物流新挑戰(zhàn)?熱點(diǎn)關(guān)聯(lián):先進(jìn)封裝浪潮下,標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容是否需要迭代?專(zhuān)家預(yù)判未來(lái)修訂方向深度剖析:引線框架材料選型玄機(jī),未來(lái)半導(dǎo)體封裝如何適配高端材料發(fā)展趨勢(shì)?性能指標(biāo)解碼:從力學(xué)到熱學(xué),標(biāo)準(zhǔn)如何定義引線框架的“硬核實(shí)力”適配行業(yè)升級(jí)?檢驗(yàn)檢測(cè)體系構(gòu)建:GB/T15876-2015檢驗(yàn)規(guī)則詳解,怎樣筑牢產(chǎn)品出廠的“質(zhì)量防線”?疑點(diǎn)辨析:GB/T15876-2015與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)差異何在,企業(yè)如何做好合規(guī)轉(zhuǎn)化?實(shí)踐指引:基于標(biāo)準(zhǔn)的企業(yè)生產(chǎn)優(yōu)化路徑,如何實(shí)現(xiàn)質(zhì)量與效益的雙重提升專(zhuān)家視角:GB/T15876-2015核心框架解析,為何是塑封QFP引線框架質(zhì)量管控的“定海神針”?標(biāo)準(zhǔn)制定背景與行業(yè)定位:填補(bǔ)空白還是升級(jí)迭代?GB/T15876-2015發(fā)布于半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展期,彼時(shí)塑封QFP封裝因兼容性強(qiáng)、成本適配性好,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。標(biāo)準(zhǔn)此前版本為GB/T15876-1995,2015版針對(duì)行業(yè)技術(shù)升級(jí)、應(yīng)用場(chǎng)景拓展進(jìn)行修訂,填補(bǔ)了高端塑封QFP引線框架質(zhì)量規(guī)范的空白,成為國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)生產(chǎn)、檢驗(yàn)的核心依據(jù),更是對(duì)接國(guó)際市場(chǎng)的重要技術(shù)支撐,其行業(yè)定位兼具基礎(chǔ)性與引領(lǐng)性。(二)標(biāo)準(zhǔn)核心框架與內(nèi)容架構(gòu):哪些模塊構(gòu)成質(zhì)量管控體系?1標(biāo)準(zhǔn)正文涵蓋范圍、規(guī)范性引用文件、術(shù)語(yǔ)和定義、要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等核心模塊。其中“要求”模塊為核心,細(xì)分材料、尺寸、性能、表面處理等關(guān)鍵維度;“試驗(yàn)方法”“檢驗(yàn)規(guī)則”為實(shí)施保障,形成“要求-檢測(cè)-判定-儲(chǔ)運(yùn)”的全鏈條質(zhì)量管控架構(gòu),邏輯上層層遞進(jìn),覆蓋引線框架從生產(chǎn)到交付的全生命周期。2(三)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施的核心價(jià)值:對(duì)企業(yè)、行業(yè)及產(chǎn)業(yè)鏈有何影響?01對(duì)企業(yè)而言,標(biāo)準(zhǔn)明確了質(zhì)量閾值,降低生產(chǎn)不確定性;對(duì)行業(yè)而言,統(tǒng)一了技術(shù)規(guī)范,減少無(wú)序競(jìng)爭(zhēng);對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈而言,提升了上下游適配性,助力封裝環(huán)節(jié)與芯片、終端產(chǎn)品的協(xié)同升級(jí)。實(shí)施以來(lái),有效提升國(guó)內(nèi)塑封QFP引線框架合格率,推動(dòng)行業(yè)從“量產(chǎn)”向“質(zhì)優(yōu)”轉(zhuǎn)型,為后續(xù)先進(jìn)封裝技術(shù)應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。02二

、

深度剖析:

引線框架材料選型玄機(jī),

未來(lái)半導(dǎo)體封裝如何適配高端材料發(fā)展趨勢(shì)?標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的材料類(lèi)型及核心要求:為何銅合金成主流選擇?標(biāo)準(zhǔn)明確引線框架材料以銅合金為主,涵蓋Cu-Fe-P系、Cu-Ni-Si系等,要求材料導(dǎo)電率≥45IACS%,抗拉強(qiáng)度≥350MPa,延伸率≥10%。銅合金因兼具優(yōu)異導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性及機(jī)械強(qiáng)度,適配塑封QFP封裝的散熱與互連需求。標(biāo)準(zhǔn)同時(shí)規(guī)定材料雜質(zhì)含量閾值,如氧含量≤0.005%,避免雜質(zhì)影響封裝可靠性,為材料選型劃定明確范圍。(二)材料性能與封裝可靠性的關(guān)聯(lián):哪些指標(biāo)是關(guān)鍵影響因子?01材料導(dǎo)電率直接影響芯片散熱效率,導(dǎo)熱性不足易導(dǎo)致芯片過(guò)熱失效;抗拉強(qiáng)度決定引線框架抗封裝應(yīng)力能力,避免封裝過(guò)程中出現(xiàn)變形、斷裂;延伸率則保障引線在彎折加工中的成型性。標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)嚴(yán)格界定這些指標(biāo),確保材料性能與封裝可靠性深度適配。實(shí)踐表明,符合標(biāo)準(zhǔn)的材料可使封裝產(chǎn)品的熱循環(huán)壽命提升30%以上。02(三)高端材料發(fā)展趨勢(shì)與標(biāo)準(zhǔn)適配性:未來(lái)材料選型有何新方向?未來(lái)半導(dǎo)體封裝向高密度、微型化發(fā)展,對(duì)材料提出低膨脹、高導(dǎo)熱、耐腐蝕性更強(qiáng)的要求。目前高端銅合金、復(fù)合材料等逐步興起,標(biāo)準(zhǔn)雖未覆蓋新型材料,但核心性能指標(biāo)(導(dǎo)電、力學(xué)、熱學(xué))可作為基礎(chǔ)參考。專(zhuān)家預(yù)判,后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)修訂可能納入新型材料類(lèi)型及指標(biāo),適配5G、AI芯片封裝對(duì)材料的高端化需求。12、聚焦尺寸精度:GB/T15876-2015關(guān)鍵尺寸要求解讀,如何破解微型化封裝的精度難題?標(biāo)準(zhǔn)界定的關(guān)鍵尺寸范圍:哪些尺寸直接影響封裝適配性?標(biāo)準(zhǔn)明確關(guān)鍵尺寸包括引線寬度、引線間距、框架厚度、引腳長(zhǎng)度等,如引線寬度公差±0.01mm,引線間距公差±0.008mm,框架厚度范圍0.15-0.35mm。這些尺寸直接決定引線框架與芯片、封裝殼體的適配性,尺寸偏差過(guò)大易導(dǎo)致鍵合失效、封裝間隙異常,甚至影響終端產(chǎn)品裝配,是質(zhì)量管控的核心要點(diǎn)。12(二)尺寸精度控制的技術(shù)難點(diǎn):為何微型化封裝對(duì)精度要求更高?01隨著封裝微型化,引線間距從0.5mm向0.3mm及以下縮減,尺寸公差范圍進(jìn)一步收窄,加工過(guò)程中易受模具磨損、材料回彈、溫度變化等因素影響。標(biāo)準(zhǔn)針對(duì)難點(diǎn)明確加工工藝參考要求,如沖壓模具精度需達(dá)±0.002mm,熱處理溫度控制在±5℃,通過(guò)工藝管控彌補(bǔ)尺寸精度控制難題,提升產(chǎn)品一致性。02(三)尺寸檢測(cè)方法與標(biāo)準(zhǔn)要求:如何確保檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確可靠?01標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定尺寸檢測(cè)采用光學(xué)顯微鏡、坐標(biāo)測(cè)量?jī)x等精密設(shè)備,檢測(cè)樣本量按批量確定,抽樣比例不低于3‰,且需覆蓋不同生產(chǎn)批次。檢測(cè)時(shí)需對(duì)關(guān)鍵尺寸進(jìn)行全項(xiàng)檢測(cè),允許偏差需嚴(yán)格契合標(biāo)準(zhǔn)閾值。同時(shí)要求建立檢測(cè)數(shù)據(jù)追溯體系,確保尺寸異??勺匪?、可整改,從檢測(cè)端筑牢尺寸精度防線。02、性能指標(biāo)解碼:從力學(xué)到熱學(xué),標(biāo)準(zhǔn)如何定義引線框架的“硬核實(shí)力”適配行業(yè)升級(jí)?力學(xué)性能要求:抗拉、彎曲等指標(biāo)背后的設(shè)計(jì)邏輯是什么?標(biāo)準(zhǔn)要求引線框架抗拉強(qiáng)度350-550MPa,彎曲角度≥90。無(wú)裂紋,彈性模量≥110GPa。這些指標(biāo)適配封裝過(guò)程中的沖壓、鍵合、塑封等工序,避免加工中出現(xiàn)變形、斷裂;同時(shí)保障成品在終端應(yīng)用中的抗振動(dòng)、抗沖擊能力。力學(xué)性能不達(dá)標(biāo)易導(dǎo)致封裝后引線斷裂,直接影響芯片信號(hào)傳輸穩(wěn)定性。12(二)熱學(xué)性能規(guī)范:散熱效率如何通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)保障?01標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定引線框架熱導(dǎo)率≥120W/(m·K),熱膨脹系數(shù)16-18×10-?/℃。熱導(dǎo)率保障芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量快速傳導(dǎo)至封裝殼體,避免過(guò)熱;熱膨脹系數(shù)與芯片、塑封料匹配,減少溫度循環(huán)過(guò)程中因熱脹冷縮差異產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力,降低封裝開(kāi)裂風(fēng)險(xiǎn)。熱學(xué)性能是高溫環(huán)境下封裝可靠性的核心保障。02(三)電學(xué)性能要求:導(dǎo)電性能為何是核心指標(biāo)之一?標(biāo)準(zhǔn)明確導(dǎo)電率≥45IACS%,接觸電阻≤5mΩ。引線框架作為芯片與外部電路的互連載體,導(dǎo)電性能直接影響信號(hào)傳輸效率和能耗。導(dǎo)電率不足會(huì)增加信號(hào)傳輸損耗,接觸電阻過(guò)大易導(dǎo)致局部發(fā)熱,尤其適配高頻、高速芯片封裝需求。標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)電學(xué)性能指標(biāo),保障引線框架的互連核心功能。12五

、

表面處理技術(shù)透視

:標(biāo)準(zhǔn)要求下的工藝選擇,

未來(lái)如何平衡可靠性與低成本需求?標(biāo)準(zhǔn)允許的表面處理方式及技術(shù)要求:為何優(yōu)先推薦電鍍工藝?1標(biāo)準(zhǔn)明確表面處理可采用電鍍(Ni/Pd/Au、Ni/Au等)、化學(xué)鍍等方式,要求鍍層厚度均勻,Ni層厚度5-10μm,Au層厚度0.1-0.3μm,鍍層附著力≥1.5N/mm2,無(wú)起皮、脫落現(xiàn)象。電鍍工藝因鍍層均勻性好、附著力強(qiáng),能提升引線框架抗氧化性和鍵合可靠性,成為主流選擇,標(biāo)準(zhǔn)對(duì)鍍層厚度、附著力的要求直接保障表面處理質(zhì)量。2表面鍍層可防止引線框架氧化,提升鍵合成功率和焊點(diǎn)可靠性。若鍍層厚度不足或附著力差,易出現(xiàn)氧化銹蝕、鍵合脫落等失效問(wèn)題。標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)嚴(yán)格規(guī)范鍍層參數(shù),減少此類(lèi)失效,如Ni/Pd/Au鍍層可使引線框架抗氧化壽命提升至5年以上,適配惡劣環(huán)境下的終端應(yīng)用需求,保障封裝產(chǎn)品長(zhǎng)期穩(wěn)定性。(五)表面處理與封裝可靠性的關(guān)聯(lián):如何避免常見(jiàn)失效問(wèn)題?01電鍍工藝可靠性高但成本較高,適合高端封裝產(chǎn)品;化學(xué)鍍成本較低但鍍層均勻性稍差,適配中低端場(chǎng)景。標(biāo)準(zhǔn)未強(qiáng)制限定工藝,僅明確性能要求,為企業(yè)提供靈活選擇空間。未來(lái)行業(yè)需研發(fā)低成本、高可靠性工藝,標(biāo)準(zhǔn)可能新增工藝環(huán)保性要求,適配綠色制造趨勢(shì),平衡可靠性與成本及環(huán)保需求。(六)不同工藝的成本對(duì)比與適配場(chǎng)景:企業(yè)如何理性選擇?02、檢驗(yàn)檢測(cè)體系構(gòu)建:GB/T15876-2015檢驗(yàn)規(guī)則詳解,怎樣筑牢產(chǎn)品出廠的“質(zhì)量防線”?檢驗(yàn)分類(lèi)與檢驗(yàn)項(xiàng)目:出廠檢驗(yàn)與型式檢驗(yàn)有何差異?標(biāo)準(zhǔn)將檢驗(yàn)分為出廠檢驗(yàn)和型式檢驗(yàn),出廠檢驗(yàn)涵蓋尺寸、外觀、導(dǎo)電率等關(guān)鍵項(xiàng)目,每批次必檢;型式檢驗(yàn)增加力學(xué)、熱學(xué)、鍍層附著力等項(xiàng)目,每年至少1次或生產(chǎn)工藝變更后進(jìn)行。兩者差異在于檢驗(yàn)范圍和頻次,出廠檢驗(yàn)保障批次質(zhì)量,型式檢驗(yàn)驗(yàn)證長(zhǎng)期穩(wěn)定性,形成分層檢驗(yàn)體系,全面覆蓋質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)。12(二)抽樣方案與判定規(guī)則:如何平衡檢驗(yàn)效率與質(zhì)量把控?標(biāo)準(zhǔn)采用計(jì)數(shù)抽樣方案,出廠檢驗(yàn)抽樣比例按批量確定,批量≤10000時(shí)抽樣50件,批量>10000時(shí)抽樣100件,不合格品率≤1%判定合格。判定規(guī)則明確單項(xiàng)目不合格則該批次復(fù)檢,復(fù)檢仍不合格則拒收。該方案既避免全檢增加成本,又通過(guò)合理抽樣比例保障質(zhì)量,兼顧效率與把控力度,適配企業(yè)規(guī)模化生產(chǎn)需求。(三)檢測(cè)設(shè)備與人員要求:標(biāo)準(zhǔn)對(duì)檢驗(yàn)?zāi)芰τ泻我?guī)范?標(biāo)準(zhǔn)要求檢測(cè)設(shè)備需經(jīng)校準(zhǔn)且在有效期內(nèi),如坐標(biāo)測(cè)量?jī)x校準(zhǔn)周期≤1年,導(dǎo)電率測(cè)試儀精度≥±1%。檢測(cè)人員需經(jīng)專(zhuān)業(yè)培訓(xùn),熟悉標(biāo)準(zhǔn)要求和設(shè)備操作,具備異常判斷能力。這些要求保障檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確可靠,避免因設(shè)備精度不足、人員操作不當(dāng)導(dǎo)致的質(zhì)量誤判,筑牢檢驗(yàn)環(huán)節(jié)的“質(zhì)量防線”。、包裝儲(chǔ)運(yùn)要點(diǎn)深挖:標(biāo)準(zhǔn)細(xì)節(jié)背后的損耗控制邏輯,適配物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代物流新挑戰(zhàn)?標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的包裝方式與材料要求:為何強(qiáng)調(diào)防靜電包裝?01標(biāo)準(zhǔn)要求采用防靜電包裝袋、托盤(pán)等包裝材料,包裝材料需具備防潮、防靜電、防碰撞性能,托盤(pán)材質(zhì)為抗靜電ABS,表面電阻10?-1011Ω。引線框架屬精密電子元件,易受靜電損壞、潮氣侵蝕,防靜電包裝可避免靜電擊穿,防潮包裝保障材料性能穩(wěn)定,防碰撞設(shè)計(jì)減少運(yùn)輸中機(jī)械損傷,從包裝端控制損耗。02(二)標(biāo)志標(biāo)注要求:哪些信息是追溯與合規(guī)的關(guān)鍵?1標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定包裝上需標(biāo)注產(chǎn)品名稱、規(guī)格型號(hào)、生產(chǎn)批次、檢驗(yàn)合格標(biāo)志、生產(chǎn)企業(yè)名稱及聯(lián)系方式、防靜電標(biāo)志等信息。這些信息既是產(chǎn)品追溯的核心依據(jù),便于出現(xiàn)質(zhì)量問(wèn)題時(shí)精準(zhǔn)定位批次;也是合規(guī)交付的要求,適配下游企業(yè)入庫(kù)驗(yàn)收流程,同時(shí)提醒儲(chǔ)運(yùn)環(huán)節(jié)注意防靜電、防潮等關(guān)鍵要點(diǎn)。2(三)運(yùn)輸與貯存條件規(guī)范:如何應(yīng)對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代物流復(fù)雜性?標(biāo)準(zhǔn)要求運(yùn)輸過(guò)程中避免劇烈振動(dòng)、暴曬、雨淋,環(huán)境溫度0-40℃,相對(duì)濕度≤75%;貯存需在清潔、干燥、通風(fēng)庫(kù)房,溫度-10-35℃,相對(duì)濕度≤65%,保質(zhì)期6個(gè)月。物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代物流網(wǎng)絡(luò)覆蓋廣、環(huán)節(jié)多,標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)明確環(huán)境條件,降低長(zhǎng)距離、多環(huán)節(jié)運(yùn)輸中的損耗,保障產(chǎn)品交付時(shí)的質(zhì)量穩(wěn)定性。、疑點(diǎn)辨析:GB/T15876-2015與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)差異何在,企業(yè)如何做好合規(guī)轉(zhuǎn)化?與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)(IEC、JEDEC)的核心差異:技術(shù)要求有何不同?與IEC61760-6、JEDECJESD22等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)相比,GB/T15876-2015在材料雜質(zhì)含量、尺寸公差等方面要求稍寬,如國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)銅合金氧含量≤0.003%,國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)為≤0.005%;但在表面處理附著力、包裝防靜電要求上更為嚴(yán)格。差異源于國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)工藝水平和應(yīng)用場(chǎng)景差異,國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)適配高端封裝,國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)兼顧通用性與企業(yè)實(shí)際產(chǎn)能。(二)差異產(chǎn)生的原因:產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)與應(yīng)用需求如何影響標(biāo)準(zhǔn)制定?01差異核心源于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)與國(guó)際的差距,彼時(shí)國(guó)內(nèi)高端銅合金材料產(chǎn)能不足、精密加工設(shè)備精度有限,標(biāo)準(zhǔn)需適配多數(shù)企業(yè)生產(chǎn)能力;同時(shí)國(guó)內(nèi)終端應(yīng)用以消費(fèi)電子、工業(yè)控制為主,對(duì)封裝精度要求低于國(guó)際高端芯片領(lǐng)域。隨著產(chǎn)業(yè)升級(jí),部分企業(yè)已具備對(duì)接國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的能力,差異逐步縮小。02(三)企業(yè)合規(guī)轉(zhuǎn)化策略:出口與內(nèi)銷(xiāo)如何兼顧標(biāo)準(zhǔn)要求?1企業(yè)需建立“雙標(biāo)準(zhǔn)”管控體系,內(nèi)銷(xiāo)產(chǎn)品嚴(yán)格遵循GB/T15876-2015,出口產(chǎn)品按目標(biāo)市場(chǎng)要求適配國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)??赏ㄟ^(guò)優(yōu)化材料選型、提升加工精度、強(qiáng)化檢測(cè)能力實(shí)現(xiàn)合規(guī)轉(zhuǎn)化,如采用高端銅合金降低雜質(zhì)含量,升級(jí)設(shè)備提升尺寸精度。同時(shí)建議建立標(biāo)準(zhǔn)差異對(duì)照表,精準(zhǔn)匹配不同市場(chǎng)需求,降低合規(guī)風(fēng)險(xiǎn)。2、熱點(diǎn)關(guān)聯(lián):先進(jìn)封裝浪潮下,標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容是否需要迭代?專(zhuān)家預(yù)判未來(lái)修訂方向先進(jìn)封裝發(fā)展對(duì)引線框架的新要求:標(biāo)準(zhǔn)是否存在適配缺口?01先進(jìn)封裝如SiP、Chiplet等向高密度、薄型化發(fā)展,對(duì)引線框架提出更窄引線間距(≤0.2mm)、更低熱膨脹系數(shù)、更高耐腐蝕性等要求?,F(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)中引線間距最小要求為0.3mm,未覆蓋新型材料和超薄框架(厚度≤0.1mm)要求,存在適配缺口,難以滿足先進(jìn)封裝的技術(shù)需求,標(biāo)準(zhǔn)迭代迫在眉睫。02(二)行業(yè)熱點(diǎn)技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)的適配性:5G、AI芯片封裝如何對(duì)接?015G、AI芯片封裝對(duì)散熱、信號(hào)傳輸效率要求極高,需引線框架具備更高熱導(dǎo)率(≥150W/(m·K))和更低接觸電阻(≤3mΩ),現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)熱導(dǎo)率≥120W/(m·K)、接觸電阻≤5mΩ的要求已顯滯后。同時(shí)芯片集成度提升需引線框架多引腳化,現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)對(duì)引腳數(shù)量的規(guī)范不足,需新增相關(guān)內(nèi)容適配熱點(diǎn)技術(shù)應(yīng)用。02(三)專(zhuān)家預(yù)判:未來(lái)標(biāo)準(zhǔn)修訂的核心方向有哪些?專(zhuān)家預(yù)判修訂將聚焦三方面:一是新增先進(jìn)封裝適配要求,如窄間距、超薄

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