ICS77040

CCSH.17

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T11073—2025

代替GB/T11073—2007

硅片徑向電阻率變化測量方法

Testmethodformeasuringradialresistivityvariationonsiliconwafers

2025-10-31發(fā)布2026-05-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T11073—2025

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅片徑向電阻率變化的測量方法與相比

GB/T11073—2007《》,GB/T11073—2007,

除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了范圍見第章年版的第章

a)(1,20071);

增加了術(shù)語和定義見第章

b)(3);

更改了方法原理見第章年版的第章

c)(4,20073);

更改了干擾因素見第章年版的第章

d)(5,20074);

增加了試劑和材料見第章

e)(6)

更改了儀器設(shè)備見第章年版的第章

f)(7,20075);

增加了試驗條件見第章

g)(8);

在樣品中增加了槽的內(nèi)容并增加了厚度的要求見和

h)“V”,(9.39.4);

更改了電阻率測試選點(diǎn)方案見年版的

i)(9.4,20076.5);

更改了試驗數(shù)據(jù)處理見第章年版的第章

j)(11,20078);

更改了精密度見第章年版的第章

k)(12,20079);

刪除了幾何修正因子表見年版的

l)(200710.3);

刪除了硅片徑向電阻率變化偏差的計算規(guī)定見年版的附錄

m)(2007A)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委

(SAC/TC203)

員會共同提出并歸口

(SAC/TC243)。

本文件起草單位麥斯克電子材料股份有限公司洛陽鴻泰半導(dǎo)體有限公司杭州中欣晶圓半導(dǎo)體

:、、

股份有限公司山東有研艾斯半導(dǎo)體材料有限公司中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體科技股份有限公司浙江中晶科技

、、、

股份有限公司浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司上海新昇半導(dǎo)體科技有

、、、

限公司上海合晶硅材料股份有限公司廣東先導(dǎo)微電子科技有限公司

、、。

本文件主要起草人方麗霞郭可馬武祥邢勝昌張志林寇文杰王江華朱曉彤鄧春星黃笑容

:、、、、、、、、、、

潘金平李慎重馮天尚海波馬金峰

、、、、。

本文件于年首次發(fā)布年第一次修訂本次為第二次修訂

1989,2007,。

Ⅰ

GB/T11073—2025

硅片徑向電阻率變化測量方法

1范圍

本文件描述了用直排四探針法測量硅單晶片徑向電阻率變化的方法

。

本文件適用于厚度小于探針平均間距直徑大于室溫電阻率在-4

、15mm、3×10Ω·cm~1.8×

4的型硅單晶片及室溫電阻率在-35的型硅單晶片的徑向電

10Ω·cmp6×10Ω·cm~1×10Ω·cmn

阻率變化的測量硅單晶片其他范圍電阻率的測量參照本文件進(jìn)行

。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法

GB/T1551—2021

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅單晶切割片和研磨片

GB/T12965

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法原理

41直排四探針法

.

排列成一直線的四根探針垂直地壓在近似為半無窮大的平坦樣品表面上當(dāng)直流電流由探針探

,1、

針流入半導(dǎo)體樣品時根據(jù)點(diǎn)源疊加原理探針探針點(diǎn)的電位是探針探針點(diǎn)電流源產(chǎn)生的

4,,2、31、4

電位的和探針探針之間的電勢差即為電流源強(qiáng)度樣品電阻率和探針系數(shù)的函數(shù)測量示意圖見

,2、3、,

圖將直流電流I由探針探針間通入樣品測量探針探針間所產(chǎn)生的電勢差V根據(jù)測

1。()1、4,2、3