2025年氧化工藝證考試題庫及答案一、單選題（每題1分，共40分，每題只有一個正確答案，請將正確選項字母填入括號內(nèi)）1.在氧化工藝中，下列哪一項不是影響氧化速率的主要因素（）A.反應(yīng)溫度B.氧氣分壓C.晶圓摻雜濃度D.氧化爐管壁厚度答案：D2.干氧氧化與濕氧氧化相比，其突出優(yōu)點是（）A.氧化速度快B.氧化層致密C.設(shè)備成本低D.工藝溫度低答案：B3.采用濕氧氧化制備1μmSiO?所需時間約為干氧氧化的（）A.1/2B.1/5C.1/10D.1/20答案：C4.在DealGrove模型中，線性速率常數(shù)B/A與溫度的關(guān)系符合（）A.指數(shù)衰減B.線性增長C.阿倫尼烏斯關(guān)系D.對數(shù)關(guān)系答案：C5.氧化層厚度超過200nm后，主導(dǎo)氧化速率的步驟是（）A.表面反應(yīng)B.氧分子擴(kuò)散C.氧離子漂移D.硅原子擴(kuò)散答案：B6.下列哪種雜質(zhì)在SiO?中的分凝系數(shù)最?。ǎ〢.硼B(yǎng).磷C.砷D.銻答案：A7.氧化過程中產(chǎn)生“氧化堆垛層錯”(OSF)的根本原因是（）A.金屬污染B.氧空位過飽和C.硅自間隙原子過飽和D.熱應(yīng)力答案：C8.快速熱氧化(RTO)采用的主要加熱方式是（）A.電阻絲輻射B.鹵素?zé)糨椛銫.微波耦合D.激光掃描答案：B9.在氧化層中測量固定電荷密度Qf，常用的CV測試頻率為（）A.10HzB.1kHzC.100kHzD.1MHz答案：D10.氧化層中可動離子電荷主要來源于（）A.鈉離子B.鉀離子C.鈣離子D.鋁離子答案：A11.采用分壓氧化技術(shù)可顯著降低氧化層中的（）A.固定電荷B.界面態(tài)密度C.氧化層陷阱D.金屬雜質(zhì)答案：B12.氧化后退火(POA)在N?中進(jìn)行的主要目的是（）A.增加厚度B.降低界面態(tài)C.提高介電常數(shù)D.減少針孔答案：B13.在氧化層厚度<5nm的超薄區(qū)，DealGrove模型出現(xiàn)偏差的主要原因是（）A.應(yīng)力釋放B.量子隧穿C.初始快速氧化D.氧溶解度下降答案：C14.氧化層針孔密度測試常用的腐蝕液為（）A.HF∶H?O=1∶1B.HF∶NH?F=1∶7C.鉻酸+HFD.硝酸+醋酸答案：C15.氧化層介電強度典型值為（）A.1MV/cmB.5MV/cmC.10MV/cmD.15MV/cm答案：C16.氧化層折射率n@632nm約為（）A.1.46B.1.50C.1.54D.1.58答案：A17.采用橢偏儀測量氧化層厚度時，ΨΔ模型中需輸入的首要參數(shù)是（）A.硅襯底電阻率B.氧化層孔隙率C.氧化層光學(xué)常數(shù)D.環(huán)境溫度答案：C18.氧化層中應(yīng)力為壓應(yīng)力時，其數(shù)值典型為（）A.?10MPaB.?100MPaC.?300MPaD.?1GPa答案：C19.氧化層作為柵氧時，其缺陷密度要求<（）A.0.1/cm2B.1/cm2C.10/cm2D.100/cm2答案：A20.氧化層中水分子擴(kuò)散激活能約為（）A.0.3eVB.0.8eVC.1.2eVD.2.0eV答案：B21.氧化層中氧擴(kuò)散系數(shù)D與溫度T的關(guān)系式為D=D?exp(?Ea/kT)，其中Ea≈（）A.1.23eVB.1.17eVC.2.0eVD.2.5eV答案：B22.氧化層厚度均勻性通常要求1σ≤（）A.0.1%B.0.5%C.1%D.5%答案：C23.氧化層在HF中的腐蝕速率隨溫度升高而（）A.線性下降B.指數(shù)上升C.先升后降D.不變答案：B24.氧化層中磷摻雜后，其介電常數(shù)將（）A.下降B.不變C.輕微上升D.顯著上升答案：C25.氧化層作為LOCOS場氧時，其厚度一般選擇（）A.10nmB.50nmC.100nmD.500nm答案：D26.氧化層中Na?漂移測試溫度常選（）A.25℃B.150℃C.300℃D.500℃答案：B27.氧化層中固定電荷密度Qf與晶向關(guān)系為（）A.(111)>(110)>(100)B.(100)>(110)>(111)C.(110)>(111)>(100)D.無關(guān)晶向答案：A28.氧化層中慢態(tài)密度測試采用（）A.高頻CVB.準(zhǔn)靜態(tài)CVC.深能級瞬態(tài)譜D.熱激電流答案：B29.氧化層中陷阱電荷產(chǎn)生的主要電離源為（）A.α粒子B.γ射線C.電子束D.紫外線答案：B30.氧化層厚度>1μm時，易出現(xiàn)的現(xiàn)象是（）A.龜裂B.針孔C.分凝D.隧穿答案：A31.氧化層中磷硅玻璃(PSG)回流溫度一般低于（）A.800℃B.900℃C.1000℃D.1100℃答案：C32.氧化層中硼硅玻璃(BSG)的硼含量上限約為（）A.1wt%B.3wt%C.6wt%D.10wt%答案：C33.氧化層中應(yīng)力測量采用晶圓彎曲法，其公式σ=Ed2/6R(1?ν)，其中ν為（）A.氧化層泊松比B.硅襯底泊松比C.復(fù)合泊松比D.有效泊松比答案：B34.氧化層中水蒸氣分壓增加10倍，濕氧氧化速率約增加（）A.1倍B.2倍C.3倍D.5倍答案：C35.氧化層中氧分子溶解度隨溫度升高而（）A.下降B.不變C.上升D.先升后降答案：A36.氧化層中金屬污染檢測常用方法為（）A.TXRFB.RBSC.SIMSD.AES答案：A37.氧化層中厚度<2nm時，漏電流機(jī)制主要為（）A.FN隧穿B.直接隧穿C.熱電子發(fā)射D.PooleFrenkel答案：B38.氧化層中MOS電容平帶電壓Vfb與Qf關(guān)系為ΔVfb=?Qf/Cox，其中Cox單位是（）A.FB.F/cm2C.F/cmD.cm2/F答案：B39.氧化層中可動離子電荷測試偏壓溫度應(yīng)力(BTS)條件為±1MV/cm，250℃，持續(xù)（）A.1minB.5minC.10minD.30min答案：C40.氧化層中TDDB測試電場強度常選（）A.5MV/cmB.8MV/cmC.10MV/cmD.12MV/cm答案：C二、多選題（每題2分，共20分，每題有兩個或兩個以上正確答案，多選少選均不得分）41.下列哪些因素會加速氧化層擊穿（）A.金屬污染B.氧化層厚度不均C.高電場D.低溫退火答案：A、B、C42.氧化層中界面態(tài)密度Dit的測試方法包括（）A.高頻CVB.準(zhǔn)靜態(tài)CVC.電導(dǎo)法D.電荷泵法答案：B、C、D43.氧化層中磷硅玻璃(PSG)的作用有（）A.吸雜Na?B.降低回流溫度C.增加介電常數(shù)D.減少針孔答案：A、B、D44.氧化層中濕氧氧化與干氧氧化相比，其特點有（）A.速率快B.密度低C.介電強度低D.固定電荷少答案：A、B、C45.氧化層中快速熱氧化(RTO)的優(yōu)點包括（）A.升溫速率快B.熱預(yù)算低C.界面陡峭D.厚度均勻性好答案：A、B、C46.氧化層中MOS電容CV曲線出現(xiàn)回滯，可能原因有（）A.可動離子B.界面態(tài)C.氧化層陷阱D.串聯(lián)電阻過大答案：A、B、C47.氧化層中氧化誘生層錯(OISF)的消除方法有（）A.高溫N?退火B(yǎng).摻氯氧化C.氫氣氛退火D.降低升溫速率答案：A、B、D48.氧化層中厚度測量手段包括（）A.橢偏儀B.反射光譜C.電容電壓D.臺階儀答案：A、B、C、D49.氧化層中氯摻入的作用有（）A.吸雜金屬B.降低界面態(tài)C.提高氧化速率D.減少氧化層陷阱答案：A、B、D50.氧化層中TDDB壽命模型包括（）A.E模型B.1/E模型C.√E模型D.熱化學(xué)模型答案：A、B、D三、判斷題（每題1分，共10分，正確打“√”，錯誤打“×”）51.氧化層中固定電荷密度Qf與氧化速率無關(guān)。（）答案：×52.氧化層中水分子擴(kuò)散系數(shù)高于氧分子。（）答案：√53.氧化層厚度越薄，其介電強度越高。（）答案：×54.氧化層中磷摻雜會降低其腐蝕速率。（）答案：×55.氧化層中Na?漂移方向與電場方向相同。（）答案：√56.氧化層中(111)硅的氧化速率高于(100)。（）答案：√57.氧化層中氧化堆垛層錯可在氫氣氛中完全消除。（）答案：×58.氧化層中快速熱氧化可抑制雜質(zhì)擴(kuò)散。（）答案：√59.氧化層中MOS電容高頻CV曲線可測得平帶電壓。（）答案：√60.氧化層中厚度>2nm時，直接隧穿電流可忽略。（）答案：×四、填空題（每空1分，共20分）61.干氧氧化常用溫度區(qū)間為________℃至________℃。答案：1000，120062.濕氧氧化中水蒸氣分壓可通過________與________混合控制。答案：O?，H?63.DealGrove模型中，氧化厚度x與時間t關(guān)系為x2+Ax=B(t+τ)，其中B稱為________常數(shù)。答案：拋物線64.氧化層中固定電荷Qf位于距界面約________nm范圍內(nèi)。答案：165.氧化層中可動離子電荷測試溫度應(yīng)力偏壓條件為________MV/cm，________℃。答案：1，25066.氧化層中磷硅玻璃回流后，其表面角度可降至________°以下。答案：4567.氧化層中金屬污染檢測限TXRF可達(dá)________atoms/cm2。答案：1×10?68.氧化層中MOS電容平帶電容Cfb與氧化層電容Cox比值Cfb/Cox隨氧化層厚度增加而________。答案：增大69.氧化層中TDDB測試電場強度E與壽命t滿足lnt∝________模型時，稱為E模型。答案：E70.氧化層中水分子溶解度隨溫度升高而________。答案：下降71.氧化層中氧化誘生層錯常沿________面擴(kuò)展。答案：{111}72.氧化層中氯摻入量通?？刂圃赺_______%以內(nèi)。答案：373.氧化層中快速熱氧化升溫速率可達(dá)________℃/s。答案：10074.氧化層中橢偏儀測量精度可達(dá)________nm。答案：0.175.氧化層中應(yīng)力為壓應(yīng)力時，晶圓彎曲方向為________。答案：向下76.氧化層中硼分凝系數(shù)約為________。答案：0.377.氧化層中磷分凝系數(shù)約為________。答案：1078.氧化層中固定電荷密度Qf單位是________。答案：C/cm279.氧化層中界面態(tài)密度Dit單位是________。答案：cm?2eV?180.氧化層中氧化速率常數(shù)B的激活能約為________eV。答案：1.23五、計算題（每題10分，共30分，需寫出關(guān)鍵步驟與單位）81.已知硅在1000℃干氧氧化，DealGrove參數(shù)B=0.011μm2/h，A=0.165μm，求氧化30min后的氧化層厚度。解：t=0.5h，x2+Ax=B(t+τ)，初始氧化τ≈0x2+0.165x?0.011×0.5=0x2+0.165x?0.0055=0x=[?0.165+√(0.1652+4×0.0055)]/2x=0.030μm=30nm答案：30nm82.某MOS電容氧化層厚度tox=50nm，面積A=1×10?3cm2，測得Cox=69nF，求氧化層相對介