2026年有研科技術(shù)支持工程師考試題庫含答案一、單選題（每題2分，共20題）1.在半導(dǎo)體制造過程中，以下哪種設(shè)備主要用于晶圓的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）？A.光刻機(jī)B.腐蝕刻蝕機(jī)C.氣相沉積設(shè)備D.化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)2.有研科某型號的真空爐在加熱過程中出現(xiàn)溫度均勻性差的問題，可能的原因是？A.加熱元件老化B.真空度不足C.溫控器故障D.以上都是3.在半導(dǎo)體封裝測試中，以下哪種材料常用于引線鍵合的導(dǎo)電材料？A.銅線B.銀線C.金線D.鋁線4.有研科某型號的磁控濺射設(shè)備在濺射過程中出現(xiàn)膜層厚度不均，可能的原因是？A.陰極靶材磨損不均B.氣體流量不穩(wěn)定C.工作距離不當(dāng)D.以上都是5.在半導(dǎo)體設(shè)備維護(hù)中，以下哪種方法不屬于預(yù)防性維護(hù)？A.定期更換濾芯B.潤滑軸承C.緊急故障處理D.清潔真空管道6.有研科某型號的薄膜沉積設(shè)備在運行過程中出現(xiàn)沉積速率下降，可能的原因是？A.沉積源堵塞B.工作氣壓過高C.熱源功率不足D.以上都是7.在半導(dǎo)體設(shè)備調(diào)試過程中，以下哪種參數(shù)不屬于設(shè)備初始設(shè)置的關(guān)鍵項？A.溫度曲線B.氣體流量C.真空度D.操作人員姓名8.有研科某型號的刻蝕設(shè)備在刻蝕過程中出現(xiàn)側(cè)蝕嚴(yán)重，可能的原因是？A.刻蝕氣體配比不當(dāng)B.刻蝕速率過高C.工作溫度過低D.以上都是9.在半導(dǎo)體設(shè)備故障診斷中，以下哪種方法不屬于邏輯分析法？A.逐步排查法B.替換法C.參數(shù)比對法D.猜測法10.有研科某型號的等離子清洗設(shè)備在清洗過程中出現(xiàn)清洗效果差，可能的原因是？A.清洗氣體選擇不當(dāng)B.清洗時間過短C.等離子功率不足D.以上都是二、多選題（每題3分，共10題）1.有研科某型號的半導(dǎo)體光刻設(shè)備在曝光過程中出現(xiàn)分辨率下降，可能的原因包括？A.光源老化B.鏡頭污染C.曝光劑量不當(dāng)D.聚焦誤差2.在半導(dǎo)體設(shè)備維護(hù)中，以下哪些屬于日常維護(hù)工作？A.檢查設(shè)備運行狀態(tài)B.更換易損件C.記錄運行參數(shù)D.進(jìn)行設(shè)備校準(zhǔn)3.有研科某型號的薄膜沉積設(shè)備在沉積過程中出現(xiàn)膜層針孔，可能的原因包括？A.沉積源污染B.工作溫度過高C.氣體純度不足D.基板清潔不徹底4.在半導(dǎo)體設(shè)備故障診斷中，以下哪些方法屬于有效的方法？A.參數(shù)分析法B.信號追蹤法C.隔離法D.猜測法5.有研科某型號的刻蝕設(shè)備在刻蝕過程中出現(xiàn)刻蝕速率不穩(wěn)定，可能的原因包括？A.刻蝕氣體流量波動B.刻蝕腔體漏氣C.等離子功率不穩(wěn)定D.工作溫度變化6.在半導(dǎo)體設(shè)備調(diào)試過程中，以下哪些參數(shù)需要重點設(shè)置？A.溫度曲線B.氣體流量C.真空度D.操作界面語言7.有研科某型號的等離子清洗設(shè)備在清洗過程中出現(xiàn)清洗不徹底，可能的原因包括？A.清洗氣體選擇不當(dāng)B.清洗時間過短C.等離子功率不足D.基板表面污染嚴(yán)重8.在半導(dǎo)體設(shè)備維護(hù)中，以下哪些屬于關(guān)鍵部件？A.加熱元件B.真空泵C.控制器D.風(fēng)扇9.有研科某型號的薄膜沉積設(shè)備在沉積過程中出現(xiàn)膜層厚度偏差，可能的原因包括？A.基板放置不均勻B.沉積源堵塞C.工作距離不當(dāng)D.氣體流量不匹配10.在半導(dǎo)體設(shè)備故障診斷中，以下哪些屬于常見故障類型？A.設(shè)備無法啟動B.運行參數(shù)異常C.膜層質(zhì)量差D.設(shè)備報警三、判斷題（每題1分，共10題）1.半導(dǎo)體設(shè)備的真空度越高，對薄膜沉積的質(zhì)量越好。（×）2.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）可以有效去除晶圓表面的劃痕。（√）3.有研科某型號的等離子清洗設(shè)備在清洗過程中必須使用高純度氣體。（√）4.半導(dǎo)體設(shè)備的刻蝕速率越高，刻蝕效果越好。（×）5.光刻機(jī)的分辨率越高，曝光效果越好。（√）6.有研科某型號的薄膜沉積設(shè)備在沉積過程中必須保持恒溫恒壓。（√）7.半導(dǎo)體設(shè)備的維護(hù)工作只需要定期更換濾芯即可。（×）8.刻蝕設(shè)備的側(cè)蝕嚴(yán)重會導(dǎo)致膜層厚度不均。（√）9.有研科某型號的等離子清洗設(shè)備在清洗過程中必須使用高功率。（×）10.半導(dǎo)體設(shè)備的故障診斷只需要依靠經(jīng)驗判斷。（×）四、簡答題（每題5分，共5題）1.簡述有研科某型號的薄膜沉積設(shè)備在沉積過程中出現(xiàn)膜層針孔的可能原因及解決方法。答：-可能原因：沉積源污染、工作溫度過高、氣體純度不足、基板清潔不徹底。-解決方法：定期清潔沉積源、優(yōu)化工作溫度、使用高純度氣體、確?；迩鍧崱?.簡述有研科某型號的刻蝕設(shè)備在刻蝕過程中出現(xiàn)刻蝕速率不穩(wěn)定的原因及解決方法。答：-可能原因：刻蝕氣體流量波動、刻蝕腔體漏氣、等離子功率不穩(wěn)定、工作溫度變化。-解決方法：穩(wěn)定氣體流量、檢查腔體密封性、校準(zhǔn)功率控制、保持工作溫度穩(wěn)定。3.簡述有研科某型號的等離子清洗設(shè)備在清洗過程中出現(xiàn)清洗不徹底的原因及解決方法。答：-可能原因：清洗氣體選擇不當(dāng)、清洗時間過短、等離子功率不足、基板表面污染嚴(yán)重。-解決方法：優(yōu)化清洗氣體配比、延長清洗時間、提高等離子功率、加強(qiáng)基板預(yù)處理。4.簡述有研科某型號的薄膜沉積設(shè)備在沉積過程中出現(xiàn)膜層厚度偏差的原因及解決方法。答：-可能原因：基板放置不均勻、沉積源堵塞、工作距離不當(dāng)、氣體流量不匹配。-解決方法：確?；寰鶆蚍胖谩⒍ㄆ谇鍧嵆练e源、調(diào)整工作距離、優(yōu)化氣體流量。5.簡述有研科某型號的刻蝕設(shè)備在刻蝕過程中出現(xiàn)側(cè)蝕嚴(yán)重的原因及解決方法。答：-可能原因：刻蝕氣體配比不當(dāng)、刻蝕速率過高、工作溫度過低。-解決方法：優(yōu)化刻蝕氣體配比、降低刻蝕速率、提高工作溫度。五、論述題（每題10分，共2題）1.論述有研科某型號的半導(dǎo)體光刻設(shè)備在曝光過程中出現(xiàn)分辨率下降的原因及解決方法。答：-可能原因：光源老化、鏡頭污染、曝光劑量不當(dāng)、聚焦誤差。-解決方法：更換光源、清潔鏡頭、優(yōu)化曝光劑量、校準(zhǔn)聚焦系統(tǒng)。-預(yù)防措施：定期維護(hù)設(shè)備、使用高純度材料、加強(qiáng)參數(shù)監(jiān)控。2.論述有研科某型號的薄膜沉積設(shè)備在沉積過程中出現(xiàn)膜層厚度不均的原因及解決方法。答：-可能原因：沉積源堵塞、工作距離不當(dāng)、氣體流量不匹配、基板放置不均勻。-解決方法：定期清潔沉積源、調(diào)整工作距離、優(yōu)化氣體流量、確保基板均勻放置。-預(yù)防措施：加強(qiáng)設(shè)備日常維護(hù)、使用高精度控制設(shè)備、優(yōu)化工藝參數(shù)。答案與解析一、單選題1.D2.D3.C4.D5.C6.D7.D8.D9.D10.D二、多選題1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABC5.ABCD6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.ABCD10.ABCD三、判斷題1.×2