ICS3310020

CCSL.06.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)性技術(shù)文件

GB/Z1762635—2025

.

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

第35部分HPEM模擬器概述

:

Electromagneticcompatibility—Testingandmeasurementtechniques—

Part35HPEMsimulatorcomendium

:p

IEC/TR61000-4-352009ElectromaneticcomatibilitEMC—

[:,gpy()

Part4-35Testinandmeasurementtechniues—HPEMsimulator

:gq

comendiumMOD

p,]

2025-12-03發(fā)布

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/Z1762635—2025

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅴ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

總則

4………………………4

模擬器數(shù)據(jù)表的定義和說(shuō)明

5……………5

概述

5.1…………………5

基本信息

5.2……………6

管理信息

5.3……………6

可用性

5.4………………6

電磁場(chǎng)特性

5.5…………………………7

寬帶和超寬帶模擬器寬譜亞超寬譜和超寬譜模擬器

5.5.1(、)……7

窄帶模擬器窄譜模擬器

5.5.2()……………………7

其他技術(shù)信息

5.6………………………8

項(xiàng)目描述

6…………………9

概述

6.1…………………9

寬帶和超寬帶模擬器

6.2………………9

窄帶模擬器

6.3…………………………10

混響室

6.4………………10

模擬器數(shù)據(jù)表

7……………11

寬帶模擬器

7.1…………………………11

德國(guó)

7.1.1HIRAⅡ-PBG()………………………11

烏克蘭

7.1.2AVTOARRESTOR()………………13

窄帶模擬器

7.2…………………………15

和的模擬器捷克

7.2.13GHz、6GHz9GHzHPM()…………15

模擬器法國(guó)

7.2.2HYPERION()…………………19

模擬器法國(guó)

7.2.3MELUSINE()…………………22

模擬器德國(guó)

7.2.4EMCCDr.Ra?ekHIRF()……………………25

模擬器德國(guó)

7.2.5SUPRA()………………………29

模擬器瑞典

7.2.6SPFaraday()……………………32

模擬器瑞典

7.2.7MTF()…………34

模擬器英國(guó)

7.2.8ORION()………………………38

模擬器英國(guó)

7.2.9REG()……………41

混響室

7.3………………45

混響室德國(guó)

7.3.1LargeMagdeburg()……………45

Ⅰ

GB/Z1762635—2025

.

鋁制混響室意大利

7.3.2CISAM()………………47

混響室美國(guó)

7.3.3EnvironLaboratories()…………50

混響室英國(guó)

7.3.4QinetiQMedium()……………52

參考文獻(xiàn)

……………………55

Ⅱ

GB/Z1762635—2025

.

前言

本文件為報(bào)告類(lèi)指導(dǎo)性技術(shù)文件

。

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)的第部分已經(jīng)發(fā)布

GB/T(Z)17626《》35。GB/T(Z)17626

了以下部分

:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分抗擾度試驗(yàn)總論

———GB/Z17626.1—20241:;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.2—2018;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度

———GB/T17626.3—20233:

試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.4—2018;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.5—2019();

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

———GB/T17626.6—2017;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波間諧波的測(cè)

———GB/T17626.7—2017、

量和測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.8—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.9—20259:;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.10—2017;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分對(duì)每相輸入電流小于或等

———GB/T17626.11—202311:

于設(shè)備的電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)

16A、;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分振鈴波抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.12—202312:;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)交流電源端口諧波諧間波及電網(wǎng)信

———GB/T17626.13—2006、

號(hào)的低頻抗擾度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.14—2005;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)閃爍儀功能和設(shè)計(jì)規(guī)范

———GB/T17626.15—2011;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度

———GB/T17626.16—20070Hz~150kHz

試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.17—2005;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.18—2016;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分交流電源端口

———GB/T17626.19—202219:2kHz~

差模傳導(dǎo)騷擾和通信信號(hào)抗擾度試驗(yàn)

150kHz;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)橫電磁波波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾

———GB/T17626.20—2014(TEM)

度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)混波室試驗(yàn)方法

———GB/T17626.21—2014;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度

———GB/T17626.22—2017

測(cè)量

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)

———GB/T17626.24—2012HEMP

方法

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.27—2006;

Ⅲ

GB/Z1762635—2025

.

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.28—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口電壓暫降短時(shí)中

———GB/T17626.29—2006、

斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分電能質(zhì)量測(cè)量方法

———GB/T17626.30—202330:;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分交流電源端口寬帶傳導(dǎo)騷

———GB/T17626.31—202131:

擾抗擾度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分高空電磁脈沖模

———GB/Z17626.32—202532:(HEMP)

擬器概述

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分高功率瞬態(tài)參數(shù)測(cè)量方法

———GB/Z17626.33—202333:;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)主電源每相電流大于的設(shè)備的

———GB/T17626.34—201216A

電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)

、;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分模擬器概述

———GB/Z17626.35—202535:HPEM;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分設(shè)備和系統(tǒng)的有意電磁干

———GB/T17626.36—202436:

擾抗擾度試驗(yàn)方法

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分近距離輻射場(chǎng)抗擾度

———GB/T17626.39—202339:

試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分測(cè)量調(diào)制或畸變信號(hào)電氣

———GB/T17626.40—202540:

量的數(shù)字方法

。

本文件修改采用電磁兼容第部分試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

IEC61000-4-35:2009《(EMC)4-35:HPEM

模擬器概述

》。

本文件與相比做了下述結(jié)構(gòu)調(diào)整

IEC61000-4-35:2009:

增加了概述后續(xù)章節(jié)號(hào)相應(yīng)變化

———5.1“”,;

第章增加了章節(jié)序號(hào)

———7。

本文件與的技術(shù)差異及其原因如下

IEC61000-4-35:2009:

刪除了下懸置段文字不影響對(duì)原文的理解

———5.5,。

本文件做了下列編輯性改動(dòng)

:

為與現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)將標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)改為電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分模擬

———,《35:HPEM

器概述

》;

第章的標(biāo)題數(shù)據(jù)表改為模擬器數(shù)據(jù)表

———7“”“”;

刪除了原文第頁(yè)的腳注

———71;

按照表述的統(tǒng)一性修改了各模擬器全局照片的圖題

———。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC246)。

本文件起草單位陸軍工程大學(xué)深圳市檢驗(yàn)檢疫科學(xué)研究院深圳市鼎信科技有限公司

:、、。

本文件主要起草人段艷濤蘇麗媛付尚琛李云石立華慕容灝鼎高成陳海林謝晉雄

:、、、、、、、、、

高鳳翔孫征周穎慧

、、。

Ⅳ

GB/Z1762635—2025

.

引言

電磁兼容性是電氣和電子設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不

能承受的電磁騷擾的能力電磁兼容問(wèn)題是影響環(huán)境及產(chǎn)品質(zhì)量的重要因素之一其標(biāo)準(zhǔn)化工作已引

。,

起國(guó)內(nèi)外的普遍關(guān)注在這方面國(guó)際電工委員會(huì)制定的系列標(biāo)準(zhǔn)是制造業(yè)信息產(chǎn)

。,(IEC)IEC61000、

業(yè)電工電氣工程及能源交通運(yùn)輸業(yè)社會(huì)事業(yè)及健康消費(fèi)品質(zhì)量安全等領(lǐng)域中的通用標(biāo)準(zhǔn)分為綜

、、、、,

述環(huán)境限值試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)安裝和減緩導(dǎo)則通用標(biāo)準(zhǔn)大類(lèi)我國(guó)已經(jīng)針對(duì)該系列標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)展了

、、、、、6。

國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)化工作并建立了相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)體系

,。

在該標(biāo)準(zhǔn)體系中電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)是關(guān)于電磁兼容領(lǐng)域試驗(yàn)和測(cè)量

,GB/T(Z)17626《》

技術(shù)方面的基礎(chǔ)性標(biāo)準(zhǔn)旨在描述傳導(dǎo)騷擾輻射騷擾等電磁兼容現(xiàn)象的抗擾度試驗(yàn)等內(nèi)容擬由個(gè)

,、,40

部分構(gòu)成

。

第部分抗擾度試驗(yàn)總論目的在于提供電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)中有關(guān)試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)的使用性指

———1:。

導(dǎo)并對(duì)選擇相關(guān)的試驗(yàn)提供通用的建議

,。

第部分靜電放電抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣和電子設(shè)

———2:。,

備遭受靜電放電時(shí)的性能

。

第部分射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮㈦姎怆娮釉O(shè)備受到射頻電磁場(chǎng)輻射時(shí)

———3:。、

的抗擾度評(píng)定依據(jù)

。

第部分電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣

———4:。,

和電子設(shè)備的供電電源端口信號(hào)控制和接地端口在受到電快速瞬變脈沖群干擾時(shí)的抗擾度

、、

性能

。

第部分浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣和電子

———5:()。,

設(shè)備在受到浪涌沖擊時(shí)的抗擾度性能

()。

第部分射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度目的在于建立通用的和可重現(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣

———6:。,

和電子設(shè)備在收到由射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾時(shí)的抗擾度性能

。

第部分供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波間諧波的測(cè)量和測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則目的在于規(guī)定可用于根

———7:、。

據(jù)某些標(biāo)準(zhǔn)給出的發(fā)射限值對(duì)設(shè)備逐項(xiàng)進(jìn)行試驗(yàn)對(duì)實(shí)際供電系統(tǒng)中諧波電流和電壓的測(cè)量

,

的儀器

。

第部分工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估家用商業(yè)和

———8:。,、

工業(yè)用電氣和電子設(shè)備處于工頻連續(xù)和短時(shí)磁場(chǎng)中的抗擾度性能

()。

第部分脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估居住商業(yè)和

———9:。,、

工業(yè)用電氣和電子設(shè)備處于脈沖磁場(chǎng)中的抗擾度性能

。

第部分阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估中高壓

———10:。,、

變電站中電氣和電子設(shè)備處于阻尼振蕩磁場(chǎng)中的抗擾度性能

。

第部分對(duì)每相輸入電流小于或等于設(shè)備的電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試

———11:16A、

驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣和電子設(shè)備在經(jīng)受電壓暫降短時(shí)中斷

。,、

和電壓變化的抗擾度性能

。

第部分振鈴波抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估在實(shí)驗(yàn)室中居

———12:。,

住商業(yè)和工業(yè)用電氣和電子設(shè)備的抗擾度性能同樣也適用于發(fā)電站和變電站的設(shè)備

、,。

第部分交流電源端口諧波諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的低頻抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫?/p>

———13:、。

和可重現(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣和電子設(shè)備對(duì)諧波間諧波和電網(wǎng)信號(hào)頻率的低頻抗擾度性能

,、。

Ⅴ

GB/Z1762635—2025

.

第部分電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣和電子

———14:。,

設(shè)備在受到正和負(fù)的低幅值電壓波動(dòng)時(shí)的抗擾度性能

。

第部分閃爍儀功能和設(shè)計(jì)規(guī)范目的在于為所有實(shí)際的電壓波動(dòng)波形顯示正確的閃爍

———15:。

感知電平

。

第部分共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮㈦姎夂碗娮釉O(shè)備經(jīng)受共

———16:0Hz~150kHz。

模傳導(dǎo)騷擾測(cè)試的通用和可重復(fù)性準(zhǔn)則

。

第部分直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)用以

———17:。,

在實(shí)驗(yàn)室條件下對(duì)電氣和電子設(shè)備進(jìn)行來(lái)自如整流系統(tǒng)和或蓄電池充電時(shí)疊加在直流電源

/

上的紋波電壓的抗擾度試驗(yàn)

。

第部分阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣和電

———18:。,

子設(shè)備在受到阻尼振蕩波時(shí)的抗擾度性能

。

第部分交流電源端口差模傳導(dǎo)騷擾和通信信號(hào)抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟?/p>

———19:2kHz~150kHz。

確認(rèn)電氣和電子設(shè)備在公用電網(wǎng)下工作時(shí)能承受來(lái)自諸如電力電子和電力線通信系統(tǒng)

(PLC)

等的差模傳導(dǎo)騷擾

。

第部分橫電磁波波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮o出波導(dǎo)的性能

———20:(TEM)。TEM、

用于電磁兼容試驗(yàn)的波導(dǎo)的確認(rèn)方法在波導(dǎo)中進(jìn)行輻射發(fā)射和抗擾度試驗(yàn)的試

TEM、TEM

驗(yàn)布置步驟和要求

、。

第部分混波室試驗(yàn)方法目的在于建立使用混波室評(píng)估電氣和電子設(shè)備在射頻電磁場(chǎng)中

———21:。

的性能和確定電氣電子設(shè)備的輻射發(fā)射等級(jí)的通用規(guī)范

。

第部分全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度測(cè)量目的在于規(guī)定在同一個(gè)全電波暗室內(nèi)進(jìn)

———22:。

行輻射發(fā)射和輻射抗擾度的通用確認(rèn)程序受試設(shè)備的試驗(yàn)布置要求和全電波暗室測(cè)量方法

、。

第部分和其他輻射騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法目的在于通過(guò)描述試驗(yàn)的

———23:HEMP。HEMP

基本原理以及防護(hù)元件試驗(yàn)的理論基礎(chǔ)試驗(yàn)概念試驗(yàn)配置所需設(shè)備試驗(yàn)程序數(shù)據(jù)處

,()、、、、

理等重要概念

。

第部分傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置

———24:HEMP。HEMP

的試驗(yàn)方法包括電壓擊穿和電壓限制特性的試驗(yàn)以及電壓和電流快速變化時(shí)的殘余電壓的

,,

測(cè)量方法

。

第部分設(shè)備和系統(tǒng)抗擾度試驗(yàn)方法目的在于建立通用的和可重現(xiàn)的基準(zhǔn)用于

———25:HEMP。,

評(píng)估遭受輻射環(huán)境及其在電源天線信號(hào)線和控制線上產(chǎn)生的傳導(dǎo)瞬態(tài)騷擾時(shí)

HEMP、、I/O

的電氣和電子設(shè)備性能

。

第部分三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟跒殡姎夂碗娮釉O(shè)備在受到不平衡的供電電

———27:。

壓時(shí)的抗擾度評(píng)價(jià)建立參考

。

第部分工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟跒殡姎夂碗娮釉O(shè)備在受到工頻頻率變化時(shí)的

———28:。

抗擾度評(píng)價(jià)提供依據(jù)

。

第部分直流電源輸入端口電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮?/p>

———29:、。

評(píng)價(jià)直流電氣電子設(shè)備在經(jīng)受電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化時(shí)的抗擾度的通用準(zhǔn)則

、、。

第部分電能質(zhì)量測(cè)量方法目的在于規(guī)定交流供電系統(tǒng)中電能質(zhì)量參數(shù)測(cè)量方法

———30:。50Hz

及測(cè)量結(jié)果的解釋

。

第部分交流電源端口寬帶傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫幕鶞?zhǔn)以評(píng)估電氣

———31:。,

和電子設(shè)備交流電源端口在遭受有意和或無(wú)意寬帶信號(hào)源產(chǎn)生的傳導(dǎo)騷擾時(shí)的抗擾度

/。

第部分高空電磁脈沖模擬器概述目的在于提供國(guó)際上現(xiàn)有的系統(tǒng)級(jí)

———32:(HEMP)。HEMP

模擬器以及它們作為抗擾度試驗(yàn)與驗(yàn)證設(shè)備時(shí)所需要的相關(guān)信息

。

第部分高功率瞬態(tài)參數(shù)測(cè)量方法目的在于給出高功率電磁瞬態(tài)響應(yīng)波形的測(cè)量方法和

———33:。

Ⅵ

GB/Z1762635—2025

.

特征參數(shù)的信息

。

第部分主電源每相電流大于的設(shè)備的電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)

———34:16A、。

目的在于建立評(píng)價(jià)電氣和電子設(shè)備在經(jīng)受電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化時(shí)的抗擾度的通用

、

準(zhǔn)則

。

第部分模擬器概述目的在于提供國(guó)際上現(xiàn)有的系統(tǒng)級(jí)窄帶窄譜和寬

———35:HPEM。HPEM()

帶寬譜亞超寬譜和超寬譜模擬器以及它們作為抗擾度試驗(yàn)與驗(yàn)證設(shè)備時(shí)所需要的相關(guān)

(、)

信息

。

第部分設(shè)備和系統(tǒng)的有意電磁干擾抗擾度試驗(yàn)方法目的在于為評(píng)估設(shè)備和系統(tǒng)對(duì)有意

———36:。

電磁干擾源的抗擾度提供了確定試驗(yàn)水平的方法