投資要點2AI高景氣疊加終端更新迭代，存儲市場規(guī)模有望穩(wěn)步增長。當前AI發(fā)展如火如荼，尤其是基礎(chǔ)設(shè)施/服務(wù)器端，推動企業(yè)級存儲等高端產(chǎn)品需求持續(xù)向好。其中，除HBM需求延續(xù)高景氣之外，DDR5等高端產(chǎn)品滲透率也在逐步提升，另外，eSSD產(chǎn)品也得益于HDD供應(yīng)緊缺以及QLC顆粒推廣帶來成本優(yōu)化而迎來滲透率加速。從終端來看，傳統(tǒng)電子產(chǎn)品如手機、PC等隨著更新迭代，DRAM和NAND

Flash單機容量持續(xù)增加，產(chǎn)品規(guī)格也在同步提升，考慮到未來AI推理帶來的巨大數(shù)據(jù)存儲需求以及AI終端產(chǎn)品逐步成熟和放量，存儲市場規(guī)模有望保持穩(wěn)定提升態(tài)勢。需求回暖疊加產(chǎn)能重心偏移，存儲產(chǎn)品迎來全面漲價。一方面，當前AI延續(xù)高景氣，企業(yè)級存儲產(chǎn)品需求向好，另一方面，傳統(tǒng)存儲市場庫存逐步去化疊加原廠控產(chǎn)，推動行業(yè)供需格局改善，自25Q2起主流存儲產(chǎn)品合約價開始回暖，根據(jù)TrendForce預(yù)測，在25Q3合約價環(huán)比上漲基礎(chǔ)上，25Q4

DRAM/NAND

Flash合約價有望分別環(huán)比+13%-18%/+5%-10%。展望后續(xù)，DRAM除去HBM需求高景氣外，其他類型產(chǎn)品的市場供需有望在存儲原廠產(chǎn)能向高端產(chǎn)品傾斜而持續(xù)，改漲善價態(tài)勢有望進一步延續(xù)，而NAND方面，由于NAND未有HBM等高盈利性產(chǎn)品，因此NAND原廠盈利壓力相對更大，對于漲價需求更為迫切，考慮到當前市場供需情況良好，產(chǎn)品漲價有望持續(xù)。投資建議：當前存儲全面漲價已成為行業(yè)和市場共識，考慮到當前存儲原廠業(yè)績盈利需求，我們認為主流存儲產(chǎn)品漲價有望持續(xù)，另外，近幾年國內(nèi)相關(guān)存儲廠商不論是在產(chǎn)品技術(shù)亦或是市場客戶方面均取得有效突破，有望逐步彌補國內(nèi)中高端市場供應(yīng)缺口，相關(guān)存儲廠商經(jīng)營業(yè)績有望迎來持續(xù)改善，建議關(guān)注江波龍、兆易創(chuàng)新、瀾起科技、德明利、香農(nóng)芯創(chuàng)、佰維存儲、開普云。風(fēng)險提示：下游需求恢復(fù)不及預(yù)期風(fēng)險；國內(nèi)廠商對先進技術(shù)的研發(fā)進程不及預(yù)期風(fēng)險；新品研發(fā)進度受到阻礙風(fēng)險。存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈3江波龍招股書，目錄CO

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S存儲行業(yè)：主流存儲迎來全面漲價，高端產(chǎn)品需求持續(xù)向好DRAM：HBM延續(xù)高景氣，DDR5逐步成為主流NAND

Flash：QLC迎來推廣，eSSD滲透加速投資建議和風(fēng)險提示1

DRAM和NAND

Flash共同主導(dǎo)存儲芯片市場半導(dǎo)體存儲也稱為存儲芯片，根據(jù)數(shù)據(jù)存儲原理的不同，半導(dǎo)體存儲器可以分為隨機存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）。RAM是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，可隨時進行數(shù)據(jù)讀寫且速度較快，斷電后保存數(shù)據(jù)會丟失，是易失性存儲器，通常用作操作系統(tǒng)或者其他運行中程序的臨時數(shù)據(jù)存儲介R質(zhì)O；M是一種只能讀取事先所存數(shù)據(jù)的存儲器，斷電后也能保存數(shù)據(jù)，是非易失性存儲器，常用于存儲各種固定程序和數(shù)據(jù)。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，當前存儲芯片市場主要以DRAM和NAND

Flash兩大類產(chǎn)品為主。存儲芯片常見分類 全球存儲芯片產(chǎn)品細分市場占比情況5中商產(chǎn)業(yè)研究院《2023年中國存儲芯片行業(yè)市場前景及投資研究報告，2023年6月20日》，2

AI驅(qū)動HBM需求高增，DRAM市場表現(xiàn)更優(yōu)受益于HBM強勁需求，DRAM市場表現(xiàn)相較NAND

Flash更優(yōu)。根據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)，2024年全球DRAM市場規(guī)模達973.7億美元，同比+91%，主要得益于AI持續(xù)拉動HBM等高價值產(chǎn)品的需求增長，2024年NAND

Flash全球市場規(guī)模則同比+75%至696億美元。分季度來看，DRAM自23Q1起實現(xiàn)了連續(xù)八個季度的環(huán)比增長，24Q4

DRAM市場規(guī)模達293.5億美元，NANDFlash整體市場表現(xiàn)逐步回暖。全球DRAM/NANDFlash市場收入季度變化（億美元）6CFM閃存市場，3

CSP加碼AI基礎(chǔ)設(shè)施投入，服務(wù)器存儲需求增幅領(lǐng)先DRAM應(yīng)用分布（按位元需求）服務(wù)器位元需求增幅領(lǐng)先其他應(yīng)用領(lǐng)域。根據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)，整體來看，由于大型CSP將投資重心轉(zhuǎn)移至AI基礎(chǔ)設(shè)施，存儲原廠相繼將產(chǎn)能及資本開支向高端產(chǎn)品傾斜，推動近幾年服務(wù)器存儲位元需求穩(wěn)定增長，需求增幅領(lǐng)先于其他應(yīng)用領(lǐng)域。其中，DRAM方面，2024年占比最大的應(yīng)用下游由手機轉(zhuǎn)向服務(wù)器，預(yù)計到2025年服務(wù)器在DRAM占比將由2023年的32%增加至36%，而HBM占比將增加至9%。NAND

Flash方面，預(yù)計2025年手機依舊是NAND

Flash最大應(yīng)用占比，但服務(wù)器需求占比由2023年的16%提升至2025年的30%。NAND

Flash應(yīng)用分布（按位元需求）7《2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》CFM閃存市場，4

SK海力士穩(wěn)居DRAM首位，NAND

Flash市占率同步提升根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，

在HBM和一般型DRAM合約價上漲及出貨量增長共同推動下，

25Q2

DRAM整體營收環(huán)比+17.1%至316.3億美元，其中，SK海力士以38.7%位列全球市場首位，對應(yīng)營收達122.29億美元，其次是三星和美光，市場份額分別達32.7%和22%。NAND

Flash方面，預(yù)計25Q2產(chǎn)業(yè)營收將環(huán)比+22%至146.7億美元，其中，三星以32.9%市場份額位列全球首位，其次是SK集團（SK海力士+Solidigm）

，市占率達2 1%，而鎧俠得益于AI服務(wù)器需求旺盛以及PC、智能手機客戶庫存去化順利，市場份額超越美光提升至全球第三。25Q2全球DRAM廠自有品牌內(nèi)存營收排名 25Q2全球NAND

Flash廠商營收排名8TrendForce，5

主流存儲價格逐季上漲，HBM持續(xù)支撐DRAM價格主流存儲價格逐季上漲，DRAM漲幅更為突出。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，整體來看，主流存儲產(chǎn)品價格自25Q2起開始迎來全面漲價，且呈現(xiàn)逐季環(huán)比增加的態(tài)勢。具體而言，由于HBM需求強勁且價值量較高，持續(xù)支撐DRAM整體價格，預(yù)計25Q4

DRAM整體合約價將環(huán)比上漲13%-18%。而NAND

Flash價格在原廠控產(chǎn)及庫存去化背景下迎來回暖，且eSSD需求向好，共同推動合約價格上漲。24Q2-25Q4存儲產(chǎn)品合約價環(huán)比漲跌幅9TrendForce，24Q224Q324Q425Q125Q225Q3E25Q4EDRAM（包含HBM）上漲13-18%上漲10-15%上漲0-8%下降0-5%上漲3-8%上漲15-20%上漲13-18%NAND

Flash上漲15-20%上漲5-10%下降3-8%下降15-20%上漲3-8%上漲3-8%上漲5-10%6

原廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端，舊世代DRAM供應(yīng)偏緊持續(xù)漲價三大DRAM原廠產(chǎn)能向高端傾斜，舊時代DRAM產(chǎn)品供不應(yīng)求推動價格持續(xù)上漲。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，由于HBM等高端產(chǎn)品需求持續(xù)上揚，海外DRAM存儲原廠陸續(xù)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品，并相繼宣布PC/服務(wù)器/手機等領(lǐng)域的DDR4/LPDDR4X將進入產(chǎn)品生命周期末端，推動市場積極備貨，預(yù)計2025年下半年DDR4/LPDDR4仍將供不應(yīng)求，導(dǎo)致相關(guān)存儲產(chǎn)品價格持續(xù)走高。其中，在25Q2合約價上漲的基礎(chǔ)上，預(yù)計25Q3PC/Server/ConsumerDDR4合約價將分別環(huán)比+38-43%/+28-33%/+85-90%，另外，25Q3合約價預(yù)計將環(huán)比+38-43%。2025年三季度DDR4/LPDDR4X合約價漲幅預(yù)測10TrendForce，7

HDD供應(yīng)緊缺，eSSD滲透加速Nearline

HDD與QLC

SSD比較AI快速發(fā)展催生海量存儲需求，

HDD供應(yīng)不足驅(qū)動SSD滲透加速。在傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心，HDD憑借極低的成本優(yōu)勢穩(wěn)居冷數(shù)據(jù)主流存儲方案，但由于全球核心HDD制造商近年未擴大產(chǎn)能，無法及時滿足AI帶來的爆發(fā)性巨量存儲需求，導(dǎo)致NL

HDD交期由原有數(shù)周延長至52周。北美CSP此前已將SSD用于溫數(shù)據(jù)存儲，由于HDD供應(yīng)缺口過大，CSP開始考慮將SSD應(yīng)用至冷數(shù)據(jù)存儲，推動SSD應(yīng)用滲透加速?；诖耍琋AND

Flash原廠出于業(yè)績盈利需求，且高容量SSD產(chǎn)品產(chǎn)能有限，預(yù)計將推動25Q4企業(yè)級SSD合約價環(huán)比+5-10%。24Q425Q125Q225Q3E25Q4E企業(yè)級SSD上漲0-5下降18-23持平上漲5-10上漲5-10產(chǎn)品交付周期每GB

ASP（美元）最大容量性能能效Nearline

HDD52周0.01532TB弱較低QLC

SSD8周0.05-0.06122TB強較高24Q4-25Q4企業(yè)級SSD合約價環(huán)比漲跌幅11TrendForce，8

AI高景氣疊加行業(yè)供需改善，原廠業(yè)績有望進入增長新階段AI存儲需求強勁，海外原廠業(yè)績有望進入新一輪增長階段。從原廠業(yè)績角度來看，一方面，AI高景氣持續(xù)推動HBM、eSSD等企業(yè)級存儲產(chǎn)品需求增長，另一方面，原廠逐步將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至高端領(lǐng)域，且出于業(yè)績盈利需求，對傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品進行控產(chǎn)，原廠營業(yè)利潤率自23H2起逐步修復(fù)。結(jié)合未來AI算力對配套存儲需求的積極推動作用，在25Q2主流存儲產(chǎn)品開始新一輪漲價后，25Q3起海外原廠業(yè)績有望進入新一輪增長階段。SK海力士和美光業(yè)績指標變化情況12，平安證券研究（由于美光財季時間不同，將美光數(shù)據(jù)前置一個季度用于同業(yè)比較）3目錄CO

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SDRAM：HBM延續(xù)高景氣，DDR5逐步成為主流存儲行業(yè)：主流存儲迎來全面漲價，高端產(chǎn)品需求持續(xù)向好NAND

Flash：QLC迎來推廣，eSSD滲透加速投資建議和風(fēng)險提示2.1

內(nèi)存帶寬成為限制AI加速器提升算力性能的關(guān)鍵瓶頸之一14SK海力士官網(wǎng)，三星官網(wǎng)，當前諸如GPT-3等AI大模型所要求的算力日益提升，伴隨著的是參數(shù)數(shù)量呈現(xiàn)指數(shù)級增長，為了計算及處理如此龐大規(guī)模的數(shù)據(jù)量，數(shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備需要配套持續(xù)提升計算性能和降低功耗，隨著對GPU/CPU

高負載工作頻率需求不斷增長，傳統(tǒng)的內(nèi)存帶寬限制了硬件以及系統(tǒng)的最大性能，為了釋放AI加速器最佳的硬件性能，市場急需更高帶寬的內(nèi)存解決方案。從DRAM主流細分產(chǎn)品的帶寬發(fā)展來看，HBM（High

Bandwidth

Memory，高帶寬內(nèi)存）自身的內(nèi)存帶寬以及帶寬提升速度均大幅領(lǐng)先于其他DRAM產(chǎn)品，有望成為AI時代中最重要的內(nèi)存技術(shù)之一。訓(xùn)練Transformer模型的計算要求 內(nèi)存帶寬發(fā)展歷程2.2

HBM是當前高性能計算首選的內(nèi)存技術(shù)15SK海力士官網(wǎng)，英偉達官網(wǎng)，AI時代下高性能存儲需求激增，HBM技術(shù)正步入快速發(fā)展階段。HBM（High

Bandwidth

Memory，高帶寬內(nèi)存）采用硅通孔（TSV）技術(shù)將多個DRAM芯片進行堆疊，并與GPU一同進行封裝，形成大容量、高位寬的DDR組合，陣從列而克服單一封裝內(nèi)的帶寬限制。相較于傳統(tǒng)DDR內(nèi)存，HBM具有高帶寬、低功耗、低延時等優(yōu)勢，已成為當前高性能計算、人工智能等領(lǐng)域的首選內(nèi)存技術(shù)。以英偉達H100

SXM5為例，其集成了6顆HBM3，總?cè)萘窟_到80GB，內(nèi)存帶寬超3TB/s。常規(guī)HBM產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)英偉達H100配置了6顆HBMHBM內(nèi)存GPU核心HBM內(nèi)存2.3

當前HBM產(chǎn)品已發(fā)展至第五代HBM3e當前HBM產(chǎn)品已經(jīng)發(fā)展至第五代，HBM4最早有望于2026年提前發(fā)布。第一代HBM產(chǎn)品由SK海力士于2014年發(fā)布，此后每一代HBM的升級更迭，在內(nèi)存帶寬、I/O速率等方面都迎來明顯提升，當前HBM已發(fā)展至第五代（HBM3e），容量最高可達36GB，內(nèi)存帶寬已提升至

2TB/s。SK海力士作為HBM行業(yè)領(lǐng)先者，于2014年率先推出第一代HBM，并于2025年率先送樣HBM3E

16Hi樣品，技術(shù)和市場份額均處于行業(yè)領(lǐng)先位置。HBM產(chǎn)品發(fā)展歷程HBMHBM2HBM2EHBM3HBM3EHBM4核心供應(yīng)商SK海力士SK海力士、三星SK海力士、三星、美光SK海力士、三星SK海力士、三星、美光SK海力士、三星、美光首款產(chǎn)品發(fā)布年份2014年2018年2020年2022-2023年2024年2026年芯片密度2Gb8-16Gb16Gb16Gb24Gb24-32Gb工藝制程2x2y/2z1y/1z1z1a/1b/1β1b/1β/1c/1γ內(nèi)存帶寬128GB/s205-307GB/s460GB/s819GB/s2TB/s≥2TB/s堆疊高度4層4-8層4-8層8-12層8-12層12-16層主要封裝技術(shù)TSV&MicrobumpsTSV&MicrobumpsTSV&MicrobumpsTSV&MicrobumpsTSV&MicrobumpsTSV&Microbumps容量1GB4-8GB8-16GB16-24GB24-36GB36-48GB每堆棧最大帶寬128GB/s205-307GB/s460GB/s819GB/s2TB/s≥2TB/s16《Next-GenerationDRAM2025》Yole，2.4

HBM3E為當前HBM主流世代產(chǎn)品HBM3E為當前主流，

2026年有望升級至HBM4。根據(jù)Yole預(yù)測數(shù)據(jù)，

2025年市場主要以HBM3E為主，

市場占比由2024年的21%提升至66%，預(yù)計2026年HBM4將成為HBM主流產(chǎn)品類型，市場占比預(yù)計將達53%HBM產(chǎn)品世代結(jié)構(gòu)占比17《Next-GenerationDRAM2025》Yole，2.5

HBM高景氣且盈利性高，三大原廠持續(xù)擴充HBM產(chǎn)能，由于AI的高景氣，疊加HBM的高價值和高盈利性，三大存儲原廠紛紛加大HBM投入。從產(chǎn)能規(guī)劃上看，2025年三大原廠DRAM總產(chǎn)能同比略微增長，但TSV產(chǎn)能卻實現(xiàn)明顯提升，預(yù)計到2025年底，三星/SK海力士/美光TSV產(chǎn)能將分別同比+42%/+25%/+80%，占各家DRAM總產(chǎn)能比例將分別提升至24%/28%/13%2024-2025年存儲原廠TSV產(chǎn)能預(yù)測18TrendForce，2.6

Micro

Bump仍是主流堆疊技術(shù)，HBM5確定采用Hybrid

Bonding根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，三大存儲原廠已確定將繼續(xù)在HBM3E

12hi和HBM4

12hi世代延續(xù)此前的AdvancedMR-MUF（SK海力士）及TC-NCF（三星和美光）堆疊架構(gòu)。相較于主流的Micro

Bump堆疊技術(shù)，Hybrid

Bonding可容納更多的堆疊層數(shù)和更厚的晶粒厚度，能夠較好的改善翹曲問題，三大原廠決定將在HBM5世代中全面采用，但是在HBM416hi和HBM4E

16hi世代中，由于Hybrid

Bonding的優(yōu)勢并非特別突出，因此原廠仍在研發(fā)觀察中。各世代HBM堆疊高度及供應(yīng)商堆疊技術(shù)19TrendForce，2.7

2025年全球HBM產(chǎn)值有望增長至340億美元生成式AI的快速發(fā)展，不斷加速提升數(shù)據(jù)中心對HBM技術(shù)的需求。當前AI高工作負載不斷驅(qū)動對更高帶寬內(nèi)存的需求，以提升硬件設(shè)備和處理單元之間的數(shù)據(jù)傳輸速率，HBM作為當前AI領(lǐng)域首選的高帶寬內(nèi)存技術(shù)，近幾年的市場需求呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2025年全球HBM市場規(guī)模將同比+100%至340億美元，預(yù)計到2029年將進一步增長至830億美元。市場份額方面，以營收作為統(tǒng)計口徑，2024年SK海力士以54%位列全球市場首位，其次是三星和美光，市場份額分別達39%和7%。全球HBM市場規(guī)模預(yù)測 2024年全球HBM市場份額（按營收）20《Next-GenerationDRAM2025》Yole，2.8

服務(wù)器景氣向好，DDR5滲透率持續(xù)提升服務(wù)器內(nèi)存出貨穩(wěn)定增加，

DDR5滲透率持續(xù)提升。內(nèi)存模組作為服務(wù)器核心部件，正由DDR4世代向DDR5世代升級轉(zhuǎn)變，當前全球服務(wù)器出貨量穩(wěn)步增長，單臺服務(wù)器內(nèi)存配置容量持續(xù)增加，疊加AI服務(wù)器興起，共同推動了DDR5內(nèi)存需求提升，根據(jù)弗若斯特沙利文預(yù)測數(shù)據(jù)，2024年全球服務(wù)器DDR5內(nèi)存模組出貨量達8540萬根，預(yù)計到2025年將同比+84%至15700萬根，占比由2024年的50.1%提升至85.4%，預(yù)計到2028年服務(wù)器內(nèi)存市場有望完全由DDR5主導(dǎo)。全球服務(wù)器內(nèi)存模組出貨量21弗若斯特沙利文，瀾起科技2025年半年報，2.9

CUBE有望成為未來AI終端重要的高帶寬內(nèi)存技術(shù)CUBE用于邊緣計算且具備可擴展性算力持續(xù)下沉至端側(cè)，CUBE應(yīng)用潛力巨大。AI算力從基礎(chǔ)設(shè)施側(cè)向端側(cè)延伸是必然結(jié)果，隨著未來生成式AI持續(xù)迭代，其復(fù)雜的架構(gòu)和龐大的模型尺寸對AI終端計算和資源系統(tǒng)提出了較高要求，僅靠傳統(tǒng)的終端存儲技術(shù)已無法滿足，而CUBE憑借其高帶寬、低功耗、緊湊尺寸以及高性價比，有望成為便攜式設(shè)備的理想高帶寬內(nèi)存解決方案，幫助未來AI終端無縫高效部署AI模型，應(yīng)用潛力巨大。CUBE

3D堆疊結(jié)構(gòu)22華邦電子官網(wǎng)，3目錄CO

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S存儲行業(yè)：主流存儲迎來全面漲價，高端產(chǎn)品需求持續(xù)向好DRAM：HBM延續(xù)高景氣，DDR5逐步成為主流NAND

Flash：QLC迎來推廣，eSSD滲透加速投資建議和風(fēng)險提示243.1

2029年全球NAND位元需求有望達2236EB《SandiskInvestorDay2025》閃迪，預(yù)計到2029年全球NAND位元需求將達2236EB。在2005-2022年期間，NAND

Flash主要由智能手機、PC等消費電子產(chǎn)品所驅(qū)動，期間誕生了如eSSD、3D

NAND等產(chǎn)品技術(shù)，NAND位元需求持續(xù)增長。隨后大模型的面市開啟了AI時代，從AI訓(xùn)練到AI推理，持續(xù)拉升NAND需求，根據(jù)閃迪數(shù)據(jù)，預(yù)計2029年NAND

Flash位元需求將在AI推動下增長至2236EB，2025-2029年CAGR達2

5%。AI持續(xù)推動NAND需求增長（單位：EB）253.2

AI興起拉升NAND需求，影響全面覆蓋核心下游《KioxiaCorporateStrategyMeeting》鎧俠，AI推動NAND需求增長，影響全面覆蓋主流下游。當前NAND

Flash最主要的下游主要包括手機、PC和服務(wù)器，AI興起疊加產(chǎn)品迭代不斷提升下游終端單機NAND

Flash需求，

預(yù)計2025

年手機/PC的單機NAND

Flash容量分別為265GB/657GB，預(yù)計到2029年將分別增長至474GB/1083GB，而服務(wù)器作為當前最核心的增量下游，預(yù)計NAND需求將由253EB增長至668EB，25-29年CAGR達27%。服務(wù)器成為NAND需求增長核心驅(qū)動下游3.3

HDD可替代空間廣闊，eSSD長期發(fā)展?jié)摿Υ?6西部數(shù)據(jù)官網(wǎng)，《KioxiaCorporateStrategyMeeting》鎧俠，在傳統(tǒng)通用服務(wù)器中，大容量數(shù)據(jù)存儲主要以HDD為主，AI生成的巨大數(shù)據(jù)持續(xù)推動HDD出貨增長，根據(jù)西部數(shù)據(jù)預(yù)測，2024年全球Nearline

HDD位元出貨量達1052EB，預(yù)計到2028年將增長至2385EB。而對于AI服務(wù)器來說，考慮到需要運行超過上萬億參數(shù)大模型，對存儲的要求不局限于數(shù)據(jù)存儲的作用，還需要考慮到讀寫速度、電力消耗等，且由于HDD廠商近幾年未擴張產(chǎn)能，導(dǎo)致HDD供應(yīng)無法及時滿足因為AI而激增的存儲需求，相較HDD，eSSD具有性能、功耗等優(yōu)勢，且隨著容量提升和QLC的應(yīng)用，兩者成本差距逐步縮小，未來eSSD有望逐步替代HDD成為AI服務(wù)器中的主流存儲技術(shù)。2024至2028年HDD位元出貨量預(yù)測（單位：EB） HDD/SSD是服務(wù)器重要的存儲技術(shù)3.4

eSSD滲透加速，市場規(guī)模持續(xù)提升27TrendForce，2023至2026年AISSD需求位元占比25Q2企業(yè)級SSD前五大品牌廠商營收排名eSSD迎來替代良機，市場規(guī)模持續(xù)提升。AI推理等應(yīng)用的快速發(fā)展持續(xù)拉升數(shù)據(jù)存儲和處理需求，當前HDD市場供應(yīng)缺口巨大，且eSSD在大型數(shù)據(jù)中的應(yīng)用所節(jié)省的電費、冷卻成本以及機柜空間，長期足以抵消其相較HDD更貴的購置成本，大容量eSSD迎來替代HDD良機。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，AI

SSD需求在整個NAND

Flash的市場占比有望由2023年的0.2%提升至2026年的12%。廠商份額方面，25Q2三星以34.6%市占率位列全球首位，其次是SK集團（SK海力士+Solidigm）和美光，市場份額分別達26.7%和14.3%，從營收角度來看，25Q2全球SSD前五大品牌廠商營收環(huán)比+12.7%至51億美元。3.5

NAND

Flash容量提升的主要途徑當前NAND提升容量主要通過四種技術(shù)途徑。為了滿足AI帶來的海量數(shù)據(jù)存儲和處理需求，NAND廠商不斷提升提升NAND單位面積容量，當前行業(yè)主要有四種技術(shù)途徑：1）邏輯擴展：讓每個存儲單元存儲更多的位元；2）垂直擴展：垂直堆疊NAND單元數(shù)量；3）橫向擴展：在二維平面范圍內(nèi)提升可容納存儲單元的尺寸大小或數(shù)量；4）架構(gòu)擴展：通過多種技術(shù)手段提升芯片密度，并降低來自存儲單元及外圍電路的額外消耗。提升NAND容量的四種主流方法28SemiAnalysis，3.6

3D

NAND為市場主流，堆疊層數(shù)突破300層在早期，NAND閃存主要以2D平面形式存在，其擴展容量的原理主要通過在一個平面上將多個存儲單元進行拼接，存儲單元的數(shù)量越多，存儲容量就越大，隨著存儲芯片廠商將2D

NAND的單元尺寸從120nm微縮至14nm時，2D結(jié)構(gòu)在容量擴展方面的局限性開始顯現(xiàn)，其可靠性會隨著制程微縮進一步下降。為了克服2D

NAND技術(shù)的自身缺陷，2007年東芝（現(xiàn)在的鎧俠）提出了3D

NAND結(jié)構(gòu)的技術(shù)理念，3D

NAND主要通過在垂直堆棧中將多組存儲單元進行相互層疊，以實現(xiàn)存儲容量增加的目的，堆疊層數(shù)越高則意味著容量就越高，當前3D

NAND堆疊層數(shù)已突破300層。3D

NAND技術(shù)發(fā)展路徑29SemiAnalysis，3.7

QLC兼具性能和能耗優(yōu)勢，下游滲透率穩(wěn)步提升QLC兼具性能和能耗優(yōu)勢，滲透率迎來持續(xù)提升。根據(jù)存儲方式的不同，NAND

Flash又可分為SLC、MLC、TLC和QLC，對應(yīng)存儲單元分別可存放1、2、3和4bit的數(shù)據(jù)，存儲密度越大，其壽命越短且速度越慢，但容量越大成本越低。QLC除了具有NAND性能外，兼具能耗優(yōu)勢，根據(jù)Solidgim數(shù)據(jù)，當基礎(chǔ)設(shè)施存儲配置由1PB擴展至10PB時，QLC能效優(yōu)勢逐級放大，尤其是跟HDD相比提升更為明顯，優(yōu)勢幅度由1PB配置的33%提升至10PB配置的79.5%。當前北美CSP廠商已開始在AI推理服務(wù)器中大量采用QLC

eSSD，根據(jù)TrendForce預(yù)測，2024年QLC將貢獻NANDFlash位元出貨量20%，2025年占比將進一步提升，疊加手機端逐步采用QLC

UFS方案，QLC滲透率有望保持穩(wěn)定提升態(tài)勢。按多層單元劃分的單元狀態(tài) 不同容量存儲基礎(chǔ)設(shè)施功耗情況（單位：W）30SK海力士官網(wǎng)，Solidigm官網(wǎng)，3.8

NAND持續(xù)探索AI訓(xùn)練端應(yīng)用，HBF等新技術(shù)應(yīng)運而生NAND原廠積極探索AI訓(xùn)練端的應(yīng)用，推出HBF等新技術(shù)。除了在AI推理方面的廣泛應(yīng)用，NAND

Flash供應(yīng)商正積極探索在AI訓(xùn)練端的應(yīng)用，推出了HBF（高帶寬閃存）產(chǎn)品，HBF與HBM產(chǎn)品結(jié)構(gòu)類似，通過將NAND

Die替換DRAM

Die實現(xiàn)單產(chǎn)品容量的大幅提升，但是也存在讀寫運行速度不足的缺陷。當前HBF的應(yīng)用已形成兩種不同的技術(shù)路線，一方面，閃迪提倡采用HBM與HBF結(jié)合的混合式設(shè)計，兼顧容量與性能，滿足AI模型訓(xùn)練中對數(shù)據(jù)吞吐量和容量的雙重需求。另一方面，三星和鎧俠則傾向采用SCM（儲存級存儲器）XL-Flash和Z-NAND等技術(shù)，試圖提高產(chǎn)品性價比以吸引更廣泛的客戶群。HBF產(chǎn)品結(jié)構(gòu) HBF解決方案可提供4096GB存儲容量31《SandiskInvestorDay2025》閃迪，2目錄CO

N

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S存儲行業(yè)：主流存儲迎來全面漲價，高端產(chǎn)品需求持續(xù)向好DRAM：HBM延續(xù)高景氣，DDR5逐步成為主流NAND

Flash：QLC迎來推廣，eSSD滲透加速投資建議和風(fēng)險提示4.1

投資建議33AI高景氣疊加終端更新迭代，存儲市場規(guī)模有望穩(wěn)步增長。當前AI發(fā)展如火如荼，尤其是基礎(chǔ)設(shè)施/服務(wù)器端，推動企業(yè)級存儲等高端產(chǎn)品需求持續(xù)向好。其中，除HBM需求延續(xù)高景氣之外，DDR5等高端產(chǎn)品滲透率也在逐步提升，另外，eSSD產(chǎn)品也得益于HDD供應(yīng)緊缺以及QLC顆粒推廣帶來成本優(yōu)化而迎來滲透率加速。從終端來看，傳統(tǒng)電子產(chǎn)品如手機、PC等隨著更新迭代，DRAM和NAND

Flash單機容量持續(xù)增加，產(chǎn)品規(guī)格也在同步提升，考慮到未來AI推理帶來的巨大數(shù)據(jù)存儲需求以及AI終端產(chǎn)品逐步成熟和放量，存儲市場規(guī)模有望保持穩(wěn)定提升態(tài)勢。需求回暖疊加產(chǎn)能重心偏移，存儲產(chǎn)品迎來全面漲價。一方面，當前AI延續(xù)高景氣，企業(yè)級存儲產(chǎn)品需求向好，另一方面，傳統(tǒng)存儲市場庫存逐步去化疊加原廠控產(chǎn)，推動行業(yè)供需格局改善，自25Q2起主流存儲產(chǎn)品合約價開始回暖，根據(jù)TrendForce預(yù)測，在25Q3合約價環(huán)比上漲基礎(chǔ)上，25Q4

DRAM/NAND

Flash合約價有望分別環(huán)比+13%-18%/+5%-10%。展望后續(xù)，DRAM除去HBM需求高景氣外，其他類型產(chǎn)品的市場供需有望在存儲原廠產(chǎn)能向高端產(chǎn)品傾斜而持續(xù)改善，漲價態(tài)勢有望進一步延續(xù)，而NAND方面，由于NAND未有HBM等高盈利