集成電路制造工藝 課件 4.4 去膠_第1頁
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集成電路制造工藝

--去膠單位:江蘇信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院微電子教研室濕法刻蝕第四章刻蝕干法刻蝕去膠刻蝕的基本概念本章要點濕法刻蝕第四章刻蝕干法刻蝕去膠本章要點刻蝕的基本概念它是圖形制備的最后一道工序,就是將硅片表面的光刻膠去除。溶劑去膠:常用于金屬表面的光刻膠層,一般是含有氯的烴化物,如三氯乙烯。氧化劑去膠:用于無金屬襯底的光刻膠層,常用的氧化劑為濃硫酸和雙氧水的混合液(SPM液)。等離子體去膠:利用等離子體氧化或分解的方式將光刻膠剝除。主要是等離子體氧氣去膠。§4.4去膠去膠工藝去膠的方法謝謝!

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