華為射頻芯片設(shè)計(jì)高頻面試題

【精選近三年60道高頻面試題】

【題目來源：學(xué)員面試分享復(fù)盤及網(wǎng)絡(luò)真題整理】

【注：每道題含高分回答示例+避坑指南】

1.請(qǐng)做一個(gè)自我介紹（基本必考）

2.請(qǐng)畫出史密斯圓圖（SmithChart），并標(biāo)出開路、短路、匹配點(diǎn)以及感性、容性區(qū)域。

（極高頻|重復(fù)度高）

3.解釋S參數(shù)（S11,S21,S12,S22）的物理意義，S11和VSWR的關(guān)系是什么？（基本必

考|重點(diǎn)準(zhǔn)備）

4.在你的項(xiàng)目中，LNA（低噪聲放大器）采用了什么結(jié)構(gòu)？為什么選擇這種結(jié)構(gòu)？請(qǐng)畫出電

路圖。（極高頻|適合講項(xiàng)目）

5.簡(jiǎn)述1dB壓縮點(diǎn)（P1dB）和三階截點(diǎn)（IIP3）的定義，它們之間在理論上有什么數(shù)值關(guān)

系？（極高頻|多次驗(yàn)證）

6.什么是噪聲系數(shù)（NF）？多級(jí)級(jí)聯(lián)系統(tǒng)的總噪聲系數(shù)計(jì)算公式（Friis公式）是什么？

（基本必考|記住就行）

7.源極負(fù)反饋電感（SourceDegenerationInductor）在LNA中起什么作用？對(duì)輸入阻抗、

增益和噪聲有何影響？（極高頻|需深度思考）

8.請(qǐng)?jiān)敿?xì)解釋米勒效應(yīng)（MillerEffect），以及Cascode（共源共柵）結(jié)構(gòu)如何消除米勒效

應(yīng)？（極高頻|重點(diǎn)準(zhǔn)備）

9.功率放大器（PA）的A類、B類、AB類、C類、D類、E類主要區(qū)別是什么？效率和線性

度如何折中？（高頻|重復(fù)度高）

10.在射頻版圖（Layout）設(shè)計(jì)中，有哪些關(guān)鍵的寄生效應(yīng)需要考慮？如何進(jìn)行后仿真？

（高頻|適合講項(xiàng)目）

11.什么是趨膚效應(yīng)（SkinEffect）？它對(duì)電感Q值和傳輸線損耗有什么影響？（中頻|較為

重要）

12.請(qǐng)畫出Gilbert混頻器（GilbertCellMixer）的電路結(jié)構(gòu)，并解釋其工作原理。（高頻|需

深度思考）

13.什么是阻抗匹配？為什么要進(jìn)行50歐姆匹配？有哪些常見的匹配網(wǎng)絡(luò)（L型、Pi型、T

型）？（基本必考|重點(diǎn)準(zhǔn)備）

14.解釋相位噪聲（PhaseNoise）的概念，它對(duì)系統(tǒng)性能（如EVM、SNR）有什么影響？

（高頻|較為重要）

15.PLL（鎖相環(huán)）的基本結(jié)構(gòu)包含哪些模塊？請(qǐng)畫出框圖并解釋各部分功能。（高頻|重點(diǎn)

準(zhǔn)備）

16.在項(xiàng)目中你是如何測(cè)試芯片的？使用過哪些儀器（VNA、頻譜儀、示波器）？遇到過什

么測(cè)試問題？（極高頻|適合講項(xiàng)目）

17.什么是穩(wěn)定性系數(shù)（K因子）？如何保證放大器在所有頻率下絕對(duì)穩(wěn)定？（高頻|需深度

思考）

18.你的項(xiàng)目中電感的Q值大概是多少？受哪些因素限制？如何在版圖上優(yōu)化電感Q值？（極

高頻|適合講項(xiàng)目）

19.對(duì)于射頻開關(guān)（RFSwitch），插入損耗（InsertionLoss）和隔離度（Isolation）這兩個(gè)

指標(biāo)怎么權(quán)衡？（中頻|可詳細(xì)準(zhǔn)備）

20.簡(jiǎn)述零中頻（Zero-IF）架構(gòu)和超外差（Super-heterodyne）架構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)。（高頻|多次

驗(yàn)證）

21.什么是鏡像頻率干擾（ImageFrequency）？如何抑制鏡像干擾？（高頻|較為重要）

22.在LNA設(shè)計(jì)中，為什么要在柵極和漏極之間并聯(lián)電感（或其他反饋網(wǎng)絡(luò)）？（中頻|需深

度思考）

23.請(qǐng)解釋EVM（誤差矢量幅度）和ACLR（鄰道泄漏比）的定義及其在系統(tǒng)指標(biāo)中的重要

性。（高頻|重點(diǎn)準(zhǔn)備）

24.你在項(xiàng)目中遇到的最大技術(shù)難點(diǎn)是什么？你是如何一步步排查并解決的？（極高頻|考察

軟實(shí)力）

25.什么是負(fù)載牽引（LoadPull）技術(shù)？在PA設(shè)計(jì)中如何使用？（高頻|可詳細(xì)準(zhǔn)備）

26.解釋一下VCO（壓控振蕩器）的起振條件和定心頻率是如何確定的。（中頻|較為重要）

27.什么是巴倫（Balun）？它的作用是什么？常見的片上Balun結(jié)構(gòu)有哪些？（中頻|可詳細(xì)

準(zhǔn)備）

28.描述一下CMOS工藝和GaAs、GaN工藝在射頻應(yīng)用上的主要區(qū)別和優(yōu)劣勢(shì)。（中頻|網(wǎng)

友分享）

29.在深亞微米工藝下，MOS管的短溝道效應(yīng)有哪些？對(duì)射頻電路設(shè)計(jì)有什么影響？（高頻|

需深度思考）

30.如何提升PLL的鎖定速度？帶寬（LoopBandwidth）與相位噪聲、鎖定時(shí)間的關(guān)系是什

么？（高頻|需深度思考）

31.什么是LO泄漏（LOLeakage）？它是如何產(chǎn)生的，有什么危害？（中頻|一般重要）

32.給我講講Doherty功率放大器的工作原理。（中頻|需深度思考）

33.在ADS或Cadence中，你是如何進(jìn)行Corner（工藝角）仿真的？主要關(guān)注哪些Corner？

（極高頻|適合講項(xiàng)目）

34.什么是無(wú)源互調(diào)（PIM）？它通常在什么場(chǎng)景下發(fā)生？（中頻|網(wǎng)友分享）

35.解釋下變頻增益（ConversionGain）和噪聲系數(shù)在無(wú)源混頻器和有源混頻器中的區(qū)別。

（中頻|可詳細(xì)準(zhǔn)備）

36.版圖設(shè)計(jì)中，GuardRing（保護(hù)環(huán)）的作用是什么？應(yīng)該如何打？（高頻|多次驗(yàn)證）

37.什么是InjectionLocking（注入鎖定）？在分頻器設(shè)計(jì)中如何應(yīng)用？（中頻|需深度思考）

38.你了解數(shù)字預(yù)失真（DPD）技術(shù)嗎？它主要用于解決什么問題？（中頻|網(wǎng)友分享）

39.如果你的LNA輸入匹配測(cè)出來偏了很多，可能的原因有哪些？（極高頻|適合講項(xiàng)目）

40.什么是MOM電容和MIM電容？在工藝和特性上有什么區(qū)別？（高頻|重復(fù)度高）

41.請(qǐng)畫出帶隙基準(zhǔn)（Bandgap）電路的簡(jiǎn)圖，并說明它是如何產(chǎn)生與溫度無(wú)關(guān)的電壓的。

（高頻|重點(diǎn)準(zhǔn)備）

42.在射頻收發(fā)機(jī)中，AGC（自動(dòng)增益控制）的作用是什么？一般放在鏈路的哪個(gè)位置？

（中頻|一般重要）

43.什么是襯底噪聲（SubstrateNoise）？在數(shù)?；旌闲酒腥绾胃綦x？（高頻|需深度思

考）

44.解釋一下S參數(shù)中的S12不為0意味著什么？對(duì)電路設(shè)計(jì)有什么影響？（中頻|需深度思

考）

45.你做的項(xiàng)目中，功耗主要消耗在哪個(gè)模塊？有沒有想過進(jìn)一步降低功耗的方法？（高頻|

適合講項(xiàng)目）

46.什么是AM-AM和AM-PM失真？它們對(duì)高階調(diào)制信號(hào)（如64QAM）有什么影響？（中頻|

可詳細(xì)準(zhǔn)備）

47.為什么射頻電路中常使用差分信號(hào)而不是單端信號(hào)？（基本必考|重復(fù)度高）

48.解釋一下傳輸線的特征阻抗概念，它與傳輸線的長(zhǎng)度有關(guān)嗎？（基本必考|記住就行）

49.什么是ESD（靜電放電）保護(hù)？在RFI/OPad上設(shè)計(jì)ESD電路需要注意什么（對(duì)寄生電

容的限制）？（高頻|重點(diǎn)準(zhǔn)備）

50.如果測(cè)試結(jié)果和仿真結(jié)果不一致，你會(huì)從哪些方面去分析原因？（極高頻|考察軟實(shí)力）

51.你如何理解華為的“奮斗者文化”？能接受高強(qiáng)度的工作節(jié)奏嗎？（高頻|考察軟實(shí)力）

52.為什么選擇做射頻芯片設(shè)計(jì)？你未來的職業(yè)規(guī)劃是什么？（基本必考|考察軟實(shí)力）

53.你的項(xiàng)目中是否涉及過封裝（Bondingwire/Flipchip）模型的仿真？封裝電感對(duì)電路有什

么影響？（中頻|適合講項(xiàng)目）

54.什么是IQ不平衡（IQImbalance）？它在星座圖上是什么樣子的？（中頻|可詳細(xì)準(zhǔn)備）

55.舉例說明你在團(tuán)隊(duì)合作中遇到的分歧，你是如何解決的？（中頻|考察軟實(shí)力）

56.什么是相位裕度（PhaseMargin）？一般設(shè)計(jì)要求多少度？（基本必考|記住就行）

57.談?wù)勀銓?duì)當(dāng)前國(guó)產(chǎn)射頻芯片行業(yè)發(fā)展的看法。（中頻|考察軟實(shí)力）

58.在學(xué)校期間，除了項(xiàng)目，你通過什么渠道學(xué)習(xí)最新的射頻技術(shù)？看過哪些經(jīng)典書籍或

Paper？（中頻|考察軟實(shí)力）

59.如果給你一個(gè)指標(biāo)無(wú)法滿足的設(shè)計(jì)任務(wù)，你會(huì)怎么處理？（中頻|考察軟實(shí)力）

60.我問完了，你有什么想問我們的嗎？（面試收尾題）

【華為射頻芯片設(shè)計(jì)工程師】面試題深度解答

Q1：請(qǐng)做一個(gè)自我介紹

?不好的回答示例：

面試官您好，我叫張三，來自某某大學(xué)電子信息工程專業(yè)。碩士期間主要跟著導(dǎo)師

做項(xiàng)目，也發(fā)了一篇論文。我的性格比較隨和，能吃苦耐勞。在校期間我學(xué)習(xí)了模

擬電路、射頻電路等課程，成績(jī)還不錯(cuò)，拿過二等獎(jiǎng)學(xué)金。我對(duì)華為很向往，覺得

華為技術(shù)很強(qiáng)，希望能加入華為學(xué)習(xí)更多的知識(shí)，成為一名優(yōu)秀的工程師。我平時(shí)

喜歡打籃球和看書，希望您能給我這個(gè)機(jī)會(huì)。

為什么這么回答不好：

1.流水賬式陳述，缺乏亮點(diǎn)：只是簡(jiǎn)單羅列了學(xué)校、專業(yè)和課程，這些信息簡(jiǎn)歷上都有，

沒有提煉出與“射頻芯片設(shè)計(jì)”崗位強(qiáng)相關(guān)的核心競(jìng)爭(zhēng)力（如流片經(jīng)驗(yàn)、具體指標(biāo)達(dá)成）。

2.動(dòng)機(jī)表達(dá)過于單向索?。簭?qiáng)調(diào)“來華為學(xué)習(xí)”是典型的學(xué)生思維。企業(yè)招聘是為了解決問

題，而非尋找學(xué)員，應(yīng)重點(diǎn)展示“我能為華為帶來什么價(jià)值”。

3.缺乏數(shù)據(jù)和成果支撐：提到“做項(xiàng)目”和“發(fā)論文”，但未說明項(xiàng)目難度、論文級(jí)別（如

ISSCC/JSSC/TCAS）或具體的貢獻(xiàn)度，導(dǎo)致面試官無(wú)法評(píng)估技術(shù)深度。

高分回答示例：

面試官您好，我是[姓名]，碩士畢業(yè)于[學(xué)校]微電子與固體電子學(xué)專業(yè)，主要研究方

向?yàn)镃MOS射頻前端集成電路設(shè)計(jì)。我有兩段完整的流片經(jīng)歷，分別基于TSMC

65nm和40nm工藝。

首先，在技術(shù)深度方面，我主攻低功耗LNA和高線性度Mixer的設(shè)計(jì)。在最近的一

個(gè)北斗導(dǎo)航接收機(jī)項(xiàng)目中，我獨(dú)立負(fù)責(zé)前端LNA的設(shè)計(jì)與版圖實(shí)現(xiàn)。針對(duì)傳統(tǒng)共源

共柵結(jié)構(gòu)噪聲系數(shù)（NF）與功耗的折中瓶頸，我采用了變壓器反饋技術(shù)，最終在

2.5mW的低功耗下實(shí)現(xiàn)了1.8dB的噪聲系數(shù)，且IIP3達(dá)到了-5dBm。該成果已整理

投稿至TCAS-II期刊。這一經(jīng)歷讓我對(duì)史密斯圓圖匹配、噪聲優(yōu)化理論以及版圖寄

生效應(yīng)的提取有了深刻的工程認(rèn)知。

其次，在工程落地能力方面，我具備從架構(gòu)設(shè)計(jì)、前仿真、電磁場(chǎng)聯(lián)合仿真（EM

Co-simulation）到芯片測(cè)試的全流程經(jīng)驗(yàn)。我熟練使用Cadence、ADS、HFSS

等工具，并曾獨(dú)立搭建測(cè)試平臺(tái)，使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）和頻譜儀完成過芯

片實(shí)測(cè)，成功定位并解決了因封裝邦定線電感導(dǎo)致的S11頻偏問題。

最后，關(guān)于職業(yè)匹配度，我了解到華為海思在射頻領(lǐng)域處于世界領(lǐng)先地位，且對(duì)技

術(shù)有著極致的追求，這與我“鉆研技術(shù)、攻克難題”的職業(yè)理想高度契合。我具備高

強(qiáng)度的抗壓能力，希望能用我的專業(yè)積累，快速融入團(tuán)隊(duì)，為部門的射頻芯片研發(fā)

貢獻(xiàn)力量。

Q2：請(qǐng)畫出史密斯圓圖（SmithChart），并標(biāo)出開路、短路、匹配點(diǎn)以及感

性、容性區(qū)域。

?不好的回答示例：

（在紙上畫了一個(gè)大概的圓）呃，中間這個(gè)點(diǎn)是匹配點(diǎn)，最左邊是短路點(diǎn)，最右邊

是開路點(diǎn)。上半部分應(yīng)該是感性，下半部分是容性。史密斯圓圖主要就是用來做阻

抗匹配的，把不在中心的點(diǎn)通過加電感電容移到中心去。具體的原理大概就是通過

歸一化阻抗來算的。我在ADS里仿真的時(shí)候經(jīng)?？催@個(gè)圖，但是手畫的話可能畫得

不是很標(biāo)準(zhǔn)，大概位置應(yīng)該就是這樣。

為什么這么回答不好：

1.基本概念模糊，不夠精準(zhǔn)：雖然大致方位說對(duì)了，但缺乏專業(yè)描述。例如未提及“歸一化

電阻圓”和“電抗圓”的幾何特征，未解釋為何左短右開（阻抗平面）。

2.缺乏理論深度：僅僅停留在“用來做匹配”的操作層面，未體現(xiàn)出對(duì)反射系數(shù)與阻抗

映射關(guān)系的理解，這是射頻工程師的基本功。

3.態(tài)度隨意：既然是極高頻考題，回答“手畫不標(biāo)準(zhǔn)”會(huì)暴露基礎(chǔ)不扎實(shí)，無(wú)法給面試官留下

專業(yè)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)挠∠蟆?/p>

高分回答示例：

（一邊畫圖一邊講解）好的，史密斯圓圖本質(zhì)上是反射系數(shù)平面在復(fù)阻抗平面的

共形映射。

1.關(guān)鍵點(diǎn)位標(biāo)注：

我先畫一個(gè)單位圓。圓心位置（坐標(biāo)原點(diǎn)）代表匹配點(diǎn)，即（通常為50歐

姆），此時(shí)反射系數(shù)。

最左端的點(diǎn)（實(shí)軸-1處）代表短路點(diǎn)（Short），此時(shí)，。

最右端的點(diǎn)（實(shí)軸+1處）代表開路點(diǎn)（Open），此時(shí)，。

實(shí)軸（水平軸）代表純電阻區(qū)域。

2.區(qū)域劃分：

實(shí)軸的上半圓區(qū)域是感性區(qū)域，代表阻抗虛部（電感特性）。

實(shí)軸的下半圓區(qū)域是容性區(qū)域，代表阻抗虛部（電容特性）。

3.圓圖構(gòu)成：

圓圖由一系列相切于開路點(diǎn)的圓組成。其中包括等電阻圓（Realpartconstant）和等

電抗圓（Imaginarypartconstant）。

另外，值得補(bǔ)充的是，如果這是阻抗圓圖（Z-Chart），串聯(lián)電感是沿等電阻圓順時(shí)針

移動(dòng)，串聯(lián)電容是逆時(shí)針移動(dòng)。如果是導(dǎo)納圓圖（Y-Chart），并聯(lián)元件的操作則相

反。在實(shí)際LNA或PA匹配設(shè)計(jì)中，我通常會(huì)結(jié)合Z-Y圓圖來進(jìn)行LC匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)，

以便更直觀地看到Q值圓和帶寬的影響。

Q3：解釋S參數(shù)（S11,S21,S12,S22）的物理意義，S11和VSWR的關(guān)系是什

么？

?不好的回答示例：

S參數(shù)就是散射參數(shù)，用來描述射頻網(wǎng)絡(luò)的特性。S11是輸入反射系數(shù)，S21是增

益，S12是反向隔離度，S22是輸出反射系數(shù)。我們?cè)谠O(shè)計(jì)放大器的時(shí)候，希望

S11和S22越小越好，S21越大越好，S12越小越好。VSWR是電壓駐波比，它和

S11是有關(guān)系的，S11越小，VSWR越接近1。具體的公式我有點(diǎn)記不清了，大概就

是一加什么除以一減什么。反正一般工程上要求S11小于-10dB。

為什么這么回答不好：

1.定義缺乏數(shù)學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)性：只是通俗說了中文名稱，沒有提到入射波和反射波的比值關(guān)

系（如），這在芯片設(shè)計(jì)面試中顯得不夠?qū)I(yè)。

2.公式記憶缺失：VSWR與S11的轉(zhuǎn)換公式是射頻基礎(chǔ)中的基礎(chǔ)，回答“記不清了”是重大減

分項(xiàng)。

3.物理意義闡述淺顯：僅說了“越小越好”，未解釋S11代表能量反射了多少，也未提及S12

在穩(wěn)定性分析中的關(guān)鍵作用。

高分回答示例：

S參數(shù)（ScatteringParameters）用于在特征阻抗（通常50）匹配環(huán)境下描述N

端口網(wǎng)絡(luò)的能量傳輸特性。對(duì)于二端口網(wǎng)絡(luò)：

1.物理意義詳解：

(InputReflectionCoefficient)：表示端口2匹配時(shí)，端口1的反射波與入射波之

比()。它表征輸入回波損耗，直接反映輸入匹配的好壞。

(ForwardTransmissionCoefficient)：表示端口2匹配時(shí)，端口2的輸出波與端

口1的入射波之比。在LNA中代表小信號(hào)功率增益（）。

(ReverseTransmissionCoefficient)：表征反向隔離度。在放大器設(shè)計(jì)中，

不僅影響隔離性能，更是決定系統(tǒng)穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素，大的容易導(dǎo)致振蕩。

(OutputReflectionCoefficient)：表征輸出回波損耗。

2.S11與VSWR的關(guān)系：

VSWR（電壓駐波比）是指?jìng)鬏斁€上駐波電壓最大值與最小值之比。它與S11

（反射系數(shù)的模值）的數(shù)學(xué)關(guān)系為：

工程意義：當(dāng)完全匹配時(shí)，，VSWR=1；全反射時(shí)，，

VSWR=。通常工程標(biāo)準(zhǔn)要求，換算成，代入公

式計(jì)算對(duì)應(yīng)VSWR，即通常說的駐波比小于2。這在PA與天線接口的

設(shè)計(jì)中是必須嚴(yán)格遵守的指標(biāo)。

Q4：在你的項(xiàng)目中，LNA（低噪聲放大器）采用了什么結(jié)構(gòu)？為什么選擇這種

結(jié)構(gòu)？請(qǐng)畫出電路圖。

?不好的回答示例：

我做的LNA項(xiàng)目用的是Cascode結(jié)構(gòu)。因?yàn)镃ascode結(jié)構(gòu)比較常見，增益比較高，

而且隔離度也好。電路圖就是一個(gè)共源管上面串聯(lián)一個(gè)共柵管。然后輸入端加了電

感做匹配，輸出端也是LC匹配。選擇這個(gè)結(jié)構(gòu)是因?yàn)閷?dǎo)師推薦的，或者是教材上最

經(jīng)典的，我就直接用了。設(shè)計(jì)的時(shí)候主要看S11和噪聲系數(shù)，調(diào)一下電感值和管子

尺寸，最后滿足指標(biāo)就行了。

為什么這么回答不好：

1.缺乏設(shè)計(jì)思考（Trade-off）：僅提到“常見”和“導(dǎo)師推薦”，未體現(xiàn)工程師在面對(duì)具體指標(biāo)

（功耗、線性度、噪聲）時(shí)的主動(dòng)選擇和權(quán)衡過程。

2.技術(shù)細(xì)節(jié)缺失：“輸入端加電感”太籠統(tǒng)，未明確指出是“源極負(fù)反饋電感”這一核心技術(shù)

點(diǎn)，也未提及米勒效應(yīng)的抑制。

3.電路描述過于簡(jiǎn)單：無(wú)法展示對(duì)偏置電路、穩(wěn)定性措施或具體匹配拓?fù)涞纳钊肜斫狻?/p>

高分回答示例：

在我的2.4GHzZigBee收發(fā)機(jī)項(xiàng)目中，LNA采用了帶有源極電感負(fù)反饋的

Cascode（共源共柵）結(jié)構(gòu)。

1.結(jié)構(gòu)選擇理由（DesignTrade-offs）：

噪聲與匹配的兼顧：采用源極電感負(fù)反饋（InductiveSourceDegeneration），可以

在不引入熱噪聲電阻的情況下，產(chǎn)生一個(gè)實(shí)部輸入阻抗。這使得我們能夠

在獲得50實(shí)部匹配的同時(shí)，通過調(diào)節(jié)和獨(dú)立優(yōu)化噪聲匹配圓，盡量使

靠近。

隔離度與米勒效應(yīng)：Cascode結(jié)構(gòu)中的共柵管（CG）有效抑制了共源管（CS）的米

勒效應(yīng)，大幅降低了帶來的反向饋通，提高了隔離度，這對(duì)系統(tǒng)的穩(wěn)定性至

關(guān)重要。

增益提升：增加了輸出阻抗，從而提高了本級(jí)增益，有助于抑制后級(jí)電路的噪聲貢

獻(xiàn)。

2.電路細(xì)節(jié)：

（畫圖描述）輸入端不僅有柵極串聯(lián)電感用于抵消的容性虛部，還包括

產(chǎn)生實(shí)部。

偏置電路采用了電流鏡結(jié)構(gòu)，并設(shè)計(jì)了帶隙基準(zhǔn)（Bandgap）提供穩(wěn)定的參考電流，

以抵抗PVT變化。

輸出端采用了LC并聯(lián)諧振負(fù)載，中心頻率調(diào)諧在2.4GHz。

3.結(jié)果導(dǎo)向：

最終在TSMC180nm工藝下，該結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了16dB的增益，噪聲系數(shù)（NF）低至

2.1dB，同時(shí)輸入回波損耗，滿足了系統(tǒng)靈敏度的要求。

Q5：簡(jiǎn)述1dB壓縮點(diǎn)（P1dB）和三階截點(diǎn)（IIP3）的定義，它們之間在理論上

有什么數(shù)值關(guān)系？

?不好的回答示例：

P1dB就是輸出功率比線性增益下降1dB的時(shí)候?qū)?yīng)的輸入功率。IIP3是三階交調(diào)截

點(diǎn)，是兩個(gè)信號(hào)打進(jìn)去，產(chǎn)生的三階分量和基波分量相等的時(shí)候那個(gè)點(diǎn)的功率。這

兩個(gè)都是衡量線性度的指標(biāo)。P1dB一般用來衡量大信號(hào)時(shí)的非線性，IIP3衡量小信

號(hào)時(shí)的線性度。數(shù)值關(guān)系上，IIP3肯定比P1dB大，大概大個(gè)10dB左右吧，但實(shí)際

電路里可能不一樣，要看具體情況。

為什么這么回答不好：

1.定義表述松散：雖然意思到了，但缺乏嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓こ陶Z(yǔ)言，例如未強(qiáng)調(diào)是“外推”的交點(diǎn)。

2.數(shù)值關(guān)系模糊：“大概大個(gè)10dB”不夠精確，未區(qū)分“理論值”和“實(shí)際經(jīng)驗(yàn)值”，容易讓面試

官覺得基礎(chǔ)理論不扎實(shí)。

3.邏輯對(duì)比不深：未解釋為什么一個(gè)是一階壓縮，一個(gè)是三階產(chǎn)物，僅僅停留在表面現(xiàn)

象。

高分回答示例：

這兩個(gè)指標(biāo)是射頻電路線性度的核心參數(shù)。

1.定義解析：

1dB壓縮點(diǎn)（）：隨著輸入功率增加，當(dāng)放大器的實(shí)際增益比理想線性增益下降

1dB時(shí)，所對(duì)應(yīng)的輸入功率（稱為輸入P1dB）或輸出功率（稱為輸出P1dB）。它表

征了電路處理大信號(hào)的能力，標(biāo)志著電路開始進(jìn)入飽和區(qū)。

三階截點(diǎn)（）：當(dāng)輸入雙音信號(hào)（Two-tone）時(shí)，基波輸出功率隨輸入線性增

長(zhǎng)（斜率為1），而三階互調(diào)產(chǎn)物（IM3）隨輸入以3倍dB數(shù)增長(zhǎng)（斜率為3）。這兩條

曲線的線性延長(zhǎng)線在坐標(biāo)系中的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入功率即為IIP3。它主要表征小信號(hào)下的

線性度極限。

2.理論數(shù)值關(guān)系：

基于三階多項(xiàng)式模型（），可以推導(dǎo)出理論上的確切關(guān)系：

這個(gè)9.6dB是經(jīng)典的理論值。

3.工程實(shí)際偏差：

在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，由于高階非線性項(xiàng)（如五階、七階）的存在，以及硬限幅（Hard

Clipping）等效應(yīng)，兩者差值通常在10dB到15dB之間。

在我的PA設(shè)計(jì)項(xiàng)目中，為了提升線性度，我會(huì)特別關(guān)注IIP3指標(biāo)，通過最佳偏置點(diǎn)選

擇（SweetSpot）或數(shù)字預(yù)失真（DPD）技術(shù)來改善這一性能。

Q6：什么是噪聲系數(shù)（NF）？多級(jí)級(jí)聯(lián)系統(tǒng)的總噪聲系數(shù)計(jì)算公式（Friis公

式）是什么？

?不好的回答示例：

噪聲系數(shù)NF就是輸入信噪比除以輸出信噪比，一般用dB表示。它反映了放大器本

身引入了多少噪聲。如果NF是0dB，就說明沒有引入噪聲。級(jí)聯(lián)系統(tǒng)的公式叫Friis

公式，大概是總的NF等于第一級(jí)的NF加上第二級(jí)的NF除以第一級(jí)的增益，后面如

果還有就繼續(xù)加。所以我們?cè)谠O(shè)計(jì)接收機(jī)的時(shí)候，第一級(jí)的LNA最重要，增益要

高，噪聲要小，這樣整個(gè)系統(tǒng)的噪聲系數(shù)才會(huì)好。

為什么這么回答不好：

1.公式表述不嚴(yán)謹(jǐn)：Friis公式的表述是核心考點(diǎn)，口語(yǔ)化地描述“除以增益”容易產(chǎn)生歧義

（是電壓增益還是功率增益？是dB值還是線性值？）。必須明確指出計(jì)算時(shí)使用線性比

值而非dB值。

2.物理概念細(xì)節(jié)缺失：未提及NF是衡量“信噪比惡化程度”的指標(biāo)。

3.后續(xù)項(xiàng)被忽略：雖然提到了第一級(jí)最重要，但未完整描述后續(xù)級(jí)聯(lián)項(xiàng)的規(guī)律（分母是前

幾級(jí)增益的乘積）。

高分回答示例：

1.噪聲系數(shù)（NF）定義：

噪聲因子（F）定義為網(wǎng)絡(luò)輸入處的信噪比（）與輸出處信噪比（）

的比值，即。

噪聲系數(shù)（NF）是噪聲因子的對(duì)數(shù)形式，即。

它物理上表征了信號(hào)經(jīng)過該級(jí)電路后，由于電路內(nèi)部器件（如電阻熱噪聲、晶體管溝

道噪聲）引入了額外噪聲，導(dǎo)致信噪比惡化的程度。

2.Friis公式（級(jí)聯(lián)噪聲公式）：

對(duì)于多級(jí)級(jí)聯(lián)系統(tǒng)，總噪聲因子的計(jì)算公式為：

注意：公式中的和（功率增益）必須是線性值，不能直接用dB值計(jì)

算。

3.設(shè)計(jì)指導(dǎo)意義：

從公式可以看出，系統(tǒng)的總噪聲系數(shù)主要由第一級(jí)決定，因?yàn)楹罄m(xù)級(jí)的噪聲貢獻(xiàn)會(huì)被

前級(jí)的增益（）大幅衰減。

因此，在射頻接收機(jī)設(shè)計(jì)中，LNA（第一級(jí)）**的設(shè)計(jì)至關(guān)重要，必須同時(shí)追求**低噪

聲系數(shù)和足夠高的增益，以抑制后續(xù)混頻器或?yàn)V波器的噪聲對(duì)系統(tǒng)靈敏度的影響。

Q7：源極負(fù)反饋電感（SourceDegenerationInductor）在LNA中起什么作

用？對(duì)輸入阻抗、增益和噪聲有何影響？

?不好的回答示例：

源極負(fù)反饋電感就是在MOS管的源極下面接一個(gè)電感。它的作用主要是幫助輸入匹

配。加了這個(gè)電感之后，輸入阻抗的實(shí)部會(huì)變大，這樣更容易匹配到50歐姆。但是

加了反饋之后，增益肯定會(huì)下降的，因?yàn)樨?fù)反饋都會(huì)降低增益。噪聲的話，這個(gè)電

感是無(wú)源器件，本身沒有電阻，所以不會(huì)引入熱噪聲，比接電阻要好?？傮w來說就

是犧牲一點(diǎn)增益換來好的匹配和線性度。

為什么這么回答不好：

1.定性描述多，定量描述少：核心的實(shí)部阻抗公式必須說出來，這是RF工程

師的“黑話”。

2.對(duì)噪聲的分析不夠深入：雖然提到了它不引入噪聲，但未提及它如何幫助實(shí)現(xiàn)“噪聲匹

配”與“功率匹配”的同時(shí)達(dá)成（SimultaneousNoiseandPowerMatching），這是該結(jié)構(gòu)

的靈魂所在。

3.線性度提及過簡(jiǎn)：雖提到了線性度改善，但未解釋反饋機(jī)制對(duì)線性度提升的原理。

高分回答示例：

源極負(fù)反饋電感（）是CMOSLNA設(shè)計(jì)中最經(jīng)典的結(jié)構(gòu)，其核心作用是在實(shí)部

阻抗匹配和噪聲優(yōu)化之間建立橋梁。

1.對(duì)輸入阻抗的影響（實(shí)部生成）：

這是該結(jié)構(gòu)最大的貢獻(xiàn)。通過在源極串聯(lián)電感，輸入阻抗產(chǎn)生了一個(gè)純實(shí)

部分量：

這使得我們不需要在柵極串聯(lián)有噪電阻，就能將輸入阻抗的實(shí)部調(diào)節(jié)到50，

從而實(shí)現(xiàn)無(wú)噪匹配。

2.對(duì)噪聲的影響（SNIM技術(shù)）：

本身是無(wú)損電抗元件，理論上不引入熱噪聲。

更重要的是，它改變了最佳噪聲源阻抗的位置。通過合理調(diào)整和管子尺寸，

可以使逼近復(fù)共軛輸入阻抗。這意味著我們可以在獲得完美S11匹配的同

時(shí)，達(dá)到（或非常接近）最小噪聲系數(shù)，這在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中通常是矛盾的。

3.對(duì)增益和線性度的影響：

增益：作為一種串聯(lián)負(fù)反饋，確實(shí)會(huì)降低有效跨導(dǎo)，導(dǎo)致增益略有下降（

）。

線性度：負(fù)反饋使得輸入電壓更多地落在源極電感上，減小了的擺幅，從而顯著

提高了線性度（IIP3）。在設(shè)計(jì)中，這是一個(gè)需要權(quán)衡的折中點(diǎn)。

Q8：請(qǐng)?jiān)敿?xì)解釋米勒效應(yīng)（MillerEffect），以及Cascode（共源共柵）結(jié)構(gòu)

如何消除米勒效應(yīng)？

?不好的回答示例：

米勒效應(yīng)就是指放大器輸入輸出之間的電容會(huì)被放大的現(xiàn)象。比如MOS管的Cgd電

容，因?yàn)榭缃釉谳斎牒洼敵鲋g，它等效到輸入端的電容就會(huì)變成原來的(1+A)

倍，A是增益。這個(gè)效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致輸入電容變大，帶寬變窄，高頻特性變差。解決辦

法就是用Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode就是把兩個(gè)管子疊起來，上面那個(gè)管子是共柵

極，它的輸入阻抗很低，所以下面那個(gè)管子的電壓增益就很小，米勒效應(yīng)就沒了。

為什么這么回答不好：

1.邏輯跳躍：雖然結(jié)論正確，但中間的推導(dǎo)邏輯不夠清晰。需要解釋清楚為什么共柵管導(dǎo)

致共源管增益變小。

2.術(shù)語(yǔ)不夠精確：“帶寬變窄”是結(jié)果，應(yīng)具體指出是“輸入極點(diǎn)頻率降低”。

3.缺乏高頻視角的解釋：在射頻設(shè)計(jì)中，米勒效應(yīng)不僅影響帶寬，還嚴(yán)重影響反向隔離度

，這一點(diǎn)在BadAnswer中完全未提及。

高分回答示例：

1.米勒效應(yīng)（MillerEffect）原理：

在反相放大器中，跨接在輸入與輸出之間的阻抗（如MOS管的柵漏電容）會(huì)被放

大。

等效到輸入端的電容為，其中是放大器的電壓增益。

危害：在射頻電路中，LNA通常具有高增益，這會(huì)導(dǎo)致輸入電容顯著增加，極大降低

了輸入極點(diǎn)頻率，限制了系統(tǒng)帶寬。此外，大的提供了一條從輸出到輸入的低阻

抗通路，導(dǎo)致反向隔離度（S12）變差，容易引發(fā)振蕩。

2.Cascode結(jié)構(gòu)消除機(jī)理：

Cascode結(jié)構(gòu)由共源管（M1，輸入級(jí)）和共柵管（M2，隔離級(jí)）串聯(lián)組成。

關(guān)鍵點(diǎn)：M1的漏極負(fù)載是M2的源極輸入阻抗。對(duì)于共柵放大器，其輸入阻抗約為

。

因此，M1的電壓增益變?yōu)椋海僭O(shè)）。

結(jié)果：由于M1的增益極?。ń咏?1或很小的值），米勒倍增因子變得非

常小，有效地抑制了的放大效應(yīng)。同時(shí)，M2作為共柵級(jí)，本身具有極好的電流

緩沖特性，進(jìn)一步切斷了輸出到輸入的反饋路徑，顯著提升了高頻性能和穩(wěn)定性。

Q9：功率放大器（PA）的A類、B類、AB類、C類、D類、E類主要區(qū)別是什

么？效率和線性度如何折中？

?不好的回答示例：

PA分很多類。A類就是管子一直導(dǎo)通，線性度最好，但是效率最低，只有50%。B

類是導(dǎo)通一半，效率高一點(diǎn)，但是有交越失真。AB類在它們中間。C類導(dǎo)通角更

小，效率更高，但是非線性很嚴(yán)重。D類和E類是開關(guān)類的，管子像開關(guān)一樣工作，

理論效率能到100%，但是非線性特別差，只能用來發(fā)恒包絡(luò)信號(hào)。設(shè)計(jì)的時(shí)候就

是看你要效率還是要線性度，如果是OFDM這種信號(hào)就不能用開關(guān)PA。

為什么這么回答不好：

1.缺乏專業(yè)參數(shù)：描述導(dǎo)通角時(shí)可以使用具體的度數(shù)（360°,180°,<180°）來增強(qiáng)專業(yè)

性。

2.分類邏輯不清晰：未將PA明確分為“線性模式（電流源模式）”和“開關(guān)模式”兩大類進(jìn)行闡

述。

3.技術(shù)細(xì)節(jié)不足：對(duì)于E類PA的“軟開關(guān)（ZeroVoltageSwitching）”特性未提及，這是E類

PA的核心考點(diǎn)。

高分回答示例：

PA的分類主要依據(jù)晶體管的工作狀態(tài)和導(dǎo)通角，本質(zhì)上是線性度與效率的折中

（Trade-off）。

1.線性PA（電流源模式）：

A類：導(dǎo)通角360°，管子全周期導(dǎo)通。線性度最高，適合高階調(diào)制信號(hào)（如

64QAM），但理論最高效率僅50%。

B類：導(dǎo)通角180°，僅半周期導(dǎo)通。理論效率78.5%，但存在交越失真。

AB類：導(dǎo)通角180°~360°。通過微弱偏置解決B類的交越失真，是目前手機(jī)PA

（4G/5G）的主流選擇，兼顧了線性度和效率。

C類：導(dǎo)通角<180°。利用LC諧振回路恢復(fù)波形，效率高但線性度差，常用于恒包絡(luò)

信號(hào)。

2.開關(guān)PA（開關(guān)模式）：

D類、E類：晶體管作為開關(guān)工作（On/Off）。

特點(diǎn)：理論效率可達(dá)100%（無(wú)電壓電流重疊區(qū)）。特別是E類PA，設(shè)計(jì)了特殊的負(fù)

載網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)（ZVS），消除了放電損耗。

缺點(diǎn)：極度非線性，僅適用于FM/FSK等恒包絡(luò)調(diào)制。若用于非恒包絡(luò)信號(hào)（如

WIFI/LTE），必須配合極坐標(biāo)發(fā)射機(jī)或包絡(luò)跟蹤（ET）技術(shù)。

3.折中策略：

設(shè)計(jì)中，如果系統(tǒng)要求高PAPR（如OFDM），通常選用AB類并配合Doherty技術(shù)提

升回退效率。如果追求極致功耗且信號(hào)允許（如LoRa、藍(lán)牙），則傾向于使用開關(guān)類

PA。

Q10：在射頻版圖（Layout）設(shè)計(jì)中，有哪些關(guān)鍵的寄生效應(yīng)需要考慮？如何

進(jìn)行后仿真？

?不好的回答示例：

畫射頻版圖很麻煩，主要要注意寄生電阻和電容。線不能太細(xì)，否則電阻大，Q值

低。線之間不能太近，不然有耦合電容。還有就是要打很多地孔，形成保護(hù)環(huán)。后

仿真就是用Calibre提取寄生參數(shù)，生成一個(gè)帶寄生的網(wǎng)表，然后放回Cadence里

跑仿真。如果結(jié)果不對(duì)，就回去改版圖。特別是電感的下面要挖空，不能有走線，

不然會(huì)有渦流損耗。

為什么這么回答不好：

1.不夠全面：僅提到了R和C，忽略了高頻下極具破壞性的寄生電感和互感，以及趨膚效

應(yīng)。

2.流程描述粗糙：后仿真流程不僅是RC提取，對(duì)于關(guān)鍵的RF模塊（如電感、變壓器、傳

輸線），必須強(qiáng)調(diào)電磁場(chǎng)仿真（EMSimulation）的重要性，而不僅僅是寄生提取工具

（如CalibrexRC）。

3.缺乏深度：對(duì)于“地孔”和“保護(hù)環(huán)”的解釋流于表面，未提及襯底噪聲隔離的機(jī)理。

高分回答示例：

射頻版圖設(shè)計(jì)是“所見即所得”與“所想即所得”差距最大的環(huán)節(jié)，寄生效應(yīng)直接決定芯

片成敗。

1.關(guān)鍵寄生效應(yīng)：

寄生電阻與趨膚效應(yīng)：信號(hào)線不僅有直流電阻，高頻下趨膚效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致電阻顯著增

加，嚴(yán)重降低諧振腔Q值。

寄生電容與耦合：走線與襯底的寄生電容會(huì)吃掉信號(hào)帶寬；走線間的互容會(huì)導(dǎo)致串?dāng)_

（Crosstalk）。

寄生電感與互感：長(zhǎng)走線在高頻下表現(xiàn)為電感，會(huì)導(dǎo)致阻抗偏移；差分對(duì)如果不平

衡，互感效應(yīng)會(huì)破壞共模抑制比。

襯底耦合（SubstrateCoupling）：PA的大信號(hào)噪聲會(huì)通過襯底干擾LNA或VCO，

需重點(diǎn)防范。

2.后仿真策略（分級(jí)仿真）：

RC提?。≧CExtraction）：對(duì)有源器件和普通走線，使用Calibre/StarRC提取寄生

R和C（C-only或RC-coupled模式）。

電磁場(chǎng)仿真（EMSimulation）：對(duì)于關(guān)鍵無(wú)源器件（電感、變壓器）和敏感信號(hào)路

徑（輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、VCO振蕩回路），必須導(dǎo)出GDS導(dǎo)入HFSS或EMX進(jìn)行全波電磁

場(chǎng)仿真，生成S參數(shù)模型（sNp文件）。

聯(lián)合仿真（Co-Simulation）：將EM提取的S參數(shù)模型反標(biāo)回電路原理圖

（Schematic），替換理想模型，結(jié)合有源器件的RC網(wǎng)表進(jìn)行最終的系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證，重

點(diǎn)觀察中心頻率偏移（FrequencyShift）和增益下降。

Q11：什么是趨膚效應(yīng)（SkinEffect）？它對(duì)電感Q值和傳輸線損耗有什么影

響？

?不好的回答示例：

趨膚效應(yīng)就是高頻的時(shí)候，電流不喜歡在導(dǎo)線的中間流，喜歡在導(dǎo)線的表面流。頻

率越高，這個(gè)效應(yīng)越明顯。這樣的話，導(dǎo)線的有效截面積就變小了，電阻就變大

了。這對(duì)電感Q值是有影響的，因?yàn)镼值等于感抗除以電阻，電阻變大了，Q值肯定

就變小了。傳輸線也是一樣的道理，損耗會(huì)增加。所以我們?cè)诋嫲鎴D的時(shí)候，高頻

線要畫寬一點(diǎn)，或者用頂層金屬，因?yàn)轫攲咏饘俸瘛?/p>

為什么這么回答不好：

1.描述過于口語(yǔ)化：“電流不喜歡...”這種表述不夠?qū)I(yè)。應(yīng)使用“電流密度分布不均”等術(shù)

語(yǔ)。

2.缺乏定量概念：未提及趨膚深度（SkinDepth,）的概念及其與頻率的平方根關(guān)系。

3.對(duì)Q值影響分析單一：僅提到了串聯(lián)電阻增加導(dǎo)致Q值下降，這是對(duì)的，但如果能結(jié)合電

感Q值曲線在不同頻率段的主導(dǎo)損耗機(jī)制（低頻由Rdc主導(dǎo)，中高頻由趨膚效應(yīng)主導(dǎo)），

回答會(huì)更精彩。

高分回答示例：

1.趨膚效應(yīng)定義：

當(dāng)交變電流通過導(dǎo)體時(shí)，隨著頻率升高，導(dǎo)體內(nèi)部的感抗增大，導(dǎo)致電流密度傾向于

集中在導(dǎo)體表面（Skin），中心區(qū)域電流密度極小。

衡量這一效應(yīng)的關(guān)鍵參數(shù)是趨膚深度（），定義為電流密度下降到表面值的處

的深度。，即頻率越高，趨膚深度越淺。

2.對(duì)電感Q值的影響：

電感的品質(zhì)因數(shù)。

由于趨膚效應(yīng)，導(dǎo)體的有效截面積減小，導(dǎo)致高頻下的串聯(lián)等效電阻隨頻率顯

著增加（不再是直流電阻）。

這直接限制了片上螺旋電感的峰值Q值。在低頻段，Q值隨頻率線性增加；但在高頻

段，由于趨膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)導(dǎo)致的損耗劇增，Q值曲線會(huì)變平甚至下降。

3.對(duì)傳輸線損耗的影響：

傳輸線的損耗由導(dǎo)體損耗和介質(zhì)損耗組成。趨膚效應(yīng)直接增加了導(dǎo)體損耗（Conductor

Loss）。

在版圖設(shè)計(jì)中，為了減小此影響，射頻信號(hào)線通常選用工藝中最厚、導(dǎo)電性最好的頂

層金屬（TopMetal/UltraThickMetal），并適當(dāng)加寬線寬，以降低高頻電阻。

Q12：請(qǐng)畫出Gilbert混頻器（GilbertCellMixer）的電路結(jié)構(gòu)，并解釋其工作

原理。

?不好的回答示例：

Gilbert混頻器就是雙平衡混頻器。它由三個(gè)部分組成：最下面是跨導(dǎo)級(jí)，中間是開

關(guān)級(jí)，上面是負(fù)載。RF信號(hào)加在下面的管子上，把電壓變成電流。LO信號(hào)加在中

間的四個(gè)管子上，像開關(guān)一樣把電流換向。這樣就把RF信號(hào)搬移到了中頻IF。這個(gè)

結(jié)構(gòu)的好處是隔離度特別好，LO泄漏很少，因?yàn)樗侨罘值?。我們?cè)跁蠈W(xué)的都

是這個(gè)結(jié)構(gòu)。

為什么這么回答不好：

1.缺乏結(jié)構(gòu)化的電路描述：應(yīng)該更具體地描述晶體管的連接方式（如M1-M2組成差分跨導(dǎo)

級(jí)，M3-M6組成四個(gè)開關(guān)管）。

2.原理闡述不夠深刻：僅說了“換向”，未提及數(shù)學(xué)上的“時(shí)域乘法”對(duì)應(yīng)“頻域卷積”。

3.優(yōu)缺點(diǎn)分析缺失：既然是高頻題，應(yīng)該順帶提及Gilbert單元的缺點(diǎn)（如電壓余度

Headroom緊張，噪聲系數(shù)較有源混頻器高等），體現(xiàn)全面性。

高分回答示例：

Gilbert單元是現(xiàn)代射頻集成電路中最主流的有源混頻器拓?fù)?，本質(zhì)上是一個(gè)雙平衡

（DoubleBalanced）乘法器。

1.電路結(jié)構(gòu)（縱向堆疊三級(jí)）：

跨導(dǎo)級(jí)（V-IConverter）：底部的一對(duì)差分對(duì)（M1,M2），輸入RF小信號(hào)。其作用

是將輸入的RF電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為電流信號(hào)。

開關(guān)級(jí)（CurrentCommutator）：中間的四個(gè)晶體管（M3-M6）組成兩個(gè)交叉耦合

的差分對(duì)，由大信號(hào)LO驅(qū)動(dòng)。它們交替導(dǎo)通，相當(dāng)于在時(shí)域上以LO頻率對(duì)RF電流進(jìn)

行“換向”或“斬波”。

負(fù)載級(jí)（Load）：頂部的電阻或有源負(fù)載，將混頻后的電流轉(zhuǎn)換回電壓輸出。

2.工作原理：

從時(shí)域看，LO信號(hào)控制開關(guān)級(jí)做正負(fù)的方波乘法。

數(shù)學(xué)上，輸出信號(hào)。根據(jù)積化和差公式，頻域上產(chǎn)生了

的分量，從而實(shí)現(xiàn)頻譜搬移（上變頻或下變頻）。

3.核心優(yōu)勢(shì)：

端口隔離度極高：由于結(jié)構(gòu)的完全對(duì)稱性，虛地節(jié)點(diǎn)有效地抑制了LO-IF、RF-IF以及

LO-RF之間的泄漏，這是Gilbert單元最大的優(yōu)點(diǎn)。

抑制偶次諧波：差分結(jié)構(gòu)能有效抵消偶次非線性產(chǎn)物。

（加分項(xiàng)：缺點(diǎn)）唯一的挑戰(zhàn)是縱向堆疊了三層器件，對(duì)電壓余度（Voltage

Headroom）要求較高，在低壓工藝下設(shè)計(jì)較困難。

Q13：什么是阻抗匹配？為什么要進(jìn)行50歐姆匹配？有哪些常見的匹配網(wǎng)絡(luò)（L

型、Pi型、T型）？

?不好的回答示例：

阻抗匹配就是讓負(fù)載阻抗等于源阻抗的共軛，這樣功率傳輸最大。選50歐姆是因?yàn)?/p>

這是標(biāo)準(zhǔn)，大家都用50歐姆，方便測(cè)試。匹配網(wǎng)絡(luò)有很多種，L型最簡(jiǎn)單，兩個(gè)元

件就行。Pi型就是三個(gè)元件，像個(gè)π字。T型像T字。L型帶寬比較窄，Pi型帶寬寬一

點(diǎn)，而且能濾除高次諧波。我們?cè)贏DS里可以用SmithChart工具自動(dòng)生成匹配網(wǎng)

絡(luò)，很方便。

為什么這么回答不好：

1.歷史緣由不清：關(guān)于50歐姆的由來（30歐姆功率最大vs77歐姆損耗最?。┦墙?jīng)典的射

頻面試談資，回答“只是標(biāo)準(zhǔn)”顯得知識(shí)面窄。

2.網(wǎng)絡(luò)特性描述膚淺：對(duì)于匹配網(wǎng)絡(luò)的選擇，Q值控制（帶寬控制）是核心，BadAnswer

只說了“寬一點(diǎn)”，沒有解釋Q值與節(jié)點(diǎn)阻抗的關(guān)系。

3.工具依賴：強(qiáng)調(diào)“自動(dòng)生成”容易讓面試官覺得你缺乏手算和直觀分析能力。

高分回答示例：

1.阻抗匹配的目的：

最大功率傳輸：共軛匹配（）使得源的能量無(wú)反射地傳輸給負(fù)載。

保護(hù)器件：減小反射波，防止駐波電壓擊穿PA或損壞前級(jí)。

噪聲優(yōu)化：在LNA中，匹配是為了達(dá)到最佳噪聲系數(shù)（）。

2.50歐姆的由來（歷史折中）：

這是同軸電纜發(fā)展歷史中的一個(gè)折中值。

對(duì)于空氣填充的同軸線，30時(shí)功率容量最大（PowerHandling），而77時(shí)傳輸

損耗最小（Loss）。

為了兼顧高功率傳輸和低損耗，工程界折中選擇了50作為通用標(biāo)準(zhǔn)。

3.常見匹配網(wǎng)絡(luò)對(duì)比：

L型（L-Section）：由兩個(gè)電抗元件組成。結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單，損耗最小。缺點(diǎn)是Q值不可

調(diào)，Q值完全由源和負(fù)載的阻抗比決定，因此帶寬是固定的，缺乏設(shè)計(jì)靈活性。

型（Pi-Section）：三元件網(wǎng)絡(luò)。相比L型，多了一個(gè)自由度，可以獨(dú)立控制Q值

（即控制帶寬）。由于它包含兩個(gè)接地電容（或電感），對(duì)寄生參數(shù)更不敏感，且具

有更好的高頻諧波抑制能力（低通特性）。

T型（T-Section）：也是三元件網(wǎng)絡(luò)，同樣可以控制Q值。常用于需要中間節(jié)點(diǎn)阻抗

較低的場(chǎng)合，或者作為高通濾波特性匹配。

Q14：解釋相位噪聲（PhaseNoise）的概念，它對(duì)系統(tǒng)性能（如EVM、

SNR）有什么影響？

?不好的回答示例：

相位噪聲就是頻率不穩(wěn)。理想的振蕩器頻譜是一根線，但是實(shí)際的振蕩器這根線會(huì)

變寬，旁邊像裙子一樣，這個(gè)就是相位噪聲。它是因?yàn)槠骷?nèi)部的噪聲導(dǎo)致相位的

抖動(dòng)。相位噪聲太大會(huì)影響通信質(zhì)量。比如EVM會(huì)變差，星座圖的點(diǎn)會(huì)轉(zhuǎn)圈圈。

SNR也會(huì)變差，因?yàn)樵肼曌兇罅?。反正做PLL的時(shí)候要盡量把相位噪聲做低，比

如-100dBc。

為什么這么回答不好：

1.定義缺乏頻域描述：應(yīng)該給出具體的定義：在偏離載波處，1Hz帶寬內(nèi)的噪聲功率

與載波功率的比值。

2.影響機(jī)制描述不專業(yè)：“點(diǎn)會(huì)轉(zhuǎn)圈圈”雖然形象，但應(yīng)使用“旋轉(zhuǎn)誤差矢量”或“正交性破

壞”等術(shù)語(yǔ)。

3.遺漏關(guān)鍵危害：射頻中最致命的相位噪聲危害是倒易混頻（ReciprocalMixing），這是

導(dǎo)致強(qiáng)干擾下接收機(jī)靈敏度惡化的元兇，BadAnswer完全沒提。

高分回答示例：

1.相位噪聲定義：

理想振蕩器輸出是純正弦波，頻譜為狄拉克函數(shù)。但在實(shí)際電路中，由于熱噪聲和閃

爍噪聲調(diào)制了振蕩器的相位，導(dǎo)致頻譜能量在載波周圍擴(kuò)散，形成“裙邊”。

量化指標(biāo)：，定義為偏離中心頻率處，1Hz帶寬內(nèi)的單邊帶噪聲功率與載

波總功率的比值，單位是dBc/Hz。

2.對(duì)系統(tǒng)性能的影響：

對(duì)EVM（發(fā)射機(jī)）：相位噪聲在時(shí)域體現(xiàn)為抖動(dòng)（Jitter）。在星座圖上，它表現(xiàn)為星

座點(diǎn)圍繞原點(diǎn)發(fā)生角向旋轉(zhuǎn)擴(kuò)散。這直接增加了誤差矢量幅度（EVM），導(dǎo)致解調(diào)誤

碼率上升，尤其是對(duì)于高階調(diào)制（如64QAM,256QAM）極為敏感。

倒易混頻（ReciprocalMixing，接收機(jī)最關(guān)鍵影響）：當(dāng)接收機(jī)旁邊存在一個(gè)強(qiáng)干

擾信號(hào)時(shí)，本振（LO）的相位噪聲“裙邊”會(huì)與這個(gè)強(qiáng)干擾信號(hào)混頻，將干擾能量搬移

到中頻（IF）帶內(nèi)，直接淹沒微弱的有用信號(hào)。這會(huì)嚴(yán)重惡化接收機(jī)的信噪比

（SNR）**和**選擇性。

Q15：PLL（鎖相環(huán)）的基本結(jié)構(gòu)包含哪些模塊？請(qǐng)畫出框圖并解釋各部分功

能。

?不好的回答示例：

PLL主要有四個(gè)部分：鑒頻鑒相器（PFD）、電荷泵（CP）、環(huán)路濾波器（LPF）

和壓控振蕩器（VCO），還有一個(gè)分頻器。PFD比較參考時(shí)鐘和反饋時(shí)鐘的相位，

如果有差別就輸出脈沖。CP把脈沖變成電流。LPF把電流變成電壓，濾掉高頻噪

聲。VCO根據(jù)電壓改變頻率。分頻器把VCO頻率分下來給PFD。這樣就鎖住了。

為什么這么回答不好：

1.缺乏反饋控制視角的描述：PLL本質(zhì)是一個(gè)負(fù)反饋控制系統(tǒng)，回答過于羅列模塊，未強(qiáng)

調(diào)“相位誤差被積分歸零”的控制過程。

2.模塊細(xì)節(jié)缺失：例如未提及LPF通常包含一個(gè)極點(diǎn)和一個(gè)零點(diǎn)（用于穩(wěn)定環(huán)路），未提

及PFD的死區(qū)問題。

3.整體連貫性差：像是在背書名，沒有串聯(lián)起整個(gè)環(huán)路的動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)過程。

高分回答示例：

PLL（PhaseLockedLoop）是一個(gè)對(duì)相位進(jìn)行負(fù)反饋控制的閉環(huán)系統(tǒng)，主要由

以下五大核心模塊組成：

1.鑒頻鑒相器（PFD,PhaseFrequencyDetector）：

作為系統(tǒng)的“誤差傳感器”，它比較參考時(shí)鐘（）和反饋時(shí)鐘（）的相位和頻率

差。

輸出UP和DN脈沖信號(hào)，脈沖寬度正比于相位差。

2.電荷泵（CP,ChargePump）：

將PFD輸出的數(shù)字邏輯脈沖轉(zhuǎn)換為模擬電流信號(hào)（）。UP信號(hào)控制電流注入，DN

信號(hào)控制電流抽取。

3.環(huán)路濾波器（LPF,LoopFilter）：

通常是一個(gè)低通網(wǎng)絡(luò)（如無(wú)源RC積分器）。它有兩個(gè)關(guān)鍵作用：

1.將CP的電流脈沖積分為平滑的控制電壓（）。

2.決定環(huán)路的帶寬和穩(wěn)定性（提供零點(diǎn)以保證相位裕度）。

4.壓控振蕩器（VCO,VoltageControlledOscillator）：

作為受控對(duì)象，輸出頻率與輸入電壓成正比（）。

5.分頻器（Divider,/N）：

位于反饋路徑上，將高頻的VCO輸出分頻后送回PFD。

鎖定狀態(tài)：當(dāng)環(huán)路鎖定時(shí)，輸入相位差為常數(shù)（或0），此時(shí)，從而

實(shí)現(xiàn)了頻率合成。

Q16：在項(xiàng)目中你是如何測(cè)試芯片的？使用過哪些儀器（VNA、頻譜儀、示波

器）？遇到過什么測(cè)試問題？

?不好的回答示例：

測(cè)試的時(shí)候我就把芯片焊在板子上，用SMA頭連到儀器上。主要用了VNA測(cè)S參

數(shù)，頻譜儀測(cè)輸出功率和諧波。示波器主要看低頻信號(hào)。遇到的問題就是有時(shí)候測(cè)

出來的S11不對(duì)，我就去檢查焊接有沒有焊好，或者電容有沒有焊錯(cuò)。還有一次增

益偏低，后來發(fā)現(xiàn)是電源電壓沒加夠。反正測(cè)試就是要有耐心，慢慢排查。

為什么這么回答不好：

1.測(cè)試流程不專業(yè)：未提及校準(zhǔn)（Calibration）這一核心步驟（如SOLT校準(zhǔn)），沒有校

準(zhǔn)的VNA測(cè)試是毫無(wú)意義的。

2.缺乏去嵌入（De-embedding）概念：芯片測(cè)試不僅僅是測(cè)板子，必須去除PCB走線和

SMA接頭的損耗，這是IC測(cè)試與板級(jí)測(cè)試最大的區(qū)別。

3.問題排查太低級(jí)：“電源沒加夠”這種低級(jí)錯(cuò)誤會(huì)讓面試官質(zhì)疑你的專業(yè)素養(yǎng)。應(yīng)該舉例更

深層次的問題，如自激振蕩、地回路干擾等。

高分回答示例：

在我的流片項(xiàng)目中，我負(fù)責(zé)了完整的射頻芯片測(cè)試方案。

1.儀器使用與測(cè)試項(xiàng)：

使用VNA（矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀）進(jìn)行小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試。測(cè)試前，我嚴(yán)格執(zhí)行了SOLT

（短路-開路-負(fù)載-直通）電子校準(zhǔn)，并將參考平面校準(zhǔn)到SMA連接器端面。

使用頻譜分析儀（SpectrumAnalyzer）配合噪聲源測(cè)試噪聲系數(shù)（Y因子法），以

及測(cè)試線性度（IIP3）和雜散性能。

使用高頻示波器觀測(cè)時(shí)域波形，驗(yàn)證數(shù)字控制邏輯的時(shí)序。

2.關(guān)鍵技術(shù)：去嵌入（De-embedding）：

由于測(cè)試的是裸Die或封裝片，PCB上的微帶線和SMA頭會(huì)引入很大誤差。

設(shè)計(jì)PCB時(shí)，我專門設(shè)計(jì)了Open、Short、Thru的去嵌入校準(zhǔn)件（TRL或Open-Short

去嵌入）。后期在ADS中利用實(shí)測(cè)的S參數(shù)矩陣運(yùn)算，減去PCB走線的影響，還原芯

片真實(shí)的性能。

3.遇到的問題與解決：

問題：初次測(cè)試LNA時(shí)，發(fā)現(xiàn)S21增益在低頻段出現(xiàn)異常隆起，且S11很差。

排查：排除焊接問題后，我懷疑是低頻振蕩。用頻譜儀寬帶掃描，發(fā)現(xiàn)在幾百M(fèi)Hz處

確實(shí)有強(qiáng)信號(hào)。

解決：分析原因是芯片內(nèi)部的偏置電路電源濾波電容不夠，加上綁定線電感形成了諧

振。最終在PCB靠近芯片電源管腳處并聯(lián)了不同容值的去耦電容（100pF+1nF），

成功抑制了振蕩，指標(biāo)恢復(fù)正常。

Q17：什么是穩(wěn)定性系數(shù)（K因子）？如何保證放大器在所有頻率下絕對(duì)穩(wěn)定？

?不好的回答示例：

穩(wěn)定性系數(shù)K就是用來判斷放大器會(huì)不會(huì)振蕩的參數(shù)。如果K大于1，就是穩(wěn)定的；

如果K小于1，就不穩(wěn)定。我們?cè)谠O(shè)計(jì)LNA和PA的時(shí)候，一定要保證K大于1。如果

不滿足，就在輸入或者輸出串聯(lián)一個(gè)小電阻，或者并聯(lián)一個(gè)電阻，以此來消耗掉多

余的能量，讓它穩(wěn)定。但是加電阻會(huì)影響增益和噪聲，所以要小心。

為什么這么回答不好：

1.條件不完整：絕對(duì)穩(wěn)定的判據(jù)不僅僅是，還必須滿足（或）。只

說K是不夠嚴(yán)謹(jǐn)?shù)摹?/p>

2.概念混淆：未區(qū)分“絕對(duì)穩(wěn)定”和“條件穩(wěn)定”。

3.缺乏頻段意識(shí)：必須強(qiáng)調(diào)是在“所有頻率下”穩(wěn)定，特別是低頻容易出問題，BadAnswer

沒有體現(xiàn)這一點(diǎn)。

高分回答示例：

1.Rollett穩(wěn)定性判據(jù)：

K因子（SternStabilityFactor）是衡量二端口網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定性的核心指標(biāo)。

放大器絕對(duì)穩(wěn)定（即在任何無(wú)源源阻抗和負(fù)載阻抗下都不振蕩）的充要條件是必須同

時(shí)滿足：

1.

2.（其中）

(注：或者使用因子，只需這一條即可判斷絕對(duì)穩(wěn)定)

2.條件穩(wěn)定與圓圖分析：

如果，放大器處于條件穩(wěn)定狀態(tài)。這意味著存在某些特定的源阻抗或負(fù)載阻抗

區(qū)域（不穩(wěn)定圓內(nèi)部）會(huì)導(dǎo)致振蕩。

在史密斯圓圖上，我們需要畫出輸入/輸出穩(wěn)定性圓（StabilityCircles），確保匹配點(diǎn)

落在穩(wěn)定區(qū)域內(nèi)。

3.保證絕對(duì)穩(wěn)定的措施：

頻帶內(nèi)：射頻放大器通常在工作頻段內(nèi)設(shè)計(jì)為條件穩(wěn)定（為了追求高增益），通過嚴(yán)

格控制源/負(fù)載阻抗使其穩(wěn)定。

頻帶外（特別是低頻）：增益通常很高，極易振蕩。常用的穩(wěn)定技術(shù)包括：

阻性加載（ResistiveLoading）：在輸入端串聯(lián)小電阻或柵極并聯(lián)電阻（降低Q

值）。

源級(jí)負(fù)反饋：增加源級(jí)電感。

RC負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)：在漏極和柵極間并聯(lián)RC（針對(duì)低頻穩(wěn)定）。

Q18：你的項(xiàng)目中電感的Q值大概是多少？受哪些因素限制？如何在版圖上優(yōu)化

電感Q值？

?不好的回答示例：

我用的電感Q值大概在10左右。Q值主要受電阻限制，電阻越大Q值越小。還有襯底

損耗也會(huì)降低Q值。優(yōu)化的話，我會(huì)用最頂層的金屬畫電感，因?yàn)槟菍幼詈?。然?/p>

把線畫寬一點(diǎn)。還有就是在電感下面不要走別的線，防止干擾。有的工藝有Pattern

GroundShield，我也會(huì)加上，這樣Q值能高一點(diǎn)。

為什么這么回答不好：

1.數(shù)值單一：Q值是隨頻率變化的，說“大概10”沒有意義，應(yīng)說明是峰值Q值還是工作頻率

處的Q值。

2.物理機(jī)制解釋淺：未深入解釋襯底損耗的兩種機(jī)制（電容耦合損耗和渦流損耗）。

3.優(yōu)化手段不全：僅提到了線寬和頂層金屬，未提及空心化（Hollow）設(shè)計(jì)來減小渦流，

也未提及差分電感相比單端電感的優(yōu)勢(shì)。

高分回答示例：

在我的65nmCMOS工藝設(shè)計(jì)中，片上螺旋電感在2.4GHz處的Q值大約在8到12

之間，峰值Q值通常出現(xiàn)在5GHz左右，能達(dá)到15。

1.主要限制因素（三大損耗）：

金屬歐姆損耗：包括直流電阻和高頻趨膚效應(yīng)帶來的電阻，主要限制低頻Q值。

襯底容性耦合損耗：電感金屬層與襯底之間的寄生電容允許電場(chǎng)穿透到有耗襯

底，導(dǎo)致能量耗散。

襯底渦流損耗（EddyCurrent）：電感磁場(chǎng)穿過襯底，在襯底感應(yīng)出渦流，根據(jù)楞

次定律，這會(huì)消耗能量并降低有效電感量。

2.版圖優(yōu)化策略：

金屬層選擇：必須使用頂層超厚金屬（UTM），且多層金屬并聯(lián)（Stacking）以減小

串聯(lián)電阻。

圖案化接地屏蔽（PGS,PatternedGroundShield）：在電感下方放置多晶硅或M1

層的條狀接地網(wǎng)格。切斷了感應(yīng)渦流的回路（阻斷渦流損耗），同時(shí)屏蔽了電場(chǎng)進(jìn)入

襯底（阻斷耦合損耗）。注意：PGS不能形成閉合環(huán)路，否則會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的渦流。

中心鏤空（HollowCenter）：螺旋線圈中心區(qū)域磁通最強(qiáng)，渦流最嚴(yán)重，因此中心

不走線，增大內(nèi)徑可以提升Q值。

差分驅(qū)動(dòng)：如果電路允許，使用差分對(duì)稱電感，相比單端驅(qū)動(dòng)，由于虛地點(diǎn)的存在，

能獲得更高的Q值。

Q19：對(duì)于射頻開關(guān)（RFSwitch），插入損耗（InsertionLoss）和隔離度

（Isolation）這兩個(gè)指標(biāo)怎么權(quán)衡？

?不好的回答示例：

射頻開關(guān)主要就是看插損和隔離度。插損越小越好，隔離度越大越好。但是這兩個(gè)

是矛盾的。你想插損小，管子就要做得很大，電阻才小。但是管子大了，電容就大

了，關(guān)斷的時(shí)候信號(hào)就漏過去了，隔離度就變差了。所以設(shè)計(jì)的時(shí)候要找一個(gè)中間

值。一般我會(huì)用疊層技術(shù)，把幾個(gè)管子串起來，這樣耐壓高，隔離度也好，但是插

損會(huì)變大一點(diǎn)。

為什么這么回答不好：

1.定性分析尚可，定量分析不足：這是一個(gè)經(jīng)典的尺寸折中問題，可以用優(yōu)

值（FOM）來描述。

2.對(duì)StackedFET的理解片面：堆疊管主要目的是為了解決耐壓（PowerHandling）問

題，而不僅僅是隔離度。

3.未提及具體優(yōu)化結(jié)構(gòu)：如體浮空（BodyFloating）技術(shù)或前饋電容技術(shù)，這些是提升開

關(guān)性能的關(guān)鍵。

高分回答示例：

射頻開關(guān)的設(shè)計(jì)核心在于晶體管尺寸（Width）的選取，插損和隔離度存在著基本

的物理制約。

1.折中原理（vs）：

插入損耗（IL）：主要由導(dǎo)通電阻決定。為了減小IL，需要增加晶體管寬度

，從而減小。

隔離度（ISO）：主要由關(guān)斷電容決定（信號(hào)通過電容泄漏）。增加會(huì)導(dǎo)

致寄生電容線性增加，導(dǎo)致高頻隔離度惡化。

優(yōu)值（FOM）：工藝的開關(guān)性能極限通常由決定，這是一個(gè)常數(shù)。設(shè)計(jì)

就是在該常數(shù)限制下尋找最佳。

2.權(quán)衡策略：

低頻段：的阻抗較大，隔離度通常不是瓶頸，優(yōu)先做大以優(yōu)化IL。

高頻段（如mmWave）：泄漏嚴(yán)重，必須減小保證隔離度，哪怕犧牲一點(diǎn)

IL。

3.電路架構(gòu)優(yōu)化：

串并聯(lián)結(jié)構(gòu)（Series-Shunt）：僅靠串聯(lián)管隔離度不夠，通常在信號(hào)路徑上接一個(gè)并

聯(lián)到地的管子。關(guān)斷時(shí)，并聯(lián)管導(dǎo)通，將泄漏信號(hào)短路到地，極大提升隔離度，但會(huì)

因?yàn)椴⒙?lián)電容略微增加插損。

電感諧振：在并聯(lián)支路引入電感，與諧振，在特定頻率點(diǎn)形成開路，顯著提升

隔離度（常用于高頻窄帶開關(guān)）。

Q20：簡(jiǎn)述零中頻（Zero-IF）架構(gòu)和超外差（Super-heterodyne）架構(gòu)的優(yōu)

缺點(diǎn)。

?不好的回答示例：

超外差就是最經(jīng)典的架構(gòu)，有兩級(jí)變頻，先變到中頻再變到基帶。它的優(yōu)點(diǎn)是靈敏

度高，選擇性好，但是要用聲表濾波器（SAW），成本高，很難集成。零中頻就是

直接把RF變到基帶，沒有中頻。優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便宜，可以單芯片集成。缺點(diǎn)是

有直流偏置（DCOffset）和閃爍噪聲，還有IQ不平衡?，F(xiàn)在手機(jī)里基本都用零中

頻了。

為什么這么回答不好：

1.深度不夠：對(duì)超外差的優(yōu)點(diǎn)“鏡像抑制”這一核心功能未提及，這是超外差存在的根本理

由。

2.缺點(diǎn)描述不完整：Zero-IF的LO泄漏（LOLeakage）問題未提及，這也是其致命傷之

一。

3.技術(shù)演進(jìn)邏輯缺失：未解釋為什么現(xiàn)在的工藝能解決Zero-IF的缺點(diǎn)（如數(shù)字校準(zhǔn)技

術(shù)），導(dǎo)致答案顯得有些過時(shí)。

高分回答示例：

這是兩種最主流的收發(fā)機(jī)架構(gòu)，各有千秋。

1.超外差架構(gòu)（Super-heterodyne）：

原理：信號(hào)經(jīng)過兩次（或多次）變頻。先混頻到固定的中頻（IF），經(jīng)過中頻濾波器

強(qiáng)力濾除干擾后，再解調(diào)到基帶。

優(yōu)點(diǎn)：性能王者。具有極高的靈敏度和選擇性；由于中頻濾波器的高抑制度，抗干擾

能力極強(qiáng)；且無(wú)直流失圓（DCOffset）和閃爍噪聲問題。

缺點(diǎn)：極難集成。需要高Q值的片外濾波器（SAW/BAW），導(dǎo)致BOM成本高、PCB

面積大，且無(wú)法做成寬帶可重構(gòu)（中頻固定）。

2.零中頻架構(gòu)（Zero-IF/DirectConversion）：

原理：本振頻率，直接將射頻信號(hào)下變頻到基帶（0Hz）。

優(yōu)點(diǎn)：集成度王者。去掉了昂貴的片外中頻濾波器，只有低通濾波器（LPF），易于

單片集成；且架構(gòu)簡(jiǎn)單，天然適合多模多頻（Wideband）應(yīng)用。

缺點(diǎn)及解決：

直流失圓（DCOffset）：LO自混頻導(dǎo)致，需DC校準(zhǔn)電路消除。

閃爍噪聲（1/fNoise）：信號(hào)位于低頻，易受CMOS噪聲影響，需先進(jìn)工藝

（FinFET）或斬波技術(shù)。

IQ不平衡：導(dǎo)致鏡像抑制比差，需通過基帶數(shù)字算法（DSP）進(jìn)行盲校準(zhǔn)。

3.總結(jié)：

隨著CMOS工藝和數(shù)字輔助射頻技術(shù)的發(fā)展，零中頻已完全統(tǒng)治了消費(fèi)電子（手機(jī)、

WiFi）市場(chǎng)。而超外差依然在軍工、基站等對(duì)性能要求極致的領(lǐng)域占有一席之地。

Q21：什么是鏡像頻率干擾（ImageFrequency）？如何抑制鏡像干擾？

?不好的回答示例：

鏡像頻率就是和射頻信號(hào)對(duì)稱的那個(gè)頻率。比如中頻是IF，射頻是RF，那鏡像就是

RF加減2倍的IF。如果不把這個(gè)濾掉，混頻的時(shí)候它也會(huì)變到中頻，干擾有用信

號(hào)。解決辦法就是在混頻器前面加一個(gè)濾波器，把那個(gè)頻率濾掉?；蛘哂媚欠N特殊

的混頻器架構(gòu)，像Hartley或者Weaver架構(gòu)，它們能把鏡像信號(hào)抵消掉。一般現(xiàn)在

的接收機(jī)都能處理這個(gè)問題。

為什么這么回答不好：

1.定義不夠直觀：雖然數(shù)學(xué)關(guān)系是對(duì)的，但沒有解釋物理過程：即

，導(dǎo)致兩者混疊。

2.架構(gòu)描述籠統(tǒng)：提到了Hartley/Weaver，但沒解釋其核心原理（通過移相90度實(shí)現(xiàn)信號(hào)

相加、噪聲相消），顯得知其然不知其所以然。

3.工程視角缺失：沒提到零中頻（Zero-IF）架構(gòu)本身就是解決鏡像問題的終極方案（因?yàn)?/p>

，鏡像即自身）。

高分回答示例：

1.定義與危害：

在超外差架構(gòu)中，混頻器的非線性特性決定了只要滿足的信號(hào)都

會(huì)被搬移到中頻帶內(nèi)。

除了有用的射頻信號(hào)，還存在一個(gè)鏡像頻率（取決于本振

是高注還是低注）。

危害：如果天線接收到的信號(hào)中包含處的強(qiáng)干擾，它經(jīng)過混頻后會(huì)直接疊加

在有用信號(hào)的上，導(dǎo)致信噪比急劇惡化，且無(wú)法通過后級(jí)濾波去除。

2.抑制方案（分架構(gòu)討論）：

片外濾波（SAW/BAW）：在LNA前端或混頻器前加入高選擇性的鏡像抑制濾波器。

這是最傳統(tǒng)的方法，但難以集成。

鏡像抑制混頻器（ImageRejectionMixer,IRM）：

采用Hartley架構(gòu)或Weaver架構(gòu)。

原理：利用兩路正交的LO信號(hào)（和）進(jìn)行混頻，并配合多相濾波器

（PolyphaseFilter）或移相網(wǎng)絡(luò)，使得有用信號(hào)在輸出端同相疊加（），而鏡

像信號(hào)反相抵消（）。

零中頻架構(gòu)（Zero-IF）：

現(xiàn)代主流方案。由于，鏡像頻率就是有用信號(hào)本身（），因

此從物理機(jī)制上消除了傳統(tǒng)意義上的鏡像干擾問題，但轉(zhuǎn)化為對(duì)IQ不平衡的挑戰(zhàn)。

Q22：在LNA設(shè)計(jì)中，為什么要在柵極和漏極之間并聯(lián)電感（或其他反饋網(wǎng)

絡(luò)）？

?不好的回答示例：

在柵極和漏極之間并聯(lián)電感，這是一種反饋。它的作用主要是為了做寬帶匹配。因

為電感在高頻阻抗大，低頻阻抗小，可以調(diào)節(jié)不同頻率的增益。這種結(jié)構(gòu)叫Shunt-

Shunt反饋。加了反饋之后，S11會(huì)變好，帶寬會(huì)變寬，但是