小米集團(tuán)射頻工程師高頻面試題

【精選近三年60道高頻面試題】

【題目來源：學(xué)員面試分享復(fù)盤及網(wǎng)絡(luò)真題整理】

【注：每道題含高分回答示例+避坑指南】

1.請(qǐng)做一個(gè)自我介紹（基本必考|重點(diǎn)準(zhǔn)備）

2.請(qǐng)?jiān)谑访芩箞A圖（SmithChart）上畫出串聯(lián)電感和并聯(lián)電容的阻抗變化軌跡（極高頻|需

深度思考）

3.解釋一下S參數(shù)（S11,S21,S12,S22）的物理意義及其在射頻電路中的應(yīng)用（基本必

考|背誦即可）

4.什么是趨膚效應(yīng)（SkinEffect）？它對(duì)高頻PCB走線設(shè)計(jì)有什么指導(dǎo)意義？（常問|需深

度思考）

5.請(qǐng)推導(dǎo)或解釋Friis傳輸公式，并說明它在鏈路預(yù)算中的作用（常問|需深度思考）

6.什么是特征阻抗？50歐姆系統(tǒng)的由來是什么？（基本必考|背誦即可）

7.解釋1dB壓縮點(diǎn)（P1dB）和三階截取點(diǎn)（IP3/IIP3/OIP3）的區(qū)別及測(cè)量方法（極高頻|重

點(diǎn)準(zhǔn)備）

8.手機(jī)射頻前端架構(gòu)中，PA（功率放大器）的主要性能指標(biāo)有哪些？（常問|學(xué)員真題）

9.請(qǐng)畫出典型的超外差接收機(jī)架構(gòu)圖，并標(biāo)出LNA、Mixer、Filter的位置（基本必考|考察

實(shí)操）

10.在手機(jī)整機(jī)設(shè)計(jì)中，如何解決“Desense”（靈敏度惡化）問題？請(qǐng)舉一個(gè)實(shí)際案例（極高

頻|需深度思考）

11.詳細(xì)解釋一下Doherty功率放大器的工作原理及其優(yōu)勢(shì)（重點(diǎn)準(zhǔn)備|需深度思考）

12.什么是EVM（誤差向量幅度）？導(dǎo)致EVM惡化的主要因素有哪些？（常問|網(wǎng)友分享）

13.SAW濾波器和BAW/FBAR濾波器有什么區(qū)別？在5G頻段下如何選擇？（常問|學(xué)員真

題）

14.在使用VNA（矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀）進(jìn)行測(cè)量前，為什么要進(jìn)行校準(zhǔn)？SOLT和TRL校準(zhǔn)的區(qū)

別是什么？（極高頻|考察實(shí)操）

15.頻譜分析儀中的RBW（分辨率帶寬）和VBW（視頻帶寬）設(shè)置如何影響測(cè)試結(jié)果？（基

本必考|考察實(shí)操）

16.什么是噪聲系數(shù)（NF）？級(jí)聯(lián)系統(tǒng)的總噪聲系數(shù)計(jì)算公式是什么？（基本必考|背誦即

可）

17.請(qǐng)解釋一下射頻電路中的“阻抗匹配”及其三種常用的匹配方式（LC、傳輸線、變壓器）

（基本必考|重點(diǎn)準(zhǔn)備）

18.手機(jī)天線設(shè)計(jì)中，PIFA天線和Monopole天線的優(yōu)缺點(diǎn)各是什么？（常問|網(wǎng)友分享）

19.如何在PCBLayout中處理射頻信號(hào)的回流路徑（ReturnPath）？（極高頻|考察實(shí)操）

20.解釋ACLR（相鄰信道泄漏比）對(duì)系統(tǒng)的影響，以及如何優(yōu)化它（重點(diǎn)準(zhǔn)備|需深度思

考）

21.什么是駐波比（VSWR）？VSWR過大對(duì)射頻系統(tǒng)有什么危害？（基本必考|背誦即可）

22.手機(jī)射頻電路中，為什么電源線上通常需要串聯(lián)磁珠和并聯(lián)電容？（常問|考察實(shí)操）

23.談?wù)勀銓?duì)5GSub-6G和mmWave（毫米波）射頻架構(gòu)差異的理解（重點(diǎn)準(zhǔn)備|反復(fù)驗(yàn)證）

24.在調(diào)試射頻PA時(shí)，發(fā)現(xiàn)效率（PAE）偏低，你通常會(huì)從哪些方面排查？（極高頻|考察實(shí)

操）

25.什么是MIMO技術(shù)？它是如何提高數(shù)據(jù)傳輸速率的？（常問|學(xué)員真題）

26.射頻前端模組（PAMiD/L-PAMiD）目前的主流集成方案是什么？（常問|網(wǎng)友分享）

27.遇到射頻傳導(dǎo)雜散（SpuriousEmission）超標(biāo)，你的Debug思路是什么？（極高頻|需深

度思考）

28.解釋一下LoadPull（負(fù)載牽引）測(cè)試及其在PA匹配設(shè)計(jì)中的作用（重點(diǎn)準(zhǔn)備|考察實(shí)

操）

29.WiFi與藍(lán)牙共存（Coexistence）時(shí)，射頻端通常采取哪些隔離措施？（常問|學(xué)員真

題）

30.什么是ET（EnvelopeTracking，包絡(luò)追蹤）技術(shù)？它解決了什么問題？（常問|網(wǎng)友分

享）

31.請(qǐng)簡(jiǎn)述手機(jī)SAR（比吸收率）測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)及降低SAR值的常用手段（重點(diǎn)準(zhǔn)備|考察實(shí)

操）

32.在PCB設(shè)計(jì)中，微帶線（Microstrip）和帶狀線（Stripline）的區(qū)別及應(yīng)用場(chǎng)景（基本必

考|背誦即可）

33.什么是相位噪聲（PhaseNoise）？它對(duì)通信質(zhì)量有什么影響？（常問|需深度思考）

34.手機(jī)主板上的屏蔽罩（ShieldingCan）有什么作用？設(shè)計(jì)時(shí)要注意什么？（常問|考察實(shí)

操）

35.解釋PIM（無源互調(diào)）產(chǎn)生的原因及改善方法（重點(diǎn)準(zhǔn)備|反復(fù)驗(yàn)證）

36.如何選擇射頻電路中的電感和電容（Q值、SRF等參數(shù)的選擇邏輯）？（極高頻|考察實(shí)

操）

37.什么是接收機(jī)的動(dòng)態(tài)范圍？受限于哪兩個(gè)指標(biāo)？（常問|背誦即可）

38.在進(jìn)行OTA測(cè)試時(shí)，TRP（總輻射功率）和TIS（總?cè)蜢`敏度）不達(dá)標(biāo)通常怎么分析？

（極高頻|需深度思考）

39.解釋一下差分信號(hào)在射頻電路中的優(yōu)勢(shì)（常問|學(xué)員真題）

40.手機(jī)金屬外殼對(duì)天線性能有什么影響？設(shè)計(jì)中如何規(guī)避“死亡之握”？（重點(diǎn)準(zhǔn)備|考察實(shí)

操）

41.什么是隔離度（Isolation）？在雙工器或開關(guān)設(shè)計(jì)中為何重要？（常問|背誦即可）

42.遇到LCD屏幕或Camera開啟時(shí)干擾射頻信號(hào)（EMI問題），你怎么處理？（極高頻|需深

度思考）

43.射頻電路中的ESD（靜電放電）防護(hù)設(shè)計(jì)要注意哪些細(xì)節(jié)？會(huì)對(duì)射頻性能產(chǎn)生什么影

響？（常問|考察實(shí)操）

44.解釋一下IQ調(diào)制/解調(diào)的基本原理（基本必考|背誦即可）

45.在小米這類消費(fèi)電子公司，如何平衡射頻性能與ID（工業(yè)設(shè)計(jì)）的沖突？（常問|考察軟

實(shí)力）

46.什么是諧波（Harmonic）？如何有效地抑制二次、三次諧波？（重點(diǎn)準(zhǔn)備|考察實(shí)操）

47.請(qǐng)解釋一下NFC天線的工作原理及匹配電路調(diào)節(jié)技巧（常問|網(wǎng)友分享）

48.為什么射頻板材通常要用高頻板材（如Rogers）？FR4在高頻下的局限性是什么？（常

問|背誦即可）

49.簡(jiǎn)述一下高通或聯(lián)發(fā)科平臺(tái)射頻Calibration（校準(zhǔn)）和Verification（綜測(cè)）的流程（重點(diǎn)

準(zhǔn)備|考察實(shí)操）

50.如果量產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)某一批次手機(jī)的Wifi吞吐量普遍偏低，你如何定位原因？（極高頻|需深

度思考）

51.什么是天線調(diào)諧器（AntennaTuner/ApertureTuner）？在全面屏手機(jī)中起什么作用？

（常問|學(xué)員真題）

52.解釋一下倒F天線（IFA）的工作原理及其接地的作用（常問|網(wǎng)友分享）

53.面對(duì)緊急的項(xiàng)目節(jié)點(diǎn)，如果供應(yīng)商的物料（如濾波器）性能不達(dá)標(biāo)，你會(huì)怎么做？（常

問|考察抗壓）

54.談?wù)勀銓?duì)射頻仿真軟件（ADS/HFSS）的使用熟練度，舉個(gè)仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)的例子（重點(diǎn)

準(zhǔn)備|考察實(shí)操）

55.什么是載波聚合（CA）？它對(duì)射頻前端硬件提出了什么新的挑戰(zhàn)？（常問|反復(fù)驗(yàn)證）

56.在多層板設(shè)計(jì)中，如何通過過孔（Via）設(shè)計(jì)來減少寄生效應(yīng)？（極高頻|考察實(shí)操）

57.描述一次你遇到的最困難的射頻調(diào)試經(jīng)歷，最后是如何解決的？（極高頻|考察抗壓）

58.如何理解射頻系統(tǒng)的線性度與效率之間的Trade-off（折中）？（重點(diǎn)準(zhǔn)備|需深度思考）

59.假如天線工程師和結(jié)構(gòu)工程師因?yàn)樘炀€凈空區(qū)吵起來了，作為射頻工程師你怎么協(xié)調(diào)？

（常問|考察軟實(shí)力）

60.我問完了，你有什么想問我的嗎？（面試收尾）

【小米集團(tuán)射頻工程師】高頻面試題深度解答

Q1：請(qǐng)做一個(gè)自我介紹

?不好的回答示例：

面試官您好，我叫張三，畢業(yè)于XX大學(xué)電子信息專業(yè)。我有三年的工作經(jīng)驗(yàn)，之前

在一家做通信模塊的公司工作。我的性格比較開朗，能吃苦耐勞，學(xué)習(xí)能力也比較

強(qiáng)。在上一家公司主要負(fù)責(zé)一些射頻測(cè)試的工作，比如用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)一下S參數(shù)

之類的。我對(duì)小米非常感興趣，一直都是米粉，希望能有機(jī)會(huì)加入小米，在這個(gè)平

臺(tái)上發(fā)揮我的光和熱，謝謝。

為什么這么回答不好：

1.缺乏亮點(diǎn)與針對(duì)性：自我介紹過于模板化，全是“開朗”、“吃苦”等虛詞，沒有提及具體的

射頻技能（如ADS仿真、調(diào)試工具、熟悉頻段），無法體現(xiàn)與崗位的高匹配度。

2.工作內(nèi)容描述過淺：將工作輕描淡寫為“測(cè)一下S參數(shù)”，這會(huì)讓面試官覺得你僅僅是一個(gè)

測(cè)試員，而非具備研發(fā)能力的工程師，缺乏技術(shù)深度。

3.動(dòng)機(jī)表述空洞：僅說自己是“米粉”而沒有結(jié)合技術(shù)視角談對(duì)小米產(chǎn)品的理解，這種情感牌

在技術(shù)面試中分量很輕。

高分回答示例：

面試官您好，我叫XX，碩士畢業(yè)于XX大學(xué)電磁場(chǎng)與微波技術(shù)專業(yè)，擁有3年手持終

端射頻研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。

在上一家公司，我主要負(fù)責(zé)手機(jī)及IoT產(chǎn)品的射頻前端電路設(shè)計(jì)與調(diào)試。我熟悉高通

及MTK平臺(tái)的射頻架構(gòu)，能夠獨(dú)立完成從原理圖設(shè)計(jì)、PCB堆疊規(guī)劃到板級(jí)調(diào)試的

全流程。針對(duì)貴司關(guān)注的業(yè)務(wù)，我有兩方面的核心優(yōu)勢(shì)：

第一，具備扎實(shí)的鏈路預(yù)算與仿真能力。我曾主導(dǎo)過一款5GCPE項(xiàng)目的射頻前端

設(shè)計(jì)，利用ADS進(jìn)行鏈路預(yù)算分析，優(yōu)化了LNA與Filter的匹配網(wǎng)絡(luò)，最終在Sub-

6G頻段下將接收靈敏度提升了1.5dB，成功解決了板邊天線互擾問題。此外，我熟

練掌握HFSS進(jìn)行連接器和過孔的3D建模仿真，能有效預(yù)判信號(hào)完整性風(fēng)險(xiǎn)。

第二，擁有豐富的量產(chǎn)問題排查經(jīng)驗(yàn)。我曾深度參與過一款旗艦手機(jī)的Desense專

項(xiàng)攻關(guān)，通過分段排查法定位到屏幕FPC輻射干擾GPS信號(hào)的問題，并利用導(dǎo)電布

和接地優(yōu)化方案，將CN0值提升了4dB，確保了項(xiàng)目按時(shí)量產(chǎn)。

我長期關(guān)注小米在手機(jī)影像與通信融合方面的創(chuàng)新，也非常推崇小米追求極致效率

的工程師文化。我希望能利用我在射頻調(diào)試和抗干擾設(shè)計(jì)方面的經(jīng)驗(yàn)，為小米的硬

件研發(fā)貢獻(xiàn)力量。

Q2：請(qǐng)?jiān)谑访芩箞A圖（SmithChart）上畫出串聯(lián)電感和并聯(lián)電容的阻抗變化

軌跡

?不好的回答示例：

史密斯圓圖我在學(xué)校里學(xué)過，大概記得上面是感性，下面是容性。如果是串聯(lián)電感

的話，阻抗應(yīng)該會(huì)變大，所以在圓圖上應(yīng)該是往右邊或者往上面走吧？具體軌跡是

順時(shí)針還是逆時(shí)針我有點(diǎn)記不清了。并聯(lián)電容的話，就是增加導(dǎo)納，應(yīng)該是往下半

圓走。實(shí)際工作中現(xiàn)在都用ADS軟件自動(dòng)匹配了，手畫的機(jī)會(huì)比較少，但我稍微復(fù)

習(xí)一下肯定能畫出來。

為什么這么回答不好：

1.基礎(chǔ)概念模糊：史密斯圓圖是射頻工程師的“語言”，對(duì)移動(dòng)軌跡含糊其辭（“往右邊或者

上面”），直接暴露了基礎(chǔ)學(xué)科知識(shí)的匱乏。

2.依賴工具借口：強(qiáng)調(diào)“軟件自動(dòng)匹配”是面試大忌，這暗示你只是工具的使用者，而不懂底

層的物理原理，無法處理軟件無法解決的復(fù)雜匹配問題。

3.缺乏專業(yè)術(shù)語：未能提及“等電阻圓”、“等電導(dǎo)圓”等核心概念，顯得非常不專業(yè)。

高分回答示例：

在史密斯圓圖中，阻抗匹配的軌跡遵循特定的物理規(guī)律，這主要取決于我們是基于

阻抗平面（Z平面）還是導(dǎo)納平面（Y平面）進(jìn)行移動(dòng)。

首先，關(guān)于串聯(lián)電感：我們主要關(guān)注阻抗圓（等電阻圓）。串聯(lián)電感會(huì)增加電路的

感抗部分（+jX），而實(shí)部電阻（R）保持不變。因此，在史密斯圓圖上，起始點(diǎn)會(huì)

沿著等電阻圓向順時(shí)針方向（即向感性區(qū)域/上半圓方向）移動(dòng)。電感值越大，移動(dòng)

的弧長越長，直到接近開路點(diǎn)。

其次，關(guān)于并聯(lián)電容：處理并聯(lián)元件時(shí)，為了方便計(jì)算，我們通?；趯?dǎo)納圓

（SmithChart旋轉(zhuǎn)180度或使用導(dǎo)納網(wǎng)格）。并聯(lián)電容會(huì)增加電路的容性電納

（+jB），導(dǎo)致總導(dǎo)納的虛部增加。但在標(biāo)準(zhǔn)的阻抗史密斯圓圖上表現(xiàn)為：沿著等電

導(dǎo)圓向順時(shí)針方向（即向容性區(qū)域/下半圓方向）移動(dòng)。

在實(shí)際的射頻匹配電路調(diào)試中，我通常會(huì)利用這一原理，先通過網(wǎng)分（VNA）觀察

當(dāng)前的阻抗點(diǎn)位置。如果阻抗點(diǎn)位于容性區(qū)域且實(shí)部較小，我會(huì)考慮先串聯(lián)一個(gè)電

感將其拉到單位電阻圓上，再通過并聯(lián)電容或電感移動(dòng)到圓心（50歐姆匹配點(diǎn)）。

這種對(duì)軌跡的直覺掌握，對(duì)于快速手動(dòng)調(diào)試匹配電路至關(guān)重要。

Q3：解釋一下S參數(shù)（S11,S21,S12,S22）的物理意義及其在射頻電路中的應(yīng)

用

?不好的回答示例：

S參數(shù)就是散射參數(shù)，用來描述射頻網(wǎng)絡(luò)的特性。S11是輸入反射系數(shù)，S21是傳輸

系數(shù)，S12是反向傳輸，S22是輸出反射。在工作中，我們主要看S11，這個(gè)值越

小越好，一般要求小于-10dB，說明駐波比比較好。S21的話就是看增益或者插

損。S12和S22平時(shí)關(guān)注得比較少?；旧现灰猄11達(dá)標(biāo)了，天線或者濾波器就能

用了，主要是配合網(wǎng)分來測(cè)試用的。

為什么這么回答不好：

1.定義過于淺顯：只是簡(jiǎn)單翻譯了名詞，沒有解釋清楚能量波的入射、反射和傳輸關(guān)系，

顯得像背書。

2.忽視了S12和S22的重要性：在有源電路（如LNA或PA）設(shè)計(jì)中，S12（隔離度）和S22

（輸出匹配）至關(guān)重要，忽視它們說明候選人可能只做過簡(jiǎn)單的無源器件測(cè)試。

3.量化標(biāo)準(zhǔn)單一：僅提到S11<-10dB，但未結(jié)合具體場(chǎng)景（如PA可能要求S11<-15dB，而

天線在某些頻段-6dB也能接受），缺乏工程靈活性。

高分回答示例：

S參數(shù)（ScatteringParameters）通過入射波和反射波的比率來量化N端口網(wǎng)絡(luò)的

高頻特性。對(duì)于一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的二端口網(wǎng)絡(luò)，其物理意義如下：

1.S11（輸入回波損耗）：表示端口2匹配時(shí)，端口1的反射波與入射波之比。物理上它反

映了輸入端的阻抗匹配程度。在天線調(diào)試中，我們追求S11在工作頻段內(nèi)低于-10dB（對(duì)

應(yīng)VSWR<2），以保證能量有效輻射而非反射回源端。

2.S21（正向傳輸系數(shù)）：表示端口2匹配時(shí)，端口2的傳輸波與端口1的入射波之比。對(duì)于

濾波器，S21代表插入損耗（InsertionLoss）；對(duì)于LNA或PA，S21則代表增益

（Gain）。這是評(píng)估信號(hào)鏈路損耗或放大的核心指標(biāo)。

3.S12（反向隔離度）：表示反向傳輸特性。在LNA設(shè)計(jì)中，S12必須足夠小（即隔離度

高），以防止輸出端的負(fù)載變化影響輸入端的匹配，這是系統(tǒng)穩(wěn)定性的關(guān)鍵指標(biāo)，防止振

蕩。

4.S22（輸出回波損耗）：類似于S11，但針對(duì)輸出端。在PA設(shè)計(jì)中，S22直接關(guān)系到功

率能否有效傳輸?shù)教炀€負(fù)載。

在實(shí)際的小米手機(jī)射頻開發(fā)中，我不僅僅關(guān)注單一指標(biāo)。例如，在調(diào)試雙工器時(shí)，

我會(huì)同時(shí)權(quán)衡Tx通路的S21（插損，影響功耗）和Tx到Rx的S21/S12（隔離度，影

響接收靈敏度）。S參數(shù)是互相關(guān)聯(lián)的，必須結(jié)合Smith圓圖進(jìn)行整體調(diào)優(yōu)，而不是

孤立地看某一條曲線。

Q4：什么是趨膚效應(yīng)（SkinEffect）？它對(duì)高頻PCB走線設(shè)計(jì)有什么指導(dǎo)意

義？

?不好的回答示例：

趨膚效應(yīng)就是說交流電通過導(dǎo)體的時(shí)候，電流不走中間，只走表面。頻率越高，這

個(gè)現(xiàn)象越明顯。這對(duì)PCB設(shè)計(jì)的影響就是，線寬不能太細(xì)，否則電阻會(huì)變大，損耗

就會(huì)變大。另外，因?yàn)殡娏髟诒砻妫员砻娴你~箔要處理好。大概就是這個(gè)意

思，所以在算阻抗的時(shí)候，要考慮這個(gè)效應(yīng)，不然算出來的不準(zhǔn)。

為什么這么回答不好：

1.缺乏量化概念：沒有提到“趨膚深度”這一核心參數(shù)及其與頻率的平方根成反比的關(guān)系。

2.指導(dǎo)意義籠統(tǒng)：“線寬不能太細(xì)”不是趨膚效應(yīng)的主要推論，主要影響的是對(duì)“銅箔粗糙

度”和“表面處理工藝”的選擇，回答未觸及核心痛點(diǎn)。

3.邏輯表述不清：對(duì)物理機(jī)理（磁場(chǎng)擠壓電流）缺乏深層理解，僅停留在現(xiàn)象描述。

高分回答示例：

趨膚效應(yīng)是指當(dāng)交變電流通過導(dǎo)體時(shí)，由于導(dǎo)體內(nèi)部自感電動(dòng)勢(shì)的作用，電流密度

傾向于集中在導(dǎo)體表面及其鄰近區(qū)域的現(xiàn)象。頻率越高，電流集中的“皮膚”越薄。

我們用趨膚深度（SkinDepth,）來衡量，它與頻率的平方根成反比。例如，在

2.4GHz時(shí)，銅的趨膚深度僅約為1.3微米。

這對(duì)高頻PCB設(shè)計(jì)有極強(qiáng)的指導(dǎo)意義，主要體現(xiàn)在以下三點(diǎn)：

1.表面粗糙度的影響（SurfaceRoughness）：既然電流主要在極薄的表層流動(dòng)，銅箔表

面的粗糙度就變得至關(guān)重要。如果銅箔表面粗糙度（Profile）大于趨膚深度，電流路徑就

會(huì)像走山路一樣被拉長，導(dǎo)致寄生電感增加和導(dǎo)體損耗（ConductorLoss）急劇上升。因

此，在5G或毫米波設(shè)計(jì)中，我們必須選用HVLP（超低輪廓）銅箔。

2.表面處理工藝的選擇：傳統(tǒng)的沉鎳金（ENIG）工藝中，鎳層的導(dǎo)電性遠(yuǎn)差于銅，且具有

磁性。在高頻下，如果電流流經(jīng)鎳層，會(huì)造成巨大的損耗。因此，對(duì)于射頻微帶線，我們

通常推薦使用OSP（有機(jī)保焊膜）或沉銀工藝，避免使用ENIG，除非頻率較低。

3.微帶線設(shè)計(jì)修正：在計(jì)算傳輸線損耗時(shí)，必須考慮趨膚效應(yīng)導(dǎo)致的交流電阻（AC

Resistance）增加。傳統(tǒng)的直流電阻公式不再適用，需要使用電磁場(chǎng)仿真軟件（如

HFSS）對(duì)邊緣場(chǎng)和表面電流進(jìn)行精確建模，以確保插入損耗符合鏈路預(yù)算。

Q5：請(qǐng)推導(dǎo)或解釋Friis傳輸公式，并說明它在鏈路預(yù)算中的作用

?不好的回答示例：

Friis公式是用來算接收功率的。公式大概是Pr等于Pt加上天線增益再減去損

耗。具體公式里好像有波長和距離的平方。它在鏈路預(yù)算里的作用就是幫我們算一

下，手機(jī)離基站多遠(yuǎn)的時(shí)候還能收到信號(hào)。如果算出來功率不夠，我們就要加PA的

功率或者把天線增益做大一點(diǎn)。這個(gè)公式主要是在做系統(tǒng)方案的時(shí)候用得比較多。

為什么這么回答不好：

1.公式表述錯(cuò)誤：將對(duì)數(shù)形式（加減）和線性形式（乘除）混淆，且沒有準(zhǔn)確列出公式因

子，顯得基礎(chǔ)不牢。

2.忽略了適用條件：Friis公式僅適用于“遠(yuǎn)場(chǎng)”和“自由空間”，回答中未提及這些關(guān)鍵前提。

3.分析維度單一：僅提到了增加功率，未分析頻率（波長）對(duì)傳播損耗的巨大影響，這在

5G時(shí)代是核心考點(diǎn)。

高分回答示例：

Friis傳輸公式是無線通信鏈路預(yù)算的基石，它描述了在理想自由空間中，接收功率

與發(fā)射功率之間的關(guān)系。其線性形式為：

其中，和分別是接收和發(fā)射功率，和是天線增益，是波長，是傳輸距

離。

該公式揭示了兩個(gè)核心物理規(guī)律：一是接收功率與距離的平方成反比；二是接收功

率與波長的平方成正比（即頻率越高，自由空間路徑損耗FSPL越大）。

在射頻鏈路預(yù)算（LinkBudget）中，F(xiàn)riis公式主要發(fā)揮以下三個(gè)關(guān)鍵作用：

1.覆蓋范圍估算：在已知接收靈敏度門限（Sensitivity）的情況下，我們可以逆向推算出系

統(tǒng)的最大理論通信距離。

2.系統(tǒng)指標(biāo)分解：在產(chǎn)品定義階段，根據(jù)目標(biāo)通信距離，利用該公式將總增益需求分解到

各個(gè)模塊。例如，計(jì)算出需要多大功率的PA（）以及需要多少增益的天線（/

），從而指導(dǎo)選型。

3.頻段策略分析：它解釋了為什么5G毫米波的覆蓋能力遠(yuǎn)弱于Sub-6G。由于毫米波頻率

極高（極?。窂綋p耗顯著增加。為了補(bǔ)償這一損耗，我們?cè)诠こ躺媳仨氁?/p>

Beamforming（波束賦形）技術(shù)來通過陣列天線獲得極高的和，這是Friis公式直接

導(dǎo)出的工程結(jié)論。

Q6：什么是特征阻抗？50歐姆系統(tǒng)的由來是什么？

?不好的回答示例：

特征阻抗就是傳輸線的一個(gè)屬性，像我們的電纜、PCB走線一般都是50歐姆。它不

是真的電阻，用萬用表是測(cè)不出來的。至于為什么是50歐姆，好像是大家約定俗成

的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)吧，可能是為了方便計(jì)算，或者是為了匹配。反正現(xiàn)在所有的射頻儀器

像網(wǎng)分、頻譜儀接口都是50歐姆的，如果不匹配就會(huì)有反射，信號(hào)就傳不過去。

為什么這么回答不好：

1.歷史溯源缺失：未能解釋“50歐姆”是功率容量和傳輸損耗折中的結(jié)果，這是該問題的核

心考點(diǎn)。

2.物理概念表述不清：雖然提到了“測(cè)不出來”，但沒有解釋特征阻抗是由單位長度的電感和

電容決定的（）。

3.缺乏深度：僅僅停留在“約定俗成”的層面，無法展示工程師的探索精神和理論深度。

高分回答示例：

特征阻抗（CharacteristicImpedance,）是傳輸線上電壓波與電流波的比值，

對(duì)于無損耗傳輸線，其公式為，其中L和C是單位長度的電感和電容。

它由傳輸線的幾何結(jié)構(gòu)和介質(zhì)材料決定，與傳輸線的長度無關(guān)。

關(guān)于50歐姆系統(tǒng)的由來，這實(shí)際上是一個(gè)歷史上的物理折中（Trade-off）：

1.功率容量考量：早期的同軸電纜研究發(fā)現(xiàn)，對(duì)于空氣介質(zhì)的同軸電纜，當(dāng)特征阻抗約為

30歐姆時(shí)，其功率處理能力（PowerHandling）最強(qiáng)，這對(duì)于早期的雷達(dá)和發(fā)射機(jī)非常

重要。

2.損耗考量：另一方面，計(jì)算表明當(dāng)特征阻抗約為77歐姆時(shí)，同軸電纜的傳輸損耗

（Attenuation）最小，這對(duì)于信號(hào)傳輸最有利。

3.工程折中：為了兼顧功率容量和低損耗，工程界選擇了30歐姆和77歐姆的算術(shù)平均值

（約53.5歐姆）或幾何平均值附近的一個(gè)整數(shù)，最終標(biāo)準(zhǔn)化為50歐姆。

因此，50歐姆成為了射頻微波領(lǐng)域的通用標(biāo)準(zhǔn)，平衡了高功率傳輸和低信號(hào)衰減的

需求。而在有線電視系統(tǒng)（CATV）中，由于更看重長距離傳輸?shù)牡蛽p耗而非高功

率，通常采用75歐姆標(biāo)準(zhǔn)。理解這一點(diǎn)有助于我們?cè)谠O(shè)計(jì)高功率PA匹配網(wǎng)絡(luò)或低

損耗接收鏈路時(shí)，明白背后的物理限制。

Q7：解釋1dB壓縮點(diǎn)（P1dB）和三階截取點(diǎn)（IP3/IIP3/OIP3）的區(qū)別及測(cè)量方

法

?不好的回答示例：

P1dB是看功率放大器什么時(shí)候飽和的指標(biāo)，就是輸出功率比理論值小了1dB的那個(gè)

點(diǎn)。IP3是看線性度的，主要是防止干擾。P1dB一般用來衡量PA的最大功率，IP3

用來衡量抗干擾能力。測(cè)量的話，P1dB就是一直加輸入功率，看輸出什么時(shí)候掉

下來。IP3需要輸入兩個(gè)頻率的信號(hào)，然后看它們產(chǎn)生的互調(diào)產(chǎn)物。一般P1dB越高

越好，IP3也是越高越好。

為什么這么回答不好：

1.邏輯混淆：雖然定性描述基本正確，但缺乏定量關(guān)系的描述（如P1dB和IP3通常相差10-

15dB的經(jīng)驗(yàn)法則）。

2.測(cè)量細(xì)節(jié)缺失：提到IP3測(cè)量時(shí)未說明兩個(gè)單音信號(hào)的頻率間隔（ToneSpacing）要求，

也未提到如何計(jì)算IP3點(diǎn)（外推法）。

3.應(yīng)用場(chǎng)景分離：未解釋為什么在不同系統(tǒng)中（如GSMvsCDMA/OFDM）對(duì)這兩個(gè)指標(biāo)

的側(cè)重不同。

高分回答示例：

P1dB和IP3都是衡量射頻器件非線性的關(guān)鍵指標(biāo)，但側(cè)重點(diǎn)不同：

1.P1dB（1dB壓縮點(diǎn)）：描述的是器件的飽和特性。當(dāng)輸入功率增加，放大器增益下降

1dB時(shí)的輸出功率點(diǎn)即為OP1dB。它決定了PA的最大線性輸出能力。測(cè)量方法是進(jìn)行功

率掃描（PowerSweep），觀察增益曲線下降1dB的點(diǎn)。

2.IP3（三階截取點(diǎn)）：描述的是器件的小信號(hào)線性度，特別是對(duì)抗三階互調(diào)失真

（IMD3）的能力。IMD3產(chǎn)物（和）往往落在工作頻帶內(nèi)，無法濾

除，嚴(yán)重影響信號(hào)質(zhì)量（EVM）。理論上，IP3是基波與IMD3延長線的交點(diǎn)。

3.區(qū)別與聯(lián)系：P1dB是實(shí)際存在的物理飽和點(diǎn)，而IP3通常是一個(gè)理論推算點(diǎn)（Virtual

Point）。經(jīng)驗(yàn)上，OIP3通常比OP1dB高約10-15dB。

測(cè)量方法：

IP3必須采用雙音測(cè)試（Two-toneTest）。輸入兩個(gè)頻率間隔較小（如1MHz）且

幅度相等的信號(hào)，在頻譜儀上測(cè)量基波功率（）和三階互調(diào)產(chǎn)物功率（

）。

計(jì)算公式為：。

在小米的手機(jī)射頻設(shè)計(jì)中，對(duì)于PA（發(fā)射端），我們更關(guān)注P1dB以確保覆蓋范

圍；而對(duì)于LNA（接收端）和Mixer，我們更關(guān)注IIP3，以防止帶外強(qiáng)干擾信號(hào)

（Blocker）與有用信號(hào)互調(diào)，導(dǎo)致接收機(jī)靈敏度惡化（Desense）。

Q8：手機(jī)射頻前端架構(gòu)中，PA（功率放大器）的主要性能指標(biāo)有哪些？

?不好的回答示例：

PA的主要指標(biāo)首先是輸出功率，功率越大信號(hào)越好。然后是效率，效率高手機(jī)就不

發(fā)燙，省電。還有就是增益，要把信號(hào)放大。另外還要看頻率范圍，能不能覆蓋5G

或者4G。還有線性度，不然信號(hào)會(huì)失真?，F(xiàn)在手機(jī)里PA都是集成在模組里的，我

們選型的時(shí)候主要看Datasheet上的MaxPower和PAE這兩個(gè)數(shù)，這兩個(gè)好了基本

上就沒問題。

為什么這么回答不好：

1.缺乏專業(yè)術(shù)語：用“手機(jī)不發(fā)燙”代替熱管理，用“信號(hào)失真”代替EVM/ACLR，顯得不夠?qū)?/p>

業(yè)。

2.遺漏關(guān)鍵指標(biāo)：完全沒有提到ACLR（鄰道泄漏）、RxBandNoise（接收帶噪聲）、

Ruggedness（全反射抗燒毀能力）等對(duì)系統(tǒng)至關(guān)重要的指標(biāo)。

3.選型邏輯簡(jiǎn)單：認(rèn)為只看Power和PAE就夠了，忽略了MIPI協(xié)議兼容性、包絡(luò)追蹤

（ET）支持等現(xiàn)代手機(jī)PA的核心特性。

高分回答示例：

在手機(jī)射頻前端架構(gòu)中，PA是功耗最高且非線性最強(qiáng)的器件，其性能直接決定了整

機(jī)的通信質(zhì)量和續(xù)航。除基本的增益（Gain）**和**工作頻段外，我主要關(guān)注以下

五大核心指標(biāo)：

1.線性輸出功率與ACLR（相鄰信道泄漏比）：在滿足通信協(xié)議規(guī)定的ACLR（如LTE要求

<-30dBc）和EVM前提下，PA能輸出的最大功率。這比單純的飽和功率更有意義，因?yàn)?/p>

它保證了不干擾相鄰頻道。

2.PAE（功率附加效率）：。在5G高功率模式下，PAE的微

小提升都能顯著降低整機(jī)功耗和發(fā)熱。目前主流5GPA配合ET（包絡(luò)追蹤）技術(shù)，PAE

需達(dá)到優(yōu)化水平。

3.RxBandNoise（接收帶噪聲）：PA在發(fā)射信號(hào)時(shí)，泄露到接收頻段的噪聲底噪。對(duì)于

FDD系統(tǒng)（如頻段B1/B3），如果PA的RxBN過高，會(huì)直接抬高LNA的底噪，導(dǎo)致接收靈

敏度惡化（Desense）。這是系統(tǒng)聯(lián)調(diào)中最棘手的問題之一。

4.Ruggedness（魯棒性/失配容限）：手機(jī)天線環(huán)境復(fù)雜（如手握、放在金屬桌上），會(huì)

導(dǎo)致駐波比（VSWR）劇烈變化。優(yōu)秀的PA需要在VSWR10:1甚至開路/短路情況下不燒

毀，且不發(fā)生寄生振蕩。

5.MIPIRFFE接口支持：現(xiàn)代PA需要通過MIPI總線進(jìn)行復(fù)雜的時(shí)序控制及Bias調(diào)節(jié)，支持

最新的MIPI協(xié)議是選型的前提。

Q9：請(qǐng)畫出典型的超外差接收機(jī)架構(gòu)圖，并標(biāo)出LNA、Mixer、Filter的位置

?不好的回答示例：

（描述口語化）超外差接收機(jī)就是先把天線下來的信號(hào)給LNA放大，因?yàn)樾盘?hào)很弱

嘛。放大之后過一個(gè)濾波器，把不用的頻率濾掉。然后進(jìn)Mixer，和本地振蕩器LO

混頻，變到中頻。中頻再過一個(gè)濾波器，最后給ADC變成數(shù)字信號(hào)。順序大概就是

天線->濾波器->LNA->濾波器->Mixer->濾波器->ADC。位置就是這么

放的，這樣設(shè)計(jì)是為了抗干擾。

為什么這么回答不好：

1.邏輯順序存疑：“天線->濾波器->LNA”還是“天線->LNA->濾波器”在不同場(chǎng)景有不同考量

（噪聲系數(shù)vs線性度），回答未涉及此Trade-off。

2.關(guān)鍵術(shù)語缺失：未明確指出射頻濾波器（RFFilter）、鏡像抑制濾波器（ImageReject

Filter）和中頻濾波器（ChannelSelectFilter/IFFilter）的區(qū)別。

3.缺乏深度解釋：沒解釋為什么要用超外差（解決高頻選擇性差的問題），也沒提到鏡像

頻率干擾這個(gè)超外差架構(gòu)最大的痛點(diǎn)。

高分回答示例：

典型的超外差接收機(jī)（SuperheterodyneReceiver）架構(gòu)旨在平衡靈敏度和選擇

性。其信號(hào)鏈路如下：

1.RFFilter（射頻濾波器）：位于天線之后，LNA之前。作用是預(yù)選頻，抑制帶外強(qiáng)干

擾，防止LNA阻塞。

2.LNA（低噪聲放大器）：位于鏈路最前端。根據(jù)Friis公式，第一級(jí)增益決定了整個(gè)系統(tǒng)

的噪聲系數(shù)（NF），因此LNA必須具有低噪聲、高增益特性。

3.ImageRejectFilter（鏡像抑制濾波器）：位于LNA之后，Mixer之前。這是超外差架構(gòu)

的關(guān)鍵，用于濾除鏡像頻率（），防止其混頻后落入中頻帶內(nèi)。

4.Mixer（混頻器）：將射頻信號(hào)（RF）與本振信號(hào)（LO）相乘，下變頻到固定的中頻

（IF）。

5.IFFilter（中頻濾波器/信道選擇濾波器）：位于Mixer之后。這是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)“選擇性”的核

心，通常具有極高的Q值和陡峭的滾降，用于精準(zhǔn)選出目標(biāo)信道。

6.ADC/Baseband：經(jīng)過中頻放大后進(jìn)行數(shù)字化。

架構(gòu)圖示邏輯：

Antenna->RFFilter->LNA->ImageFilter->Mixer->IFFilter->

VGA/ADC

在實(shí)際手機(jī)設(shè)計(jì)中，由于集成度要求，現(xiàn)在的射頻收發(fā)器（Transceiver）多采用零

中頻（Zero-IF）或低中頻（Low-IF）架構(gòu)，將鏡像抑制和信道選擇通過數(shù)字域或

正交混頻解決，但在理解射頻原理時(shí)，超外差依然是必須掌握的經(jīng)典模型。

Q10：在手機(jī)整機(jī)設(shè)計(jì)中，如何解決“Desense”（靈敏度惡化）問題？請(qǐng)舉一

個(gè)實(shí)際案例

?不好的回答示例：

Desense就是靈敏度不好，一般是因?yàn)楦蓴_太多了。解決辦法就是把干擾源包起

來，用屏蔽罩或者是導(dǎo)電布。比如如果是屏幕干擾，就在屏幕排線上貼導(dǎo)電布接

地。如果是電源干擾，就加磁珠電容濾波。我之前遇到過一個(gè)項(xiàng)目，GPS搜不到

星，后來發(fā)現(xiàn)是攝像頭排線輻射，我們貼了一層銅箔就好了。反正主要思路就是屏

蔽和接地，哪里漏貼哪里。

為什么這么回答不好：

1.方法論缺失：只談了“屏蔽”，沒有提到Desense排查的核心邏輯：干擾源定位->耦合路

徑分析->敏感器件保護(hù)。

2.案例簡(jiǎn)單化：“貼了一層銅箔就好了”顯得工作很隨意，缺乏對(duì)問題機(jī)理（如時(shí)鐘倍頻干

擾）的深層分析。

3.忽視了架構(gòu)級(jí)規(guī)避：僅在物理層面修補(bǔ)，未提到頻率規(guī)劃（FrequencyPlan）等前期設(shè)

計(jì)手段。

高分回答示例：

Desense（De-sensitization）是指由于系統(tǒng)內(nèi)部噪聲干擾導(dǎo)致接收機(jī)靈敏度下降

的現(xiàn)象。解決Desense需要遵循“源頭-路徑-受體”的系統(tǒng)化排查思路：

1.干擾源定位（Source）：首先通過軟件分模塊上下電（如開關(guān)LCD、Camera、Wi-Fi、

DDR），觀察接收機(jī)RSSI底噪變化，鎖定干擾源。

2.頻譜分析（Analysis）：利用近場(chǎng)探頭（Near-fieldProbe）配合頻譜儀掃描干擾源區(qū)

域，抓取干擾頻率。判斷是寬帶噪聲（如DCDC紋波）還是窄帶諧波（如時(shí)鐘倍頻）。

3.路徑切斷（Path）：確認(rèn)是傳導(dǎo)干擾還是輻射干擾。傳導(dǎo)干擾通過串聯(lián)磁珠、并聯(lián)去耦

電容處理；輻射干擾通過加強(qiáng)屏蔽（ShieldingCan）、接地（Grounding）或使用吸波材

料處理。

實(shí)際案例：

在某款手機(jī)研發(fā)中，我們發(fā)現(xiàn)開啟120Hz高刷屏幕時(shí)，LTEB5頻段（800MHz附

近）靈敏度惡化了6dB。

分析：通過頻譜分析發(fā)現(xiàn)，屏幕MIPI接口的時(shí)鐘速率約為400MHz，其二次諧波正好落在

B5接收帶內(nèi)。

措施1（源頭）：與軟件溝通，微調(diào)屏端MIPI時(shí)鐘頻率（SpreadSpectrum，展頻技

術(shù)），將諧波能量分散并移出B5通帶。

措施2（路徑）：在FPC柔性電路板的MIPI差分線周圍增加“包地”處理，并在連接器處增

加共模濾波器（CMF）抑制共模噪聲輻射。

結(jié)果：最終B5頻段靈敏度恢復(fù)正常，且未影響屏幕顯示效果。

這個(gè)案例說明，解決Desense不能只靠貼導(dǎo)電布，更需要軟硬件協(xié)同的頻率規(guī)劃和

信號(hào)完整性設(shè)計(jì)。

Q11：詳細(xì)解釋一下Doherty功率放大器的工作原理及其優(yōu)勢(shì)

?不好的回答示例：

Doherty放大器就是用了兩個(gè)放大器，一個(gè)主放大器，一個(gè)輔助放大器。平時(shí)只有

主放大器工作，當(dāng)功率很大的時(shí)候，輔助放大器也打開一起工作。這樣做的目的是

為了提高效率。因?yàn)槠胀ǖ腜A在功率回退的時(shí)候效率很低，Doherty可以解決這個(gè)

問題?，F(xiàn)在基站里面用得特別多，手機(jī)里面好像也開始用了。原理大概就是通過阻

抗變換來實(shí)現(xiàn)的。

為什么這么回答不好：

1.原理描述過于通俗：缺乏對(duì)“有源負(fù)載調(diào)制（ActiveLoadModulation）”這一核心機(jī)制的

解釋，這是Doherty的靈魂。

2.技術(shù)細(xì)節(jié)缺失：未提及傳輸線在阻抗變換和相位補(bǔ)償中的關(guān)鍵作用。

3.應(yīng)用場(chǎng)景模糊：僅提到“提高效率”，未結(jié)合現(xiàn)代通信信號(hào)（如OFDM）的高峰均比

（PAPR）特性進(jìn)行說明。

高分回答示例：

Doherty功率放大器是目前解決高PAPR（峰均比）信號(hào)效率問題的核心架構(gòu)。其核

心原理是有源負(fù)載調(diào)制（ActiveLoadModulation）。

1.架構(gòu)組成：它由兩個(gè)并聯(lián)的放大器組成：載波放大器（CarrierAmp，通常為ClassAB）

和峰值放大器（PeakingAmp，通常為ClassC）。輸出端通過阻抗變換線連接。

2.工作狀態(tài)：

低功率區(qū)（Back-off）：僅載波放大器工作，峰值放大器截止（呈現(xiàn)高阻）。此時(shí)

線將負(fù)載阻抗（通常為50Ω）變換為更高的阻抗（如100Ω）呈現(xiàn)給載波放大器，

使其在低功率下電壓快速飽和，提前達(dá)到高效率狀態(tài)。

高功率區(qū)（Peak）：峰值放大器開啟，注入電流。這不僅貢獻(xiàn)功率，更重要的是通過

有源負(fù)載調(diào)制機(jī)制，降低了載波放大器視入的負(fù)載阻抗（從100Ω降回50Ω），使其能

輸出更大功率而不飽和。

3.核心優(yōu)勢(shì)：傳統(tǒng)PA在功率回退（Back-off）時(shí)效率急劇下降（如OFDM信號(hào)回退8-

10dB）。Doherty架構(gòu)使得PA在回退點(diǎn)（如6dB或9dB處）也能出現(xiàn)一個(gè)效率峰值。這完

美匹配了4G/5G信號(hào)高峰均比的特性，在保證線性度的同時(shí)，大幅提升了平均效率，這對(duì)

延長基站壽命和手機(jī)續(xù)航至關(guān)重要。

Q12：什么是EVM（誤差向量幅度）？導(dǎo)致EVM惡化的主要因素有哪些？

?不好的回答示例：

EVM就是誤差向量幅度，是衡量調(diào)制信號(hào)質(zhì)量的一個(gè)指標(biāo)。它表示實(shí)際信號(hào)和理想

信號(hào)之間的差距。如果EVM太大，說明信號(hào)質(zhì)量不好，通信速率就會(huì)變慢，甚至斷

網(wǎng)。導(dǎo)致EVM惡化的原因有很多，比如PA的線性度不好、電源噪聲太大、或者天

線駐波比不好。調(diào)試的時(shí)候如果要解EVM問題，通常是調(diào)一下PA的偏置電壓或者

匹配。

為什么這么回答不好：

1.定義不精準(zhǔn)：缺少具體的幾何描述（IQ平面上的矢量差）。

2.歸因籠統(tǒng)：將所有問題混為一談，未區(qū)分“幅度誤差”和“相位誤差”對(duì)應(yīng)的不同物理根源。

3.解決思路單一：僅提到PA，忽略了本振相位噪聲、IQ失配等關(guān)鍵因素，顯得視野狹窄。

高分回答示例：

EVM（ErrorVectorMagnitude）是衡量數(shù)字調(diào)制信號(hào)質(zhì)量最綜合的指標(biāo)。在IQ

星座圖上，它代表了實(shí)際接收到的信號(hào)矢量與理想?yún)⒖夹盘?hào)矢量之間的差值矢量模

長，通常以百分比（%）或分貝（dB）表示。EVM直接決定了系統(tǒng)的解調(diào)能力，

EVM越差，高階調(diào)制（如256QAM）越難解調(diào)，導(dǎo)致吞吐量下降。

導(dǎo)致EVM惡化的因素可以從幅度失真和相位失真兩個(gè)維度分析：

1.非線性失真（主要影響幅度）：這是最常見的原因。當(dāng)PA工作在壓縮區(qū)（接近P1dB）

時(shí)，會(huì)產(chǎn)生AM-AM和AM-PM失真，導(dǎo)致星座圖外圈發(fā)散。此外，電源紋波（Power

Ripple）也會(huì)直接調(diào)制到射頻信號(hào)上，造成幅度抖動(dòng)。

2.相位噪聲（PhaseNoise）：主要由本振（LO）引入。相位噪聲過大會(huì)導(dǎo)致星座點(diǎn)在圓

周方向旋轉(zhuǎn)擴(kuò)散（PhaseJitter），在高頻微波系統(tǒng)中尤為明顯。

3.IQ不平衡（IQImbalance）：包括IQ幅度不平衡和相位正交誤差，會(huì)導(dǎo)致星座圖呈現(xiàn)拉

伸或菱形變形。

4.寬帶噪聲：低噪放（LNA）的噪聲系數(shù)過高或本底噪聲抬升，會(huì)使星座點(diǎn)變成模糊的“云

團(tuán)”。

在實(shí)際調(diào)試中，我會(huì)通過觀察星座圖的形狀（是旋轉(zhuǎn)、壓縮還是位移）來初步判斷

EVM惡化的根源，從而針對(duì)性地優(yōu)化PA匹配、凈化電源或排查時(shí)鐘源。

Q13：SAW濾波器和BAW/FBAR濾波器有什么區(qū)別？在5G頻段下如何選擇？

?不好的回答示例：

SAW是聲表面波，BAW是體聲波。SAW比較便宜，工藝簡(jiǎn)單，但是頻率做不高，

一般用在2G/3G或者低頻段。BAW比較貴，性能好，Q值高，能做高頻。5G頻段比

較高，比如2.5G以上，SAW就不行了，損耗太大，而且溫漂也大，所以都要用

BAW或者FBAR?，F(xiàn)在主要的廠家就是村田、博通這些。

為什么這么回答不好：

1.技術(shù)細(xì)節(jié)不足：未解釋“表面波”與“體聲波”的能量傳播差異，也就沒解釋清楚為什么BAW

適合高頻。

2.溫漂描述簡(jiǎn)單：未提及TC-SAW（溫度補(bǔ)償SAW）這一過渡技術(shù)，顯得對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈了解不

深。

3.選擇邏輯絕對(duì)化：認(rèn)為5G全用BAW是不準(zhǔn)確的，Sub-1GHz的5G頻段（如n28,n5）依

然大量使用SAW/TC-SAW。

高分回答示例：

SAW（SurfaceAcousticWave）和BAW（BulkAcousticWave）是射頻前端最

核心的濾波器技術(shù)，主要區(qū)別在于聲波傳播模式和適用場(chǎng)景：

1.工作原理：

SAW：聲波沿晶體表面?zhèn)鞑?。由于叉指換能器（IDT）的物理光刻極限，其工作頻率

很難突破2.5GHz，且散熱差，能夠承受的功率較低。

BAW/FBAR：聲波在壓電薄膜內(nèi)部垂直傳播，形成駐波諧振。通過減薄薄膜厚度即可

提高諧振頻率，因此極具高頻優(yōu)勢(shì)。同時(shí)，BAW具有極高的Q值（低插損、高選擇

性）和優(yōu)秀的散熱性能。

2.5G頻段下的選擇策略：

低頻段（<1.5GHz）：如5Gn5,n8,n28頻段，SAW依然是主流，性價(jià)比極高。對(duì)于

對(duì)溫漂敏感的頻段，會(huì)選用TC-SAW（溫度補(bǔ)償型SAW）。

中高頻段（>2.5GHz）：如n41,n78,n79頻段，傳統(tǒng)SAW插損急劇增加且無法承受

5G的高功率（HPUE）。此時(shí)必須選用BAW或FBAR，雖然成本高，但能提供極陡峭

的滾降（SteepSkirt），這對(duì)WiFi與5Gn41/n79的共存（Coexistence）至關(guān)重要。

總結(jié)來說，選擇邏輯是：性能（插損/功率/隔離度）與成本的平衡。在小米的產(chǎn)品

定義中，我們?cè)谄炫灆C(jī)的主分集接收鏈路常采用BAW以追求極致性能，而在中低端

機(jī)型的部分非關(guān)鍵頻段則會(huì)評(píng)估TC-SAW方案以控制成本。

Q14：在使用VNA（矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀）進(jìn)行測(cè)量前，為什么要進(jìn)行校準(zhǔn)？SOLT

和TRL校準(zhǔn)的區(qū)別是什么？

?不好的回答示例：

校準(zhǔn)是為了歸零，因?yàn)榫€纜和接頭都有損耗，不校準(zhǔn)的話測(cè)出來的數(shù)據(jù)就不準(zhǔn)。校

準(zhǔn)就是告訴機(jī)器什么是開路、短路和負(fù)載。SOLT就是Short,Open,Load,Thru，

這是最常用的，用那個(gè)標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)件擰一下就行。TRL好像是Thru,Reflect,Line，

這種一般是在芯片測(cè)試或者沒有接頭的時(shí)候用的。我們?cè)趯?shí)驗(yàn)室基本都用電子校準(zhǔn)

件，自動(dòng)SOLT，很方便。

為什么這么回答不好：

1.目的描述膚淺：僅提到“歸零”，未涉及“系統(tǒng)誤差模型”和“測(cè)量參考面（Reference

Plane）移動(dòng)”的專業(yè)概念。

2.SOLT/TRL對(duì)比不清：未指出SOLT依賴標(biāo)準(zhǔn)件的精度，而TRL不依賴負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)精度，適

合非同軸環(huán)境。

3.應(yīng)用場(chǎng)景局限：簡(jiǎn)單地將TRL歸為“沒接頭的時(shí)候用”，未體現(xiàn)其在毫米波或PCB板級(jí)去嵌

入（De-embedding）中的高精度優(yōu)勢(shì)。

高分回答示例：

VNA測(cè)量中包含系統(tǒng)誤差（方向性、源匹配、反射跟蹤等）、隨機(jī)誤差和漂移誤

差。校準(zhǔn)（Calibration）的核心目的，是通過測(cè)量已知標(biāo)準(zhǔn)件，計(jì)算出系統(tǒng)誤差

項(xiàng)（ErrorTerms），并通過數(shù)學(xué)運(yùn)算將誤差從測(cè)量結(jié)果中移除（VectorError

Correction）。更重要的是，校準(zhǔn)將測(cè)量的參考面（ReferencePlane）從儀表

端口延伸到了被測(cè)件（DUT）的端口，消除了線纜和夾具的影響。

關(guān)于SOLT和TRL的區(qū)別：

1.SOLT(Short-Open-Load-Thru)：

原理：依賴一套已知特性的標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載（Load）來定義50歐姆基準(zhǔn)。

優(yōu)點(diǎn)：適合同軸連接器系統(tǒng)（SMA,N型），標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)件容易獲取，操作通用。

局限：高頻下很難制作完美的“標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載”和“開路”，且無法消除非標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試夾具的寄生

效應(yīng)。

2.TRL(Thru-Reflect-Line)：

原理：不需要完美的負(fù)載。它利用一段傳輸線（Line）的特征阻抗來定義系統(tǒng)阻抗，

利用反射件（Reflect）定義相位參考。

優(yōu)點(diǎn)：精度極高，特別適合非同軸環(huán)境（如晶圓探針測(cè)試、PCB微帶線測(cè)試）。它可

以將參考面精確設(shè)定在PCB走線的中間，非常適合板級(jí)射頻調(diào)試。

局限：Line的長度必須針對(duì)特定頻段設(shè)計(jì)（約為90度相移），頻帶覆蓋不如SOLT

寬。

在小米的實(shí)驗(yàn)室中，如果是測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的SMA接口模塊，我用SOLT；但如果是評(píng)估

板載天線或芯片引腳的阻抗，我會(huì)設(shè)計(jì)專門的TRL校準(zhǔn)線，以獲得最真實(shí)的板級(jí)S

參數(shù)。

Q15：頻譜分析儀中的RBW（分辨率帶寬）和VBW（視頻帶寬）設(shè)置如何影響

測(cè)試結(jié)果？

?不好的回答示例：

RBW是分辨率帶寬，設(shè)置得越小，看得越清楚，分辨得越細(xì)，但是掃描速度會(huì)變

慢。VBW是視頻帶寬，主要是用來平滑波形的。如果信號(hào)抖動(dòng)很厲害，就把VBW

設(shè)小一點(diǎn)，線就平直了。一般測(cè)試的時(shí)候，RBW和VBW都設(shè)成自動(dòng)（Auto）就行

了。如果是測(cè)噪聲，要把RBW設(shè)小一點(diǎn)，不然底噪太高看不見信號(hào)。

為什么這么回答不好：

1.缺乏物理意義：未解釋RBW實(shí)質(zhì)上是中頻濾波器的3dB帶寬，也未提到它對(duì)底噪

（DANL）的定量影響（10log關(guān)系）。

2.VBW解釋不全：僅提到“平滑”，未解釋VBW是檢波后的低通濾波器，它不影響頻率分辨

率。

3.對(duì)“測(cè)噪聲”理解片面：RBW不僅影響能否“看見”信號(hào)，更直接決定了測(cè)得的噪聲功率電

平，這是EMC測(cè)試的關(guān)鍵。

高分回答示例：

RBW（ResolutionBandwidth）和VBW（VideoBandwidth）是頻譜分析儀最重

要的兩個(gè)參數(shù)，直接決定了測(cè)量的靈敏度、分辨率和速度。

1.RBW（分辨率帶寬）：

物理意義：RBW是中頻（IF）濾波器的3dB帶寬。它決定了頻譜儀區(qū)分兩個(gè)相鄰信號(hào)

的能力。

對(duì)底噪的影響：RBW越小，通過IF濾波器的噪聲能量越少。理論上，RBW每減小10

倍，顯示的平均噪聲電平（DANL）下降10dB。因此，在搜尋微弱信號(hào)或雜散

（Spur）時(shí)，必須降低RBW。

對(duì)速度的影響：掃描時(shí)間（SweepTime）與RBW的平方成反比。RBW過小會(huì)導(dǎo)致測(cè)

試極慢，需權(quán)衡效率。

2.VBW（視頻帶寬）：

物理意義：VBW是包絡(luò)檢波器之后的低通濾波器的帶寬。

作用：它不改變頻率分辨率，也不改變底噪的平均電平，而是對(duì)顯示軌跡進(jìn)行平滑。

減小VBW可以濾除顯示噪聲的隨機(jī)抖動(dòng)，使淹沒在噪聲中的CW小信號(hào)顯露出來。通

常設(shè)置VBW<RBW（如0.1倍）來獲得清晰的跡線。

實(shí)際應(yīng)用：

在進(jìn)行相位噪聲測(cè)試或搜尋Desense干擾源時(shí)，我會(huì)將RBW設(shè)得很?。ㄈ?kHz）

以降低底噪；而在測(cè)試寬帶信號(hào)（如Wi-Fi信號(hào)功率）時(shí)，RBW必須設(shè)置得大于信

號(hào)帶寬，否則測(cè)得的功率會(huì)偏小。

Q16：什么是噪聲系數(shù)（NF）？級(jí)聯(lián)系統(tǒng)的總噪聲系數(shù)計(jì)算公式是什么？

?不好的回答示例：

噪聲系數(shù)NF就是NoiseFigure，用來衡量一個(gè)器件引入了多少噪聲。NF越小越

好。計(jì)算公式是輸入信噪比除以輸出信噪比，然后取個(gè)對(duì)數(shù)。如果是很多個(gè)器件串

聯(lián)，總的噪聲系數(shù)主要取決于第一個(gè)器件。公式我記得不是很清楚了，好像是F

total=F1+F2/G1什么的。反正在設(shè)計(jì)接收機(jī)的時(shí)候，LNA一定要放在最前面，

而且NF要很低，這樣整個(gè)系統(tǒng)的靈敏度才高。

為什么這么回答不好：

1.公式記憶模糊：面試技術(shù)崗，核心公式（Friis噪聲公式）必須準(zhǔn)確無誤，含糊其辭會(huì)嚴(yán)

重減分。

2.定義表述不嚴(yán)謹(jǐn)：應(yīng)該明確指出是在標(biāo)準(zhǔn)溫度（290K）下的信噪比惡化程度。

3.缺乏工程量化感：僅說“LNA放最前面”，沒有舉例說明如果第一級(jí)插損很大（如長線纜）

對(duì)系統(tǒng)的毀滅性打擊。

高分回答示例：

噪聲系數(shù)（NoiseFigure,NF）衡量了信號(hào)通過系統(tǒng)后，信噪比（SNR）惡化的程

度。其定義為在標(biāo)準(zhǔn)溫度（290K）下，輸入端信噪比與輸出端信噪比的比值，通常

用分貝表示：。它反映了系統(tǒng)自身引入了多少噪聲。

對(duì)于級(jí)聯(lián)系統(tǒng)，其總噪聲系數(shù)遵循Friis噪聲公式：

其中，是噪聲因子（線性值），是增益（線性值）。

這個(gè)公式在射頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)中揭示了兩個(gè)核心原則：

1.第一級(jí)至關(guān)重要：系統(tǒng)總噪聲系數(shù)主要由第一級(jí)器件（）決定。后續(xù)級(jí)的噪聲貢獻(xiàn)會(huì)

被前級(jí)的增益（）大幅除以并抑制。因此，在接收機(jī)前端，我們總是將高增益、低噪

聲的LNA盡可能靠近天線放置。

2.前端損耗是致命的：如果第一級(jí)是無源器件（如長電纜或插損大的濾波器），其

（即衰減）且等于其插損。這不僅直接增加了，還放大了后級(jí)噪聲（）的貢

獻(xiàn)。這也是為什么在5G設(shè)計(jì)中，我們極力減小天線到LNA之間走線長度，或者采用L-

PAMiD模組將LNA前置的原因。

Q17：請(qǐng)解釋一下射頻電路中的“阻抗匹配”及其三種常用的匹配方式（LC、傳

輸線、變壓器）

?不好的回答示例：

阻抗匹配就是讓源阻抗和負(fù)載阻抗相等，這樣能量就能完全傳過去，不會(huì)反射。如

果不匹配，駐波比就大，功率就浪費(fèi)了。常用的方式有三種：第一種是LC匹配，就

是串并聯(lián)電感電容，這個(gè)最常用，主要在PCB上調(diào)。第二種是傳輸線，比如微帶線

做長一點(diǎn)或者短一點(diǎn)，或者做個(gè)開路短路樁，這個(gè)主要在高頻用。第三種是變壓

器，就是巴倫，可以做阻抗變換，還能把單端轉(zhuǎn)差分。

為什么這么回答不好：

1.原理表述不嚴(yán)謹(jǐn)：應(yīng)該是“負(fù)載阻抗等于源阻抗的共軛（Conjugate）”，而不僅僅是“相

等”。

2.應(yīng)用場(chǎng)景區(qū)分度不夠：沒提到LC匹配主要用于窄帶，變壓器用于寬帶。

3.對(duì)傳輸線匹配理解簡(jiǎn)單：“做長一點(diǎn)短一點(diǎn)”表述太隨意，應(yīng)提及Stub（短截線）匹配的原

理。

高分回答示例：

阻抗匹配的核心目的是實(shí)現(xiàn)最大功率傳輸。根據(jù)最大功率傳輸定理，當(dāng)負(fù)載阻抗等

于源阻抗的共軛（）時(shí)，信號(hào)源能向負(fù)載輸出最大功率，且無反射。

在工程應(yīng)用中，三種常用匹配方式各有千秋：

1.LC離散元件匹配：

原理：利用電感和電容在Smith圓圖上的移動(dòng)軌跡將任意阻抗拉回50Ω中心。

特點(diǎn)：成本低，PCB占用面積小。

局限：窄帶特性。Q值越高，帶寬越窄。適合手機(jī)等空間受限且頻段固定的場(chǎng)景。

2.傳輸線匹配（Stub/Quarter-wave）：

原理：利用傳輸線長度帶來的相位旋轉(zhuǎn)和開路/短路短截線（Stub）產(chǎn)生的純電抗。

特點(diǎn)：適合高頻（微波/毫米波），因?yàn)榇藭r(shí)波長短，印制線尺寸可控。無寄生參數(shù)影

響，精度高。

局限：尺寸較大，低頻無法使用。

3.變壓器/巴倫（Balun）匹配：

原理：利用線圈匝數(shù)比（）變換阻抗。

特點(diǎn)：寬帶特性極佳（這也是LC無法比擬的），且能同時(shí)實(shí)現(xiàn)單端信號(hào)與差分信號(hào)的

轉(zhuǎn)換。

應(yīng)用：常用于DAC/ADC接口、混頻器輸入輸出以及PA的推挽級(jí)設(shè)計(jì)。

在小米的手機(jī)射頻設(shè)計(jì)中，我們通常采用LC匹配，但在設(shè)計(jì)Wi-FiFEM或毫米波

模組內(nèi)部時(shí)，會(huì)結(jié)合使用傳輸線匹配技術(shù)。

Q18：手機(jī)天線設(shè)計(jì)中，PIFA天線和Monopole天線的優(yōu)缺點(diǎn)各是什么？

?不好的回答示例：

Monopole就是單極天線，像以前大哥大那樣的。它的優(yōu)點(diǎn)是效率高，帶寬寬。缺

點(diǎn)是需要很大的地，而且容易受手的影響。PIFA是平面倒F天線，現(xiàn)在手機(jī)里用得

比較多。它的優(yōu)點(diǎn)是體積小，而且有個(gè)接地點(diǎn)，可以抗干擾，SAR值也低一點(diǎn)。缺

點(diǎn)就是帶寬比較窄，設(shè)計(jì)起來比較麻煩?，F(xiàn)在的手機(jī)基本都是金屬邊框，其實(shí)大多

用的是IFA或者Slot天線了。

為什么這么回答不好：

1.原理深度不夠：沒有解釋PIFA為什么比Monopole抗干擾（電場(chǎng)限制在貼片和地之間）。

2.關(guān)鍵術(shù)語缺失：沒提到PIFA的“高度”對(duì)帶寬的決定性影響，也沒提到Monopole對(duì)“凈空區(qū)

（Clearance）”的高要求。

3.描述不準(zhǔn)確：現(xiàn)代全金屬手機(jī)更多使用的是基于Loop或Slot模式的調(diào)諧天線，簡(jiǎn)單的

PIFA已不多見，回答顯得有些過時(shí)但又沒點(diǎn)透。

高分回答示例：

在手機(jī)天線演進(jìn)史上，Monopole（單極子）和PIFA（平面倒F天線）是兩種最經(jīng)

典的形態(tài)：

1.Monopole天線：

原理：諧振，利用手機(jī)主板（PCB）作為輻射地。

優(yōu)點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，全向輻射特性好，帶寬較寬（相對(duì)PIFA）。

缺點(diǎn)：體積大，對(duì)PCB凈空區(qū)（Clearance）要求極高（必須懸空）；由于是開放式

結(jié)構(gòu)，電場(chǎng)分布廣，容易受到人體（手、頭）的耦合干擾，導(dǎo)致頻偏和SAR值較高。

2.PIFA天線（PlanarInverted-FAntenna）：

原理：在Monopole的基礎(chǔ)上增加了一個(gè)接地引腳（ShortingPin）和頂部加載板，使

天線高度降低。

優(yōu)點(diǎn)：結(jié)構(gòu)緊湊，可以跨在元器件上方（不需要全凈空）；由于存在接地腳，電場(chǎng)主

要集中在輻射片與地之間，近場(chǎng)輻射收斂，因此受人體頭部/手部影響較小（抗

Detuning能力強(qiáng)），SAR值通常更低。

缺點(diǎn)：帶寬較窄，其帶寬直接取決于天線的高度和體積。在如今超薄手機(jī)中，PIFA的

高度受限，導(dǎo)致其帶寬很難覆蓋5G的寬頻段要求。

現(xiàn)狀：

在現(xiàn)代全金屬機(jī)身的小米手機(jī)中，傳統(tǒng)的PIFA和Monopole已演變?yōu)榻饘龠吙蛱炀€

（IFA/Slot/Loop模式），并配合ApertureTuner（孔徑調(diào)諧器）來動(dòng)態(tài)切換頻

段，以解決帶寬窄的物理限制。

Q19：如何在PCBLayout中處理射頻信號(hào)的回流路徑（ReturnPath）？

?不好的回答示例：

回流路徑就是電流流回來的路。Layout的時(shí)候要注意，射頻線的下面一定要有完整

的地平面，不能把地割開。如果地平面有縫隙，電流就要繞路，這樣電感就大了，

干擾也大。還有就是打過孔的時(shí)候，要在信號(hào)孔旁邊打幾個(gè)地孔，給電流提供回

路。總之就是保證地平面的完整性，盡量不要跨分割。

為什么這么回答不好：

1.缺乏高頻視角：僅強(qiáng)調(diào)“地平面”，未解釋高頻信號(hào)總是沿著“最小電感路徑”（即信號(hào)線正

下方）回流的物理本質(zhì)。

2.跨分割處理簡(jiǎn)單化：說了“不要跨分割”，但沒說如果萬不得已跨了分割該怎么補(bǔ)救（如跨

接電容）。

3.過孔設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)不足：未明確指出“回流地孔”的數(shù)量和距離要求（如間距）。

高分回答示例：

射頻PCB設(shè)計(jì)中，“信號(hào)回流路徑”與信號(hào)路徑同等重要。低頻電流走最小電阻路

徑，而高頻RF電流總是沿著最小電感路徑回流，即緊貼信號(hào)導(dǎo)體的參考平面正下

方。處理核心原則如下：

1.保證參考平面連續(xù)性：射頻微帶線（Microstrip）下方的第二層必須是完整的地平面

（GND）。嚴(yán)禁在RF走線下方切割地平面（SplitPlane）或布置其他走線。如果參考地

斷裂，回流電流將被迫繞大圈，形成巨大的環(huán)路電感，導(dǎo)致嚴(yán)重的EMI輻射和阻抗突變。

2.同層“包地”與縫合孔（StitchingVias）：在表層RF走線兩側(cè)進(jìn)行包地（GNDPour），

并沿著走線打上密集的屏蔽過孔。過孔間距應(yīng)小于工作頻率波長的1/10（），以形

成法拉第籠效應(yīng)，防止信號(hào)向外耦合，同時(shí)為共面波導(dǎo)（CPW）模式提供短回流路徑。

3.換層處理（LayerTransition）：當(dāng)RF信號(hào)必須打孔換層時(shí)（如從L1換到L3），參考地

平面也會(huì)隨之切換（如從L2變到L4）。此時(shí)，必須在信號(hào)過孔緊鄰的位置打至少一個(gè)

（最好兩個(gè)）回流地過孔（ReturnVia），連接L2和L4。這為高頻回流電流提供了一個(gè)

垂直通道，減小Z軸方向的環(huán)路面積。如果在換層處忽略了回流地孔，地回流將被迫尋找

遠(yuǎn)處的過孔，這在毫米波頻段是災(zāi)難性的。

Q20：解釋ACLR（相鄰信道泄漏比）對(duì)系統(tǒng)的影響，以及如何優(yōu)化它

?不好的回答示例：

ACLR就是看信號(hào)漏到隔壁信道有多少。如果漏得太多，就會(huì)干擾別人。比如我用

頻段B1，漏到了B1旁邊的頻率，那別人的手機(jī)就沒法用了。運(yùn)營商對(duì)此有嚴(yán)格要

求的，一般要小于-30dB或者-40dB。如果不達(dá)標(biāo)，我們可以把PA的功率降一點(diǎn)，

因?yàn)楣β试酱蟾怕史蔷€性越強(qiáng)，ACLR就越差?；蛘哒{(diào)一下匹配，讓PA工作得舒服

一點(diǎn)。

為什么這么回答不好：

1.定義表述平淡：沒點(diǎn)出ACLR產(chǎn)生的本質(zhì)原因是“三階或五階互調(diào)失真導(dǎo)致的頻譜再生

（SpectralRegrowth）”。

2.優(yōu)化手段單一：“降功率”是下策，因?yàn)樗鼱奚烁采w。未提及DPD（數(shù)字預(yù)失真）或ET

（包絡(luò)追蹤）等現(xiàn)代技術(shù)。

3.影響描述局限：僅說了干擾別人，未提及ACLR差往往也伴隨著自身的EVM惡化。

高分回答示例：

ACLR（AdjacentChannelLeakageRatio）定義為發(fā)射信號(hào)功率與相鄰信道泄

漏功率之比。它主要是由PA的非線性特性（如AM-AM,AM-PM失真）引起的頻譜

再生（SpectralRegrowth）。

對(duì)系統(tǒng)的影響：

1.干擾他網(wǎng)：這是最直接的危害。泄漏的能量會(huì)提高鄰頻接收機(jī)的底噪，導(dǎo)致其靈敏度下

降（Desense），這是3GPP協(xié)議強(qiáng)制管控的關(guān)鍵指標(biāo)（如LTE通常要求<-30dBc

或-33dBc）。

2.自身信號(hào)質(zhì)量惡化：雖然ACLR主要衡量帶外，但產(chǎn)生ACLR的非線性互調(diào)產(chǎn)物同樣會(huì)落

在帶內(nèi)，導(dǎo)致自身的EVM惡化，降低吞吐率。

優(yōu)化策略（由輕到重）：

1.PA匹配優(yōu)化：調(diào)節(jié)PA輸出匹配電路（MatchingNetwork）和偏置電壓（Bias），在

P1dB、效率和線性度之間尋找最佳平衡點(diǎn)（SweetSpot）。

2.功率回退（Back-off）：適當(dāng)降低最大輸出功率，使PA工作在線性區(qū)。這是最簡(jiǎn)單但犧

牲覆蓋范圍的方法。

3.線性化技術(shù)（Linearization）：

DPD（數(shù)字預(yù)失真）：在基帶生成一個(gè)與PA非線性特性相反的預(yù)失真信號(hào)，兩者抵

消。這是現(xiàn)代4G/5G基站和手機(jī)（配合ET）改善ACLR的核心技術(shù)，能顯著提升PA在

飽和區(qū)的線性度，讓我們既能用滿功率，又能保住ACLR。

ET（包絡(luò)追蹤）：動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)PA的供電電壓，使其始終剛好滿足包絡(luò)需求，間接改善

了線性度和效率的折中。

Q21：什么是駐波比（VSWR）？VSWR過大對(duì)射頻系統(tǒng)有什么危害？

?不好的回答示例：

VSWR就是電壓駐波比，用來衡量天線和電路匹配好不好的指標(biāo)。完美的話是1，

一般要求小于2或者3。公式是（1+|反射系數(shù)|）/（1-|反射系數(shù)|）。如果VSWR太

大，說明反射很嚴(yán)重，信號(hào)發(fā)不出去。危害就是信號(hào)差，手機(jī)打不通電話，或者可

能會(huì)把PA燒壞。我們?cè)谡{(diào)試的時(shí)候都要看網(wǎng)分上的VSWR曲線，盡量把它調(diào)低一

點(diǎn)。

為什么這么回答不好：

1.定義流于表面：僅僅背誦了公式，未解釋“駐波”形成的物理過程（入射波與反射波疊加形

成駐波）。

2.危害描述不具體：“信號(hào)差”太籠統(tǒng)。未從“發(fā)射機(jī)功耗”和“接收機(jī)底噪”兩個(gè)維度深入分

析。

3.缺乏保護(hù)機(jī)制的認(rèn)知：提到“燒PA”，但未提及現(xiàn)代手機(jī)中的耦合器（Coupler）和功率回

退機(jī)制，顯得對(duì)系統(tǒng)架構(gòu)了解滯后。

高分回答示例：

駐波比（VSWR）量化了傳輸線中駐波的程度，本質(zhì)上反映了阻抗匹配的質(zhì)量。當(dāng)

負(fù)載阻抗與傳輸線特性阻抗不匹配時(shí)，部分能量被反射回去，入射波與反射波疊加

形成駐波。VSWR是傳輸線上電壓最大值與最小值的比值。

VSWR過大（如>3:1）對(duì)射頻系統(tǒng)有三大核心危害：

1.功率損失與發(fā)熱：反射意味著能量沒有輻射出去，而是轉(zhuǎn)化為了熱能。這不僅降低了系

統(tǒng)的輻射效率（TotalEfficiency），縮短了電池續(xù)航，還會(huì)導(dǎo)致射頻前端（特別是濾波器

和開關(guān)）嚴(yán)重發(fā)熱。

2.PA（功率放大器）可靠性風(fēng)險(xiǎn)：強(qiáng)反射波會(huì)在PA輸出端形成高電壓峰值，可能擊穿PA

的晶體管（HBT/CMOS），或者導(dǎo)致過流燒毀。

3.系統(tǒng)性能回退：現(xiàn)代手機(jī)為了保護(hù)PA，當(dāng)檢測(cè)到高VSWR（如手握住天線）時(shí)，基帶算

法會(huì)強(qiáng)制降低發(fā)射功率（PowerBack-off）。這雖然保護(hù)了PA，但直接導(dǎo)致通信距離縮

短，用戶體驗(yàn)變差（即“掉網(wǎng)”）。

在小米的旗艦機(jī)調(diào)試中，我們不僅要在傳導(dǎo)環(huán)境下將VSWR調(diào)至1.5以下，更要重

點(diǎn)關(guān)注OTA環(huán)境下的VSWR波動(dòng)，優(yōu)化天線調(diào)諧策略以應(yīng)對(duì)“死亡之握”。

Q22：手機(jī)射頻電路中，為什么電源線上通常需要串聯(lián)磁珠和并聯(lián)電容？

?不好的回答示例：

電源線上串磁珠和并聯(lián)電容是為了濾波。電容可以通交流阻直流，把噪聲濾掉，保

持電壓穩(wěn)定。磁珠就是個(gè)電感，可以擋住高頻噪聲。因?yàn)镻A工作的時(shí)候電流變化很

大，如果不加這些，電源就會(huì)不干凈，干擾射頻信號(hào)。一般我們都是用0.1uF或者

100pF的電容，磁珠就選個(gè)100M的。

為什么這么回答不好：

1.原理混淆：將磁珠等同于電感是不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)?。磁珠在高頻下主要呈現(xiàn)電阻特性（消耗能

量），而電感主要呈電抗特性（反射能量），兩者抑噪機(jī)理不同。

2.缺乏頻段針對(duì)性：只是泛泛而談“濾波”，未指出大電容濾低頻紋波，小電容濾射頻諧波，

磁珠用于隔離射頻信號(hào)泄漏到PMIC。

3.選型邏輯簡(jiǎn)單：“選個(gè)100M”非常隨意，未提及磁珠的直流電阻（DCR）對(duì)PA壓降（IR

Drop）的影響。

高分回答示例：

在射頻電源網(wǎng)絡(luò)（PDN）設(shè)計(jì)中，磁珠和電容構(gòu)建了Π型或L型濾波網(wǎng)絡(luò)，其核心作

用是雙向隔離與瞬態(tài)供能。

1.并聯(lián)電容（Decoupling）：

儲(chǔ)能作用：PA在發(fā)射GSMBurst或5GOFDMA符號(hào)時(shí)，電流需求會(huì)瞬間從mA級(jí)跳變

到A級(jí)。大容量電容（如10uF）充當(dāng)“本地能量庫”，提供瞬態(tài)電流，減小電源電壓跌

落。

低阻抗回路：小容量電容（如33pF/100pF）為高頻射頻信號(hào)提供最近的對(duì)地回流路

徑，防止射頻能量進(jìn)入電源管理芯片（PMIC）。

2.串聯(lián)磁珠（FerriteBead）：

高頻吸能：與電感不同，磁珠在高頻下表現(xiàn)為高電阻（R）。它將泄漏到電源線上的

射頻噪聲轉(zhuǎn)化為熱能消耗掉，防止射頻信號(hào)通過電源線串?dāng)_到其他模塊（如音頻或

GPS）。

隔離作用：防止PMIC開關(guān)產(chǎn)生的開關(guān)噪聲（Ripple）進(jìn)入PA，導(dǎo)致射頻輸出出現(xiàn)雜

散或EVM惡化。

工程考量：

在為PA（特別是大功率5GPA）選型磁珠時(shí)，我非常關(guān)注DCR（直流電阻）。如

果DCR過大，在大電流下會(huì)產(chǎn)生顯著壓降，導(dǎo)致PA供電電壓不足，嚴(yán)重惡化飽和

功率和線性度。因此，我們通常選用高飽和電流、超低DCR的專用電源磁珠。

Q23：談?wù)勀銓?duì)5GSub-6G和mmWave（毫米波）射頻架構(gòu)差異的理解

?不好的回答示例：

Sub-6G就是現(xiàn)在常用的頻段，比如n78，跟4G差不多，也是天線連著射頻線到主

板。毫米波頻率很高，比如28GHz，它的波長很短。差異主要是毫米波傳輸損耗

大，所以要用很多天線做陣列，叫波束賦形。Sub-6G不用那么多天線。另外毫米

波的器件很貴，工藝要求高?，F(xiàn)在國內(nèi)主要是做Sub-6G，美國那邊做毫米波比較

多。

為什么這么回答不好：

1.架構(gòu)描述淺顯：沒點(diǎn)出毫米波最核心的架構(gòu)變革——AiP（AntennainPackage），即

射頻前端不再在主板上，而是和天線封裝在一起。

2.技術(shù)細(xì)節(jié)缺失：未提及中頻收發(fā)架構(gòu)（IFTransceiver）在毫米波中的應(yīng)用，以及為了克

服路損所必須的相控陣（PhasedArray）原理。

3.忽略了連接方式：Sub-6G是傳導(dǎo)連接（Connector），毫米波往往是中頻信號(hào)傳輸，這

也是面試官想聽到的系統(tǒng)級(jí)差異。

高分回答示例：

5GSub-6G與mmWave由于物理特性的巨大差異，導(dǎo)致其射頻架構(gòu)呈現(xiàn)出完全不

同的形態(tài)：

1.Sub-6G（<7.125GHz）：

延續(xù)性演進(jìn)：基本沿用了4GLTE的架構(gòu)，采用“收發(fā)機(jī)+射頻前端模組（PAMiD）+

獨(dú)立天線”的分離式布局。

連接方式：射頻信號(hào)通過同軸線或FPC從主板傳導(dǎo)至天線。

挑戰(zhàn)：主要是多頻段載波聚合（CA）帶來的濾波器設(shè)計(jì)難度和開關(guān)矩陣的復(fù)雜度。

2.mmWave（>24GHz）：

AiP架構(gòu)（AntennainPackage）