大學(xué)（集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)）集成電路設(shè)計(jì)2026年綜合測(cè)試題

（考試時(shí)間：90分鐘滿分100分）班級(jí)______姓名______一、單項(xiàng)選擇題（總共10題，每題3分，每題只有一個(gè)正確答案，請(qǐng)將正確答案填在括號(hào)內(nèi)）1.以下哪種集成電路設(shè)計(jì)方法常用于實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的數(shù)字邏輯功能？（）A.全定制設(shè)計(jì)B.半定制設(shè)計(jì)C.基于FPGA的設(shè)計(jì)D.模擬集成電路設(shè)計(jì)2.在CMOS工藝中，晶體管的閾值電壓主要由（）決定。A.柵氧化層厚度B.襯底摻雜濃度C.柵極材料D.源漏區(qū)摻雜濃度3.集成電路設(shè)計(jì)中，版圖設(shè)計(jì)的主要目的是（）。A.確定電路的邏輯功能B.優(yōu)化電路性能C.將電路設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為物理版圖D.進(jìn)行電路仿真4.以下哪項(xiàng)不屬于集成電路設(shè)計(jì)中的低功耗技術(shù)？（）A.電源管理B.門控時(shí)鐘C.多閾值電壓技術(shù)D.增加電路復(fù)雜度5.對(duì)于高速集成電路設(shè)計(jì)，關(guān)鍵的性能指標(biāo)是（）。A.功耗B.面積C.速度D.成本6.在模擬集成電路設(shè)計(jì)中，運(yùn)算放大器的失調(diào)電壓是指（）。A.輸入為零時(shí)的輸出電壓B.輸出為零時(shí)的輸入電壓C.輸入信號(hào)與輸出信號(hào)的差值D.放大器的增益誤差7.集成電路設(shè)計(jì)中，信號(hào)完整性分析主要關(guān)注（）。A.信號(hào)的傳輸延遲B.信號(hào)的幅度失真C.信號(hào)的串?dāng)_問(wèn)題D.以上都是EAC8.以下哪種EDA工具主要用于集成電路的邏輯綜合？（）A.CadenceB.SynopsysC.MentorGraphicsD.XilinxISE9.對(duì)于CMOS集成電路，當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的閾值電壓會(huì)（）。A.升高B.降低C.不變D.先升高后降低10.在集成電路設(shè)計(jì)流程中，物理驗(yàn)證主要包括（）。A.設(shè)計(jì)規(guī)則檢查B.電氣規(guī)則檢查C.版圖與原理圖一致性檢查D.以上都是二、多項(xiàng)選擇題（總共5題，每題5分，每題有兩個(gè)或兩個(gè)以上正確答案，請(qǐng)將正確答案填在括號(hào)內(nèi)，少選、多選均不得分）1.集成電路設(shè)計(jì)中常用的半導(dǎo)體材料有（）。A.硅B.鍺C.碳化硅D.氮化鎵2.以下屬于數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中的時(shí)序優(yōu)化方法的有（）。A.流水線設(shè)計(jì)B.門控時(shí)鐘C.邏輯等價(jià)替換D.布局布線優(yōu)化3.模擬集成電路設(shè)計(jì)中，影響放大器帶寬的因素有（）。A.晶體管的跨導(dǎo)B.負(fù)載電容C.信號(hào)源內(nèi)阻D.電源電壓4.在集成電路設(shè)計(jì)中，降低噪聲的方法有（）。A.合理布局布線B.采用屏蔽技術(shù)C.優(yōu)化電源網(wǎng)絡(luò)D.增加電路增益5.以下哪些是集成電路設(shè)計(jì)中常用的數(shù)據(jù)格式？（）A.GDSIIB.VerilogC.VHDLD.SPICE三、判斷題（總共10題，每題2分，請(qǐng)判斷以下說(shuō)法的對(duì)錯(cuò)，對(duì)的打“√”，錯(cuò)的打“×”）1.全定制集成電路設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)最高的性能，但成本也最高。（）2.在CMOS工藝中，P溝道晶體管的遷移率比N溝道晶體管高。（）3.版圖設(shè)計(jì)中，金屬層的寬度和間距不需要滿足設(shè)計(jì)規(guī)則。（）4.低功耗設(shè)計(jì)主要是為了降低芯片的制造成本。（）5.高速集成電路設(shè)計(jì)中，信號(hào)的傳輸延遲主要由晶體管的開(kāi)關(guān)速度決定。（）6.模擬集成電路設(shè)計(jì)中，反饋放大器一定是穩(wěn)定的。（）7.集成電路設(shè)計(jì)中，信號(hào)完整性問(wèn)題只會(huì)影響數(shù)字信號(hào)，不會(huì)影響模擬信號(hào)。（）8.EDA工具只能用于集成電路設(shè)計(jì)的某個(gè)階段，不能貫穿整個(gè)流程。（）9.對(duì)于CMOS集成電路，電源電壓越高，電路速度越快，但功耗也越大。（）10.在集成電路設(shè)計(jì)流程中，邏輯綜合可以將高層次的設(shè)計(jì)描述轉(zhuǎn)化為門級(jí)網(wǎng)表。（）四、簡(jiǎn)答題（總共3題，每題10分，請(qǐng)簡(jiǎn)要回答以下問(wèn)題）1.請(qǐng)簡(jiǎn)述集成電路設(shè)計(jì)中全定制設(shè)計(jì)和半定制設(shè)計(jì)的優(yōu)缺點(diǎn)。2.說(shuō)明CMOS工藝中晶體管閾值電壓對(duì)電路性能的影響。3.在集成電路設(shè)計(jì)中，如何進(jìn)行功耗優(yōu)化？五、綜合題（總共2題，每題15分，請(qǐng)綜合運(yùn)用所學(xué)知識(shí)回答以下問(wèn)題）1.設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單數(shù)字電路，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)4位二進(jìn)制數(shù)的加法功能，并說(shuō)明設(shè)計(jì)思路和關(guān)鍵步驟。2.分析一個(gè)模擬集成電路放大器的性能指標(biāo)，如增益、帶寬、失調(diào)電壓等，并提出改進(jìn)措施。答案：一、1.B2.A3.C4.D5.C6.B7.D8.B9.B10.D二、1.ABCD2.ABD3.ABC4.ABC5.ABCD三、1.√2.×3.×4.×5.√6.×7.×8.×9.√10.√四、1.全定制設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)：性能最優(yōu)，缺點(diǎn)：成本高、周期長(zhǎng)；半定制設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)：成本低、周期短，缺點(diǎn)：性能不如全定制。2.閾值電壓影響晶體管導(dǎo)通特性，進(jìn)而影響電路速度、功耗等。低閾值電壓可提高速度但增加功耗；高閾值電壓反之。3.采用電源管理技術(shù)、門控時(shí)鐘、多閾值電壓技術(shù)、優(yōu)化電路結(jié)構(gòu)減少不必要功耗等。五、1.用加法器電路實(shí)現(xiàn)。思路：采用