半導(dǎo)體芯片測(cè)試工程師崗位招聘考試試卷及答案一、填空題（每題1分，共10分）1.半導(dǎo)體芯片測(cè)試中，ATE的全稱是________。2.探針臺(tái)主要用于________的測(cè)試（晶圓級(jí)/封裝級(jí)）。3.芯片老化測(cè)試（Burn-in）的核心目的是篩選________缺陷。4.芯片IDDQ測(cè)試檢測(cè)的是________電流。5.測(cè)試向量的作用是向芯片輸入________并捕獲輸出。6.N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是________。7.封裝級(jí)測(cè)試使用的夾具稱為_(kāi)_______。8.芯片良率=（合格芯片數(shù)/________）×100%。9.晶圓級(jí)測(cè)試的簡(jiǎn)稱是________。10.測(cè)試程序的核心組成部分包括測(cè)試向量、測(cè)試序列和________。二、單項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.以下屬于晶圓級(jí)測(cè)試的是？A.老化測(cè)試B.探針測(cè)試C.成品測(cè)試D.機(jī)械振動(dòng)測(cè)試2.ATE的主要功能不包括？A.生成激勵(lì)信號(hào)B.捕獲輸出響應(yīng)C.芯片設(shè)計(jì)D.數(shù)據(jù)處理3.“合格芯片被判定為不合格”屬于？A.漏測(cè)B.過(guò)測(cè)C.失效D.良率低4.以下屬于直流參數(shù)測(cè)試的是？A.頻率響應(yīng)B.漏電流C.帶寬D.增益5.探針卡的主要作用是？A.固定晶圓B.傳遞電信號(hào)C.加熱芯片D.封裝芯片6.汽車電子芯片測(cè)試需符合的安全標(biāo)準(zhǔn)是？A.ISO26262B.IEC61508C.IEEE1149.1D.JEDEC7.芯片功能測(cè)試的核心是驗(yàn)證？A.設(shè)計(jì)功能B.封裝質(zhì)量C.壽命D.成本8.N型半導(dǎo)體摻雜的雜質(zhì)通常是？A.硼B(yǎng).磷C.鋁D.硅9.老化測(cè)試的應(yīng)力條件不包括？A.高溫B.高電壓C.機(jī)械振動(dòng)D.長(zhǎng)時(shí)間通電10.測(cè)試覆蓋率分為功能覆蓋率和？A.成本覆蓋率B.故障覆蓋率C.時(shí)間覆蓋率D.設(shè)備覆蓋率三、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.半導(dǎo)體測(cè)試的主要分類包括？A.晶圓級(jí)測(cè)試B.封裝級(jí)測(cè)試C.可靠性測(cè)試D.設(shè)計(jì)驗(yàn)證測(cè)試2.ATE的組成部分有？A.測(cè)試頭B.主控計(jì)算機(jī)C.探針臺(tái)D.測(cè)試程序3.芯片可靠性測(cè)試包括？A.溫度循環(huán)B.濕度測(cè)試C.老化測(cè)試D.機(jī)械振動(dòng)4.芯片直流參數(shù)測(cè)試包含？A.漏電流B.驅(qū)動(dòng)電流C.閾值電壓D.帶寬5.探針臺(tái)的功能有？A.晶圓定位B.探針卡控制C.溫度調(diào)節(jié)D.芯片封裝6.測(cè)試向量生成方法有？A.手動(dòng)編寫(xiě)B(tài).自動(dòng)工具C.設(shè)計(jì)文件轉(zhuǎn)換D.隨機(jī)生成7.芯片失效類型包括？A.功能失效B.參數(shù)失效C.可靠性失效D.設(shè)計(jì)失效8.測(cè)試程序優(yōu)化方向是？A.縮短時(shí)間B.降低成本C.提升覆蓋率D.增加測(cè)試項(xiàng)9.汽車電子芯片測(cè)試特殊要求是？A.高覆蓋率B.極端環(huán)境測(cè)試C.長(zhǎng)壽命驗(yàn)證D.功能安全測(cè)試10.晶圓級(jí)測(cè)試的目的是？A.篩選不合格晶圓B.避免封裝浪費(fèi)C.驗(yàn)證封裝質(zhì)量D.測(cè)試成品性能四、判斷題（每題2分，共20分）1.晶圓級(jí)測(cè)試在封裝后進(jìn)行。（×）2.ATE可用于數(shù)字和模擬芯片測(cè)試。（√）3.探針卡可重復(fù)使用。（√）4.測(cè)試覆蓋率越高越好。（×）5.老化測(cè)試能篩選所有缺陷。（×）6.P型半導(dǎo)體多數(shù)載流子是自由電子。（×）7.測(cè)試向量是測(cè)試程序核心。（√）8.IDDQ測(cè)試屬于交流參數(shù)測(cè)試。（×）9.封裝級(jí)測(cè)試使用測(cè)試座。（√）10.良率越高芯片質(zhì)量越好。（√）五、簡(jiǎn)答題（每題5分，共20分）1.簡(jiǎn)述晶圓級(jí)測(cè)試（WAT）與封裝級(jí)測(cè)試（FT）的區(qū)別。答案：WAT在封裝前進(jìn)行，用探針臺(tái)接觸晶圓芯片，篩選制造缺陷（如參數(shù)偏差），避免后續(xù)封裝浪費(fèi)；FT在封裝后進(jìn)行，用測(cè)試座連接成品，驗(yàn)證功能、參數(shù)及封裝可靠性（如焊接質(zhì)量）。WAT側(cè)重制造過(guò)程篩選，F(xiàn)T側(cè)重成品質(zhì)量確認(rèn)，工具（探針卡vs測(cè)試座）、環(huán)節(jié)（前vs后封裝）、目的略有差異。2.什么是測(cè)試覆蓋率？其重要性是什么？答案：測(cè)試覆蓋率是測(cè)試向量覆蓋芯片功能/故障的比例（分功能、故障覆蓋率）。重要性：①確保功能完全實(shí)現(xiàn)，避免漏測(cè)；②篩選潛在故障，提升可靠性；③平衡測(cè)試成本與質(zhì)量。不足易導(dǎo)致不良品流出，過(guò)高增加成本，需依應(yīng)用場(chǎng)景（如汽車電子需高覆蓋率）設(shè)定。3.芯片老化測(cè)試的原理及目的？答案：原理是通過(guò)高溫、高電壓加速潛在缺陷（如氧化層缺陷）失效，使早期失效芯片在測(cè)試階段被篩選。目的：①篩選早期失效品，提升MTBF；②驗(yàn)證極端環(huán)境可靠性；③評(píng)估制造工藝穩(wěn)定性。通常封裝后進(jìn)行，時(shí)間依需求調(diào)整（幾小時(shí)到幾天）。4.漏測(cè)與過(guò)測(cè)的區(qū)別及減少方法？答案：漏測(cè)是不合格品判合格（影響品牌），過(guò)測(cè)是合格品判不合格（浪費(fèi)成本）。減少方法：①優(yōu)化測(cè)試向量，提升覆蓋率；②校準(zhǔn)ATE/探針臺(tái)，確保精度；③關(guān)鍵功能冗余測(cè)試（平衡成本）；④分析歷史失效數(shù)據(jù)，優(yōu)化流程。六、討論題（每題5分，共10分）1.納米級(jí)芯片測(cè)試面臨哪些挑戰(zhàn)？如何應(yīng)對(duì)？答案：挑戰(zhàn)：①探針接觸精度要求納米級(jí)，易損傷晶圓；②高頻信號(hào)完整性問(wèn)題；③低功耗芯片IDDQ測(cè)試需pA級(jí)精度；④測(cè)試時(shí)間增加。應(yīng)對(duì)：①用高精度探針臺(tái)+垂直探針卡；②優(yōu)化ATE信號(hào)調(diào)理模塊；③用高靈敏度電流傳感器；④開(kāi)發(fā)并行測(cè)試技術(shù)；⑤AI優(yōu)化測(cè)試向量提升效率。2.汽車電子芯片測(cè)試的特殊要求及原因？答案：特殊要求：①99%以上故障覆蓋率；②極端環(huán)境（高低溫、振動(dòng)）測(cè)試；③長(zhǎng)壽命驗(yàn)證（10年以上）；④符合ISO26262功能安全測(cè)試；⑤關(guān)鍵功能冗余測(cè)試。原因：汽車電子直接影響駕駛安全，失效可能導(dǎo)致事故，需通過(guò)嚴(yán)格測(cè)試確保全工況穩(wěn)定可靠。---答案部分一、填空題1.AutomaticTestEquipment2.晶圓級(jí)3.早期失效4.靜態(tài)漏5.激勵(lì)信號(hào)6.自由電子7.測(cè)試座8.總測(cè)試芯片數(shù)9.WAT10.測(cè)試項(xiàng)二、單項(xiàng)選擇題1.B2.C3.B4.B5.B6.A7.A8.B9.C10