第1頁(yè)（共1頁(yè)）2026年高考化學(xué)模擬試卷重點(diǎn)知識(shí)題型匯編——晶胞的計(jì)算一．選擇題（共20小題）1．（2025?黑龍江二模）廣泛應(yīng)用于相控陣?yán)走_(dá)半導(dǎo)體材料氮化鎵有不同的晶型，其中六方氮化鎵和立方氮化鎵晶胞相互轉(zhuǎn)化關(guān)系如圖。已知立方氮化鎵的晶胞參數(shù)為apm。下列說(shuō)法正確的是（）A．六方氮化鎵中Ga和N的配位數(shù)均為4 B．立方氮化鎵中若B原子坐標(biāo)為(34，14C．立方氮化鎵中Ga和N的最小核間距為32apmD．六方氮化鎵和立方氮化鎵的化學(xué)式均為Ga6N62．（2025秋?泊頭市期中）砷化鎵（GaAs）是一種重要的半導(dǎo)體材料，可用于制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為anm。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A．基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為[Ar]3d104s24p1 B．該晶胞中2號(hào)As原子坐標(biāo)為(3C．晶體中每個(gè)Ga原子周?chē)?個(gè)緊鄰且等距的As原子 D．該晶體的密度d=3．（2025秋?南開(kāi)區(qū)校級(jí)月考）[Mg（NH3）6]Cl2的晶胞是立方體結(jié)構(gòu)，邊長(zhǎng)為anm，結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A．基態(tài)鎂原子的電子排布式為1s22s22p63s2 B．[Mg（NH3）6]Cl2中存在π鍵 C．[Mg（NH3）6]Cl2的配離子中Mg2+的配位數(shù)為6 D．晶胞中距離最近的兩個(gè)陽(yáng)離子間的距離為224．（2025秋?皇姑區(qū)校級(jí)月考）儲(chǔ)氫材料MgH2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，已知MgH2的摩爾質(zhì)量為Mg/mol，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說(shuō)法正確的是（）A．Mg2+（i）和Mg2+（i）之間的距離為a2B．晶體密度的計(jì)算式為2MNC．H的配位數(shù)為3 D．晶胞中含有2個(gè)H5．（2025?4月份模擬）一種鋰電池的正極材料為某種鐵的氧化物，晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示，該晶胞由如圖2所示的a、b兩種結(jié)構(gòu)單元組成，電池工作或充電時(shí)，Li+嵌入或脫嵌于晶胞棱心和體心。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A．Li+沒(méi)有嵌入時(shí)一個(gè)晶胞中Fe2+與Fe3+總數(shù)為24個(gè) B．Li+嵌入時(shí)，F(xiàn)e3+被還原為Fe2+ C．電池充電時(shí)，Li+嵌入到該鐵的氧化物中 D．Li+全部嵌入時(shí)，晶體中Fe2+數(shù)與Fe3+數(shù)之比為1：16．（2025?永州模擬）硒化鋅（ZnSe）是一種重要的半導(dǎo)體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，乙圖為該晶胞沿z軸方向在xy平面的投影，已知晶胞邊長(zhǎng)為apm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說(shuō)法正確的是（）A．Zn位于元素周期表的d區(qū) B．基態(tài)Se原子核外有18種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子 C．A點(diǎn)原子的坐標(biāo)為（0，0，0），則B點(diǎn)原子的坐標(biāo)為(1D．該晶體密度為(65+79)×47．（2025?西安校級(jí)模擬）二氧化鈰（CeO2）可作脫硝催化劑，其理想晶胞如圖甲所示。CeO2催化脫硝時(shí)，能在Ce4+和Ce3+之間改變氧化狀態(tài)，將NO氧化為NO2，并引起氧空位的形成，得到新的鈰氧化物（Ce8O15）。該催化脫硝時(shí)可能的變化如圖乙所示。下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是（）A．CeO2理想晶胞中，Ce4+的配位數(shù)為8 B．若CeO2理想晶胞邊長(zhǎng)為anm，則晶體密度為688a3NA×1C．Ce8O15中Ce4+和Ce3+個(gè)數(shù)比為3：1 D．每氧化標(biāo)準(zhǔn)狀況下11.2LNO氣體，則生成1molCe8O158．（2025?石家莊模擬）二氟化鉛（PbF2）晶體可用作紅外線(xiàn)分光材料。若用和來(lái)表示PbF2中的兩種離子，其中在立方晶胞中的位置如圖甲所示，晶胞中ACGE和BDHF的截面圖均如圖乙所示。已知晶胞參數(shù)為apm。NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A．表示Pb2+ B．Pb2+的配位數(shù)為6 C．Pb2+與F的最小間距為34D．晶體的密度為4×2459．（2025?湖北模擬）某銅鎵硫化物是一種具有廣泛應(yīng)用前景的半導(dǎo)體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A．第一電離能S＞Ga B．該化合物的化學(xué)式為CuGaS2 C．Cu+和S2﹣的配位數(shù)分別為4和6Ga D．Ga3+填充在S2﹣形成的正四面體空隙中10．（2025?漢中三模）鈣鈦礦型氧化物具有立方晶胞結(jié)構(gòu)，其中一種氧化物高溫超導(dǎo)陶瓷可通過(guò)多倍鈣鈦礦晶胞疊加而得，其晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示。已知，組成該多倍鈣鈦礦晶胞的金屬元素有Y（釔，Ⅲ）、Ba（Ⅱ）和Cu（Ⅱ、Ⅲ），晶胞參數(shù)分別是apm、apm、3apm，該物質(zhì)的摩爾質(zhì)量為Mg?mol﹣1，晶胞中P、Q原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為（0，0，0）和（1，1，1），阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列選項(xiàng)中錯(cuò)誤的是（）A．該晶體的化學(xué)式是YBa2Cu3O7 B．晶胞中的Cu（Ⅱ）和Cu（Ⅲ）個(gè)數(shù)比是1：2 C．M原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1D．該晶體的密度是ρ=11．（2024秋?遼寧期末）我國(guó)科學(xué)家成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽（N5）6（H3O）3（NH4）4Cl（用R代表），經(jīng)X射線(xiàn)衍射測(cè)得化合物R的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖所示。從結(jié)構(gòu)角度分析，R中兩種陽(yáng)離子不同之處為（）A．電子總數(shù) B．中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù) C．空間結(jié)構(gòu) D．共價(jià)鍵類(lèi)型12．（2025秋?大同期中）鋯（Zr）是重要的戰(zhàn)略金屬，可從其氧化物中提取。如圖是某種鋯的氧化物晶體的立方晶胞，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A．該氧化物的化學(xué)式為Zr2O B．晶胞中與Zr最近且距離相等的O有8個(gè) C．該氧化物的密度為492×10D．若p處Zr坐標(biāo)為(14，14，13．（2025秋?重慶期中）幾種常見(jiàn)物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，從左到右分別為氯化鈉、碘、金剛石和鈉，下列說(shuō)法不正確的是（）A．若氯化鈉晶體中Cl﹣之間的最近距離為apm，則氯化鈉晶胞的邊長(zhǎng)為22B．碘晶胞中I2分子有兩種不同的取向 C．若金剛石中C原子的半徑為cpm，則金剛石晶胞的體對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)度為8cpm D．鈉晶體中每個(gè)Na原子周?chē)?個(gè)緊鄰的Na原子14．（2025?晉中三模）我國(guó)科學(xué)家發(fā)明了一種成分為ZrO2的催化劑，用于二氧化碳加氫合成甲醇，其四方晶胞如圖所示，已知該晶胞參數(shù)為apm、apm、cpm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說(shuō)法正確的是（）A．Zr4+與O2﹣的配位數(shù)之比為1：2 B．該晶體的密度為4×91+8×16a2c×NA×1C．Zr4+與O2﹣的最短距離為34D．O2﹣填充在由Zr4+構(gòu)成的四面體空隙中15．（2025?蚌埠模擬）硼氫化鈉在室溫下是立方晶體，晶胞如圖甲所示。甲在一定條件下轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆骄w，晶胞結(jié)構(gòu)和晶胞參數(shù)如圖乙所示。下列說(shuō)法不正確的是（）A．甲圖硼氫化鈉的立方晶體中BH4-的配位數(shù)為B．硼氫化鈉四方晶體密度為1.52×10C．若A點(diǎn)的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0，0），B點(diǎn)的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1D．乙圖晶胞中A和B之間的距離為616．（2025秋?南寧期中）NbO的立方晶胞如圖，晶胞參數(shù)為anm，P的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0，0），下列說(shuō)法正確的是（）A．O的配位數(shù)是6 B．Nb和O的最短距離為a2C．晶體密度ρ=6×(93+16)D．M點(diǎn)的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(17．（2025秋?重慶月考）KIO3晶體具有鈣鈦礦型的立方結(jié)構(gòu)，其一種晶胞如圖所示，其中頂點(diǎn)為K，晶胞邊長(zhǎng)為apm，下列說(shuō)法不正確的是（）A．I和O之間最近的距離為12B．KIO3的另一種晶胞圖中，若I在頂點(diǎn)，則O在棱心 C．距離K最近的O有6個(gè) D．晶體密度ρ=39+127+48NA?18．（2025春?荔灣區(qū)校級(jí)月考）一種鈾的氧化物晶體結(jié)構(gòu)可描述為U與空位交替填充在由氧原子構(gòu)成的體積相等的立方體體心，形成如圖所示的結(jié)構(gòu)單元。該氧化物的立方晶胞的晶胞參數(shù)為anm，其最簡(jiǎn)式的式量為Mr，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法正確的是（）A．該氧化物的化學(xué)式為UO3 B．與U原子距離最近且相等的O原子有6個(gè) C．O原子與U原子最近的距離為34D．該晶體的密度為419．（2025?湖南一模）由Cs+和[PbBr6]4﹣組成的晶體屬于典型的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示，該立方晶胞的參數(shù)為apm，NA為阿伏加德羅常數(shù)，下列說(shuō)法正確的是（）A．該晶體的化學(xué)式為Cs4PbBr6 B．與Cs+距離最近且相等的Br﹣有8個(gè) C．該晶體的密度為ρ=580D．圖2所示的結(jié)構(gòu)，也是該晶體的一個(gè)晶胞20．（2025?全國(guó)三模）二氧化鈰（CeO2）氧載體具有良好的儲(chǔ)氧放氧能力，可用于甲烷化學(xué)鏈重整，其原理如圖所示。下列相關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A．通入CH4后CeO2被氧化 B．CeO2中O的配位數(shù)為4 C．圖示CeO2﹣x中n（Ce4+）：n（Ce3+）＝1：1 D．若CeO2中Ce、O最短距離為acm，則其密度為129

2026年高考化學(xué)模擬試卷重點(diǎn)知識(shí)題型匯編——答案一．選擇題（共20小題）題號(hào)1234567891011答案ADBCCDDBCBC題號(hào)121314151617181920答案AADBBCCDA一．選擇題（共20小題）1．（2025?黑龍江二模）廣泛應(yīng)用于相控陣?yán)走_(dá)半導(dǎo)體材料氮化鎵有不同的晶型，其中六方氮化鎵和立方氮化鎵晶胞相互轉(zhuǎn)化關(guān)系如圖。已知立方氮化鎵的晶胞參數(shù)為apm。下列說(shuō)法正確的是（）A．六方氮化鎵中Ga和N的配位數(shù)均為4 B．立方氮化鎵中若B原子坐標(biāo)為(34，14C．立方氮化鎵中Ga和N的最小核間距為32apmD．六方氮化鎵和立方氮化鎵的化學(xué)式均為Ga6N6【答案】A【分析】A．在六方氮化鎵結(jié)構(gòu)中，Ga和N均采取sp3雜化，形成四面體配位，每個(gè)原子周?chē)?個(gè)相鄰的異種原子；B．在立方氮化鎵中，若B原子坐標(biāo)為（34，14，14C．立方氮化鎵中Ga和N的最小核間距為四面體空隙原子與頂點(diǎn)原子的距離，即體對(duì)角線(xiàn)的14D．晶體化學(xué)式需化簡(jiǎn)呈最簡(jiǎn)整數(shù)比，六方和立方氮化鎵中Ga與N的個(gè)數(shù)比均為1：1。【解答】解：A．在六方氮化鎵結(jié)構(gòu)中，Ga和N均采取sp3雜化，形成四面體配位，每個(gè)原子周?chē)?個(gè)相鄰的異種原子，因此Ga和N的配位數(shù)均為4，故A正確；B．在立方氮化鎵中，若B原子坐標(biāo)為（34，14，14），A原子若為面心立方格子的頂點(diǎn)原子，坐標(biāo)應(yīng)為（0，0，0C．立方氮化鎵中Ga和N的最小核間距為四面體空隙原子與頂點(diǎn)原子的距離，即體對(duì)角線(xiàn)的14，其距離為34apm，而不是32D．六方和立方氮化鎵中Ga與N的個(gè)數(shù)比均為1：1，故它們的化學(xué)式應(yīng)為GaN，故D錯(cuò)誤；故選：A?！军c(diǎn)評(píng)】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查基礎(chǔ)知識(shí)的掌握情況，試題難度中等。2．（2025秋?泊頭市期中）砷化鎵（GaAs）是一種重要的半導(dǎo)體材料，可用于制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為anm。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A．基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為[Ar]3d104s24p1 B．該晶胞中2號(hào)As原子坐標(biāo)為(3C．晶體中每個(gè)Ga原子周?chē)?個(gè)緊鄰且等距的As原子 D．該晶體的密度d=【答案】D【分析】A．Ga位第四周期第IIIA族；B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，以晶胞的一個(gè)頂點(diǎn)為原點(diǎn)建立空間直角坐標(biāo)系，2號(hào)As原子位于晶胞體對(duì)角線(xiàn)的34C．晶體中每個(gè)As原子周?chē)?個(gè)緊鄰且等距的Ga原子；D．根據(jù)均攤法，該晶胞中As原子個(gè)數(shù)為4（位于晶胞內(nèi)），Ga原子個(gè)數(shù)為8×18+6×12=4，則晶胞中共含4【解答】解：A．Ga位第四周期第IIIA族，基態(tài)原子核外電子排布式為[Ar]3d104s24p1，故A正確；B．以晶胞的一個(gè)頂點(diǎn)為原點(diǎn)建立空間直角坐標(biāo)系，2號(hào)As原子位于晶胞體對(duì)角線(xiàn)的34處，故2號(hào)As原子坐標(biāo)為(34C．晶體中每個(gè)As原子周?chē)?個(gè)緊鄰且等距的Ga原子，由于GaAs中兩原子配位數(shù)相等，故每個(gè)Ga原子周?chē)?個(gè)緊鄰且等距的As原子，故C正確；D．根據(jù)均攤法，該晶胞中As原子個(gè)數(shù)為4，Ga原子個(gè)數(shù)為8×18+6×12=4，則晶胞中共含4個(gè)As原子和4故選：D?！军c(diǎn)評(píng)】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。3．（2025秋?南開(kāi)區(qū)校級(jí)月考）[Mg（NH3）6]Cl2的晶胞是立方體結(jié)構(gòu)，邊長(zhǎng)為anm，結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A．基態(tài)鎂原子的電子排布式為1s22s22p63s2 B．[Mg（NH3）6]Cl2中存在π鍵 C．[Mg（NH3）6]Cl2的配離子中Mg2+的配位數(shù)為6 D．晶胞中距離最近的兩個(gè)陽(yáng)離子間的距離為22【答案】B【分析】A．Mg原子核外有12個(gè)電子，根據(jù)能量最低原理書(shū)寫(xiě)核外電子排布式；B．Mg2+與NH3之間形成配位鍵，NH3中原子之間形成共價(jià)鍵，[Mg（NH3）6]2+與Cl﹣之間形成離子鍵；C．Mg2+與6個(gè)NH3之間形成配位鍵；D．面心與頂角的2個(gè)陽(yáng)離子之間距離最近，二者距離等于面對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)度的12【解答】解：A．Mg原子核外有12個(gè)電子，根據(jù)能量最低原理，可知基態(tài)鎂原子的電子排布式為1s22s22p63s2，故A正確；B．Mg2+與NH3之間形成配位鍵，NH3中原子之間形成共價(jià)鍵，[Mg（NH3）6]2+與Cl﹣之間形成離子鍵，[Mg（NH3）6]Cl2中不存在π鍵，故B錯(cuò)誤；C．Mg2+與6個(gè)NH3之間形成配位鍵，配離子中Mg2+的配位數(shù)為6，故C正確；D．面心與頂角的2個(gè)陽(yáng)離子之間距離最近，二者距離等于面對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)度的12，晶胞中距離最近的兩個(gè)陽(yáng)離子間的距離為12×2anm=故選：B。【點(diǎn)評(píng)】本題考查晶胞計(jì)算與結(jié)構(gòu)、化學(xué)鍵、核外電子排布等，需要學(xué)生具備扎實(shí)的基礎(chǔ)、一定的數(shù)學(xué)計(jì)算能力試題難度中等。4．（2025秋?皇姑區(qū)校級(jí)月考）儲(chǔ)氫材料MgH2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，已知MgH2的摩爾質(zhì)量為Mg/mol，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說(shuō)法正確的是（）A．Mg2+（i）和Mg2+（i）之間的距離為a2B．晶體密度的計(jì)算式為2MNC．H的配位數(shù)為3 D．晶胞中含有2個(gè)H【答案】C【分析】A．Mg2+（i）和Mg2+（ii）之間的距離等于晶胞體對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)度的一半，結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)，體對(duì)角線(xiàn)為2a2B．該晶胞的體積為a2c×10﹣21cm3，Mg2+的個(gè)數(shù)為2，H﹣的個(gè)數(shù)為4×12+2＝4，一個(gè)晶胞中含有2個(gè)MgH2，晶體密度為C．由晶胞結(jié)構(gòu)，與H﹣距離最近且等距離的Mg2+的個(gè)數(shù)是3；D．H位于晶胞的面心，該晶胞中H﹣的個(gè)數(shù)為4×12+2【解答】解：A．Mg2+（i）和Mg2+（ii）之間的距離等于晶胞體對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)度的一半，結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)，體對(duì)角線(xiàn)為2a2+c2nm，Mg2+（i）和Mg2+（ii）之間的距離為B．該晶胞的體積為a2c×10﹣21cm3，Mg2+的個(gè)數(shù)為2，H+的個(gè)數(shù)為4×12+2＝4，一個(gè)晶胞中含有2個(gè)MgH2，故晶體密度為ρ=mV=2MC．由晶胞結(jié)構(gòu)，與H﹣距離最近且等距離的Mg2+的個(gè)數(shù)是3，則H﹣的配位數(shù)為3，故C正確；D．H位于晶胞的面和體內(nèi)，該晶胞中H﹣的個(gè)數(shù)為4×12+2＝4故選：C。【點(diǎn)評(píng)】本題考查晶胞的計(jì)算，側(cè)重考查圖象分析判斷、空間想象能力和計(jì)算能力，明確離子在晶胞中的位置、晶胞密度的計(jì)算方法是解本題關(guān)鍵，注意單位的換算，題目難度不大。5．（2025?4月份模擬）一種鋰電池的正極材料為某種鐵的氧化物，晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示，該晶胞由如圖2所示的a、b兩種結(jié)構(gòu)單元組成，電池工作或充電時(shí)，Li+嵌入或脫嵌于晶胞棱心和體心。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A．Li+沒(méi)有嵌入時(shí)一個(gè)晶胞中Fe2+與Fe3+總數(shù)為24個(gè) B．Li+嵌入時(shí)，F(xiàn)e3+被還原為Fe2+ C．電池充電時(shí)，Li+嵌入到該鐵的氧化物中 D．Li+全部嵌入時(shí)，晶體中Fe2+數(shù)與Fe3+數(shù)之比為1：1【答案】C【分析】A．均攤法計(jì)算a、b結(jié)構(gòu)單元中Fe2+、Fe3+數(shù)目，而晶胞圖1含有4個(gè)a結(jié)構(gòu)單元、4個(gè)b結(jié)構(gòu)單元；B．根據(jù)化合價(jià)代數(shù)和為0，可知晶胞中陽(yáng)離子所帶電荷總數(shù)不變，Li+嵌入晶胞棱心和體心，F(xiàn)e3+被還原；C．電池充電時(shí)，正極失去電子；D．計(jì)算圖1晶胞中Fe2+、Fe3+各自數(shù)目，Li+嵌入晶胞棱心和體心，一個(gè)晶胞中最多含有（1+12×14）＝4個(gè)Li+，最多有4個(gè)Fe3+被還原為Fe2+，進(jìn)而計(jì)算Fe2+、Fe【解答】解：A．晶胞圖1含有4個(gè)a結(jié)構(gòu)單元、4個(gè)b結(jié)構(gòu)單元，則個(gè)晶胞含有Fe3+數(shù)目為4×4＝16，含有Fe2+數(shù)目為（4×18+4×18+1）×4＝8，Li+沒(méi)有嵌入時(shí)一個(gè)晶胞中Fe2+與Fe3+總數(shù)為16+8B．Li+嵌入晶胞棱心和體心，一個(gè)晶胞中最多含有（1+12×14）＝4個(gè)Li+，而1個(gè)晶胞含有16個(gè)Fe3+數(shù)、8個(gè)Fe2+，根據(jù)化合價(jià)代數(shù)和為0，可知晶胞中陽(yáng)離子所帶電荷總數(shù)不變，則最多有4個(gè)Fe3+被還原為Fe2+，故C．電池充電時(shí)，正極失去電子，所以L(fǎng)i+從鐵的氧化物中脫嵌出來(lái)，故C錯(cuò)誤；D．由A計(jì)算可知，Li+沒(méi)有嵌入時(shí)一個(gè)晶胞含有8個(gè)Fe2+、16個(gè)Fe3+，Li+全部嵌入時(shí)，一個(gè)晶胞中最多含有（1+12×14）＝4個(gè)Li+，則有4個(gè)Fe3+被還原為Fe2+，Li+全部嵌入時(shí)，晶體中Fe2+數(shù)與Fe3+數(shù)之比為（16﹣4）：（8+4）＝1：1，故故選：C?！军c(diǎn)評(píng)】本題考查晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算，理解原電池與電解池工作原理，掌握均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計(jì)算，需要學(xué)生具備扎實(shí)的基礎(chǔ)、一定的空間想象能力以及綜合運(yùn)用知識(shí)的能力。6．（2025?永州模擬）硒化鋅（ZnSe）是一種重要的半導(dǎo)體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，乙圖為該晶胞沿z軸方向在xy平面的投影，已知晶胞邊長(zhǎng)為apm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說(shuō)法正確的是（）A．Zn位于元素周期表的d區(qū) B．基態(tài)Se原子核外有18種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子 C．A點(diǎn)原子的坐標(biāo)為（0，0，0），則B點(diǎn)原子的坐標(biāo)為(1D．該晶體密度為(65+79)×4【答案】D【分析】A．Zn的原子序數(shù)為30，核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s2；B．基態(tài)Se原子核外有34個(gè)電子，每個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)都不同；C．A點(diǎn)原子的坐標(biāo)為（0，0，0），結(jié)合由晶胞的結(jié)構(gòu)圖分析；D．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，Zn原子位于晶胞內(nèi)部，個(gè)數(shù)為4，Se原子位于頂點(diǎn)和面心。【解答】解：A．Zn的原子序數(shù)為30，核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s2，位于元素周期表的ds區(qū)，故A錯(cuò)誤；B．基態(tài)Se原子核外有34個(gè)電子，每個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)都不同，所以有34種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子，故B錯(cuò)誤；C．由晶胞的結(jié)構(gòu)圖和圖乙可知若A點(diǎn)原子的坐標(biāo)為（0，0，0），則B點(diǎn)原子的坐標(biāo)為(14，D．均攤：計(jì)算晶胞中的微粒數(shù)目：頂點(diǎn)位置：處于頂點(diǎn)的微粒被8個(gè)晶胞共享，每個(gè)晶胞分?jǐn)偟桨朔种?；棱上位置：處于棱上的微粒?個(gè)晶胞共享，每個(gè)晶胞分?jǐn)偟剿姆种?；面上位置：處于面上的微粒?個(gè)晶胞共享，每個(gè)晶胞分?jǐn)偟蕉种?；?nèi)部位置：處于晶胞內(nèi)部的微粒完全屬于該晶胞，由晶胞結(jié)構(gòu)可知，Zn原子位于晶胞內(nèi)部，個(gè)數(shù)為4，Se原子位于頂點(diǎn)和面心，個(gè)數(shù)為8×18+6×12=4，則晶胞的質(zhì)量為(65+79)×4NAg，晶胞邊長(zhǎng)為apm＝a×10﹣10cm，晶胞體積為（a×10﹣10故選：D。【點(diǎn)評(píng)】本題主要考查晶胞的計(jì)算等，注意完成此題，可以從題干中抽取有用的信息，結(jié)合已有的知識(shí)進(jìn)行解題。7．（2025?西安校級(jí)模擬）二氧化鈰（CeO2）可作脫硝催化劑，其理想晶胞如圖甲所示。CeO2催化脫硝時(shí)，能在Ce4+和Ce3+之間改變氧化狀態(tài)，將NO氧化為NO2，并引起氧空位的形成，得到新的鈰氧化物（Ce8O15）。該催化脫硝時(shí)可能的變化如圖乙所示。下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是（）A．CeO2理想晶胞中，Ce4+的配位數(shù)為8 B．若CeO2理想晶胞邊長(zhǎng)為anm，則晶體密度為688a3NA×1C．Ce8O15中Ce4+和Ce3+個(gè)數(shù)比為3：1 D．每氧化標(biāo)準(zhǔn)狀況下11.2LNO氣體，則生成1molCe8O15【答案】D【分析】A．根據(jù)CeO2理想晶胞圖，與Ce4+距離最近且相等的O2﹣數(shù)為8；B．根據(jù)均攤原則，CeO2理想晶胞中含有Ce4+個(gè)數(shù)為8×18+6×12=4C．Ce8O15中Ce4+和Ce3+個(gè)數(shù)分別為x和8﹣x，則4x+3（8﹣x）＝30，x＝6；D．根據(jù)Ce元素守恒8CeO2～Ce8O15，生成1molCe8O15提供1molO原子，NO氧化為NO2。【解答】解：A．根據(jù)二氧化鈰理想晶胞圖，與Ce4+距離最近且相等的O2﹣數(shù)為8，Ce4+的配位數(shù)為8，故A正確；B．均攤：計(jì)算晶胞中的微粒數(shù)目：頂點(diǎn)位置：處于頂點(diǎn)的微粒被8個(gè)晶胞共享，每個(gè)晶胞分?jǐn)偟桨朔种?；棱上位置：處于棱上的微粒?個(gè)晶胞共享，每個(gè)晶胞分?jǐn)偟剿姆种?；面上位置：處于面上的微粒?個(gè)晶胞共享，每個(gè)晶胞分?jǐn)偟蕉种?；?nèi)部位置：處于晶胞內(nèi)部的微粒完全屬于該晶胞，CeO2理想晶胞中含有Ce4+個(gè)數(shù)為8×18+6×12=4、O2﹣個(gè)數(shù)為8，若二氧化鈰理想晶胞邊長(zhǎng)為anm，則晶體密度為C．Ce8O15中Ce4+和Ce3+個(gè)數(shù)分別為x和8﹣x，則4x+3（8﹣x）＝30，x＝6，Ce4+和Ce3+個(gè)數(shù)比為3：1，故C正確；D．根據(jù)Ce元素守恒8CeO2～Ce8O15，生成1molCe8O15提供1molO原子，NO氧化為NO2，每氧化標(biāo)準(zhǔn)狀況下11.2LNO氣體，需要0.5molO原子，所以生成0.5molCe8O15，故D錯(cuò)誤；故選：D。【點(diǎn)評(píng)】本題主要考查晶胞的計(jì)算等，注意完成此題，可以從題干中抽取有用的信息，結(jié)合已有的知識(shí)進(jìn)行解題。8．（2025?石家莊模擬）二氟化鉛（PbF2）晶體可用作紅外線(xiàn)分光材料。若用和來(lái)表示PbF2中的兩種離子，其中在立方晶胞中的位置如圖甲所示，晶胞中ACGE和BDHF的截面圖均如圖乙所示。已知晶胞參數(shù)為apm。NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A．表示Pb2+ B．Pb2+的配位數(shù)為6 C．Pb2+與F的最小間距為34D．晶體的密度為4×245【答案】B【分析】A．晶胞中的數(shù)目為8，的數(shù)目為8×18+6×1B．以上面的面心為例，距離Pb2+最近的F﹣下面有4個(gè)，上面有4個(gè)；C．Pb2+與F﹣的最小間距為體對(duì)角線(xiàn)的14D．晶胞的質(zhì)量為4×245NAg，晶胞的體積為a3×10﹣30cm3，代入公式ρ【解答】解：A．晶胞中的數(shù)目為8，的數(shù)目為8×18+6×12=4，則表示Pb2+B．以上面的面心為例，距離Pb2+最近的F﹣下面有4個(gè)，上面有4個(gè)，因此Pb2+的配位數(shù)為8，故B錯(cuò)誤；C．Pb2+與F﹣的最小間距為體對(duì)角線(xiàn)的14，為34apmD．晶胞的質(zhì)量為4×245NAg，晶胞的體積為a3×10﹣30cm3，則晶胞的密度ρ=m故選：B?！军c(diǎn)評(píng)】本題主要考查晶胞的計(jì)算，為高頻考點(diǎn)，題目難度一般。9．（2025?湖北模擬）某銅鎵硫化物是一種具有廣泛應(yīng)用前景的半導(dǎo)體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A．第一電離能S＞Ga B．該化合物的化學(xué)式為CuGaS2 C．Cu+和S2﹣的配位數(shù)分別為4和6Ga D．Ga3+填充在S2﹣形成的正四面體空隙中【答案】C【分析】A．S是非金屬元素，而Ga是活潑金屬元素；B．均攤法計(jì)算晶胞中Cu、Ga、S原子數(shù)目，進(jìn)而確定化學(xué)式；C．體心的Cu+周?chē)?個(gè)S2﹣，體內(nèi)的每個(gè)S2﹣周?chē)?個(gè)Cu+和2個(gè)Ca3+；D．Ga3+周?chē)?個(gè)S2﹣形成的正四面體?！窘獯稹拷猓篈．S是非金屬元素，而Ga是活潑金屬元素，所以第一電離能：S＞Ga，故A正確；B．晶胞中，Cu原子數(shù)目為1+8×18+4×12=4，Ga原子數(shù)目為6×12+4×14=4，S原子數(shù)目為8C．體心的Cu+周?chē)?個(gè)S2﹣，體內(nèi)的每個(gè)S2﹣周?chē)?個(gè)Cu+和2個(gè)Ca3+，因此Cu+和S2﹣的配位數(shù)都為4，故C錯(cuò)誤；D．Ga3+周?chē)?個(gè)S2﹣形成的正四面體，Ga3+填充在S2﹣形成的正四面體空隙中，故D正確；故選：C。【點(diǎn)評(píng)】本題考查晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算，掌握均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計(jì)算，需要學(xué)生具備扎實(shí)的基礎(chǔ)，題目側(cè)重考查學(xué)生分析能力以及對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)的掌握情況。10．（2025?漢中三模）鈣鈦礦型氧化物具有立方晶胞結(jié)構(gòu)，其中一種氧化物高溫超導(dǎo)陶瓷可通過(guò)多倍鈣鈦礦晶胞疊加而得，其晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示。已知，組成該多倍鈣鈦礦晶胞的金屬元素有Y（釔，Ⅲ）、Ba（Ⅱ）和Cu（Ⅱ、Ⅲ），晶胞參數(shù)分別是apm、apm、3apm，該物質(zhì)的摩爾質(zhì)量為Mg?mol﹣1，晶胞中P、Q原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為（0，0，0）和（1，1，1），阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列選項(xiàng)中錯(cuò)誤的是（）A．該晶體的化學(xué)式是YBa2Cu3O7 B．晶胞中的Cu（Ⅱ）和Cu（Ⅲ）個(gè)數(shù)比是1：2 C．M原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1D．該晶體的密度是ρ=【答案】B【分析】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，利用均攤法計(jì)算原子個(gè)數(shù)：Y原子位于晶胞內(nèi)部，個(gè)數(shù)為1；Ba原子位于晶胞內(nèi)部，個(gè)數(shù)為2；B．設(shè)Cu（Ⅱ）為x，Cu（Ⅲ）為y，x+y＝3，總正電荷3+2×2+2x+3y＝14，解得x＝2，y＝1；C．M原子在x、y方向?yàn)榫О行模?2，12），D．晶胞體積為V＝（a×10﹣10cm）×（a×10﹣10cm）×（3a×10﹣10cm）＝3a3×10﹣30cm3，結(jié)合密度的計(jì)算式分析?！窘獯稹拷猓篈．均攤：計(jì)算晶胞中的微粒數(shù)目：頂點(diǎn)位置：處于頂點(diǎn)的微粒被8個(gè)晶胞共享，每個(gè)晶胞分?jǐn)偟桨朔种唬焕馍衔恢茫禾幱诶馍系奈⒘１?個(gè)晶胞共享，每個(gè)晶胞分?jǐn)偟剿姆种唬幻嫔衔恢茫禾幱诿嫔系奈⒘１?個(gè)晶胞共享，每個(gè)晶胞分?jǐn)偟蕉种唬粌?nèi)部位置：處于晶胞內(nèi)部的微粒完全屬于該晶胞，由晶胞結(jié)構(gòu)可知，利用均攤法計(jì)算原子個(gè)數(shù)：Y原子位于晶胞內(nèi)部，個(gè)數(shù)為1；Ba原子位于晶胞內(nèi)部，個(gè)數(shù)為2；Cu原子位于晶胞頂點(diǎn)和棱上，個(gè)數(shù)為8×14+8×18=3；O原子個(gè)數(shù)：晶胞中棱上、面上的O原子，通過(guò)均攤法計(jì)算可得O原子個(gè)數(shù)為12×14B．設(shè)Cu（Ⅱ）為x，Cu（Ⅲ）為y，x+y＝3，總正電荷3+2×2+2x+3y＝14，解得x＝2，y＝1，所以晶胞中的Cu（II）和Cu（Ⅲ）個(gè)數(shù)比是2：1，故B錯(cuò)誤；C．M原子在x、y方向?yàn)榫О行模?2，12），z方向?qū)嶋H坐標(biāo)為2.5apm，分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為2.5a3aD．晶胞體積為V＝（a×10﹣10cm）×（a×10﹣10cm）×（3a×10﹣10cm）＝3a3×10﹣30cm3，密度ρ=MNA故選：B?！军c(diǎn)評(píng)】本題主要考查晶胞的計(jì)算等，注意完成此題，可以從題干中抽取有用的信息，結(jié)合已有的知識(shí)進(jìn)行解題。11．（2024秋?遼寧期末）我國(guó)科學(xué)家成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽（N5）6（H3O）3（NH4）4Cl（用R代表），經(jīng)X射線(xiàn)衍射測(cè)得化合物R的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖所示。從結(jié)構(gòu)角度分析，R中兩種陽(yáng)離子不同之處為（）A．電子總數(shù) B．中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù) C．空間結(jié)構(gòu) D．共價(jià)鍵類(lèi)型【答案】C【分析】R中兩種陽(yáng)離子分別是H3O+和NH4【解答】解：A．H3O+和NH4+均含有10個(gè)電子，故B．H3O+的中心原子O的價(jià)電子對(duì)數(shù)為3+6-1-1×32=3+1＝4，NH4+的中心原子N的價(jià)電子對(duì)數(shù)為4+5-1-1×4C．NH4+的中心原子N的價(jià)電子對(duì)數(shù)為4+5-1-1×42=4+0＝4，采取sp3雜化，無(wú)孤電子對(duì)，其空間構(gòu)型為正四面體形，H3O+的中心原子O的價(jià)電子對(duì)數(shù)為4，采取sp3雜化，含有1D．H3O+和NH4+都含有極性共價(jià)鍵，故故選：C。【點(diǎn)評(píng)】本題主要考查晶胞的計(jì)算等，注意完成此題，可以從題干中抽取有用的信息，結(jié)合已有的知識(shí)進(jìn)行解題。12．（2025秋?大同期中）鋯（Zr）是重要的戰(zhàn)略金屬，可從其氧化物中提取。如圖是某種鋯的氧化物晶體的立方晶胞，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A．該氧化物的化學(xué)式為Zr2O B．晶胞中與Zr最近且距離相等的O有8個(gè) C．該氧化物的密度為492×10D．若p處Zr坐標(biāo)為(14，14，【答案】A【分析】A．根據(jù)均攤法，晶胞中O的數(shù)目為8×18+6×12+12×14B．由晶胞的結(jié)構(gòu)可知，晶胞中Zr與O的配位數(shù)分別為8和4；C．晶胞的質(zhì)量為4×(91+32)NAg=492NAg，晶胞的體積為a3×10﹣30cmD．若p處Zr坐標(biāo)為(14，14，1【解答】解：A．根據(jù)均攤法，晶胞中O的數(shù)目為8×18+6×12+12×14+1＝8，B．由晶胞的結(jié)構(gòu)可知，晶胞中與Zr最近且距離相等的O有8個(gè)，故B正確；C．晶胞的質(zhì)量為4×(91+32)NAg=492NAg，晶胞的體積為a3×10﹣30cm3，晶胞的密度為ρ=mV=D．若p處Zr坐標(biāo)為(14，14，14)故選：A?！军c(diǎn)評(píng)】本題主要考查晶胞的計(jì)算，為高頻考點(diǎn)，題目難度不大。13．（2025秋?重慶期中）幾種常見(jiàn)物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，從左到右分別為氯化鈉、碘、金剛石和鈉，下列說(shuō)法不正確的是（）A．若氯化鈉晶體中Cl﹣之間的最近距離為apm，則氯化鈉晶胞的邊長(zhǎng)為22B．碘晶胞中I2分子有兩種不同的取向 C．若金剛石中C原子的半徑為cpm，則金剛石晶胞的體對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)度為8cpm D．鈉晶體中每個(gè)Na原子周?chē)?個(gè)緊鄰的Na原子【答案】A【分析】A．左1不是NaCl的晶胞，是18晶胞，晶胞邊長(zhǎng)等于圖中邊長(zhǎng)的2B．由圖可知，上、下面心及前、后面心的分子取向相同，其它分子的取向相同；C．由幾何知識(shí)可知，晶胞體對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)度等于最近的2個(gè)碳原子之間距離的4倍；D．以體心Na原子分析，其周?chē)?個(gè)鈉原子。【解答】解：A．左1不是NaCl的晶胞，是18晶胞，Cl﹣之間的最近距離為apm，則氯化鈉晶胞的邊長(zhǎng)為2×22apm=2B．由圖可知，上、下面心及前、后面心的分子取向相同，其它分子的取向相同，晶胞中I2分子有兩種不同的取向，故B正確；C．由幾何知識(shí)可知，晶胞體對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)度等于最近的2個(gè)碳原子之間距離的4倍，最近的碳原子緊密相鄰，C原子的半徑為cpm，則金剛石晶胞的體對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)度為2cpm×4＝8cpm，故C正確；D．以體心Na原子分析，其周?chē)o鄰的鈉原子位于頂角，每個(gè)Na原子周?chē)?個(gè)緊鄰的Na原子，故D正確；故選：A?！军c(diǎn)評(píng)】本題考查晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算，熟記中學(xué)常見(jiàn)晶胞結(jié)構(gòu)，需要學(xué)生具備一定的空間想象能力、數(shù)學(xué)計(jì)算能力。14．（2025?晉中三模）我國(guó)科學(xué)家發(fā)明了一種成分為ZrO2的催化劑，用于二氧化碳加氫合成甲醇，其四方晶胞如圖所示，已知該晶胞參數(shù)為apm、apm、cpm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說(shuō)法正確的是（）A．Zr4+與O2﹣的配位數(shù)之比為1：2 B．該晶體的密度為4×91+8×16a2c×NA×1C．Zr4+與O2﹣的最短距離為34D．O2﹣填充在由Zr4+構(gòu)成的四面體空隙中【答案】D【分析】A．白球位于頂點(diǎn)和面心，個(gè)數(shù)為8×18+6×12=4，8個(gè)黑球位于體內(nèi)，根據(jù)化學(xué)式ZrO2可知，白球?yàn)閆r4+，黑球?yàn)镺2﹣，由圖可知，距O2﹣?zhàn)罱腪r4+有4個(gè)，則O的配位數(shù)為4，與面心的Zr4+最近的O2﹣有4個(gè)，面心的原子為2個(gè)晶胞共有，則距面心的Zr4+最近的O2﹣有8B．晶胞質(zhì)量為4×91+8×16NAg，晶胞體積為a2c×10﹣30cm3，根據(jù)ρC．Zr4+與O2﹣的最短距離為體對(duì)角線(xiàn)的14D．頂點(diǎn)的Zr4+與相鄰面心的3個(gè)Zr4+構(gòu)成四面體。【解答】解：A．白球位于頂點(diǎn)和面心，個(gè)數(shù)為8×18+6×12=4，8個(gè)黑球位于體內(nèi)，根據(jù)化學(xué)式ZrO2可知，白球?yàn)閆r4+，黑球?yàn)镺2﹣，由圖可知，距O2﹣?zhàn)罱腪r4+有4個(gè)，則O的配位數(shù)為4，與面心的Zr4+最近的O2﹣有4個(gè)，面心的原子為2個(gè)晶胞共有，則距面心的Zr4+最近的O2﹣有8個(gè)，即Zr4+的配位數(shù)為8，Ze4+與O2+的配位數(shù)之比為B．晶胞質(zhì)量為4×91+8×16NAg，晶胞體積為a2c×10﹣30cm3，晶體密度ρ=mV=4×91+8×16NAC．Zr4+與O2﹣的最短距離為體對(duì)角線(xiàn)的14，即為c2+2aD．頂點(diǎn)的Zr4+與相鄰面心的3個(gè)Zr4+構(gòu)成四面體，O2﹣位于四面體的體心，故D正確；故選：D?！军c(diǎn)評(píng)】本題考查晶胞計(jì)算，掌握均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計(jì)算，側(cè)重學(xué)生識(shí)圖、空間想象和分心能力，題目難度中等。15．（2025?蚌埠模擬）硼氫化鈉在室溫下是立方晶體，晶胞如圖甲所示。甲在一定條件下轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆骄w，晶胞結(jié)構(gòu)和晶胞參數(shù)如圖乙所示。下列說(shuō)法不正確的是（）A．甲圖硼氫化鈉的立方晶體中BH4-的配位數(shù)為B．硼氫化鈉四方晶體密度為1.52×10C．若A點(diǎn)的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0，0），B點(diǎn)的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1D．乙圖晶胞中A和B之間的距離為6【答案】B【分析】A．由甲圖可知，Na+位于BH4B．由圖乙可知，BH4-位于頂點(diǎn)、面上和體心，個(gè)數(shù)為8×18+4×12+1＝4，Na+位于面上和棱上，個(gè)數(shù)為6×12+4×14=4，晶胞質(zhì)量為4×(23+15)C．由圖乙可知，B點(diǎn)位于體心；D．設(shè)底面的面心為C，則A和B之間的距離為AC【解答】解：A．由甲圖可知，Na+位于BH4-的上下左右前后，即有6個(gè)，配位數(shù)為6，故B．由圖乙可知，BH4-位于頂點(diǎn)、面上和體心，個(gè)數(shù)為8×18+4×12+1＝4，Na+位于面上和棱上，個(gè)數(shù)為6×12+4×14=4，晶胞質(zhì)量為4×(23+15)NAg，晶胞體積為2a3×10﹣21cm3，晶體密度C．由圖乙可知，B點(diǎn)位于體心，若A點(diǎn)的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0，0），則B點(diǎn)的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(12，D．由圖乙可知，設(shè)底面的面心為C，則A和B之間的距離為AC2+BC2，AC=22anm，BC＝anm，則A和B之間的距離為故選：B?！军c(diǎn)評(píng)】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，題目難度中等。16．（2025秋?南寧期中）NbO的立方晶胞如圖，晶胞參數(shù)為anm，P的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0，0），下列說(shuō)法正確的是（）A．O的配位數(shù)是6 B．Nb和O的最短距離為a2C．晶體密度ρ=6×(93+16)D．M點(diǎn)的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(【答案】B【分析】A．由圖可知，距棱心的O最近的Nb位于面心；B．由圖可知，Nb和O的最短距離為邊長(zhǎng)的一半；C．O位于棱心，個(gè)數(shù)為12×14=3，O位于面心，個(gè)數(shù)為6×12=3，晶胞質(zhì)量為3×(16+93)NAg，晶胞體積為a3×10D．M位于上底面的面心?！窘獯稹拷猓篈．由圖可知，距棱心的O最近的Nb位于面心，棱心的原子為4個(gè)晶胞共有，故O的配位數(shù)為4，故A錯(cuò)誤；B．由圖可知，Nb和O的最短距離為邊長(zhǎng)的一半，即為a2nm，故BC．O位于棱心，個(gè)數(shù)為12×14=3，O位于面心，個(gè)數(shù)為6×12=3，晶胞質(zhì)量為3×(16+93)NAg，晶胞體積為a3×10﹣21cm3，晶體密度ρ=mV=3×(16+93)NAD．M位于上底面的面心，P的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0，0），則M點(diǎn)的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（12，12，12故選：B?！军c(diǎn)評(píng)】本題考查晶胞計(jì)算，掌握均攤法和晶胞結(jié)構(gòu)是關(guān)鍵，側(cè)重考查學(xué)生的識(shí)圖和計(jì)算能力，題目難度中等。17．（2025秋?重慶月考）KIO3晶體具有鈣鈦礦型的立方結(jié)構(gòu)，其一種晶胞如圖所示，其中頂點(diǎn)為K，晶胞邊長(zhǎng)為apm，下列說(shuō)法不正確的是（）A．I和O之間最近的距離為12B．KIO3的另一種晶胞圖中，若I在頂點(diǎn)，則O在棱心 C．距離K最近的O有6個(gè) D．晶體密度ρ=39+127+48NA?【答案】C【分析】A．K與O間的最短距離為面對(duì)角線(xiàn)的一半；B．KIO3的另一種晶胞圖中，若I在頂點(diǎn)，根據(jù)K、O個(gè)數(shù)比判斷，則O在棱心；C．以頂點(diǎn)K研究，與之相鄰的O位于面心，1個(gè)頂點(diǎn)為12個(gè)面共有；D．一個(gè)晶胞中含有K的數(shù)目為8×18=1個(gè)，含有I的數(shù)目為1，含有O的數(shù)目為13=3個(gè)，取1mol，則質(zhì)量為m＝39+16×3+127g＝214g，1mol含有NA個(gè)晶胞，一個(gè)晶胞的體積為（a×10﹣10【解答】解：A．K與O間的最短距離為面對(duì)角線(xiàn)的一半，則K與O間的最短距離為22a×0.446nm＝0.315nm，故AB．KIO3的另一種晶胞圖中，若I在頂點(diǎn)，為8×18=1個(gè)，根據(jù)K、O個(gè)數(shù)比判斷，則O在棱心為12×1C．以頂點(diǎn)K研究，與之相鄰的O位于面心，1個(gè)頂點(diǎn)為12個(gè)面共有，即與K緊鄰的O個(gè)數(shù)為12個(gè)，故C錯(cuò)誤；D．一個(gè)晶胞中含有K的數(shù)目為8×18=1個(gè)，含有I的數(shù)目為1，含有O的數(shù)目為13=3個(gè)，取1mol，則質(zhì)量為m＝39+16×3+127g＝214g，1mol含有NA個(gè)晶胞，一個(gè)晶胞的體積為（a×10﹣10）3cm3故選：C?！军c(diǎn)評(píng)】本題考查晶胞的計(jì)算，題目主要涉及晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算等知識(shí)，綜合考查學(xué)生的分析能力和計(jì)算能力，注意對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)的積累。18．（2025春?荔灣區(qū)校級(jí)月考）一種鈾的氧化物晶體結(jié)構(gòu)可描述為U與空位交替填充在由氧原子構(gòu)成的體積相等的立方體體心，形成如圖所示的結(jié)構(gòu)單元。該氧化物的立方晶胞的晶胞參數(shù)為anm，其最簡(jiǎn)式的式量為Mr，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法正確的是（）A．該氧化物的化學(xué)式為UO3 B．與U原子距離最近且相等的O原子有6個(gè) C．O原子與U原子最近的距離為34D．該晶體的密度為4【答案】C【分析】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，圖示分別為晶胞的四分之一，O原子位于體心、頂點(diǎn)、面心和棱心，O原子個(gè)數(shù)為8×18+12×14+6×12B．根據(jù)第一個(gè)圖，與U原子距離最近且相等的O原子有8個(gè)；C．O與U原子最近的距離為晶胞體對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)度的14D．U原子個(gè)數(shù)為2，所以該氧化物的化學(xué)式為UO2，晶胞含2個(gè)UO2，結(jié)該晶體的密度ρ=m【解答】解：A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，O原子位于體心、頂點(diǎn)、面心和棱心，O原子個(gè)數(shù)為8×18+12×14+6×12+1＝8，B．根據(jù)第一個(gè)圖，與U原子距離最近且相等的O原子有8個(gè)，故B錯(cuò)誤；C．O與U原子最近的距離為晶胞體對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)度的14，晶胞體