第2課時(shí)構(gòu)造原理與電子排布式電子云與原子軌道

［核心素養(yǎng)發(fā)展目標(biāo)］1.結(jié)合構(gòu)造原理形成核外電子排布式書寫的思維模型，并根據(jù)思維模型熟練書寫

1~36號(hào)元素的電子排布式。2.通過(guò)對(duì)原子軌道和電子云的學(xué)習(xí)，全面了解核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的描述方法。

一、構(gòu)造原理與電子排布式

1.構(gòu)造原理

(1)含義

以先遭學(xué)事實(shí)為基礎(chǔ)，從氫開始，隨核電荷數(shù)遞增，新增電子填入能級(jí)的皿稱為構(gòu)造原理。

(2)示意圖

2.電子排布式

(1)概念及書寫方法

按照構(gòu)造原理，電子填滿了一個(gè)能級(jí)，開始填入下一個(gè)能級(jí)，由此構(gòu)建了元素周期系中各元素的基態(tài)

原子的電子排布。

如果將K、L、M、N等能層分別用1、2、3、4等數(shù)字表示，各能級(jí)用s、p、d、f等符號(hào)來(lái)表示，在

相應(yīng)能級(jí)符號(hào)的右上角用數(shù)字表示出該能級(jí)上所排布的電子數(shù)，這種式子叫作電子排布式。

如A1原子的電子排布式及有關(guān)符號(hào)的含義為

該能級(jí)上的電子數(shù)

Is22s22p63s23p'

斗一能層序數(shù)

匚能級(jí)符號(hào)

注意：在書寫電子排布式時(shí)，一般情況下，能層低的能級(jí)要寫在左邊，而不是按照構(gòu)造原理順序書

寫。例如，21號(hào)元素銃(Sc)的電子排布式為Is22s22P63s23P63dl4s2,最后兩個(gè)能級(jí)的填充順序?yàn)?/p>

4s235,但是在書寫電子排布式時(shí)應(yīng)寫為3dzs2。

(2)類別

①原子的電子排布式

如氯原子和鐵原子的核外電子排布式分別為Is22s?2D63s23P5,Is22s22R63s*63d64sL

②簡(jiǎn)化電子排布式

將電子排布式中的內(nèi)層電子排布用相應(yīng)的稀有氣體元素符號(hào)加方括號(hào)來(lái)表示而得到的式子稱為簡(jiǎn)化電

子排布式。

如氮、鈉、鈣的簡(jiǎn)化電子排布式分別為L(zhǎng)H3維、[Nel3s\[Ari4s2。

③價(jià)層電子排布式

為突出化合價(jià)與電子排布的關(guān)系,將在化學(xué)反應(yīng)中可能發(fā)生電子變動(dòng)的能級(jí)稱為價(jià)電子層(簡(jiǎn)稱價(jià)

層)。通常，元素周期表只給出價(jià)層電子排布。如氯原子和鐵原子的價(jià)層電子排布式分別為應(yīng)延、

3d64s2。

④離子的電子排布式

從基態(tài)的原子轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的離子時(shí)總是從外向里失去電子。

如Fe?+的電子排布式為1s22s22。63s23d3d6或[A113d6,Fe3+的電子排布式為1s22s22D63s63d5或IAr]3d，

(3)能級(jí)交錯(cuò)

構(gòu)造原理告訴我們，隨核電荷數(shù)遞增，電子并不總是填滿一人能層后再開始填入下一個(gè)能層的。電子

是按3P-4s->3d的順序而不是按3p-3d—4s的順序填充的，這種現(xiàn)象被稱為能級(jí)交錯(cuò)。

r深度思考」

寫出瓜>、29CU基態(tài)原子的核外電子排布式。它們的電子排布符合構(gòu)造原理嗎？

提示24。：Is22s22P63s23P63d，4si(或[Ar]3d'4si)；

29C11：1s22s22p63s23p63d1°4s1(^,[Ar]3d104s1),二者的電子排布不符合構(gòu)造原理。

■思維聚焦--------------------------------------------------------------------------------------------

當(dāng)p、d、f能級(jí)處于全空、全充滿或半充滿狀態(tài)時(shí)，能量相對(duì)較低，原子結(jié)構(gòu)較穩(wěn)定。以Cr為例：

(先按構(gòu)造原理從低到高排列卜]S22s22p，3s23p*?4s23d，

I

3d$為半充滿狀態(tài)時(shí)，較穩(wěn)

定.因此需將4s能級(jí)上的一】s22s22P63s2：軻出13d5

,一個(gè)電子調(diào)整到3d能級(jí)上、I

(將同一能層的能級(jí)排在一起)一1/2y2P.33PmM

r應(yīng)用體驗(yàn)」

i.根據(jù)構(gòu)造原理，寫出下列基態(tài)原子的核外電子排布式、簡(jiǎn)化電子排布式和價(jià)層電子排布式。

(1)F：;

(2)S：;

(3)K：;

(4)Mn：；

(5)Br：o

答案⑴Is22s22Ps[He]2s22Ps2s22P，

(2)Is22s22P63s23P4[Ne]3s23P43s23P4

(3)ls22s22P63s23P64sl[Ar]4sl4s1

(4)Is22s22P63s23P63dzs2[Ar]3d54s23d54s2

(5)1s22s22P63s23P63d1°4s24Ps[Ar]3d,04s24p54s24P)

2.請(qǐng)寫出K+、S2\Cu2+的電子排布式。

答案K+：Is22s22p。3s23P6

S'Is22s22P63s23P6

C/+：Is22s22P63s23P63d9

3.(1)基態(tài)B原子的電子排布式為o

(2)基態(tài)N原子的價(jià)層電子排布為o

⑶Se原子的原子序數(shù)為,其M層的電子排布為。

(4)LLN晶體中氮以脂?形式存在，基態(tài)M-的電子排布式為。

(5)基態(tài)線(Ga)原子的電子排布式：。

(6)北京奧運(yùn)會(huì)主體育場(chǎng)“鳥巢”使用了高強(qiáng)度、高性能的銳氮合金高新鋼?；鶓B(tài)鈾原子E勺價(jià)層電子排

布為o

答案(l)ls22s22Pl(或[He]2s?2pi)(2)2s22p3

(3)343s23P"dI。(4)Is22s22P6

(5)1s22522P63s23P634。4s24Pl(或[Ar]3(P°4s?4pi)

(6)3d4s2

二、電子云與原子軌道

1.概率密度

1913年，玻爾提出氫原子模型，電子在線性軌道上繞核運(yùn)行，然而到了1926年，玻爾建立的線性軌道

模型被量子力學(xué)推翻。

量子力學(xué)指出，一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在核外空間各處都可能出現(xiàn)，但出現(xiàn)的擅莖不同，可用概率

密度(p)表示，即2[(P表示電子在某處出現(xiàn)的概率，V表示該處的體積)。

2.電子云

(1)電子云是處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外空間的概率密度分布的形象化描述。小點(diǎn)越密，

表示概率密度越大。

如氫原子的電子云圖為

(2)電子云輪廓圖：把電子在原子核外空間出現(xiàn)概率01%的空間圈出來(lái)的圖形。

如s電子云輪廓圖的繪制過(guò)程為

?-o一O

(3)形狀

^狀分析

電子云輪廓圖特點(diǎn)

類別

①球形，一個(gè)伸展方向

②同一原子的能層序數(shù)越大，S電子云半徑越

S電子云輪廓圖

務(wù)大，如

1$2$3s

舉

①啞鈴形，三個(gè)互相垂直的伸展方向(口、的、P：)

P電子云輪廓圖南②同一原子的能層序數(shù)越大，p電子云半徑越大

P.V

③在同一能層中Px、pv、p二的能量相同

*

P:

3.原子軌道

(1)概念：量子力學(xué)把電子在原子核外的一個(gè)空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)稱為一個(gè)原子軌道。常用電子云輪廓圖的形

狀和取向來(lái)表示原子軌道的形狀和取向。

⑵形狀

s軌道呈球形；p軌道呈啞鈴形。

(3)各能級(jí)所含有的原子軌道數(shù)目

能級(jí)符號(hào)ns叩〃dnf

軌道數(shù)目1357

I■思考交流」

1.分析K、L、M能層的原子軌道總數(shù)分別是多少？

答案

能層能級(jí)原子軌道數(shù)原子軌道總數(shù)

K1s11

2s1

L4

2P3

3s1

M3P39

3d5

2.基態(tài)原子的核外電子填充在6個(gè)軌道的元素有幾種？填充在7個(gè)軌道中的元素有幾種？

提示s、p能級(jí)分別有1、3個(gè)原子軌道，按照構(gòu)造原理，核外電子填充在6個(gè)軌道的元素為

Is22822P63sl(Na)和ls22s22p63s2(Mg),共2種；填充在7個(gè)軌道中的元素只有Is22s22P63s23Pl(A1)一種元素。

■歸納總結(jié)-------------------------------------------------------------------------------------

原子軌道與能層序數(shù)的關(guān)系

(1)不司能層的相同能級(jí)的原子軌道形狀相同，只是半徑不同。能層序數(shù)〃越大，原子軌道的半徑越大。

(2)s能級(jí)只有1個(gè)原子軌道。p能級(jí)有3個(gè)原子軌道，它們互相垂直，分別用6.、同、p二表示。在同一能層

中6、P)、p二的能量相同。

r應(yīng)用體驗(yàn)」

1.正誤判斷

(1)電子的運(yùn)動(dòng)與行星相似，圍繞原子核在固定軌道上高速旋轉(zhuǎn)()

(2)ls的電子云圖中一個(gè)小點(diǎn)表示一個(gè)自由運(yùn)動(dòng)的電子()

(3)電子云輪廓圖外仍然會(huì)有電子出現(xiàn)，但概率較小()

(4)2p、3p、4P能級(jí)的軌道數(shù)依次增多()

(5)2p,、2p,、2p「軌道相互垂直，能量相等()

答案(1)X(2)X(3)4(4)X(5)7

2.下列有關(guān)原子軌道和電子云的說(shuō)法正確的是()

A.s軌道呈球形，隨能層序數(shù)的增加，s軌道數(shù)也增加

B.p軌道呈啞鈴形，p軌道電子繞核做“8”形運(yùn)動(dòng)

C.電子云是籠罩在原子核外的云霧

D.電子云圖中小點(diǎn)的疏密程度表示電子在原子核外空間出現(xiàn)概率的大小

答案D

解析任何能層的s能級(jí)都只有1個(gè)原子軌道，與能層序數(shù)的大小無(wú)關(guān)，故A錯(cuò)誤；電子在p軌道上繞核

高速運(yùn)動(dòng)，不愛做“8??形運(yùn)動(dòng)，故B錯(cuò)誤；電子云不是籠罩■在原子核外的云霧，是表示蟲予出現(xiàn)的概

率，小點(diǎn)的疏密表示電子在核外空間出現(xiàn)的概率大小，故C錯(cuò)誤、D正確。

3.如圖是s能級(jí)和p能級(jí)的原子軌道圖，下列說(shuō)法正確的是()

娟玲

XsP,

南冬

p，P:

A.s能級(jí)和p能級(jí)的原子軌道形狀相同

B.每個(gè)p能級(jí)都有6個(gè)原子軌道

C.s能級(jí)的原子軌道半徑與能層序數(shù)有關(guān)

D.鈉原子的電子在11個(gè)原子軌道上高速運(yùn)動(dòng)

答案C

解析A項(xiàng)，s軌道為球形，p軌道為啞鈴形，錯(cuò)誤；B項(xiàng)，每個(gè)p能級(jí)有3個(gè)原子軌道，錯(cuò)誤；C項(xiàng)，能

層序數(shù)越小，s能級(jí)的原子軌道半徑越小，正確；D項(xiàng)，鈉原子的電子在6個(gè)原子軌道上高運(yùn)運(yùn)動(dòng)，錯(cuò)

7天o

4.元素X的基態(tài)原子最外層電子排布式為試回答下列各題：

(1)電子排布式中的“:原子中能量最高的是電子，其電子云在空間有

方向，原子軌道呈_______形。

(2)元素X的名稱是。

答案(1)22p二個(gè)互相垂直的伸展啞鈴(2)氮

解析元素X的基態(tài)原子最外層電子排布式為〃s"硬叫根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知〃=2,則X是N。

課時(shí)對(duì)點(diǎn)練

［分值：100分］

對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練

［1-8?,每小題4分］

題組一構(gòu)造原理與電子排布式

1.按照構(gòu)造原理，下列電子填入能級(jí)的順序正確的是()

A.ls、2p、3d、4sB.ls、2s>3s、2p

C.2s、2p、3s、3pD.4p、3d、4s、3P

答案C

解析由構(gòu)造原理可知，A項(xiàng)中電子填入能級(jí)的正確順序應(yīng)為Is、2p、4s、3d,錯(cuò)誤；B項(xiàng)中電子填入能

級(jí)的正確順序應(yīng)為Is、2s、2p、3s,錨■誤；D項(xiàng)中電子填入能級(jí)的正確順序應(yīng)為3p、4s、3d、4p,錯(cuò)誤。

2.（2024?大連第二十四中學(xué)月考）下列說(shuō)法正確的是（）

A.原子核外電子先排滿K層再排L層、先排滿M層再排N層

B.能級(jí)能量：E（5s）＞E（4f）＞E（4s）

C.ls22sl2Pl可以表示激發(fā)態(tài)原子的電子排布

DJL單原子形成的離子，一定具有稀有氣體元素原子的核外電子排布

答案C

解析填充完N能層的4s能級(jí)后才能填充M能層的3d能級(jí)，A錯(cuò)誤；能級(jí)能量：E（4f）＞￡（5s）,B錯(cuò)誤；

單原子形成的離子不一定具有稀有氣體原子的核外電子排布，如H+核外電子數(shù)為0,D錯(cuò)誤。

3.（2024?天津南開區(qū)高二期末）下列各原子或離子的電子排布式中，錯(cuò)誤的是（）

A.BIs22s22Pl

B.S2-Is22s22P63s23P6

C.Ca2*Is22s22P63s23P6

D.CrIs22s22P63s23P63d44s2

答案D

解析Cr的電子排布式為Is22s22pBs23P63d54slD錯(cuò)誤。

4.（2024.四川自貢開學(xué)考）硼原子受a粒子（He-4原子核）轟擊可得碳原子和死部+汨吁怨C+；H,其中

硼原子、碳原子核外L能層中的電子數(shù)目之比為（）

A.1：1B,2：5C.3：4D.5：6

答案C

解析硼原子核外L能層中的電子數(shù)目為3,碳原子核外L能層中的電子數(shù)目為4,二者之比為3：4,C

項(xiàng)正確。

5.下列元素基態(tài)原子的簡(jiǎn)化電子排布式中，前者一定是金屬元素，后者一定是非金屬元素的是（）

A.[Ne]3s23p2[Ne]3s2

B.[Ar]4s'[Nc]3s23PJ

C.[Ne]3s23p'[Ar]4s2

D.[He]2s22p4[Ne]3s23P§

答案B

解析A項(xiàng)，兩種元素分別為Si、Mg,Si為非金屬元素，Mg為金屬元素：B項(xiàng)，兩種元素分別為K、

S,符合題意；C項(xiàng)，兩種元素分別為Al、Ca,均為金屬元素；D項(xiàng)，兩種元素分別為0、C1,均為非金

屬元素O

題組二電子云與原子軌道

6.下列關(guān)于電子云或原子軌道的敘述正確的是（）

八.電子云圖中的小黑點(diǎn)越密，表示原子核外單位體積內(nèi)的電r越多

B.原子軌道是電子運(yùn)動(dòng)的軌跡

c.原子軌道表示電r在空間各處出現(xiàn)的概率

D.電子云是用小黑點(diǎn)的疏密程度來(lái)表示電子在原子核外單位體積內(nèi)出現(xiàn)概率的大小

答案D

解析電子云是用小黑點(diǎn)的疏密程度來(lái)表示電子在原子核外單位體積內(nèi)出現(xiàn)概率的大小，小黑點(diǎn)越密，表

示電子在原子核外單位體積內(nèi)出現(xiàn)的概率越大，小黑點(diǎn)越疏，表示電子在原子核外單位體積內(nèi)出現(xiàn)的概率

越小。

7.下列有關(guān)原子軌道的敘述正確的是（）

A.氫原子的2s軌道能量較3p軌道高

B.能層〃=4的原子軌道最多可容納16個(gè)電子

C.p能級(jí)的原子軌道呈啞鈴形，隨著能層序數(shù)的增加，p能級(jí)原子軌道數(shù)也在增多

D.鋰原子的2s與5s軌道皆為球形

答案D

解析H原子的2s軌道能量低于3P軌道，A錯(cuò)誤；每個(gè)能層最多能容納2/個(gè)電子，所以能層〃=4的原子

軌道最多可容納32個(gè)電子，B錯(cuò)誤；所有的p能級(jí)都含有3個(gè)就道，隨著能層序數(shù)的增加，p能級(jí)原子軌

道數(shù)不變，C錯(cuò)誤：所有的s軌道電子云輪廓圖都是球形，所以鋰原子的2s與5s軌道皆為球形，D正確。

8.圖甲是氫原子的1s電子云圖?，圖乙、丙?分別表示總s、p電子工的電子云工輪廓圖。

P?PvP：

甲乙丙

下列有關(guān)說(shuō)法正確的是（）

A.電子云輪廓圖就是原子軌道圖

B.3P2表示3P能級(jí)中有兩個(gè)原子軌道

C.由圖乙可知，s電子的電子云輪廓圖呈球形，有無(wú)數(shù)條對(duì)稱軸

D.由圖丙可知，6、防、p二軌道相互垂直，因?yàn)樯煺狗较虿煌?，故能量不?/p>

答案C

解析電子云就是用小黑點(diǎn)的疏密程度來(lái)表示空間各電子出現(xiàn)概率大小的一種圖形，量子力學(xué)把電子在原

子核外的一個(gè)空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)稱為一個(gè)原子軌道，核外電子運(yùn)動(dòng)的電子云輪廓圖并不完全等同于原子軌道

圖，故A錯(cuò)誤；3P2表示3P軌道上有2個(gè)電子，故B錯(cuò)誤；由圖可知，s電子的電子云輪廓圖呈球形，有

無(wú)數(shù)條對(duì)稱軸，故C正確：p電子的電子云輪廓圖呈啞鈴形，每個(gè)p能級(jí)有口、p?p?三個(gè)原子軌道，這

三個(gè)軌道相互垂直，且能量相同，故D錯(cuò)誤。

tar綜合強(qiáng)化

[9~13題，每小題6分]

9.（2024.安徽馬鞍山期末）在基態(tài)多電子原子中，下列敘述不正確的是（）

A.2s和3s軌道形狀均為球形

B.3d、4d、5d能級(jí)的原子軌道數(shù)相等

C.基態(tài)鈉原子最外層電子占據(jù)的原子軌道的形狀為啞鈴形

D.35c與37C1的電子排布式都為

Is22s22P63s23P5

答案c

解析2s和3s軌道形狀均為球形，A正確；d能級(jí)都有5個(gè)原子就道，B正確；基態(tài)Na原子最外層電子

為3s電子，占據(jù)的原子軌道為球形，C錯(cuò)誤；35cl與37。的電,子數(shù)相同，電子排布式都為

Is22822P63s23P5,D正確。

10.下列有關(guān)原子軌道的能量說(shuō)法不正確的是（）

A.多電子原子中，原子軌道的能量高低總是遵循〃s〈沖＜〃d

B.同一原子中，原子軌道的能量：4s＞3p

C.同一原子中，原子軌道形狀相同的能級(jí)的能量一定相同

D.常用電子云輪廓圖的形狀和取向來(lái)表示原子軌道的形狀和取向

答案C

解析同一原子中，不同能層s軌道彩狀相同，但能量不同，能層越大其能量越高，如E（ls）＜E（2s）,C錯(cuò)

誤。

11.當(dāng)硅原子的電子排布式由Is22s22P63s23P2fls22s22P63sl3P3時(shí)，下列說(shuō)法正確的是（）

A.硅原子由基態(tài)轉(zhuǎn)化為激發(fā)態(tài)，這一過(guò)程吸收能量

B.硅原子由基態(tài)轉(zhuǎn)化為激發(fā)態(tài)，這一過(guò)程釋放能量

C.硅原子處于激發(fā)態(tài)時(shí)的能量低于基態(tài)時(shí)的能量

D.轉(zhuǎn)化后硅原子與磷原子的電子層結(jié)構(gòu)相同，化學(xué)性質(zhì)相似

答案A

解析硅原子由基態(tài)轉(zhuǎn)化為激發(fā)態(tài)，這一過(guò)程吸收能量，A項(xiàng)正確，B項(xiàng)錯(cuò)誤；激發(fā)態(tài)時(shí)的能量高于基態(tài)

時(shí)的能量，C項(xiàng)錯(cuò)誤；轉(zhuǎn)化后硅原子與磷原子電子層結(jié)構(gòu)不相同，因?yàn)榱自拥淖钔鈱与娮优挪紴?/p>

3s23P）化學(xué)性質(zhì)也不相同，D項(xiàng)錯(cuò)誤。

12.X、Y、Z三種元素的原子，其最外層電子排布分別為〃s13s23P4和2s22P、由這三種元素組成的化合物

的化學(xué)式不可能的是（）

A.X2Y2Z3B.X2YZ3

C.X2YZ4D.XYZ3

答案D

解析由題意可知，X位于IA族，Y為S元素，Z為O元素。X2Y2Z3中Y的化合價(jià)為+2價(jià)，S元素有+2

價(jià)，故A不符合題意；X2YZ3中Y的化合價(jià)為+4價(jià)，S元素有+4價(jià)，故B不符合題意；X2YZ4中Y的化

合價(jià)為+6價(jià)，S元素有+6價(jià)，故C不符合題意；XYZ3中Y的化合價(jià)為+5價(jià)，S元素不存在+5價(jià)，故D

符合題意。

13.下列有關(guān)說(shuō)法正確的是（）

A.每個(gè)能層s能級(jí)的原子軌道的形狀相同，能層序數(shù)越大，軌道半徑越大，電子能量越高

B.原子核外電子云是核外電子運(yùn)動(dòng)后留下的痕跡

C.教材中說(shuō)“核外電子的概率密度分布看起來(lái)像一片云霧，因而被形象地稱作電子云”，這說(shuō)明原子核外

電子云是實(shí)際存在的

D.每個(gè)能層都有p能級(jí)，p能級(jí)都有3個(gè)原子軌道

答案A

解析電子云表示的是電子在核外某處出現(xiàn)的概率，不是電子運(yùn)動(dòng)后留下的痕跡，故B錯(cuò)誤；電子云是也

子在核外運(yùn)動(dòng)的概率密度分布的形象化描述，實(shí)際不存在，故C錯(cuò)誤；K能層沒有p能級(jí)，故D錯(cuò)誤。

14.（20分）（1）根據(jù)構(gòu)造原理寫出下列基態(tài)原子或離子的核外電子排布式。

①A元素原子核外M層電子數(shù)是L層電子數(shù)的一半：。

②B元素原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的1.5倍：o

③基態(tài)Ni"、Fe"、S，的電子排布式分別為、、o

（2）某元素原子的最外層電子排布式是4s24P5,則其元素符號(hào)為o

（3）基態(tài)Ti?+中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為,該能層有個(gè)能級(jí)。

（4）寫出基態(tài)加原子的簡(jiǎn)化電子排布式：,珅位于元素周期表的位置為o

答案⑴①Is22s22P63s23P2②Is22822Pl③1s22s22P63s23P，3d'Is22s22P63s23P63dsIs22s22P63s23P6（2）Br

⑶M3（4）[Ar]3dl04s24p5第四周期第VA族

解析（1）①L層有8個(gè)電子，則M層有4個(gè)電子，故A為Si。②當(dāng)次外層為K層時(shí)，最外層電子數(shù)為

3,則B為硼元素；當(dāng)次外層為L(zhǎng)層時(shí)，最外層電子數(shù)為1.5義8=12,不可能。③基態(tài)Ni原子的電子排布

式為Is22s22P63s23P63dx4s\故基態(tài)Ni”的電子排布式為1s22s22P63s23P，3d";基態(tài)Fc原子的電子排布式為

1s22s22P63s23P63d64s2,故基態(tài)Fe3+的電子排布式為1s22s22P63s23P63d5；基態(tài)S原子的電子排布式為

Is22s22P63s23P4,故基態(tài)S2?的電子排布式為1s22s22P63523P6。（2）根據(jù)最外層電子排布式可知該元素有4