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文檔簡介
【基礎(chǔ)知識】晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
考點六常見晶體類型
【知識清單】
一、金屬晶體
1、三維堆積方式
2、電子氣理論
金屬原子脫落下來的魚虹形成遍布整塊晶體的“電子氣”,被所有原子共用,從而把所有金屬原子維系在一
起。
電子氣理論示意任
3、金屬通性(用電子氣理論解釋)
通性解釋
導(dǎo)電性通常情況下金屬晶體內(nèi)部電子的運動是皿的,但在外加電場的作用下會定向移動形成電流。
導(dǎo)熱性金屬受熱時,自由電子與金屬離子(金屬原子)的碰撞頻率增加,自由電子把能量傳給金屬
離子(或金屬原子)從而把能量從溫度高的區(qū)域傳到溫度低得區(qū)域。
延展性由于金屬鍵沒有方向性,在外力作用下,金屬原子之間發(fā)生相對滑動以后,各層金屬原子仍
可保持這種相互作用,發(fā)生形變也不易斷裂。
有金屬當(dāng)光線投射到金屬表面時,自由電子吸收可見光,然后又把各種波長的光大部分再反射出來,
光澤使絕大多數(shù)金屬呈現(xiàn)銀灰色或銀白色光澤。而金屬在粉末狀態(tài)時,金屬原子的取向雜亂,排
列不規(guī)則,吸收可見光后不能再反射出來,所以金屬粉末常呈暗灰色或黑色。
思考1:為什么合金的硬度比純金屬大?
解析:純金屬內(nèi)原子排列十分規(guī)整,當(dāng)向金屬晶體中摻入不同的金屬或非金屬原子,合金原子層之間相對
滑動變得困難。
思考2:為什么加熱后金屬電阻變大?
解析:加熱后金屬原子熱運動加快,對自由電子的移動造成阻礙,故電阻變大。
一、離子晶體
常見晶體類型
晶體類型考點
①在晶體中,每個Na卡同時吸引①個Q,每個。
同時吸引魚個Na"配位數(shù)為
NaCl晶胞②每個晶胞含2個Na1和生個C「。
①在晶體中,每個C「吸引左個Cs+,每個Cs.吸引日
個C「配位數(shù)為芭。
CsCl晶胞
②每個晶胞中實際擁有的Cs+有1_個,C「有L個。
①在晶體中,每個Ca2+吸引區(qū)個F,每個F-吸引
4個Ca2+o
CaF2晶胞②每個晶胞含生個Ca2+,工個FU
OCa2*OF-
①每個Z/+周圍距離最近的S2一有生個,每個S2一周
圍距離最近的Zi?+有生個。
ZnS晶胞
②每個晶胞中實際擁有的Z/+有生個,S?一有生個。
例、如圖是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖,其中屬于從NaCI晶體中分割出來的結(jié)構(gòu)
圖是()
A,圖①和圖③B.圖②和圖③
C.圖①和圖④D.只有圖④
【答案】C
三、分子晶體
1、分子常見堆積方式
分子間作用力堆積方式實例
范德華力采用密堆積,每個分子周圍有旦個緊鄰的分子
如干冰、12、02
范德華力、氫鍵采用非密堆根,每個分子周圍緊鄰的分子少于個
12如HF、NH3>冰
2、常見分子晶體結(jié)構(gòu)分析
晶體類型晶胞模型考點
①冰晶體中,氫鍵有方向性,它的存在迫使每
冰的結(jié)構(gòu)G/A.個水分子與四面體頂角方向的一個相鄰水分
模型子相互吸引。
爭。
(分子非2-J②1molH2O的冰中,最多可形成2mol氫鍵。
密堆積形午③氫鍵H-O-H較長,分子間距離增大并在水分
式)子中間留有空隙,所以固態(tài)水的密度比液態(tài)水
*的*融化.》子同的金工??卜
的小。
干冰的晶①每個晶胞中有支個CO2分子,個原子。
胞②干冰晶體中,每個CO2分子周圍等距且緊鄰
(分子密的CO2分子有旦個。
堆積形:
式)
例、C60晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說法正確的是()
A、該晶體熔化時需克服共價鍵B、晶體中1個Coo分子有12個緊鄰的Cg分子,屬于分子密堆積類型
C、1個晶胞中含有8個C60分子D、晶體中C60分子間以范德華力結(jié)合,故C60分子的熱穩(wěn)定性較差
【答案】B
四、共價晶體
(1)金剛石
①碳原子采取冠雜化,鍵角為109。28',每個碳原子與周圍緊鄰的4個碳原子以共價鍵結(jié)合成正四面體結(jié)
構(gòu),向空間伸展形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),碳的配位數(shù)為4。
②金剛石晶胞的每個頂點和面心均有1個C原子,晶胞內(nèi)部有生個C原子,內(nèi)部的C在晶胞的體對角線的
;處,每個金剛石晶胞中含有也個C原子。
③最小碳環(huán)由色個碳原子組成,每個碳原子被12_個六元環(huán)共用。六元環(huán)中最多有生個碳原子在同一平面。
晶體中每個碳原子數(shù)FI與C-C數(shù)目之比為上2。
(2)二氧化硅晶體。
二氧化硅是自然界含量最高的固態(tài)二元氧化物,有多種結(jié)構(gòu),最常見的是低溫石英(a-SiO*。低溫石英的結(jié)
構(gòu)中有頂角相連的硅氧四面體形成螺旋上升的長鏈,沒有封閉的環(huán)狀結(jié)構(gòu),這一結(jié)構(gòu)決定了它具有手性。
①Si原子采取sp3雜化,正四面體內(nèi)o—Si—0鍵角為|()9。28、
②每個Si原子與生個O原子形成4個共價鍵,Si原子位于正四面體的中心,0原子位于正四面體的頂點,
同時每個O原子被2_個硅氧正四面體共用,晶體中Si原子與O原子個數(shù)比為山,硅的配位數(shù)4,氧的配
位數(shù)2。
③最小環(huán)上有"個原子,包括色個O原子和0個Si原子。
?1molSiO2晶體中含Si—O數(shù)H為4NA。
@SiO2晶胞中有&個Si原子位于立方晶胞的頂點,有9個Si原子位于立方晶胞的面心,還有生個Si原子
與坨個O原子在晶胞內(nèi)構(gòu)成4個硅氧四面體。每個SiO2晶胞中含有區(qū)個Si原子和坨個O原子。
(3)碳化硅晶體
?COSi
①碳、硅原子都采取sp3雜化,Si—C—Si鍵角為109。28\
②每個硅(碳)原子與周圍緊鄰的生個碳(硅)原子以共價鍵結(jié)合成正四面體結(jié)構(gòu),向空間伸展形成空間網(wǎng)狀結(jié)
構(gòu)。硅或碳的配位數(shù)為4。
③最小碳環(huán)由0個原子組成且不在同一平面內(nèi),其中包括工個C原子和上個Si原子。
④每個SiC晶胞中含有生個C原子和生個Si原子。
例、碳化硅和立方氮化硼的結(jié)構(gòu)與金剛石類似,碳化硅硬度僅次于金剛石,立方氮化硼硬度與金剛石相當(dāng),
其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。(C:12,Si:28,N:I4,B:ll)
ONoB
立方飆化硼
請回答下列問題:
(1)碳化硅晶體中,硅原子雜化類型為,每個硅原子周圍與其距離最近的碳原子有個;設(shè)
晶胞邊長為acm,密度為〃gpm”,則阿伏加德羅常數(shù)可表示為(用含“、〃的式了表示)。
(2)立方氮化硼晶胞中有個硼原子,個氮原子,硼原子的雜化類型為,若晶胞的
邊長為acm,則立方氮化硼的密度表達式為gpnT"設(shè)心為阿加德羅常數(shù))。
【答案】⑴sp34果(2)44sp3黑
五、過渡晶體與混合型晶體
1、概念
①過渡晶體:純粹的分子晶體、共價晶體、離子晶體和金屬晶體四種典型晶體是不多的,大多數(shù)晶體是它
們之間的過渡晶體。人們通常把偏向離子晶體的過渡晶體當(dāng)作離子晶體來處理,把偏向共價晶體的過渡晶
體當(dāng)作共價晶體來處理。
②混合型晶體:像石墨,既有共價鍵又有范德華力,同時存在類似金屬健的作用力,兼具有共價晶體、分
子晶體、金屬晶體的特征的晶體。
2、典型混合型晶體結(jié)構(gòu)分析一石墨晶體
①石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu),層與層之間是以范德華力相結(jié)合,同層內(nèi)碳原子之間以共價鍵結(jié)合成平面網(wǎng)狀。
層內(nèi)碳原子核間距為142pm,層間距為335pm。
②每?層碳原子排列成正六邊形,則每個碳原子采用冠雜化,形成正六邊形。
③所有p軌道相互平行且相互重疊,形成離域大兀鍵,使p軌道中的電子可在事個碳原子平面中運動,而
電子不能從一個平面跳躍到另一個平面,所以石墨的導(dǎo)電性只能沿石墨平面的方向。
④石墨晶體中每個正六邊形含有的C原子數(shù)為2,含有的C-C鍵數(shù)為3。
例、氮化硼(BN)晶體有多種結(jié)構(gòu)。六方相氮化硼是通常存在的穩(wěn)定相,與石墨相似,具有層狀結(jié)構(gòu),可作
高溫潤滑劑。立方相氮化硼是超硬材料,有優(yōu)異的耐磨性。它們的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。
(1)關(guān)于這兩種晶體的說法,正確的是(埴序號)c
A.立方相氮化硼含有。鍵和兀鍵,所以硬度大
B.六方相氮化硼層間作用力小,所以質(zhì)地軟
C.兩種晶體中B-N鍵均為共價鍵
D.兩種晶體均為分子晶體
(2)六方相氮化硼晶體層內(nèi)一個硼原子與相鄰氮原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為,其結(jié)構(gòu)與石墨
相似卻不導(dǎo)電,原因是o
<3)立方相氮化硼晶體,硼原子的雜化軌道類型為。該晶體的天然礦物在育藏高原地下
約300km在古地殼中被發(fā)現(xiàn)。根據(jù)這一礦物形成事實,推斷實驗室由六方相氮化硼合成立方相氮化硼需要
的條件應(yīng)是1
(4)NH4BF4(氟硼酸鏤)是合成氮化硼納米管的原料之一。1molNHjBF4含有mol配位鍵。
【答案】(DBC(2)平面三角形層狀結(jié)構(gòu)中沒有自由移動的電子(3)sp3高溫高壓(4)2
【概念辨析】
1、分子晶體小導(dǎo)電,溶于水后也都小導(dǎo)電()
2、第三周期主族元素從左到右,最高價氧化物中離子鍵的百分?jǐn)?shù)逐漸增大()
3、大多數(shù)晶體是過渡晶體()
4、共價晶體的熔點一定比離子晶體的高()
5、金屬導(dǎo)電是因為在外加電場作用下產(chǎn)生自由電子()
6、金屬具有光澤是因為金屬陽離子吸收并放出可見光()
7、過渡晶體是指某些物質(zhì)的晶體通過改變條件,轉(zhuǎn)化為另一種晶體()
8、NazO是純粹的離子晶體,SiCh純粹的共價晶體()
9、自由電子屬于整塊金屬()
10、金屬的物理性質(zhì)和金屬固體的形成都與金屬鍵有關(guān)()
11、有陽離子的晶體一定有陰離子()
12、金屬晶體與共價晶體一樣,是一種“巨分子”()
13、金屬陽離子與自由電子之間的強烈的相互作用,在一定外力作用下,不會因形變而消失()
14、溫度越高,自由電子的運動速率越快,金屬的導(dǎo)電性越強()
15、具有共價鍵的晶體叫共價晶體()
16、金屬一般具有金屬光澤,是物理性質(zhì),與金屬鍵無關(guān)()
17、晶格能由大到?。篘aF<NaCKNaBr<NaI()
18、高硬度、高熔點是許多有共價鍵三維骨架結(jié)構(gòu)的共價晶體的特性()
19、固態(tài)和熔融時易導(dǎo)電,熔點在1000C左右的晶體可能是金屬晶體()
2()、因金屬性K>Na,故金屬鉀的熔點高于金屬鈉()
21、金屬(除汞外)在常溫下都是晶體,稱其為金屬晶體()
【答案】1.x2.x3J4.x5.x6.x7.x8.x9.V11.x12J13.414.x15.x16.x
17.x18.V19.V20,x21H
【跟蹤練習(xí)】
1、(2023?北京卷)中國科學(xué)家首次成功制得大面積單晶石墨缺,是碳材料科學(xué)的一大進步。
下列關(guān)于金剛石、石墨、石墨煥的說法正確的是()
A.三種物質(zhì)中均有碳碳原子間的。鍵B.三種物質(zhì)中的碳原子都是SP‘雜化
C.三種物質(zhì)的晶體類型相同D.三種物質(zhì)均能導(dǎo)電
【答案】A
【解析】A.原子間優(yōu)先形成。鍵,三種物質(zhì)中均存在。鍵,A項正確;
B.金剛石中所有碳原子均采用SP,雜化,石墨中所有碳原子均采用sp?雜化,石墨塊中苯環(huán)上的碳原子采用
sp’雜化,碳碳三鍵上的碳原子采用sp雜化,B項錯誤;
C.金剛石為共價晶體,石墨塊為分子晶體,石墨為混合晶體,C項錯誤;
D.金剛石中沒有自由移動電子,不能導(dǎo)電,D項錯誤。
2、(2021?遼寧1月適應(yīng)性測試,61我國科學(xué)家合成了富集"B的非碳導(dǎo)熱材料立方氮化硼晶體,晶胞結(jié)構(gòu)如
圖。下列說法正確的是()
A."BN和i()BN的性質(zhì)無差異B.該晶體具有良好的導(dǎo)電性
C.該晶胞中含有14個B原子,4個N原子D.N原子周圍等距且最近的N原子數(shù)為12
【答案】D
【解析】和互為同位素,形成的化合物在化學(xué)性質(zhì)上無差異,但其物理性質(zhì)不同,A錯誤;該晶
體結(jié)構(gòu)中無自由移動的電子,不具有導(dǎo)電性,B錯誤;由圖可知,該晶胞含4個N原子,B原子位于晶胞
的頂角和面心,故B原子的數(shù)量為8x1+6x1=4,C錯誤;由晶胞示意圖,1個N原子與4個B原子成鍵,
oZ
1個B原子可以和3個N原子成鍵,這些N原子距中心N原子等距離且最近,總數(shù)為12,D正確。
3、(2021?遼寧,7)單質(zhì)硫和氫氣在低溫高壓下可形成一種新型超導(dǎo)材料,其晶胞如圖。下列說法錯誤的是
()
OS
oH
A.S位于元素周期表p區(qū)B.該物質(zhì)的化學(xué)式為H.6
C.S位于H構(gòu)成的八面體空隙中D.該晶體屬于分子晶體
【答案】D
【解析】S位于H構(gòu)成的八面體空隙中,如圖C正確。該晶體為新型超導(dǎo)材料,說明由陰陽
離子構(gòu)成,是離子晶體,D錯誤。
4、銳的某種氧化物的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞參數(shù)為〃pm。下列說法錯誤的是()(V:51O:I6)
A.該帆的氧化物的化學(xué)式為VO2B.V原子在該晶體中的堆積方式為體心立方
2x51+16x2
C.V原子的配位數(shù)與0原子的配位數(shù)之比為I:2D.該晶胞的密度為二|1103x6()2x1()23
【答案】C
【解析】晶胞中V原子位于頂角和體心,數(shù)目為1+8X:=2;O原子位于上下面上和體內(nèi),數(shù)目為2+4X;
=4,二者原子數(shù)目之比為1:2,故氧化物的化學(xué)式為VO2,故A正確;晶胞V原子位于頂角和體心,符
合體心立方的堆積方式,故B正確;體心V原子的配位數(shù)為6,O原子的配位數(shù)為3,所以V原子的配位
2x514-4x16m
數(shù)與O原子的配位數(shù)之比為2:1,故C錯誤:----1-------g,V=aypm3=(axl0l0)3cm3,〃=歹=
2x51+16x2…
axl0—103x6.02xl0^g<m-,故D正確。
5、金剛石和石墨是碳元素形成的兩種單質(zhì),下列說法正確的是()
A.金剛石和石墨晶體中最小的環(huán)均含有6個碳原子
B.在金剛石中每個C原子連接4個六元環(huán),石墨中每個C原子連接3個六元環(huán)
C.金剛石與石墨中碳原子的雜化方式均為sp?
D.金剛石中碳原子數(shù)與C-C數(shù)之比為1:4,而石墨中碳原子數(shù)與C-C數(shù)之比為1:3
【答案】A
【解析】金剛石中每個C原子連接12個六元環(huán),石墨中每個C原子連接3個六元環(huán),B項錯誤;金剛
石中或原子采取sp3雜化,而石墨中碳原子采取sp2雜化,c項錯誤;金剛石中每個碳原子與周圍其他4個
碳原子形成共價鍵,而每個共價鍵為2個碳原子所共有,則每個碳原子平均形成的共價鍵數(shù)為4x;=2,故
碳原子數(shù)與C—C數(shù)之比為1:2;石墨晶體中每個碳原子與周圍其他3個碳原子形成共價鍵,同樣可求得
每個碳原子平均形成的共價鍵數(shù)為3x;=1.5,故碳原子數(shù)與C—C數(shù)之比為2:3,D項錯誤。
6、如圖是金屬晶體內(nèi)部的電子氣理論示意圖。電子氣理論可以用來解釋金屬的性質(zhì),其中正確的是()
A.金屬能導(dǎo)電是因為金屬陽離子在外加電場作用下定向移動
B.金屬能導(dǎo)熱是因為自由電子在熱的作用下相互碰撞,從而發(fā)生熱的傳導(dǎo)
C.金屬具有延展性是因為在外力的作用下,金屬中各原子層間會出現(xiàn)相對滑動,但自由電子可以起到潤滑
劑的作用,使金屬不會斷裂
D.合金與純金屬相比,由于增加了不同的金屬或非金屬,使電子數(shù)目增多,所以合金的延展性比純金屬強,
硬度比純金屬小
【答案】C
【解析】金屬能導(dǎo)電是因為自由電子在外加電場作用下定向移動,A錯誤;自由電子在熱的作用下與金
屬旭離子發(fā)生碰撞,實現(xiàn)熱的傳導(dǎo),B錯誤;在外力的作用下,金屬中各原子層間會出現(xiàn)相對滑動,而自
由電子與金屬陽離子之間的電性作用仍然存在,使得金屬不會斷裂,C正確;合金與觸金屬相比,由于增
加了不同的金屬或非金屬,相當(dāng)于填補了金屬陽離子之間的空隙,所以一般情況下合金的延展性比純金屬
弱,硬度比Q金屬大,D錯誤。
7、碳化硅(SiC)晶體具有多種結(jié)構(gòu),其中?種晶體的晶胞(如圖所示)與金剛石的類似。下列判斷正確的是
)
A.該晶體屬于分子晶體
B.該晶體中存在極性神和非極性鍵
C.該晶體中Si的化合價為一4
D.該晶體中C的雜化類型為sp'
【答案】D
【解析】與金剛石類似,該晶體屬于共價晶體,A錯誤;根據(jù)該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,該晶體只存在
Si-C極性共價鍵,B錯誤;Si—C中,C的電負(fù)性更強,共用電子對偏向C原子,所以Si的化合價為+4,
C錯誤;每個C原子與4個Si原子形成4個。鍵,C原子沒有孤電子對,所以C的雜化類型為sp3,D正
確。
8、有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說法不正確的是()
由E原子和F原子構(gòu)成
0Na*ocrCaF2晶體(oCa2*op-)冰的結(jié)構(gòu)模型的氣態(tài)⑷籍分了?模型
A.在NaQ晶體中,距CT最近的Na+形成正八面體
B.在CaF2晶體中,每個晶胞平均含有4個Ca?+
C.冰晶體中每個水分子與另外四個水分子形成四面體結(jié)構(gòu)
D.該氣態(tài)團簇分子的分子式為EF
【答案】D
【解析】氟化鈣晶胞中,Ca?+位于頂點和面心,數(shù)目為8X1+6X[=4,故B正確;氣態(tài)團凌分子不同于
晶胞,氣態(tài)團援分子中含有4個E原子、4個F原子,則分子式為E4F4或F4E4,故D錯誤。
9、鐵有3、y、a三種晶體結(jié)構(gòu),以卜.依次是6、丫、a三種晶體的晶胞在不同溫度下轉(zhuǎn)化的示意圖。下列有
關(guān)說法不正確的是()
1394七、912七、
8-Fe、y-Fe、4a-Fe
(體心立方)(面心立方)(體心立方)
A.每個6-Fe晶體中有2個鐵原子B.y-Fe晶體中與每個鐵原子距離相等且最近的鐵原子有12個
C.每個y-Fe晶胞中含有14個鐵原子
D.將鐵加熱到1500°C分別急速冷卻和緩慢冷卻,得到的晶體類型不相同
【答案】C
【解析】根據(jù)切割法,一個6?Fe晶胞中含有鐵原子個數(shù)為;x8+l=2,A正確;y?Fe位于頂角的Fe原子,
被晶胞的三個平面共有,每個平面上有四個鐵原子與頂角處鐵原子距離最短,則共有3x4=12個,B正確;
根據(jù)切割法,一個??Fe晶胞含有鐵原子個數(shù)為:x8+;x6=4,C錯誤;依據(jù)得到晶體的條件可知,在急速
OL
冷卻時(立即降溫到912C)得到a-Fe,緩慢冷卻時(緩慢冷卻到1394c)得到y(tǒng)?Fe,兩種晶體類型不同,D
正確。
1。、根在氧氣中燃燒時得到一種鐵的氧化物晶體,其結(jié)構(gòu)如圖所示,下列有關(guān)說法正確的是()
A.該晶體屬于分子晶體B.晶體的化學(xué)式為BazCh
C.該晶體晶胞結(jié)構(gòu)與CsCI相似D.與Ba?+距離相等且最近的Ba?+共有12個
【答案】D
【解析】該晶胞是由金屬陽離子領(lǐng)離子和陰離子過氧根離子構(gòu)成的,屬于離子晶體,A錯誤;該晶胞中
B/+個數(shù)為8x1+6x1=4,O1個數(shù)為l+12x;=4,則領(lǐng)離子和過氧根離子個數(shù)之比為1:1,其化學(xué)式為
BaO2,B錯誤;該晶胞中鎖離子配位數(shù)是6,過氧根離子配位數(shù)是6,氯化史晶體中離子配位數(shù)是8,C錯
誤。
11、石英晶體的平面示意圖如圖,它實際上是立體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(可以看作是晶體硅中的每個Si—Si中插入一
個0),其中硅、氧原子數(shù)比是,〃:〃,下列有關(guān)敘述正確的是()
III
—Si—O—Si—O—Si—
III
ooo
III
—Si—O—Si—O—Si—
III
000
III
—Si—O—Si—O—Si—
III
A.m:n=2*1
B.6g該晶體中含有個分子
()
I
[()—Si—()LT
I
C.原硅酸根離子(SiOr)的結(jié)構(gòu)為O,則二聚原硅稷根離子Si20『中的X=7
D.石英晶體中由硅、氧原子構(gòu)成的最小的環(huán)上含有的Si、O原子個數(shù)和為8
【答案】C
【解析】每個Si原子占有O原子個數(shù)為4x1=2;該晶體是共價晶體,不存在分子:原硅酸dHUSiCh)的結(jié)
OHOHOH
III
H(>-Si-()HH(>-St-(>-St—OH
構(gòu)可表示為1)H,兩個原硅酸分子可發(fā)生分子間脫水生成二聚原硅酸:1)HOH,二聚原硅酸
電離出6個H+后,形成帶6個負(fù)電荷的二聚原硅酸根離子;在SiO2晶體中,由Si、O構(gòu)成的酸小單元環(huán)
中共有12個原子。
12、如圖是其晶胞結(jié)構(gòu)模型,下列說法正確的是(
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