衛(wèi)生專業(yè)技術(shù)資格考試（神經(jīng)電生理（腦電圖）技術(shù)初級師）模擬練習題及答案解析(2026年淮南)1.單選題（每題1分，共30題）1.腦電圖記錄中，當電極阻抗超過下列哪一數(shù)值時，最容易產(chǎn)生50Hz交流電干擾？A.1kΩB.3kΩC.5kΩD.10kΩ答案：C解析：阻抗>5kΩ時，放大器共模抑制比下降，市電50Hz極易串入。2.國際10-20系統(tǒng)中，C3電極位于：A.左中央?yún)^(qū)，沿中央溝后1/10處B.左中央?yún)^(qū)，沿中央溝前1/10處C.右中央?yún)^(qū)，沿中央溝后1/10處D.右中央?yún)^(qū)，沿中央溝前1/10處答案：A解析：C3在左半球中央?yún)^(qū)，位于Cz與T3連線后1/10處。3.新生兒爆發(fā)-抑制圖形中，爆發(fā)段持續(xù)時間一般不少于：A.0.5sB.1sC.2sD.5s答案：B解析：爆發(fā)-抑制定義要求爆發(fā)段≥1s，抑制段<5μV持續(xù)≥2s。4.腦電高頻振蕩（HFO）在癲癇灶定位中，最具特異性的頻段為：A.30-80HzB.80-200HzC.200-500HzD.500-1000Hz答案：C解析：ripple（80-200Hz）可出現(xiàn)在非致癇區(qū)，而fastripple（200-500Hz）與癲癇灶高度相關(guān)。5.進行睡眠腦電監(jiān)測時，判定NREMⅡ期最可靠的標志是：A.頂尖波B.K復合波+睡眠梭形波C.δ波占20%-50%D.快速眼動答案：B解析：K復合波與睡眠梭形波同步出現(xiàn)是NREMⅡ期特征。6.腦電放大器輸入阻抗的理想值應≥：A.1MΩB.10MΩC.100MΩD.1GΩ答案：D解析：高輸入阻抗（≥1GΩ）可最大限度降低電極-皮膚界面阻抗不匹配帶來的信號衰減。7.下列哪項不是腦電偽差來源？A.心電B.肌電C.電極漂移D.α節(jié)律答案：D解析：α節(jié)律為正常腦電活動，其余均為偽差。8.閃光刺激頻率為15Hz時，最易誘發(fā)光陣發(fā)反應的人群為：A.青少年女性B.老年男性C.學齡前兒童D.睡眠剝奪成人答案：A解析：青少年女性對15Hz閃光最敏感，與雌激素水平相關(guān)。9.腦電圖中λ（lambda）波的最佳誘發(fā)條件是：A.閉眼靜息B.睜眼掃視復雜圖案C.過度換氣D.睡眠梭形波期答案：B解析：λ波在睜眼掃視復雜視覺刺激時，于枕區(qū)出現(xiàn)正相尖波。10.顱內(nèi)電極記錄到0.5-4Hz、波幅>200μV的節(jié)律，最可能為：A.α節(jié)律B.β活動C.δ活動D.γ活動答案：C解析：δ活動頻率0.5-4Hz，顱內(nèi)記錄波幅顯著高于頭皮。11.腦電監(jiān)測中，采用“平均參考”時，參考電極位置為：A.頭頂正中CZB.雙側(cè)乳突平均C.全頭皮電極瞬時平均D.鼻尖答案：C解析：平均參考將所有電極電位瞬時平均，理論上電位為零。12.過度換氣3min后，兒童雙側(cè)同步3Hz棘-慢波爆發(fā)，持續(xù)5s，應判定為：A.正常變異B.誘發(fā)試驗陽性C.癲癇樣放電D.偽差答案：B解析：過度換氣誘發(fā)3Hz棘-慢波為典型失神癲癇表現(xiàn)，屬陽性。13.腦電高頻濾波設(shè)定為70Hz時，主要影響下列哪類信號？A.α節(jié)律B.δ活動C.肌電D.眼電答案：C解析：肌電頻率30-300Hz，70Hz高頻濾波可衰減其高頻成分。14.睡眠腦電出現(xiàn)“CAP”現(xiàn)象，其A1亞型主要表現(xiàn)為：A.慢波+快波混合B.K復合波序列C.δ波>50%D.快速眼動+低幅θ答案：B解析：CAPA1亞型以K復合波和/或睡眠梭形波序列為主。15.腦電記錄中，若Fp1通道出現(xiàn)與心率同步的尖波，最可能為：A.心電偽差B.額極癲癇灶C.眼電偽差D.肌電偽差答案：A解析：Fp1靠近眼眶，易拾取心電QRS電位。16.判定腦死亡時，腦電最低電壓應<：A.2μVB.5μVC.10μVD.20μV答案：A解析：中國指南要求腦電電壓<2μV，靈敏度2μV/mm，記錄30min。17.腦電時間常數(shù)τ=0.3s，對應低頻濾波約為：A.0.16HzB.0.53HzC.1.0HzD.3.0Hz答案：B解析：f=1/(2πτ)=1/(2×3.14×0.3)≈0.53Hz。18.新生兒胎齡34周，清醒期腦電最主要特征為：A.連續(xù)交替圖形（TA）B.爆發(fā)-抑制C.連續(xù)慢波D.α節(jié)律答案：A解析：34周TA圖形占主導，爆發(fā)-抑制多見于<30周。19.腦電圖中出現(xiàn)“梳狀節(jié)律”最常見于：A.中央?yún)^(qū)B.枕區(qū)C.顳區(qū)D.額區(qū)答案：A解析：中央?yún)^(qū)μ節(jié)律呈梳狀，頻率8-10Hz，負相尖波。20.顱內(nèi)深部電極SEEG記錄到高頻振蕩500Hz，持續(xù)200ms，提示：A.正常γ活動B.致癇區(qū)高度特異C.電極偽差D.肌電干擾答案：B解析：fastripple與癲癇灶高度相關(guān)，持續(xù)>100ms更具特異性。21.腦電監(jiān)測中，采用雙極縱聯(lián)法（longitudinalbipolar）時，相鄰電極間距過大將導致：A.波幅增高B.相位反轉(zhuǎn)消失C.共模抑制比提高D.高頻濾波增強答案：B解析：間距過大，電位差減小，相位反轉(zhuǎn)不明顯，定位精度下降。22.腦電圖中“小棘波”(SSS)最常見于：A.兒童中央?yún)^(qū)B.老年人顳區(qū)C.青少年枕區(qū)D.新生兒額區(qū)答案：B解析：SSS為良性變異，多見于老年人顳區(qū)，波幅<50μV。23.閃光刺激誘發(fā)試驗中，最安全的起始頻率為：A.1HzB.3HzC.10HzD.20Hz答案：A解析：1Hz起始可觀察光驅(qū)動及肌電偽差，降低誘發(fā)強直風險。24.腦電圖中“缺口”(notch)濾波器主要濾除：A.50HzB.0.5HzC.30HzD.100Hz答案：A解析：缺口濾波即市電50Hz抑制。25.腦電記錄時，若所有導聯(lián)同步出現(xiàn)極高波幅慢波，首先應檢查：A.電極阻抗B.參考電極脫落C.高頻濾波D.靈敏度答案：B解析：參考電極脫落導致所有導聯(lián)呈現(xiàn)同一偽差波形。26.腦電圖中“phantomspike-and-wave”主要出現(xiàn)在：A.NREMⅢ期B.清醒閉眼C.REM期D.過度換氣答案：A解析：幻影棘慢波為6Hz，主要見于NREMⅢ期，良性。27.腦電監(jiān)測中，出現(xiàn)“α昏迷”最可能的病變部位為：A.雙側(cè)丘腦B.腦橋基底部C.大腦皮層D.小腦答案：B解析：腦橋基底部病變阻斷皮層與腦干聯(lián)系，皮層α節(jié)律保留但無反應。28.腦電高頻振蕩分析時，采樣頻率至少應為：A.250HzB.500HzC.1000HzD.2000Hz答案：D解析：根據(jù)奈奎斯特定律，檢測1000Hz信號需≥2000Hz采樣。29.腦電圖中“θ爆發(fā)”在新生兒睡眠腦電中提示胎齡約為：A.28周B.32周C.36周D.40周答案：C解析：36周出現(xiàn)θ爆發(fā)，為成熟標志。30.腦電記錄時，若出現(xiàn)與呼吸同步的基線漂移，最可能為：A.電極漂移B.出汗偽差C.心電偽差D.肌電偽差答案：B解析：出汗導致電極-電解質(zhì)界面電阻變化，與呼吸周期同步。2.共用題干單選題（每題1分，共10題）【題干】患者男，28歲，發(fā)作性愣神5年。VEEG監(jiān)測示清醒期3Hz棘-慢波爆發(fā)，持續(xù)6s，同期患者動作停止。31.該發(fā)作期圖形最可能起源于：A.額葉B.顳葉C.枕葉D.丘腦-皮層環(huán)路答案：D解析：3Hz棘-慢波為典型失神，起源于丘腦-皮層環(huán)路。32.若給予靜脈注射勞拉西泮0.05mg/kg，腦電最可能變化為：A.棘-慢波頻率加快B.爆發(fā)被抑制，背景慢化C.出現(xiàn)β活動增多D.無變化答案：B解析：苯二氮卓類增強GABA能抑制，抑制3Hz放電，背景慢波化。33.該患者最應避免下列哪種誘發(fā)試驗？A.過度換氣B.閃光刺激C.睡眠剝奪D.直立傾斜答案：D解析：直立傾斜可誘發(fā)暈厥，與失神機制無關(guān)且增加風險。34.若監(jiān)測中記錄到發(fā)作期3Hz放電同時出現(xiàn)眼瞼肌陣攣，應重新評估為：A.青少年肌陣攣癲癇B.眼瞼肌陣攣癲癇C.良性Rolandic癲癇D.顳葉癲癇答案：B解析：眼瞼肌陣攣+3Hz放電為Jeavons綜合征特征。35.該患者長期首選藥物為：A.丙戊酸B.卡馬西平C.苯妥英鈉D.加巴噴丁答案：A解析：丙戊酸對失神及全面性發(fā)作最有效，卡馬西平可加重失神?！绢}干】新生兒，胎齡38周，生后48h，出現(xiàn)頻繁咀嚼樣動作，腦電示中央?yún)^(qū)節(jié)律性θ活動，電壓>200μV，持續(xù)20s，同期無臨床發(fā)作。36.該圖形應判定為：A.正常成熟圖形B.電臨床發(fā)作C.電發(fā)作D.偽差答案：C解析：無臨床對應癥狀，僅為電發(fā)作。37.若給予苯巴比妥負荷20mg/kg，腦電最可能變化為：A.爆發(fā)-抑制B.連續(xù)交替圖形C.電壓抑制D.β活動增多答案：A解析：苯巴比妥可致新生兒爆發(fā)-抑制。38.該電發(fā)作最可能病因為：A.低血糖B.低鈣血癥C.缺氧缺血性腦病D.高氨血癥答案：C解析：缺氧缺血后中央?yún)^(qū)θ電發(fā)作常見。39.若腦電轉(zhuǎn)為爆發(fā)-抑制，爆發(fā)間隔>10s，提示預后：A.良好B.一般C.不良D.無法判斷答案：C解析：爆發(fā)間隔>10s與重度神經(jīng)發(fā)育障礙相關(guān)。40.對該患兒實施aEEG監(jiān)測，其上下邊界振幅均<5μV，持續(xù)>24h，提示：A.正常B.輕度異常C.中度異常D.重度抑制答案：D解析：aEEG持續(xù)<5μV為重度背景抑制，預后極差。3.多選題（每題2分，共10題，每題至少2個正確答案，多選少選均不得分）41.下列哪些因素可降低腦電電極阻抗？A.輕磨皮膚B.使用導電膏C.增加電極面積D.降低放大器輸入阻抗E.使用銀-氯化銀電極答案：ABCE解析：放大器輸入阻抗應提高而非降低。42.腦電圖中屬于良性變異的包括：A.6Hz幻影棘慢波B.小棘波C.14&6Hz正相爆發(fā)D.門狀棘波E.三相波答案：ABCD解析：三相波提示代謝性腦病，非良性。43.顱內(nèi)電極優(yōu)點包括：A.消除顱骨衰減B.記錄高頻振蕩C.精確定位致癇區(qū)D.降低感染風險E.減少運動偽差答案：ABCE解析：顱內(nèi)電極為有創(chuàng)，感染風險增加。44.腦電監(jiān)測中，判定NREMⅢ期需滿足：A.δ波占20%-50%B.δ波>50%C.睡眠梭形波消失D.無快速眼動E.肌電張力顯著降低答案：BCD解析：δ波>50%且梭形波消失，肌電低但非顯著降低。45.閃光刺激誘發(fā)光陣發(fā)反應的危險因素包括：A.青少年女性B.睡眠剝奪C.酒精戒斷D.使用丙戊酸E.閉眼狀態(tài)答案：ABCE解析：丙戊酸抑制光敏性，為治療藥物。46.腦電圖中“三相波”特征包括：A.負-正-負相B.額-中央?yún)^(qū)優(yōu)勢C.周期約0.5-1sD.與代謝紊亂相關(guān)E.對苯二氮卓敏感答案：BCD解析：三相波為正-負-正相，A錯；對苯二氮卓不敏感，E錯。47.新生兒腦電成熟標志包括：A.連續(xù)交替圖形B.睡眠梭形波C.θ爆發(fā)D.同步化δ刷E.爆發(fā)-抑制答案：ABC解析：δ刷為早產(chǎn)表現(xiàn)，爆發(fā)-抑制為異?；驑O早產(chǎn)。48.腦電高頻振蕩分析步驟包括：A.目視識別B.帶通濾波C.希爾伯特變換D.時頻分析E.低通濾波答案：ABCD解析：高頻振蕩需先帶通再時頻，低通濾波會抑制高頻。49.腦電圖中“μ節(jié)律”特點：A.中央?yún)^(qū)優(yōu)勢B.負相尖波C.對側(cè)肢體運動抑制D.頻率7-11HzE.睜眼消失答案：ABCD解析：μ節(jié)律不受睜眼閉眼影響，E錯。50.腦電監(jiān)測前患者準備包括：A.洗頭去脂B.停用鎮(zhèn)靜藥C.空腹4hD.記錄用藥史E.睡眠剝奪答案：ABDE解析：無需空腹，C錯。4.案例分析題（每題5分，共5題）【案例1】患者女，35歲，夜間睡眠中突然尖叫、