關于xps考試題及答案

單項選擇題（每題2分，共10題）1.XPS的全稱是？A.X射線光電子能譜B.俄歇電子能譜C.紫外光電子能譜D.二次離子質譜2.XPS常用的激發(fā)源是？A.電子槍B.X射線管（AlKα、MgKα）C.離子槍D.激光3.光電子動能\(E_k\)與結合能\(E_b\)的關系是？A.\(E_k=h\nu-E_b-\phi\)（\(\phi\)為樣品功函數）B.\(E_k=h\nu+E_b+\phi\)C.\(E_k=E_b-h\nu-\phi\)D.\(E_k=h\nu-E_b+\phi\)4.元素結合能隨化學環(huán)境變化的現象稱為？A.自旋軌道分裂B.化學位移C.俄歇位移D.峰寬變化5.XPS定量分析常用方法是？A.靈敏度因子法B.內標法C.外標法D.標準曲線法6.XPS檢測的主要電子是？A.俄歇電子B.光電子C.二次電子D.背散射電子7.AlKα特征X射線能量約為？A.1253.6eVB.1486.6eVC.511keVD.670eV8.同一元素中，結合能更高的電子軌道是？A.C1sB.C2sC.一樣高D.不確定9.樣品荷電效應會導致XPS峰位？A.向低結合能移動B.向高結合能移動C.峰寬增加D.峰強度降低10.XPS主要分析樣品的？A.表面元素組成B.體相元素組成C.晶體結構D.分子結構單項選擇題答案1.A2.B3.A4.B5.A6.B7.B8.A9.B10.A多項選擇題（每題2分，共10題）1.XPS儀器的主要組成包括？A.激發(fā)源B.能量分析器C.探測器D.真空系統(tǒng)2.影響XPS化學位移的因素有？A.氧化態(tài)B.電負性C.配位數D.晶體場效應3.XPS定性分析的依據是？A.峰位（結合能）B.峰強度C.峰形D.半高寬4.常用XPS激發(fā)源的特征X射線是？A.AlKαB.MgKαC.CuKαD.FeKα5.XPS可分析的樣品類型有？A.固體B.冷凍液體C.富集氣體D.粉末6.XPS與俄歇能譜（AES）的區(qū)別是？A.XPS用X射線，AES用電子束B.XPS檢測光電子，AES檢測俄歇電子C.XPS定量用靈敏度因子，AES用相對靈敏度因子D.AES表面靈敏性更強（<1nm）7.自旋軌道分裂明顯的元素是？A.過渡金屬B.稀土元素C.主族元素D.所有元素8.樣品制備的注意事項是？A.表面清潔B.無污染物C.導電性好（或荷電校正）D.厚度均勻9.XPS峰強度的影響因素有？A.元素含量B.激發(fā)源效率C.分析器透過率D.電子逃逸深度10.XPS的應用領域是？A.材料表面改性B.催化劑表征C.薄膜分析D.腐蝕研究多項選擇題答案1.ABCD2.ABCD3.AC4.AB5.ABCD6.ABCD7.AB8.ABCD9.ABCD10.ABCD判斷題（每題2分，共10題）1.XPS的激發(fā)源是電子束。A.對B.錯2.結合能越高，光電子動能越小。A.對B.錯3.化學位移僅由氧化態(tài)變化引起。A.對B.錯4.XPS可分析樣品表面（~1-10nm）元素組成。A.對B.錯5.俄歇電子是XPS的主要檢測信號。A.對B.錯6.樣品荷電會使峰位向高結合能移動。A.對B.錯7.XPS定量常用靈敏度因子法。A.對B.錯8.所有元素的XPS峰都有自旋軌道分裂。A.對B.錯9.XPS可分析冷凍液體樣品。A.對B.錯10.XPS峰半高寬與儀器分辨率無關。A.對B.錯判斷題答案1.B2.A3.B4.A5.B6.A7.A8.B9.A10.B簡答題（總4題，每題5分）1.簡述XPS的基本原理。2.什么是XPS化學位移？其意義是什么？3.XPS樣品制備的主要注意事項有哪些？4.簡述靈敏度因子法的定量原理。簡答題答案1.X射線激發(fā)樣品內層電子為光電子，\(E_k=h\nu-E_b-\phi\)（\(h\nu\)為X射線能量，\(E_b\)為結合能，\(\phi\)為功函數）；檢測\(E_k\)計算\(E_b\)，分析元素及化學態(tài)。2.同一元素因化學環(huán)境（氧化態(tài)、電負性等）變化，結合能移動的現象；可區(qū)分化學態(tài)（如Fe2+與Fe3+）、分析化學鍵環(huán)境。3.①表面清潔無污；②導電好（不導電樣品噴碳/金）；③厚度均勻；④粉末壓片或粘導電膠。4.峰強度\(I=k·C·S\)（\(C\)為含量，\(S\)為靈敏度因子）；用標準樣品校正\(k\)，結合\(S\)計算未知樣品相對含量。討論題（總4題，每題5分）1.如何區(qū)分XPS峰與俄歇電子峰？2.簡述XPS化學態(tài)分析的步驟。3.樣品荷電效應的影響及校正方法？4.比較XPS與俄歇能譜（AES）的異同。討論題答案1.①XPS峰隨X射線能量變，俄歇峰能量固定；②XPS峰窄，俄歇峰寬；③XPS峰對應特定軌道（如C1s），俄歇峰無固定元素對應。2.①采全譜定元素；②采目標元素窄譜；③用C1s（284.8eV）校正荷