1T/CMEEEAXXXX—2026高精度線性霍爾傳感器芯片技術(shù)規(guī)范本文件規(guī)定了高精度線性霍爾傳感器芯片的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸與貯存。本文件適用于采用CMOS工藝制造、基于霍爾效應(yīng)原理的線性輸出傳感器芯片，其工作溫度范圍覆蓋商業(yè)級（0℃~70℃)、工業(yè)級（-40℃~85℃)和汽車級（-40℃~150℃),主要應(yīng)用于工業(yè)自動化、汽車電子、新能源等領(lǐng)域的電流、位置、磁場測量系統(tǒng)。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T191包裝儲運圖示標志GB/T2423.1電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗A：低溫GB/T2423.2電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗B：高溫GB/T2423.5環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Ea和導(dǎo)則:沖擊GB/T2423.10環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Fc:振動(正弦)GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃JB/T7490霍爾電流傳感器3術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1線性霍爾傳感器芯片linearhallsensorchip將霍爾元件、信號處理電路（如放大、溫度補償、失調(diào)校準）集成于同一半導(dǎo)體襯底，輸出電壓與外加磁場強度呈線性關(guān)系的集成電路（以下簡稱“芯片”）。3.2靈敏度sensitivity在額定工作電壓下，芯片輸出電壓隨外加磁場強度的變化率。3.3失調(diào)電壓offsetvoltage無外加磁場時，芯片的輸出電壓值。3.4線性度誤差linearityerror在規(guī)定磁場范圍內(nèi)，實際輸出特性曲線與理想線性擬合曲線的最大偏差，以滿量程輸出的百分比表示。4技術(shù)要求4.1外觀芯片表面應(yīng)無裂紋、劃痕、氣泡、污染等缺陷，引腳無氧化或變形。4.2電氣性能T/CMEEEAXXXX—20262芯片在常溫（25℃±2℃)、額定工作電壓條件下，電氣性能應(yīng)符合表1的規(guī)定。1-234567894.3環(huán)境適應(yīng)性4.3.1工作溫度工作溫度應(yīng)符合下列規(guī)定：a)商業(yè)級：0℃~70℃;b)工業(yè)級：-40℃~85℃;c)汽車級：-40℃~150℃。4.3.2貯存溫度-55℃~150℃,無包裝條件下貯存1000h后，性能應(yīng)符合表1的規(guī)定。4.3.3濕熱性能在40℃±2℃、相對濕度90%～95%條件下放置1000h后，電氣性能變化量不應(yīng)大于10%初始值，且無物理損壞。4.3.4耐振動按GB/T2423.10的規(guī)定試驗后，頻率10Hz～2000Hz，加速度10g，三個軸向各振動10h，性能應(yīng)符合表1的規(guī)定。4.3.5耐沖擊按GB/T2423.5的規(guī)定試驗后，半正弦波，峰值加速度50g，持續(xù)時間11ms，三個軸向各6次，性能應(yīng)符合表1的規(guī)定。5試驗方法5.1外觀在300Lx照度下，目距500mm，目視檢查芯片外觀及引腳狀態(tài)。5.2電氣性能5.2.1工作電壓試驗應(yīng)按下列步驟執(zhí)行：a)測試條件：常溫25℃±2℃,供電電壓調(diào)節(jié)范圍3.0V～5.5VDC，無磁場環(huán)境（B≤1mTb)使用設(shè)備：可調(diào)直流穩(wěn)壓電源（精度±0.5%）、數(shù)字萬用表（分辨率0.1mV）；c)將芯片接入測試電路，VCC引腳接可調(diào)電源，GND接地，輸出端接萬用表；T/CMEEEAXXXX—20263d)分別設(shè)置電源電壓為3.0V、4.0V、5.0V、5.5V，記錄各電壓下芯片輸出是否在0.1VCC~0.9VCC范圍內(nèi)。5.2.2靜態(tài)工作電流試驗應(yīng)按下列步驟執(zhí)行：a)測試條件：常溫25℃±2℃,供電電壓5.0V±0.05V，無磁場環(huán)境（B≤1mT）；b)使用設(shè)備：直流穩(wěn)壓電源（精度±0.1%）、1Ω高精度采樣電阻（精度±0.01%）、數(shù)字萬用表（分辨率0.1mV）；c)在VCC回路串聯(lián)采樣電阻，測量電阻兩端電壓U，計算電流。5.2.3失調(diào)電壓試驗應(yīng)按下列步驟執(zhí)行：a)測試條件：常溫25℃±2℃,供電電壓5.0V±0.05V，無磁場環(huán)境（B≤0.1mT）；b)使用設(shè)備：磁屏蔽箱（屏蔽效能≥80dB@100kHz）、高精度電壓表（分辨率0.1mV，精度±0.01%）；c)將芯片置于磁屏蔽箱內(nèi)，施加5.0V電壓，待輸出穩(wěn)定后，連續(xù)記錄10組輸出電壓值，取平均值作為失調(diào)電壓5.2.4靈敏度試驗應(yīng)按下列步驟執(zhí)行：a)測試條件：常溫25℃±2℃,供電電壓5.0V±0.05V，磁場范圍-100mT～+100mT（步長20mT）；b)使用設(shè)備：亥姆霍茲線圈（均勻度±0.5%）、磁場控制器（精度±0.1mT）、高低溫箱（控溫精度±1℃);c)常溫下，記錄各磁場強度對應(yīng)的輸出電壓，按公式（1）計算靈敏度。S式中：S——靈敏度，單位為毫伏每豪特斯拉（mV/mT）；U+20Mt——+100mT磁場時的輸出電壓，單位為毫伏（mV）；U+20Mt——-100mT磁場時的輸出電壓，單位為毫伏（mV）。5.2.5線性度誤差試驗應(yīng)按JB/T7490的規(guī)定執(zhí)行。5.2.6靈敏度溫度漂移試驗應(yīng)按下列步驟執(zhí)行：a)測試條件：溫度點-40℃、25℃、150℃（各保溫30min），供電電壓5.0V±0.05V，磁場強度100mT；b)使用設(shè)備：高低溫箱（控溫精度±1℃)、亥姆霍茲線圈、高精度電壓表；式中：ST——溫度T時的靈敏度，單位為毫伏每豪特斯拉（mV/mT）；S25——25℃時的靈敏度，單位為毫伏每豪特斯拉（mV/mT）；T——測試溫度，單位為攝氏度(℃)。5.2.7失調(diào)電壓溫度漂移T/CMEEEAXXXX—20264試驗應(yīng)按下列步驟執(zhí)行：測試條件：溫度點-40℃、25℃、150℃（各保溫30min），供電電壓5.0V±0.05V，無磁場環(huán)境；使用設(shè)備：高低溫箱、磁屏蔽箱、高精度電壓表（分辨率0.1mV）；式中：V0T——溫度T時的失調(diào)電壓，單位為毫伏（mV）；V025——25℃時的失調(diào)電壓，單位為毫伏（mV）；T——測試溫度，單位為攝氏度(℃)。5.2.8輸出電壓試驗應(yīng)按下列步驟執(zhí)行：a)測試條件：常溫25℃±2℃,供電電壓5.0V±0.05V，磁場范圍-200mT～+200mT；b)使用設(shè)備：亥姆霍茲線圈、磁場控制器、數(shù)字萬用表；c)分別施加-200mT和+200mT磁場，記錄輸出電壓V—2??和V?2??。5.2.9響應(yīng)時間試驗應(yīng)按下列步驟執(zhí)行：a)測試條件：常溫25℃±2℃,供電電壓5.0V±0.05V，階躍磁場10%→90%；b)使用設(shè)備：脈沖磁場發(fā)生器（上升時間不大于100ns）、數(shù)字示波器（帶寬不小于100MHz，采樣率不小于1GS/s）；c)施加0→100mT階躍磁場，記錄輸出電壓從10%VFS到90%VFS的時間間隔，測試3次取平均值。5.3環(huán)境適應(yīng)性5.3.1工作溫度試驗應(yīng)按GB/T2423.1和GB/T2423.2的規(guī)定執(zhí)行。5.3.2貯存溫度試驗應(yīng)按GB/T2423.1和GB/T2423.2的規(guī)定執(zhí)行。5.3.3濕熱性能試驗應(yīng)按下列步驟執(zhí)行：a)測試條件：40℃±2℃,相對濕度90%～95%，持續(xù)1000h；b)使用設(shè)備：恒定濕熱試驗箱（濕度控制精度±3%RH）；c)試驗后恢復(fù)24h，檢查外觀及電氣性能。5.3.4耐振動試驗應(yīng)按GB/T2423.10的規(guī)定執(zhí)行。5.3.5耐沖擊試驗應(yīng)按GB/T2423.5的規(guī)定執(zhí)行。6檢驗規(guī)則6.1檢驗分類檢驗應(yīng)分為出廠檢驗和型式檢驗。T/CMEEEAXXXX—202656.2檢驗項目檢驗項目應(yīng)符合表2的規(guī)定。表2檢驗項目1√√2√√3√√4√√5√√6-√7-√8-√9-√-√-√-√-√-√-√6.3出廠檢驗出廠檢驗項目應(yīng)符合表2的規(guī)定。6.4型式檢驗型式檢驗項目應(yīng)符合表2規(guī)定，有下列情況之一時，應(yīng)進行型式檢驗：a)新產(chǎn)品或老產(chǎn)品轉(zhuǎn)廠生產(chǎn)的試制定型鑒定時；b)正常生產(chǎn)，每年檢驗一次；c)設(shè)計、工藝、配方有改變可能影響產(chǎn)品質(zhì)量時；d)停產(chǎn)1年后，恢復(fù)生產(chǎn)時；e)出廠檢驗結(jié)果與上次型式檢驗結(jié)果有較大差異時。6.5組批和抽樣6.5.1組批以同一生產(chǎn)批次（同一工藝、同一材料、同一生產(chǎn)日期連續(xù)生產(chǎn)的產(chǎn)品）為一個檢驗批，批量大小應(yīng)不超過10000只。6.5.2抽樣6.5.2.1出廠檢驗：按GB/T2828.1的規(guī)定執(zhí)行，采用正常檢驗一次抽樣方案，檢驗水平Ⅰ,接收質(zhì)量限（AQL）為1.0。6.5.2.2型式檢驗：從出廠檢驗合格的同一批產(chǎn)品中隨機抽取樣本，樣本數(shù)量不少于20只，分為5組進行試驗，每組不少于4只。6.6判定規(guī)則6.6.1出廠檢驗項目符合本文件規(guī)定時，應(yīng)判定為合格；任意一項檢驗項目不合格，取雙倍試樣復(fù)檢，復(fù)檢合格應(yīng)判定為合格，仍不合格應(yīng)判定為不合格。6.6.2型式檢驗項目符合本文件規(guī)定時，應(yīng)判定為合格；任意一項檢驗項目不合格，應(yīng)判定為不合格。7標志、包裝、運輸與貯存T/CMEEEAXXXX—202667.1標志7.1.1產(chǎn)品標志芯片本體或包裝上應(yīng)清晰標注以下內(nèi)容：a)產(chǎn)品型號及規(guī)格；b)生產(chǎn)批次號；c)生產(chǎn)日期；d)生產(chǎn)商名稱或商標。7.1.2包裝標志外包裝箱應(yīng)符合GB/T191的規(guī)定，標注下列內(nèi)容：a)產(chǎn)品名稱及型號；b)毛重、凈重；c)箱內(nèi)產(chǎn)品數(shù)量；d)生產(chǎn)企業(yè)名稱、地址及聯(lián)系方式；e)儲運圖示標志。7.2包裝內(nèi)包裝產(chǎn)品應(yīng)裝入防靜電防潮袋，再放入瓦楞紙箱，箱內(nèi)填充緩沖材料防止震動。每箱產(chǎn)品應(yīng)附產(chǎn)品合格證和使用說明書。7.3運輸運輸過程