第三章《不同聚集狀態(tài)的物質(zhì)與性質(zhì)》單元測(cè)試卷 選擇性必修2魯科版(2019)高中化學(xué)_第1頁(yè)
第三章《不同聚集狀態(tài)的物質(zhì)與性質(zhì)》單元測(cè)試卷 選擇性必修2魯科版(2019)高中化學(xué)_第2頁(yè)
第三章《不同聚集狀態(tài)的物質(zhì)與性質(zhì)》單元測(cè)試卷 選擇性必修2魯科版(2019)高中化學(xué)_第3頁(yè)
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第三章《不同聚集狀態(tài)的物質(zhì)與性質(zhì)》單元測(cè)試卷一、單選題(共16小題)1.某離子晶體DxEC6的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,陽(yáng)離子D+位于晶胞棱的中點(diǎn)和晶胞內(nèi)部,陰離子EC位于晶胞的頂角和面心。則DxEC6中x的值為()A.1B.2C.3D.42.下列有關(guān)金屬鍵的敘述錯(cuò)誤的是()A.金屬鍵沒(méi)有飽和性和方向性B.金屬鍵是金屬陽(yáng)離子和自由電子之間存在的強(qiáng)烈的靜電吸引作用C.金屬鍵中的電子屬于整塊金屬D.金屬的物理性質(zhì)和金屬固體的形成都與金屬鍵有關(guān)3.下列各組金屬熔點(diǎn)高低順序正確的是()A.Mg>Al>CaB.Al>Na>LiC.Al>Mg>CaD.Mg>Ba>Al4.下列各項(xiàng)所述的數(shù)字不是6的是()A.在NaCI晶體中,與一個(gè)Na+最近的且距離相等的CI﹣的個(gè)數(shù)B.在金剛石晶體中,最小的環(huán)上的碳原子個(gè)數(shù)C.在二氧化硅晶體中,最小的環(huán)上的原子個(gè)數(shù)D.在石墨晶體的片層結(jié)構(gòu)中,最小的環(huán)上的碳原子個(gè)數(shù)5.下列對(duì)各組物質(zhì)性質(zhì)的比較中,不正確的是()A.熔點(diǎn):Li>Na>KB.導(dǎo)電性:Ag>Cu>Al>FeC.密度:Na﹤Mg﹤AlD.空間利用率:體心立方堆積<六方最密堆積<面心立方最密堆積6.最近發(fā)現(xiàn)了一種由金屬原子M和非金屬原子N構(gòu)成的氣態(tài)團(tuán)簇分子,如圖所示,頂角和面的原子是M原子,棱中心和體心的原子是N原子,它的分子式為()A.M4N4B.MNC.M14N13D.條件不夠,無(wú)法寫(xiě)出7.在二氧化硅晶體中,一個(gè)硅原子連接的氧原子個(gè)數(shù)為()A.2B.4C.6D.88.氮化硼是一種新合成的結(jié)構(gòu)材料,它是一種超硬、耐磨、耐高溫的物質(zhì)。下列各組物質(zhì)熔化時(shí)所克服粒子間作用力與氮化硼熔化時(shí)克服粒子間作用力的類型都相同的是()A.硝酸鈉和金剛石B.晶體硅和水晶C.冰和干冰D.苯和萘9.有關(guān)晶格能的敘述正確的是()A.晶格能是原子形成1摩爾離子晶體釋放的能量B.晶格能通常取正值,有時(shí)也取負(fù)值C.晶格能越大,形成的離子晶體越穩(wěn)定D.晶格能越大,物質(zhì)的硬度越小10.離子晶體熔點(diǎn)的高低決定于陰、陽(yáng)離子的核間距離、晶格能的大小,據(jù)所學(xué)知識(shí)判斷KCl、NaCl、CaO、BaO四種晶體熔點(diǎn)的高低順序是()A.KCl>NaCl>BaO>CaOB.NaCl>KCl>CaO>BaOC.CaO>BaO>KCl>NaClD.CaO>BaO>NaCl>KCl11.X、Y都是第ⅡA族(Be除外)的元素,已知它們的碳酸鹽的熱分解溫度:T(XCO3)>T(YCO3),則下列判斷不正確的是()A.晶格能:XCO3>YCO3B.陽(yáng)離子半徑:X2+>Y2+C.金屬性:X>YD.氧化物的熔點(diǎn):XO<YO12.干冰和二氧化硅晶體同屬第ⅣA族元素的最高價(jià)氧化物,它們的熔、沸點(diǎn)差別很大的原因是()A.二氧化硅的相對(duì)分子質(zhì)量大于二氧化碳的相對(duì)分子質(zhì)量B.C===O鍵鍵能比Si—O鍵鍵能小C.干冰為分子晶體,二氧化硅為共價(jià)晶體D.干冰易升華,二氧化硅不能13.下列不屬于晶體的特點(diǎn)的是()A.一定有固定的幾何外形B.一定有各向異性C.一定有固定的熔點(diǎn)D.一定是無(wú)色透明的固體14.離子晶體不可能具有的性質(zhì)是()A.較高的熔沸點(diǎn)B.良好的導(dǎo)電性C.溶于極性溶劑D.堅(jiān)硬而易粉碎15.氫是重要而潔凈的能源。要利用氫氣作為能源,必須解決好安全有效地儲(chǔ)存氫氣的問(wèn)題?;瘜W(xué)家研究出利用合金儲(chǔ)存氫氣的方法,其中鑭(La)鎳(Ni)合金是一種儲(chǔ)氫材料,這種合金的晶體結(jié)構(gòu)已經(jīng)測(cè)定,其基本結(jié)構(gòu)單元如圖所示,則該合金的化學(xué)式可表示為()A.LaNi5B.LaNiC.La14Ni24D.La7Ni1216.現(xiàn)有如下各種說(shuō)法:①在水中氫、氧原子間均以化學(xué)鍵相結(jié)合②金屬和非金屬化合形成離子鍵③離子鍵是陽(yáng)離子、陰離子的相互吸引④根據(jù)電離方程式HCl===H++Cl-,判斷HCl分子里存在離子鍵⑤H2和Cl2的反應(yīng)過(guò)程是H2、Cl2里共價(jià)鍵發(fā)生斷裂生成H、Cl,而后H、Cl形成離子鍵的過(guò)程則對(duì)各種說(shuō)法的判斷正確的是()A.①②⑤正確B.都不正確C.④正確,其他不正確D.僅①不正確二、填空題(共5小題)17.已知物質(zhì)熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)回答問(wèn)題:(1)下列各組物質(zhì)中,熔化時(shí)所克服的粒子間作用力類型分別與氟化鋁和溴化鋁相同的是(填序號(hào))。A.NaCl和CCl4B.Na2O和SiO2C.金剛石和金屬鋁D.碘和干冰(2)MgCl2的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于AlCl3熔點(diǎn)的原因是_____________________________________________________________________________。(3)工業(yè)上常用電解熔融MgCl2的方法生產(chǎn)金屬鎂,用電解Al2O3與冰晶石熔融混合物的方法生產(chǎn)鋁。為什么不用電解MgO的方法生產(chǎn)鎂,也不用電解AlCl3的方法生產(chǎn)鋁?______________________________________________________________________________________________________________________。(4)MgO的熔點(diǎn)比BaO的熔點(diǎn)_________(填“高”或“低”)。(5)設(shè)計(jì)可靠的實(shí)驗(yàn)證明MgCl2、AlCl3所屬的晶體類型,其實(shí)驗(yàn)方法是______________________________________________________________________________________________________________________。18.(1)LiAlH4是有機(jī)合成中常用的還原劑,LiAlH4中的陰離子空間構(gòu)型是________、中心原子的雜化形式為_(kāi)_______。LiAlH4中,存在________(填標(biāo)號(hào))。A.離子鍵B.σ鍵C.π鍵D.氫鍵(2)Li2O是離子晶體,其晶格能可通過(guò)圖(a)的Born­Haber循環(huán)計(jì)算得到。可知,Li原子的第一電離能為_(kāi)_______kJ·mol-1,O==O鍵鍵能為_(kāi)_______kJ·mol-1,Li2O晶格能為_(kāi)_______kJ·mol-1。19.Mn、Fe均為第4周期過(guò)渡金屬元素,兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表:回答下列問(wèn)題:(1)Mn元素基態(tài)原子的價(jià)電子層的電子排布式為_(kāi)_________,比較兩元素的I2、I3可知,氣態(tài)Mn2+再失去一個(gè)電子比氣態(tài)Fe2+再失去一個(gè)電子難。對(duì)此你的解釋是________________________________________________________________________________________________________________________________________________。(2)金屬鐵的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式,晶胞分別如下圖所示。面心立方晶胞和體心立方晶胞中實(shí)際含有的Fe原子個(gè)數(shù)之比為_(kāi)___________,F(xiàn)e原子配位數(shù)之比為_(kāi)_______。20.石墨的片層結(jié)構(gòu)如圖所示:試回答:(1)片層中平均每個(gè)六元環(huán)含碳原子數(shù)為個(gè)。(2)在片層結(jié)構(gòu)中,碳原子數(shù)、C—C鍵數(shù)、六元環(huán)數(shù)之比為。21.N與B、Al、Ga均可以形成晶體,回答下列問(wèn)題。(1)氮化硼(BN)是一種重要的功能陶瓷材料。立方氮化硼結(jié)構(gòu)與金剛石相似,硬度與金剛石相當(dāng),晶胞邊長(zhǎng)為acm,立方氮化硼晶胞中含有________個(gè)氮原子、________個(gè)硼原子,立方氮化硼的密度是____________g·cm-3(只要求列算式,不必計(jì)算出數(shù)值。阿伏加德羅常數(shù)為NA)。(2)C、N元素形成的新材料具有如下圖所示結(jié)構(gòu),該晶體的化學(xué)式為_(kāi)___________。該晶體硬度將超過(guò)目前世界上最硬的金剛石,其原因是_____________________________________________________________________________________________________________________。(3)Al2O3在一定條件下可制得AlN,其晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,該晶體中Al的配位數(shù)是________。(4)下圖是氮化鎵的晶胞模型:氮化鎵中鎵原子的雜化方式為_(kāi)_______,氮原子的配位數(shù)為_(kāi)_______。

答案解析1.【答案】C2.【答案】B【解析】金屬原子脫落下來(lái)的價(jià)電子形成遍布整塊金屬的“電子氣”,被所有原子所共用,從而把所有的金屬原子維系在一起,故金屬鍵無(wú)飽和性和方向性;金屬鍵中的電子屬于整塊金屬共用;金屬鍵是金屬陽(yáng)離子和自由電子之間的強(qiáng)烈作用,既存在金屬陽(yáng)離子與自由電子之間的靜電吸引作用,也存在金屬陽(yáng)離子之間及自由電子之間的靜電排斥作用;金屬的物理性質(zhì)及固體形成都與金屬鍵的強(qiáng)弱有關(guān)。3.【答案】C【解析】電荷數(shù)Al3+>Mg2+=Ca2+=Ba2+>Li+=Na+,金屬陽(yáng)離子半徑:r(Ba2+)>r(Ca2+)>r(Na+)>r(Mg2+)>r(Al3+)>r(Li+),故C正確,A錯(cuò)誤;B中Li>Na,D中Al>Mg>Ba。4.【答案】C【解析】A,NaCl晶體屬面心立方結(jié)構(gòu),與一個(gè)Na+最近且距離相等的Cl﹣的個(gè)數(shù)有6個(gè),故A正確;B,金剛石晶體中,最小的環(huán)上的碳原子個(gè)數(shù)有6個(gè),故B正確;C,二氧化硅晶體相當(dāng)于在硅晶體中兩個(gè)硅原子間分別加上一個(gè)O原子,因此最小環(huán)上的原子個(gè)數(shù)為12個(gè),故C錯(cuò)誤;D,石墨晶體的片層結(jié)構(gòu)中,最小環(huán)上的碳原子個(gè)數(shù)為6個(gè),故D正確.5.【答案】B【解析】同主族的金屬單質(zhì),原子序數(shù)越大,熔點(diǎn)越低,這是因?yàn)樗鼈兊膬r(jià)電子數(shù)相同,隨著原子半徑的增大,金屬鍵逐漸減弱,所以A選項(xiàng)正確;常用的金屬導(dǎo)體中,導(dǎo)電性最好的是銀,其次是銅,再次是鋁、鐵,所以B選項(xiàng)正確。Na、Mg、Al是同周期的金屬單質(zhì),密度逐漸增大,故C項(xiàng)正確;不同堆積方式的金屬晶體空間利用率分別是:簡(jiǎn)單立方堆積52%,體心立方最密堆積68%,六方最密堆積和面心立方最密堆積均為74%,因此D項(xiàng)錯(cuò)誤。6.【答案】C【解析】均攤法不能用于氣體團(tuán)簇分子7.【答案】B【解析】二氧化硅屬于共價(jià)晶體,在SiO2晶體中,一個(gè)硅原子連著4個(gè)氧原子,一個(gè)氧原子連著2個(gè)硅原子。8.【答案】B【解析】由題干信息知氮化硼是原子晶體,選項(xiàng)中各組物質(zhì)熔化時(shí)所克服粒子間作用力與氮化硼熔化時(shí)克服粒子間作用力的類型都相同,則它們的晶體類型都是原子晶體。A中硝酸鈉為離子晶體,金剛石為原子晶體;C與D均為分子晶體,只有B項(xiàng)中晶體硅和水晶屬于原子晶體,B正確。9.【答案】C【解析】晶格能是氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體時(shí)所釋放的能量,晶格能取正值,且晶格能越大,晶體越穩(wěn)定,熔點(diǎn)越高,硬度越大。10.【答案】D【解析】對(duì)于離子晶體來(lái)說(shuō),離子所帶電荷數(shù)越多,陰、陽(yáng)離子間的核間距離越小,晶格能越大,離子鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。一般在陰、陽(yáng)離子的核間距離相當(dāng)時(shí)首先看離子所帶電荷數(shù),CaO、BaO所帶電荷數(shù)都大于KCl、NaCl,所以CaO、BaO熔點(diǎn)大于KCl、NaCl;其次再在電荷數(shù)相當(dāng)時(shí),看陰、陽(yáng)離子的核間距離,r(Ba2+)>r(Ca2+),熔點(diǎn)CaO>BaO,r(K+)>r(Na+),熔點(diǎn)NaCl>KCl。11.【答案】A【解析】碳酸鹽的熱分解是由于晶體中的陽(yáng)離子結(jié)合碳酸根中的氧離子。熱分解溫度越高,該陽(yáng)離子越難結(jié)合氧離子,離子半徑越大,故B項(xiàng)正確。同時(shí)該碳酸鹽的晶格能也越小,故A項(xiàng)不正確(同類型晶體,晶格能與離子半徑成反比)。同族元素離子半徑越大,原子的半徑也越大,金屬性必然越強(qiáng),故C項(xiàng)正確。陽(yáng)離子半徑是X2+>Y2+,則晶格能:XO<YO,故熔點(diǎn):XO<YO,D項(xiàng)正確。12.【答案】C【解析】干冰和二氧化硅晶體盡管同屬第ⅣA族元素的最高價(jià)氧化物,但干冰是分子晶體,二氧化硅為共價(jià)晶體。干冰的熔、沸點(diǎn)取決于其分子間作用力的大小,而不是共價(jià)鍵鍵能的強(qiáng)弱;而二氧化硅的熔、沸點(diǎn)則由Si—O鍵鍵能的強(qiáng)弱所決定。13.【答案】D【解析】晶體的特點(diǎn)有:有規(guī)則的幾何外形(由晶體的自范性決定)、固定的熔點(diǎn)及各向異性,但不一定是無(wú)色透明的固體,如紫黑色的碘晶體、藍(lán)色的硫酸銅晶體。14.【答案】B【解析】此題考查的是離子晶體的共性。離子晶體是陰、陽(yáng)離子通過(guò)離子鍵結(jié)合而成的,在固態(tài)時(shí),陰、陽(yáng)離子受到彼此的束縛不能自由移動(dòng),因而不導(dǎo)電。只有在離子晶體溶于水或熔融后,電離成可以自由移動(dòng)的陰、陽(yáng)離子,才可以導(dǎo)電。15.【答案】A【解析】據(jù)上述物質(zhì)的結(jié)構(gòu)知La原子的數(shù)目為,而Ni原子的數(shù)目為,所以La與Ni的原子個(gè)數(shù)比為3∶15=1∶5。16.【答案】B【解析】水中存在分子內(nèi)H、O原子之間的相互作用,分子間的H、O原子也相互作用。而化學(xué)鍵只指分子內(nèi)相鄰原子間強(qiáng)烈的相互作用。故①敘述不正確。離子鍵不是存在于任何金屬和非金屬微粒間,只是活潑金屬和活潑非金屬化合時(shí),才可形成離子鍵。故②敘述不正確。在離子化合物中,陰、陽(yáng)離子間存在相互作用,但不單指吸引力還有相互排斥力。故③敘述也不正確。氯化氫分子中不存在離子,它屬于共價(jià)化合物,分子中沒(méi)有離子鍵。故④敘述不正確。化學(xué)反應(yīng)的本質(zhì)是舊鍵斷裂、新鍵形成的過(guò)程,但HCl中存在共價(jià)鍵而非離子鍵。故⑤不正確。17.【答案】(1)A(2)MgCl2是離子晶體,AlCl3是分子晶體,離子鍵的強(qiáng)度遠(yuǎn)大于分子間作用力(3)氧化鎂晶體比氯化鎂晶體晶格能大,熔點(diǎn)高,電解時(shí)消耗電能大。AlCl3不屬于離子晶體,熔融時(shí)不能導(dǎo)電,因而不能用電解AlCl3的方法生產(chǎn)鋁(4)高(5)將兩晶體加熱到熔化狀態(tài),MgCl2能導(dǎo)電,AlCl3不能導(dǎo)電,則可證明AlCl3為分子晶體,MgCl2為離子晶體【解析】(1)由表中數(shù)據(jù)可知AlF3是離子化合物,熔化時(shí)需克服離子鍵,而AlBr3是分子晶體,熔化時(shí)需克服分子間作用力,故選A。(2)MgCl2是離子晶體,離子間通過(guò)離子鍵結(jié)合,AlCl3為共價(jià)化合物分子,分子間通過(guò)范德華力結(jié)合,離子鍵作用力遠(yuǎn)大于范德華力,所以MgCl2熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于AlCl3熔點(diǎn)。(3)因?yàn)镸gO的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于MgCl2,故電解熔融MgO將需要更高的溫度,消耗更多的能量,因而不用電解MgO的方法生產(chǎn)鎂。AlCl3不屬于離子晶體,熔融時(shí)不能導(dǎo)電,因而不能用電解AlCl3的方法生產(chǎn)鋁

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