【《稠環(huán)結(jié)構(gòu)受體材料的發(fā)展歷程文獻(xiàn)綜述》6300字(論文)】_第1頁
【《稠環(huán)結(jié)構(gòu)受體材料的發(fā)展歷程文獻(xiàn)綜述》6300字(論文)】_第2頁
【《稠環(huán)結(jié)構(gòu)受體材料的發(fā)展歷程文獻(xiàn)綜述》6300字(論文)】_第3頁
【《稠環(huán)結(jié)構(gòu)受體材料的發(fā)展歷程文獻(xiàn)綜述》6300字(論文)】_第4頁
【《稠環(huán)結(jié)構(gòu)受體材料的發(fā)展歷程文獻(xiàn)綜述》6300字(論文)】_第5頁
已閱讀5頁,還剩7頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

付費下載

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

稠環(huán)結(jié)構(gòu)受體材料的發(fā)展歷程文獻(xiàn)綜述(1)苝二酰亞胺及其衍生物結(jié)構(gòu)的受體材料苝二酰亞胺(PDI)為共軛剛性大π環(huán)結(jié)構(gòu),具有電子傳輸能力優(yōu)異、電子遷移率高、光學(xué)條件下穩(wěn)定性好、可見光范圍400?600nm具有較強吸收、可修飾位點多和化學(xué)能級易于調(diào)控等優(yōu)點。因此PDI被廣泛用作非富勒烯受體材料。Müllen[37]課題組將寬帶隙聚合物給體PCz和PDI共混,通過調(diào)控給體和受體組分比例使得薄膜的相分離尺寸減小,電荷提取效率提高,器件效率達(dá)到0.63%。Zhan[38]課題組以小分子給體p-DTS(FBTTh2)2與PDI共混,發(fā)現(xiàn)在不同D/A比例時活性層的復(fù)合損失幾乎不變,共混膜的吸收能力增強。在最優(yōu)相分離尺寸下,器件效率最高達(dá)到5.13%。單PDI為平面剛性分子,聚集性十分強,導(dǎo)致活性層形貌差。常在PDI的α位、灣位、酰亞胺位等活性位點引入側(cè)鏈單元,打破分子平面剛性,提高溶解度,減小分子過度聚集,優(yōu)化分子形貌,提高器件性能。Tobin[39]課題組在PDI的α位引入不同的取代基,合成了三個小分子受體Hexyl-PDI、Phenethyl-PDI和Phenyl-PDI。與單PDI相比,三個分子都呈現(xiàn)出滑移堆積,結(jié)晶性都得到減弱。與聚合物給體PBTI3T共混時三者都有較好的電荷分離率,但是Phenyl-PDI受體聚集形貌較好,有利于電荷傳輸,相分離尺寸最好?;赑henyl-PDI所制備的器件的光電轉(zhuǎn)換效率為3.67%。Zheng[40]課題組用格氏試劑,實現(xiàn)未破環(huán)共軛平面條件下一步在PDI的α位置引入側(cè)鏈基團(tuán),合成了四個PDI小分子受體材料PDI-4Mes、PDI-4Th、PDI-2S-4Mes和PDI-2S-4Th。當(dāng)PDI用硫原子封端后在200?400nm內(nèi)吸收系數(shù)增強,HOMO能級降低而LUMO能級增大;同時相對于甲基,側(cè)鏈引入苯基后分子平面結(jié)構(gòu)更加扭曲,結(jié)晶性減弱。以PTB7-Th為給體共混,四個小分子的器件效率分別為2.55%、2.97%、1.30%和5.07%,是單PDI最優(yōu)秀的效率之一。除單PDI外,二聚體PDI也能降低聚集,Narayan[41]課題組將兩個PDI小分子通過N-N單鍵相連合成PDI二聚體PDI1,由于單鍵連接使得兩個分子不在同一個平面上,有效的降低分子間的聚集,增強短路電流密度,擴大了光學(xué)吸收范圍。與聚合物給體材料PBDTTT-C-T共混制備成膜后器件效率達(dá)到2.78%。Alex[42]課題組以α位C-C鍵相連形成的二聚體s-diPBI為受體,以2D聚合物材料PBDTTT-C-T為給體,分別制備了正裝和倒裝器件。正裝器件效率為4.21%,倒裝器件在溶劑退火處理后器件效率達(dá)到5.90%。探究發(fā)現(xiàn)正裝器件的電子傳輸率和空穴傳輸率更加平衡,能夠制備為厚膜,能夠大面積制備。Wang[43]課題組用硫原子對PDI灣位進(jìn)行封端,構(gòu)建小分子SdiPBI-S。硫原子的引入增加了分子內(nèi)扭曲,分子內(nèi)的兩PBI單元二面角為80oC,并且提升了LUMO能級。與寬帶隙聚合物給體PDBT-T1共混,當(dāng)0.75%DIO做添加劑時,器件效率為7.16%。次年為進(jìn)一步探究相關(guān)原理,該課題組又以最外層電子云密度更大的硒原子封端,合成新分子SdiPBI-Se[44]。相對于SdiPBI-S,小分子SdiPBI-Se的LUMO軌道能級更高,開路電壓能得到提升。與PDBT-T1共混,有著更加出色的電子遷移率、更加平衡的電荷傳輸和更高的填充因子,器件效率達(dá)到8.42%。Peng[45]課題組進(jìn)一步拓展到三個PDI相連并且灣位分別用硫原子和硒原子封端,構(gòu)建了兩個扭曲三聚體受體材料Tri-PDI-S和Tri-PDI-Se。Tri-PDI-Se與Tri-PDI-S相比,分子間相互作用更強,電子傳輸能力更強,因此短路電流更大達(dá)到短路電流為17.15mAcm-2?;赑TB7-Th:Tri-PDI-Se活性層的器件,填充因子為66.8%,器件效率為8.82%,而基于PTB7-Th:Tri-PDI-S活性層的器件,填充因子為63.6%,器件效率為7.86%。除了單鍵連接外,PDI與中間核稠環(huán)也拓展PDI的發(fā)展方向,并且取得了不錯的效率。Nuckolls[46]課題組將兩個PDI直接稠環(huán)得到小分子受體材料HelicalPDI1,與聚合物給體PTB7和PBDTT-TT分別共混,器件效率最高分別為5.14%和5.94%。除此之外,作者發(fā)現(xiàn)從受體到給體的空穴傳輸和從給體到受體的電荷傳輸?shù)臅r間約2ps。次年,作者將稠環(huán)PDI的數(shù)量增加為3和4,構(gòu)建了小分子受體hPDI3和hPDI4[47]。分別與聚合物給體PTB7和PTB7-Th共混,發(fā)現(xiàn)受體組分的加入破壞了聚合物給體的結(jié)晶,并且hPDI3所形成的微晶取向較差。器件PTB7:hPDI3的效率為6.4%,器件PTB7-Th:hPDI3的效率為7.9%,器件PTB7:hPDI4的效率為6.5%,器件PTB7-Th:hPDI4的效率為8.3%。為了進(jìn)一步改良PDI系列受體材料,科研工作者設(shè)計了基于三維結(jié)構(gòu)的多聚PDI小分子受體材料。該類材料因PDI朝向不同能很大程度降低分子聚集,優(yōu)化活性層形貌,三維結(jié)構(gòu)能夠提高電荷傳輸效率。Zhan[48]課題組制備了以三苯胺為中間核的星型小分子受體S(TPA-PDI)。分子在400?650nm范圍內(nèi)吸收較強,與聚合物給體PBDTTT-C-T共混,加入5%DIO做添加劑時,短路電流為11.92mAcm?2,器件效率達(dá)到了3.22%。Peng[49]課題組以三嗪和苯作為中間核,合成了兩個星型受體材料Ta-PDI和Ph-PDI。Ph-PDI的分子結(jié)構(gòu)相對于Ta-PDI更加扭曲,三個PDI之間二面角更大,呈現(xiàn)螺旋槳的分子構(gòu)型。分別與聚合物給體PTB7-Th的共混,Ta-PDI薄膜呈現(xiàn)更好的結(jié)晶性,更高的π-π堆積,更優(yōu)異的電子遷移率,因此其器件獲得了9.15%的光電轉(zhuǎn)換效率,而Ph-PDI的光電轉(zhuǎn)換效率為5.57%。Yan[50]課題組以四噻吩苯為中間核通過單鍵連接和稠環(huán)的方式制備了小分子受體TTB-PDI4和FTTB-PDI4。分子TTB-PDI4高度扭曲堆積小,而FTTB-PDI4扭曲小,仍具有一定堆積。同時稠環(huán)后吸收范圍更廣,以聚合物P3TEA為給體,制備器件的光電轉(zhuǎn)換效率為10.58%。Peng[51]課題組以三苯基膦(TPP)、三苯基氧化膦(TPO)和三苯基膦硫化物(TPS)為中間核制備三個星型小分子受體TPP-PDI、TPO-PDI和TPS-PDI。由于它們的主干相似,三個小分子受體都表現(xiàn)出幾乎C3對稱的星型結(jié)構(gòu)。氧化和硫化降低磷原子的電子密度后,該結(jié)構(gòu)的扭曲程度也得到降低。因氧原子的吸電能力最強,其分子扭曲程度最小,以PTTEA為給體,器件效率最高達(dá)到11.01%。(2)引達(dá)省及其衍生物結(jié)構(gòu)的稠環(huán)受體材料Zhan[20]課題組以引達(dá)省并二噻吩(IDTT)為中間核,合成了新型小分子受體材料ITIC,光譜吸收紅移,將其與聚合物給體PTB7-Th共混時,器件材料具有良好的結(jié)晶性,較平衡電子和空穴遷移率。器件效率達(dá)到了6.8%。Peng[52]課題組將苯并二噻吩與萘并喹喔啉共聚合成了聚合物給體材料PBDT-NQx和PBDTS-NQx,基于PBDTS-NQx與ITIC共混所制備的太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到11.47%。高性能表現(xiàn)使得ITIC及其衍生物逐漸成為非富勒烯材料未來發(fā)展方向,為了更廣泛的與給體材料匹配,科研工作者對其中間核進(jìn)行了一系列的修飾。Alex[53]課題組用并噻吩取代IDTT中苯環(huán),構(gòu)建小分子受體材料4TIC,其吸收達(dá)到900nm,具有較好的平面性,與聚合物給體PTB7-Th共混后,分子復(fù)合較小,活性層具有較好的堆積,器件效率達(dá)到了10.43%。作者以PBDB-T:ITIC為前電池,PTB7-Th:4TIC為后電池,制備成疊層器件,器件效率達(dá)到了12.62%。此后,Alex[54]課題組對中間核4T兩側(cè)各擴環(huán)一個噻吩制備了受體6TIC。相比于4TIC中間核,6TIC中間核的給電子能力更強,使得吸收光譜進(jìn)一步紅移且重組能更低。6TIC與聚合物給體PTB7-Th共混后,能夠形成互穿網(wǎng)絡(luò)狀結(jié)構(gòu),熱退火處理后結(jié)晶性增強,結(jié)晶尺寸變大,器件的效率達(dá)到11.07%。制備成半透明有機太陽能電池后,器件效率也有7.62%。Wang[55]課題組在中間核引入苯并二吡喃(DTDP)共軛骨架,制備了小分子受體DTDP-IC和DTDP-MIC,氧原子給電使得光吸收范圍紅移,其中DTDP-MIC光學(xué)帶隙為1.4eV,與給體聚合物PBDB-T共混,DTDP-IC和DTDP-MIC的器件效率分別為8.88%和9.39%。Li[56]課題組根據(jù)中間核氧原子位置不同合成了同分異構(gòu)體TPTC和TPTIC。與TPTIC適度結(jié)晶相比,TPTC過度聚集具有幾種不同晶型,TPTC的電荷傳輸效率遠(yuǎn)低于TPTIC。與聚合物給體PTQ10共混,器件效率分別為4.65%和10.42%。Ding[57]課題組通過擴環(huán)合成了小分子COi8DFIC,吸收范圍為600-1000nm,光學(xué)帶隙為1.26eV。與聚合物給體PTB7-Th共混,器件效率為12.16%,短路電流為26.12mAcm-2。Chen[58]課題組將COi8DFIC應(yīng)用在疊層器件當(dāng)中,其器件效率高達(dá)17.3%。除對中間核骨架調(diào)節(jié)性能外,側(cè)鏈工程也是調(diào)節(jié)分子性能的重要手段。側(cè)鏈工程可以優(yōu)化分子構(gòu)型,使堆積更加有序,改善形貌。Ma[59]課題組分別用一個和兩個C8直鏈取代C6烷基苯側(cè)鏈,合成三個新型小分子受體IDT-OB、IDT-2O和IDT-2B。與IDT-2B相比,IDT-OB和IDT-2O吸收帶隙紅移,且IDT-2O紅移更多,IDT-OB的不對稱側(cè)鏈,烷基直鏈能減短π-π堆積距離,增大多媒尺寸,同時烷基苯側(cè)鏈能夠阻止分子過度聚集,形成合適相分離,得到平衡的電子-空穴遷移率。與聚合物給體PBDB-T共混,IDT-2B、IDT-OB和IDT-2O的光電轉(zhuǎn)化效率分別為6.42%、10.12%和9.68%。對末端單元的修飾同樣能夠調(diào)節(jié)ITIC系列分子的性能,不同的末端基團(tuán)光電性能差異顯著。Hou[60]課題組以5或6號位帶甲基的雙氰基茚苯二酮位做末端基團(tuán),IDTT為中間核單元,構(gòu)建了小分子受體材料IT-M。甲基為弱給電單元,因此相對于ITIC,IT-M的LUMO能量提高。與聚合物給體PBDB-T制備成薄膜,在面外方向具有較強的π-π堆積和較高的相純度。光電轉(zhuǎn)化效率為12.05%,為當(dāng)時最高單層器件效率。次年,Hou[22]課題組以IC-2F為末端基團(tuán),制備了小分子受體材料IT-4F。氟原子的降低了HOMO和LUMO的能量,IT-4F的吸收帶隙紅移,吸光系數(shù)增大。以PBDBT-SF為給體,制備成器件后光電轉(zhuǎn)化效率為13%。同是Hou[61]課題組,在末端基團(tuán)引入氯原子,設(shè)計了小分子受體IT-4Cl。氯原子具有更大的偶極矩,能更一步降低分子軌道能級,同時氯原子能增強分子間相互作用,增寬分子吸收范圍。以PBDB-T-2F為給體制備成器件,光電轉(zhuǎn)化效率超過13%。在A-D-A型小分子受體中引入π橋,也是調(diào)節(jié)分子能級優(yōu)化分子結(jié)構(gòu)的方式。Zhan[62]課題組在小分子IDIC中引入烷基鏈噻吩做π橋,合成小分子受體IEIC。IEIC在500?750nm范圍內(nèi)呈強吸收,在672nm時,吸光系數(shù)為1.1×105M-1cm-1,LUMO能量較低,電子遷移率相對較高,與窄帶隙聚合物給體PTB7-Th共混,器件效率為6.31%。Hou[63]課題組在IEIC基礎(chǔ)上,在噻吩π橋的烷基側(cè)鏈中引入氧原子,合成新型小分子受體IEICO,IEICO的光學(xué)帶隙為1.34eV,較IEIC減小0.16eV,吸收光譜紅移至900nm,HOMO能量升高。以PBDTTT-E-T為給體材料共混,開路電壓為0.82V,器件效率為9.32%,制備成疊層器件,器件效率為10.70%。Zhu[63]課題組將IEIC中烷基噻吩π橋替換為酯基噻吩并噻吩,合成小分子受體材料ATT-2。ATT-2的光譜吸收范圍為600-940nm,光學(xué)帶隙為1.32eV。與聚合物給體PTB7-Th共混時,填充因子為0.63,短路電流高達(dá)20.75mAcm-2,器件效率為9.58%。當(dāng)銀電極厚度為20nm時,制備成半透明器件,光電轉(zhuǎn)換效率為7.74%。Li[64]課題組在ID-4F受體中引入單邊硫烷鏈噻吩作π橋,制備了不對稱小分子受體IDST-4F。π橋的不對稱插入導(dǎo)致分子具有更大的偶極矩,并且π橋和IDT中間核的S···S非共價鍵相互作用,導(dǎo)致分子稠環(huán)梯形分子的平面性。與ID-4F相比,IDST-4F吸收范圍更寬,分子內(nèi)偶極矩更大,結(jié)晶性得到適度抑制。與聚合物給體PM6共混,器件效率達(dá)到14.3%。同時在150oC下退火1200min,器件效率仍然保持原來的85%。(3)苯并噻二唑及其衍生物結(jié)構(gòu)的稠環(huán)受體材料2019年,Zhou[24]課題組制備新型A1-DA2D-A1構(gòu)型小分子受體材料Y6,與聚合物給體PM6共混,經(jīng)過后處理后,獲得超高短路電流密度25.3mAcm-2,二元器件效率達(dá)到15.7%,為當(dāng)時最高二元器件效率。Y6結(jié)構(gòu)具有以下特點:(1)中間核骨架擁有強吸電單元苯并噻二唑單元,能形成分子內(nèi)推-拉作用,增強離域化,減小光學(xué)帶隙;(2)中間核氮原子具有最外層孤對電子,同時氮原子連接單一側(cè)鏈能有效降低空間位阻效應(yīng);(3)Y6彎曲結(jié)構(gòu),端基與核之間的分子間距離短,接近3.3至3.4?,導(dǎo)致最鄰近分子之間的電子耦合大,純膜和混膜堆積合理并具有良好的電子傳輸效率。此后進(jìn)一步發(fā)展,Ding[25]課題組合成新型寬帶隙聚合物給體材料D18,D18具有高的空穴遷移率,與受體Y6共混,器件達(dá)到18.22%,目前最高的聚合物太陽能電池器件。Yang[65]課題組構(gòu)建非對稱中間核小分子給體材料TBD-S4,與Y6能級能較好匹配,制備成全小分子器件后,光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到15.10%,Cao[66]課題組以氮三唑取代Y6中間核的噻二唑,制備了小分子受體材料Y11。Y11光學(xué)帶隙為1.31eV,紫外-可見光吸收范圍到950nm,能量損失低。與聚合物給體共混,更夠增強PM6的結(jié)晶性,同時在D/A界面激子分離速度十分迅速(<10ps),非輻射復(fù)合引起的能量損失僅為0.17eV,器件效率達(dá)到16.54%。Zhu[67]課題組在中間核引入喹喔啉單元取代噻二唑,制備了兩個小分子受體AQx-1、AQx-2。雖然AQx-2相對AQx-1只是在結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了微調(diào),但PBDB-TF:AQx-2共混后薄膜具有更平衡的電子/空穴遷移率,較強的分子間π-π相互作用從而導(dǎo)致有效的電子躍遷,相分離尺寸小,雙分子復(fù)合得到抑制,器件效率高達(dá)16.64%,國家計量局認(rèn)證為16.4%,為當(dāng)時最高二元器件效率。與硫相比,硒原子具有更大的原子半徑和極化性更大的d軌道,能分子間具有Se···Se非共價鍵,能促進(jìn)良好的分子間堆積,提升載流子遷移。雜環(huán)取代硒原子能夠增強分子平面性,減少光學(xué)帶隙。Yan[68]課題組分別在噻二唑和并噻吩單元引入硒原子,制備了小分子受體材料Y6-Se和Y6-2Se。探究發(fā)現(xiàn)硒原子取代位置不同會引起不同的分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移。噻二唑環(huán)上的硒比并噻吩上的硒更有效,與聚合物給體PM6共混,PM6:Y6-Se的器件效率為16.02%,而PM6:Y6-2Se的器件效率14.94%。Alex[69]課題組在并噻吩外側(cè)引入硒,制備了小分子CH1007。相對于Y6,CH1007的吸收紅移,與PM6制備成器件,光電轉(zhuǎn)換效率為17.08%。Yang[70]課題組基于Y6和不對稱受體IT6-4F制備了不對稱小分子受體AY6,與Y形Y6相比,AY6的X形結(jié)晶性較差,吸收光譜呈明顯藍(lán)移。但是正是這種不利的自堆積效應(yīng),AY6才與PM6混溶性更好。與PM6:Y6混合膜相比,PM6:AY6混合膜表現(xiàn)出face-on取向,π-π堆積更強,形成有效的激子離解和平衡的載流子傳輸,使得器件效率達(dá)到15.6%。此后,作者在AY6的中間核引入氮原子和硒原子,構(gòu)建兩個新的不對稱稠環(huán)小分子受體BTN-4F和BTSe-4F[71]。氮原子的強給電性使得BTN-4F相對BTSe-4F紅移大約40nm,LUMO能量更高,與PM6共混,開路電壓較高,并且能量損失更少,器件效率為15.82%,BTSe-4F的器件效率為13.79%。側(cè)鏈工程是調(diào)節(jié)分子性能的重要方法,不同的側(cè)鏈能夠有效的調(diào)節(jié)分子的溶解度和結(jié)晶性。Yan[72]課題組在Y6中間核的并噻吩位和吡咯氮原子位引入不同側(cè)鏈,制備了新型小分子受體N3、N4。對比N3和N4發(fā)現(xiàn),烷基側(cè)鏈支化的位置對材料的性能影響顯著,在3位支化烷基側(cè)鏈的分子N3表現(xiàn)出優(yōu)越的性能,具有較平衡的溶解性和結(jié)晶性,與聚合物Y6共混,二元器件效率位15.98%,PM6:N3:PC71BM的三元器件效率達(dá)到16.74%,認(rèn)證效率也高達(dá)16.42%。Huang[73]課題組將吡咯氮原子中支鏈延長,制備小分子受體DTY6。DTY6相對于Y6具有更合理的多媒尺寸,從DTY6到PM6有著更高的空穴遷移率,且非輻射復(fù)合降低。與PM6共混,器件效率為16.10%,而同樣條件下Y6僅為10.80%。Yan[74]課題組設(shè)計了三個在烷基側(cè)鏈在苯環(huán)不同位置的同分異構(gòu)受體材料,分別為o-BTP-PhC6,m-BTP-PhC6和p-BTP-PhC6。相對于o-BTP-PhC6的垂直取向烷基鏈和p-BTP-PhC6的水平取向烷基鏈,m-BTP-PhC6的側(cè)鏈烷基呈傾斜取向,分子堆積最有序,電子遷移率最高。與聚合物給體PTQ10共混,基于m-BTPPhC6的器件效率高達(dá)17.7%,F(xiàn)F為79.3%,高于o-BTP-PhC6的器件效率(16.0%)和p-BTP-PhC6的器件效率(17.1%)。該課題組也在噻吩并噻吩側(cè)鏈引入烷氧鏈,制備了兩個小分子材料Y6-1O和Y6-2O[75]。Y6-2O兩側(cè)的烷氧構(gòu)象鎖導(dǎo)致分子過度聚集,溶解性差,不對稱分子Y6-1O優(yōu)異溶解性,PM6:Y6-1O的光電轉(zhuǎn)換效率高達(dá)16.1%。Huang[76]課題組減少末端的鹵素原子制備了兩個新型受體H1和H2。H1與H2分子和Y6一樣,均為三線態(tài)受體材料,具有較強光吸收和長壽命的激子,激子易分離為電荷而非復(fù)合。與聚合物給體PBDB-T共混,器件效率分別為14.06%和15.12%。Li[77]課題組在Y6基礎(chǔ)上再末端基團(tuán)引入不同個數(shù)的氟原子和氯原子,合成三個小分子受體材料SY1(1個氯原子+2個氟原子),SY2(2個氟原子+2個氯原子)和SY3(3個氯原子)。SY1的LUMO能級最低,結(jié)晶性最弱。與PM6共混,SY1具有更平衡電荷遷移率,更高的電荷收集和電荷分離能力,活性層形貌更好,器件效率為16.83%。而PM6:SY2,PM6:SY3的器件效率分別為16.01%,16.23%。Yan[78]課題組在末端基團(tuán)的不同位置插入氯原子,合成三個互為同分異構(gòu)體的小分子受體BTP-ClBr,BTP-ClBr1和BTP-ClBr2。相對于BTP-ClBr1和BTP-ClBr2,BTP-ClBr的結(jié)晶性較弱,LUMO軌道能級最低,吸收光譜藍(lán)移。PM6:BTP-ClBr的PCE為16.82%,填充因子高達(dá)0.79,是目前最出色的填充因子之一。Chen[79]課題組構(gòu)筑了不對稱小分子受體BTP-S2。BTP-S2的電致發(fā)光量子效率為2.3×10-2%,高于Y6的4.4×10-3%,因此能量損失更小。與PM6共混制備成器件,多鹵素原子加快了受體到PM6的空穴傳輸效率,二元器件能量轉(zhuǎn)換效率為16.37%,而PM6:Y6:BTP-S2三元器件的能量效率為17.43%。該課題組[26]采用層涂的方式制備了PM6:BO-4Cl:BTP-S2三元器件,當(dāng)BTP-S2為25%,器件效率為18.16%。參考文獻(xiàn)[1]Yu,Z.P.,Liu,Z.X.,Chen,F.X.,Qin,R.,Lau,T.K.,Yin,J.L.,Kong,X.Q.,Lu,X.H.,Shi,M.M.,Li,C.Z.andChen,H.Z.SimpleNon-FusedElectronAcceptorsforEfficientandStableOrganicSolarCells[J].NatureCommunications,2019,10,2152.[2]Yao,Z.H.,Li,Y.K.,Li,S.X.,Xiang,J.,Xia,X.X.,Lu,X.H.,Shi,M.M.andChen,H.Z.ConformationLockingofSimpleNon-fusedElectronAcceptorsViaMultipleIntramolecularNoncovalentBondstoImprovethePerformancesofOrganicSolarCells[J].ACSAppliedEnergyMaterials,2020,4(1):819-827.[3]Huang,H.,Guo,Q.X.,Feng,S.Y.,Zhang,C.,Bi,Z.Z.,Xue,W.Y.,Yang,J.J.,Song,J.S.,Li,C.,Xu,X.H.,Tang,Z.J.,Ma,W.andBo,Z.S.NoncovalentlyFused-RingElectronAcceptorswithnear-InfraredAbsorptionforHigh-PerformanceOrganicSolarCells[J].NatureCommunications,2019,10,3038.[4]Dai,P.P.,Zhu,Y.Z.,Li

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論