ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

集成電路電磁兼容建模

第2部分集成電路電磁干擾特性仿真

:

模型傳導(dǎo)發(fā)射建模ICEM-CE

()

EMCICmodellin—Part2ModelsofinteratedcircuitsforEMI

g:g

behaviouralsimulation—ConductedemissionsmodellinICEM-CE

g()

IEC62433-22017IDT

(:,)

2025-12-31發(fā)布2026-04-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

目次

前言

…………………………Ⅴ

引言

…………………………Ⅵ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語定義縮略語和約定

3、、………………1

術(shù)語和定義

3.1…………………………1

縮略語

3.2………………3

約定

3.3…………………3

基本原理

4…………………3

概述

4.1…………………3

核行為的傳導(dǎo)發(fā)射數(shù)字發(fā)射源

4.2()…………………4

行為的傳導(dǎo)發(fā)射

4.3I/O………………4

數(shù)據(jù)交換格式

4.4………………………4

基本組件

5ICEM-CE………………………4

概述

5.1…………………4

內(nèi)部行為

5.2(IA)………………………4

無源分配網(wǎng)絡(luò)

5.3(PDN)………………6

宏模型

6IC…………………7

宏模型的類型

6.1IC……………………7

通用宏模型

6.2IC………………………8

基于塊的宏模型

6.3IC…………………8

基于子模型的宏模型

6.4IC…………12

格式

7CEML……………13

概述

7.1…………………13

結(jié)構(gòu)

7.2CEML…………………………14

全局關(guān)鍵字

7.3…………………………15

部分

7.4Header………………………15

定義

7.5Lead…………………………16

宏模型

7.6SPICE………………………17

部分

7.7Validity………………………19

7.8PDN………………22

7.9IBC…………………30

Ⅰ

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

7.10IA…………………31

參數(shù)提取要求

8……………37

概述

8.1…………………37

提取的環(huán)境限制

8.2……………………37

參數(shù)提取

8.3IA………………………37

參數(shù)提取

8.4PDN……………………37

參數(shù)提取

8.5IBC………………………37

附錄規(guī)范性表示的基本定義

A()XML………………38

基礎(chǔ)知識

A.1XML……………………38

關(guān)鍵字要求

A.2………………………39

附錄規(guī)范性有效關(guān)鍵字和用法

B()CEML……………44

元素關(guān)鍵字

B.1Root…………………44

文件header關(guān)鍵字

B.2………………44

部分關(guān)鍵字

B.3Validity………………46

全局關(guān)鍵字

B.4…………………………47

關(guān)鍵字

B.5Lead………………………47

部分屬性

B.6Lead_definitions………………………47

部分屬性

B.7Macromodels……………48

部分關(guān)鍵字

B.8Pdn……………………49

部分關(guān)鍵字

B.9Ibc……………………52

部分關(guān)鍵字

B.10Ia……………………55

附錄資料性格式的宏模型示例

C()CEMLICEM-CE………………60

概述

C.1…………………60

和子模型

C.2PDNIBC………………60

子模型

C.3IA…………………………61

中的頻域

C.4CEMLICEM-CE………………………63

中的時(shí)域

C.5CEMLICEM-CE………………………65

附錄資料性參數(shù)類型之間的轉(zhuǎn)換

D()…………………68

概述

D.1…………………68

單端口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)的轉(zhuǎn)換

D.2PDN……………………68

雙端口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)的轉(zhuǎn)換

D.3PDN……………………68

附錄資料性模型參數(shù)生成

E()…………70

概述

E.1…………………70

默認(rèn)結(jié)構(gòu)和數(shù)值

E.2……………………70

由設(shè)計(jì)信息得到模型參數(shù)

E.3…………72

通過測量生成模型參數(shù)

E.4……………78

Ⅱ

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

附錄資料性去耦電容優(yōu)化

F()…………91

附錄資料性傳導(dǎo)發(fā)射預(yù)測

G()…………93

附錄資料性級的傳導(dǎo)發(fā)射預(yù)測

H()PCB………………94

參考文獻(xiàn)

……………………96

Ⅲ

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是集成電路電磁兼容建模的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下部分

GB/T44807《》2。GB/T44807:

第部分通用建?？蚣?/p>

———1:;

第部分集成電路電磁干擾特性仿真模型傳導(dǎo)發(fā)射建模

———2:(ICEM-CE);

第部分集成電路電磁干擾特性仿真模型輻射發(fā)射建模

———3:(ICEM-RE)。

本文件等同采用集成電路電磁兼容建模第部分集成電路電磁干擾特性仿

IEC62433-2:2017《2:

真模型傳導(dǎo)發(fā)射建模

(ICEM-CE)》。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC599)。

本文件起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院北京郵電大學(xué)中山大學(xué)北京智芯微電子科技有限

:、、、

公司廈門海諾達(dá)科學(xué)儀器有限公司天津先進(jìn)技術(shù)研究院重慶郵電大學(xué)江蘇省計(jì)量科學(xué)研究院

、、、、

江蘇省能源計(jì)量數(shù)據(jù)中心中國合格評定國家認(rèn)可中心深圳市海思半導(dǎo)體有限公司河北工業(yè)大學(xué)

()、、、、

豪威北方集成電路有限公司北京國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司江蘇省電子信息產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)

、、

督檢驗(yàn)研究院江蘇省信息安全測評中心中國汽車工程研究院股份有限公司廣東省大灣區(qū)集成電路

()、、

與系統(tǒng)應(yīng)用研究院深圳市振華微電子有限公司

、。

本文件主要起草人崔強(qiáng)張金玲陳梅雙劉挺陳曉鵬方文嘯陳燕寧朱賽吳建飛付君周雷

:、、、、、、、、、、、

劉佳黃銀濤高振斌王蒙軍李齊康志能陳嘉聲譚澤強(qiáng)王云賈山

、、、、、、、、、。

Ⅴ

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

引言

為規(guī)范集成電路電磁兼容建模以及為集成電路制造商提供電磁兼容建模方法和要求

,,GB/T

集成電路電磁兼容建模規(guī)定了集成電磁兼容建模的通用框架方法和要求擬由個(gè)部分構(gòu)成

44807《》、,6。

第部分通用建?？蚣苣康脑谟谝?guī)定集成電路電磁兼容宏建模的框架和方法常用術(shù)語的

———1:。,

定義不同的建模方法以及標(biāo)準(zhǔn)化的每個(gè)模型類別的要求和數(shù)據(jù)交換格式

、。

第部分集成電路電磁干擾特性仿真模型傳導(dǎo)發(fā)射建模目的在于規(guī)定集成

———2:(ICEM-CE)。

電路傳導(dǎo)發(fā)射建模方法和要求

。

第部分傳導(dǎo)發(fā)射的黑匣子建模理論目的在于給出集成電路傳導(dǎo)發(fā)射的黑匣子建模

———2-1:。

理論

。

第部分集成電路電磁干擾特性仿真模型輻射發(fā)射建模目的在于規(guī)定集成

———3:(ICEM-RE)。

電路輻射發(fā)射建模方法和要求

。

第部分集成電路射頻抗擾度特性仿真模型傳導(dǎo)抗擾度建模目的在于規(guī)定

———4:(ICIM-CI)。

集成電路傳導(dǎo)抗擾度建模方法和要求

。

第部分集成電路脈沖抗擾度特性仿真模型傳導(dǎo)脈沖抗擾度建模目的在于

———6:(ICIM-CPI)。

規(guī)定集成電路傳導(dǎo)脈沖抗擾度建模方法和要求

。

Ⅵ

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

集成電路電磁兼容建模

第2部分集成電路電磁干擾特性仿真

:

模型傳導(dǎo)發(fā)射建模ICEM-CE

()

1范圍

本文件規(guī)定了集成電路的宏模型以仿真印制電路板上的傳導(dǎo)電磁發(fā)射該模型通常稱為集

(IC)。

成電路發(fā)射模型傳導(dǎo)發(fā)射

-(ICEM-CE)。

宏模型能用于對晶片功能塊和知識產(chǎn)權(quán)塊進(jìn)行建模

ICEM-CEIC、(IP)。

宏模型還能用于對數(shù)字和模擬進(jìn)行建模

ICEM-CEICIC。

傳導(dǎo)發(fā)射通常有兩個(gè)來源

:

電源端子和地參考結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的傳導(dǎo)發(fā)射

●;

輸入輸出端子產(chǎn)生的傳導(dǎo)發(fā)射

●/(I/O)。

宏模型用一種方法解決了這兩種類型的傳導(dǎo)發(fā)射來源

ICEM-CE。

本文件定義了用于電磁干擾仿真的宏模型的結(jié)構(gòu)和組件并考慮了的內(nèi)部行為

(EMI),IC