混合鍵合設(shè)備：AI算力時(shí)代的芯片互連革命與BESI的領(lǐng)航之路——半導(dǎo)體行業(yè)分析手冊(cè)之二Q1:混合鍵合是什么?先進(jìn)封裝已成為驅(qū)動(dòng)算力持續(xù)提升的“后摩爾時(shí)代”新引歷了從引線鍵合、倒裝芯片、熱壓鍵合到扇出封裝的演進(jìn)，最終邁向混合鍵合時(shí)代?；旌湘I合通過銅-銅直接鍵合取代傳統(tǒng)凸塊，實(shí)現(xiàn)了10μm以下在互連密度、帶寬、能效和單位互連成本上帶來數(shù)量級(jí)提升，是支撐3D堆疊與異構(gòu)集成的關(guān)鍵突破。其工藝分片、DDR6+及SoIC等高性能計(jì)算場(chǎng)景擴(kuò)展，成為突破算力與帶寬瓶頸、重塑產(chǎn)Q2：混合鍵合的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)？混合鍵合擁有極要成功大批量生產(chǎn)混合鍵合，需要解決與缺陷控制、對(duì)準(zhǔn)精度、熱管理、晶圓翹曲、材料兼容性和工Q3：混合鍵合設(shè)備未來市場(chǎng)需求？混合鍵合技術(shù)“無凸塊”技術(shù)以突破物理極限；在邏輯集成側(cè)，以臺(tái)積電SoIC為代表的技術(shù)借其實(shí)現(xiàn)超高密度異構(gòu)集成。行業(yè)已進(jìn)入高速落地?cái)U(kuò)產(chǎn)，HBM4/5與高端AI芯片將率先規(guī)模應(yīng)用，相關(guān)設(shè)備需求預(yù)計(jì)在2030年占據(jù)全球約70%的份額，呈現(xiàn)絕對(duì)龍頭地位。與此同時(shí)，中國(guó)設(shè)備商正加速追趕并實(shí)現(xiàn)從零到一的突破：拓荊科技已推出首臺(tái)量產(chǎn)國(guó)產(chǎn)設(shè)備正憑借不斷提升的精度與穩(wěn)定性，在3D集成與先進(jìn)封裝的2.5D/3D集成的完整設(shè)備組合，確立了在高性能計(jì)算市場(chǎng)的核心地位。其旗艦產(chǎn)品Datacon8800CHAMEOultraplusAC能夠?qū)崿F(xiàn)1財(cái)務(wù)上，其先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)以超過65%的毛利率展現(xiàn)了強(qiáng)大的技術(shù)溢價(jià)能力。當(dāng)前，公司增長(zhǎng)引擎已成功從傳統(tǒng)移動(dòng)業(yè)務(wù)切換至AI驅(qū)動(dòng)的新范式，數(shù)據(jù)中使其站在了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向先進(jìn)封裝和異構(gòu)集成升通過借鑒Besi公司的成長(zhǎng)之路，希望對(duì)于國(guó)內(nèi)混合鍵合設(shè)備投資建議：混合鍵合（HybridBonding）技術(shù)是后摩爾時(shí)存）的爆發(fā)式增長(zhǎng)強(qiáng)力驅(qū)動(dòng)。當(dāng)前市場(chǎng)由海外龍頭主導(dǎo)，但國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇明確。受益標(biāo)的：拓荊先進(jìn)封裝正在成為“后摩爾時(shí)代”的算力新引擎。先進(jìn)封裝正在成為“后摩爾時(shí)代”的算力新引擎。在傳統(tǒng)印象中，芯片性能的提升主要依賴制程工藝的不斷微縮。但進(jìn)入7nm以下，“功耗墻、內(nèi)存墻、成本墻”三重瓶頸逐漸顯現(xiàn)，制程繼續(xù)往前推進(jìn)的成本與難度大幅上升。此時(shí)，先進(jìn)封裝集成、高密度互聯(lián)、異構(gòu)架構(gòu)，在系統(tǒng)層面釋放算力潛能的良率和擴(kuò)展問題。除了微縮，芯片堆疊成為增加晶體管數(shù)量的重要手段，而鍵合（Bonding）技術(shù)則成為實(shí)現(xiàn)芯片堆疊的關(guān)鍵。鍵合技術(shù)的線寬和能耗直接決定了整個(gè)芯片系統(tǒng)的性能上限。高性能計(jì)算（HPC）中使用的尖端半導(dǎo)體設(shè)備的計(jì)算能力不斷提高，隨之而來的便是互連的增加，必須快速有效地處理和傳輸大量數(shù)據(jù)，才能實(shí)現(xiàn)所需的性能，各種組件（如處理器、內(nèi)存和加速器）之間需要高速數(shù)據(jù)傳輸和通信，因此需要更密集的互連。以HBM為例，從HBM2/2E到HBM3/3E，再到預(yù)計(jì)2026年商用的HBM4/5，堆疊層數(shù)將從8層提升到16層甚至更高，封裝壓力指數(shù)級(jí)硅晶片或芯片之間建立永久電連接，而無需焊料凸塊。這種無凸塊方法通過減少信號(hào)損耗和改善熱管理來提高電氣性能，以形成牢固、導(dǎo)電且機(jī)械穩(wěn)定的互連，實(shí)現(xiàn)高密度、高性能的3D集成混合鍵合突破傳統(tǒng)極限。與傳統(tǒng)的引線鍵合和倒裝芯片技術(shù)相比，混合鍵合可以實(shí)現(xiàn)高密度互連，并且由于垂直連接縮短了布線距離，因此有望提高電氣性能、降低功耗和減少通信延遲，相比用觸點(diǎn)和焊球的鍵合表面可以實(shí)現(xiàn)非常精密的互聯(lián)間距調(diào)節(jié)，其在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用也越來1975s-1995s：WireBond時(shí)期。引線鍵合技術(shù)，通過金屬引1995s-2012s1975s-1995s：WireBond時(shí)期。引線鍵合技術(shù)，通過金屬引1995s-2012s：FlipChip時(shí)期。倒裝芯片技術(shù)，通過2015s-2018s：HDFanOut時(shí)期。扇出封裝技術(shù)，基于重組技術(shù)，芯片被切割完2018s-2025s：HybridBo能互聯(lián)。技術(shù)關(guān)鍵特征是通過直接銅對(duì)銅的連接方式取代傳統(tǒng)的凸點(diǎn)或焊球（bump）互連，從而能夠在極小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)超精細(xì)間距 技術(shù)參數(shù)引線鍵合架構(gòu)示意圖推出時(shí)間1975年1995年2012年2015年2018年接觸類型引線焊球或銅柱銅柱再布線層或銅柱銅-銅直接連接連接密度25-400/mm2500+/mm2有機(jī)基板/引線框架有機(jī)基板/引線框架有機(jī)基板/硅無無能耗/比特10pJ/bit0.5pJ/bit0.1pJ/bit0.5pJ/bit 主要應(yīng)用汽車電子、功率器件CPU、GPU、DRAMAI/HPC芯片、HBM3消費(fèi)電子、汽車電子及高性能計(jì)算HBM4、3DNAND混合鍵合按照工藝可以分為晶圓到晶圓(W2W)或芯片到晶圓(D2W)工藝，通過緊密間隔的銅焊盤垂直連接。C2W（芯片到晶圓）鍵合相比W2W具有更高的靈活性，可單獨(dú)測(cè)試篩選優(yōu)質(zhì)芯片再鍵合，降低整體缺陷率；支持異構(gòu)集成（不同工藝節(jié)點(diǎn)/尺寸芯片組合），減少材料浪費(fèi)，降低成本、提升效益。W2WD2W），C2W到晶圓（D2W）封裝技術(shù)成本更高；但當(dāng)芯片尺寸增大時(shí)，情況則發(fā)生逆轉(zhuǎn)——晶圓到晶圓（W2W）技術(shù)更度(mm2)本/cm2)數(shù)本率率554529555555555度本數(shù)/cm2)本率率本本55445.14混合鍵合的主要應(yīng)用是混合鍵合的主要應(yīng)用是3D堆疊(3DStacking)，例如3DNAND，DRAM，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大?；旌湘I合主要應(yīng)用于存儲(chǔ)和邏輯，現(xiàn)在3DNAND中得到廣泛應(yīng)用，正逐漸向更多領(lǐng)域擴(kuò)展向。在CIS應(yīng)用中，混合鍵合已替代TSV互聯(lián)，實(shí)現(xiàn)了占位面積、TSV成本縮減與混合鍵合可實(shí)現(xiàn)1μm以下的互連間距，相較傳統(tǒng)凸塊鍵合（20μm以上），單位面積的I/O接點(diǎn)數(shù)混合鍵合兼容現(xiàn)有晶圓級(jí)制造流程，可與TSV、微凸塊等技術(shù)結(jié)合形該技術(shù)支持邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、傳感器等不同功能單元的垂直堆疊，推該技術(shù)支持邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、傳感器等不同功能單元的垂直堆疊，推對(duì)準(zhǔn)是核心難點(diǎn)，良率將是最大的問題，任何一個(gè)芯片出現(xiàn)無法修復(fù)的缺陷都可能導(dǎo)致整個(gè)金屬殘留、無微刮痕；熱膨脹-退火過程完全協(xié)需要ISO3以上潔凈等級(jí)，遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)ISO5標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)生產(chǎn)環(huán)境要求大，臺(tái)積電和英特爾正使用微凸點(diǎn)技術(shù)，可以在焊接微凸點(diǎn)之前測(cè)試存儲(chǔ)層，但如果改用混合鍵合技術(shù)，測(cè)試流程端需求，根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，775μm的模塊高度限制要求芯片厚度和間隙進(jìn)一步壓縮。在20hi堆疊中，微凸塊技術(shù)由于其14.5μm的凸塊高度難以控制高度和翹曲問題，而混合鍵合技術(shù)憑借其無間隙結(jié)構(gòu)成為必然選擇。隨著HBM4/5占比逐漸迎來放量，混合鍵合需求有望迎凸點(diǎn)（no-Bump）的鍵合結(jié)構(gòu)，因此具有有更高的集成密度和更佳的性能。SoIC是將多個(gè)芯片采用混合鍵合的方式組裝到一起，體積和性能上達(dá)到了單顆SoC同等的指標(biāo)。對(duì)比SoC和SoIC，SoIC相對(duì)SoC至少有兩個(gè)不同的工藝節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)，然后通過混合鍵合組裝，支持異構(gòu)集成，因此具有更高的靈活性。此外，SoIC具備更多的晶體管層，SoC具有一個(gè)晶體管層，而SoIC具有兩個(gè)晶體管層，在同樣的工藝條件下，SoIC相比同體積SoC的具有兩倍的晶體管數(shù)量，因此其功能密度也為SoC的兩倍。隨著堆疊層數(shù)臺(tái)積電等廠商加快先進(jìn)封裝產(chǎn)能擴(kuò)張。臺(tái)積電AP7工廠旨在提高SoIC技術(shù)產(chǎn)量，原定于2025年底進(jìn)行設(shè)備安裝，提前至2025年8月，2025年SoIC產(chǎn)份份國(guó)421141Micron-新加坡75鍵合在以下領(lǐng)域有望迎來放量1）邏輯芯片已得到行業(yè)確認(rèn)：AMD、英特爾按計(jì)劃推進(jìn)；博通已在其定制AI芯片中采用；高端PC/筆記本CPU預(yù)計(jì)在2025年底前采用；眾多AI設(shè)備廠商正在開發(fā)中。（2）存儲(chǔ)芯片與共封裝光學(xué)已得到行業(yè)確認(rèn)：所有領(lǐng)先廠商都在為HBM4評(píng)估混合鍵合和熱技術(shù)；首款混合鍵合的HBM4e16高堆疊產(chǎn)品將于2026年問世；未興應(yīng)用趨勢(shì)正在變得具體：包括智能眼鏡采用直接晶圓鍵合、微型顯示器、傳感器以及智能手機(jī)等潛在應(yīng)用。根據(jù)MRFR數(shù)據(jù)顯示，2024年半導(dǎo)體鍵合市場(chǎng)規(guī)模估計(jì)為7.6548億美元。預(yù)計(jì)半導(dǎo)體鍵合行業(yè)將從2025年的7.8929億美元增長(zhǎng)到2035年的2030年的6.1842億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為24.7%。其中，亞太地區(qū)的市場(chǎng)增長(zhǎng)尤為圖10：2024年半導(dǎo)體鍵合市場(chǎng)規(guī)模估計(jì)為7.6548億合鍵合設(shè)備的艾科瑞思(ACCURACY)；20242023年全球混合鍵合設(shè)備市占率情況(%)企業(yè)名稱所屬國(guó)家成立時(shí)間布局情況荷蘭公司在固晶/鍵合機(jī)領(lǐng)域主要圍繞先進(jìn)封裝設(shè)備進(jìn)行布局。先進(jìn)封裝固晶/鍵合機(jī)方面，BESI可以提供多模塊固晶機(jī)、倒裝鍵合機(jī)、混合鍵合機(jī)在內(nèi)的多種晶倒裝鍵合機(jī)Datacon8800FCQuantum系列運(yùn)用回流焊技術(shù)，組裝精確度達(dá)到5微米，產(chǎn)能效率較高，可以實(shí)現(xiàn)最高10000UPH；8800TC系列主要用于TSV工藝之中，目前可以做到2微米的精確度和1000UPH的產(chǎn)能效率；混合鍵合機(jī)8800UltraAccurateChiptoWaferHybridBonder運(yùn)用混合鍵合技術(shù)，精準(zhǔn)度可以到達(dá)0.2微米以上，產(chǎn)能效率在1500UPH左右。在2025年的IEEE混合鍵合研討會(huì)上，Besi詳細(xì)介紹了其88002025年，Besi的混合鍵合設(shè)備累計(jì)訂單已超過100套，客戶包括臺(tái)積電、英特爾、三星等巨頭，用于AI芯片、HBM和Chiplet的集成。其混2024年已實(shí)現(xiàn)100納米精度，并計(jì)劃在202ASMPT荷蘭鍵合機(jī)方面，ASMPT主要可以提供引線鍵合機(jī)、倒裝鍵合機(jī)、熱壓鍵合機(jī)和混合鍵合機(jī)，同時(shí)滿足下游客戶傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝的需求。引線鍵合機(jī)AERO和HERCULES系列，分別可以進(jìn)行銅線鍵合和鋁線鍵合；倒裝鍵合機(jī)包括AD8312FC和NUCLEUS系列，可以支持低引腳數(shù)的倒裝封求；熱壓鍵合機(jī)包括FIREBIRDTCB系列，主要用于異構(gòu)集成的芯片2D、2.5D及3D封裝，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)有超過250臺(tái)在下游客戶工廠參與量產(chǎn)；混合鍵合機(jī)包括LITHOBOLT系列，主要支持D2W混合鍵合工藝。公司在2024年第三季度向邏輯芯片客戶交付了首臺(tái)混合鍵合設(shè)備，并已獲得用于下一代HBM的應(yīng)用訂單，預(yù)計(jì)于2025年交付。奧地利鍵合機(jī)方面，EVG可以提供滿足科研和批量生產(chǎn)的解決方案。EVG公司提供的鍵合機(jī)品種多用于扇出封裝、晶圓減薄、3D堆疊、晶圓鍵合的臨時(shí)鍵合和晶圓解鍵合解決方案，如EVG850、EVG850TB、EVG850LT等晶圓臨時(shí)合活化與清潔系統(tǒng)——EVG320D2W晶片準(zhǔn)備與活化系統(tǒng)。EVG320D2W集成了D2W檢定以及其他必要的模塊，既可作為獨(dú)立系統(tǒng)運(yùn)行，也可與第三方拾放式晶片鍵合系統(tǒng)相集成。通過和ASMPT在D2W領(lǐng)域的深入合作，EVG相能力也得到了大幅提升，2022年7月，EVG宣布公司在芯片到晶圓（D2W）熔融與混合鍵合領(lǐng)域取得重大突破，EVG在單次轉(zhuǎn)移過程中使用的套刻精度量測(cè)系統(tǒng)——EVG?40D2W。該系統(tǒng)能在300毫米晶圓上實(shí)現(xiàn)100%芯片的套刻精度測(cè)量，吞吐量比前代基準(zhǔn)機(jī)型提升高達(dá)15倍新加坡技、邁為股份等企業(yè)紛紛布局混合鍵合設(shè)備領(lǐng)域。國(guó)產(chǎn)廠商持續(xù)發(fā)力，在關(guān)鍵技術(shù)上取得逐步突破，有望在已推出國(guó)產(chǎn)首臺(tái)量產(chǎn)級(jí)混合鍵合設(shè)備Dione300和表面預(yù)處理設(shè)備Pollux，其W2W/D2W產(chǎn)品已獲得重復(fù)訂單。邁為股份開發(fā)的混合鍵合設(shè)備對(duì)準(zhǔn)精度達(dá)到±100nm，目標(biāo)進(jìn)一步突破至±50nm，已進(jìn)入國(guó)內(nèi)龍頭客戶打樣階段。百傲化學(xué)旗下芯慧聯(lián)也有2臺(tái)D2W/W2W混合鍵合設(shè)備出艾科瑞思混合鍵合機(jī)納米級(jí)高精度混合鍵合機(jī)880麒芯8800是芯片到晶圓混合鍵合工藝中的國(guó)產(chǎn)關(guān)鍵裝備,鍵合精度為500nm,為2.5D封裝、3D封裝、chiplet等先進(jìn)封裝工藝提供支持華卓精科混合鍵合機(jī)HBS系列全自動(dòng)晶圓混合鍵合系統(tǒng)在超精密測(cè)控技術(shù)的基礎(chǔ)上開發(fā)了HBS系列全自動(dòng)晶圓混合鍵合系統(tǒng),對(duì)準(zhǔn)精度為200nm,能在室溫下完成直接鍵合拓荊科技混合鍵合機(jī)晶圓鍵合產(chǎn)品(DionE300)截止2023年10月,公司是國(guó)內(nèi)唯——家在集成電路領(lǐng)域量產(chǎn)的混合鍵合設(shè)備廠商。晶圓對(duì)晶圓鍵合產(chǎn)品(Dione300)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并獲得復(fù)購(gòu)訂單,芯片對(duì)晶圓鍵合表面預(yù)處理產(chǎn)品(pollux)已出貨至客戶端驗(yàn)證邁為股份熱壓/混合鍵合機(jī)MX-11D1晶圓熔融鍵合設(shè)備M11D1用于300mm晶圓級(jí)熔融/混合鍵合工藝,集成了EFEM、等離子表面處理、表面親水處理、高精度晶圓對(duì)準(zhǔn)/鍵合、對(duì)準(zhǔn)偏移紅外量測(cè)、機(jī)械解鍵合等工藝單元,適用于CIS,3DNAND,DRAM,MicroLED等。設(shè)備擁有:整機(jī)模塊化設(shè)計(jì),方便安裝調(diào)試和維護(hù);配備高精度主動(dòng)找平機(jī)構(gòu),穩(wěn)定性好;超高精度微動(dòng)/宏動(dòng)臺(tái),Resolution<2nm;內(nèi)環(huán)境達(dá)class1等級(jí);成熟的軟件框架,UI設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔,邏輯清晰,功能豐富;關(guān)鍵部鍵合前表面預(yù)處理設(shè)備Propus，其中Dio公司積極布局并成功進(jìn)軍高端半導(dǎo)體設(shè)備的前沿技術(shù)領(lǐng)域，在應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域的先進(jìn)鍵合設(shè)備及配套量檢測(cè)設(shè)備方面，公混合鍵合設(shè)備、芯片對(duì)晶圓鍵合前表面預(yù)處理設(shè)備獲得重復(fù)訂單并擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，同時(shí)，公司自主研發(fā)設(shè)備、芯片對(duì)晶圓混合鍵合設(shè)備、鍵合套準(zhǔn)精度量測(cè)設(shè)備及鍵合強(qiáng)度檢測(cè)設(shè)備，致力于為三維集成領(lǐng)域提供全面的技術(shù)解拓荊科技2024年?duì)I業(yè)收入41.03億元，相較于上年同比增長(zhǎng)51.7%。2025上半年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入19.5億元，同比增長(zhǎng)54.25%億元，同比降低26.96%%，受2025年第一季度確認(rèn)收入的新產(chǎn)品、新工藝的設(shè)備在客戶驗(yàn)證過程成本較高，毛利率上市公司股東的凈利潤(rùn)2.41億元，同荊鍵科新增注冊(cè)資本192.1574萬元。本次交易完成后，國(guó)投集新對(duì)拓荊鍵科的出資額占本次增資后拓荊鍵科拓荊鍵科為公司控股子公司，主要聚焦應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域先進(jìn)鍵合設(shè)備（包括混合鍵合、熔融鍵合設(shè)備）及配套使用的量“三維集成設(shè)備”）的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。大基金三期將混合鍵合設(shè)備作為重點(diǎn)投資方向作為國(guó)內(nèi)混合鍵合設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)，獲大基金三期注資后加速技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，有望填補(bǔ)國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域的空白，為我國(guó)先進(jìn)封裝與3D集成技術(shù)發(fā)濕法清洗設(shè)備、半導(dǎo)體產(chǎn)線用自動(dòng)化設(shè)備、半導(dǎo)體設(shè)備綜合化服務(wù)、關(guān)鍵零部件及耗率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、新型顯示、功率器件、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等細(xì)分領(lǐng)芯慧聯(lián)芯（江蘇）科技有限公司是一家提供三維集成技術(shù)解決方案的高科技企業(yè)。公司主營(yíng)半導(dǎo)體先進(jìn)鍵合設(shè)備（W2W/DBonder）及相關(guān)量檢測(cè)、解鍵合等附屬設(shè)備在內(nèi)的鍵合工藝流程全套業(yè)務(wù)。其新推出的首臺(tái)D2W混合鍵合設(shè)備SIRIU凈利潤(rùn)0.92億元，同比下降44.22%，主要得益于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略規(guī)劃，2025H1半導(dǎo)體業(yè)務(wù)（芯慧聯(lián)）實(shí)現(xiàn)營(yíng)收元，但化工業(yè)務(wù)受外部環(huán)境挑戰(zhàn)加劇、市場(chǎng)需求疲軟、價(jià)格持續(xù)低迷等2025年9月4日至6日，第十三屆中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展（CSEAC2025）在無錫太湖國(guó)際博覽中心成功舉行，這體設(shè)備與核心部件及材料領(lǐng)域最具知名度的年度性展會(huì)，致力于為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)搭建創(chuàng)新成果展示平臺(tái)、度合作對(duì)接平臺(tái)。芯慧聯(lián)芯攜先進(jìn)鍵合設(shè)備（W2W/D2WHybridBonder）及相關(guān)量測(cè)、解鍵合設(shè)備參展CSEAC2025。W2W混合鍵合設(shè)備中，芯慧聯(lián)芯CANOPUS系列混合鍵合設(shè)備關(guān)鍵性能指標(biāo)躋身行業(yè)一流水平，支持預(yù)對(duì)準(zhǔn)、實(shí)時(shí)對(duì)準(zhǔn)、活化、清洗、檢測(cè)、解鍵合等多模塊一體化集成。D2W混合鍵合設(shè)備中，SIRIUS系列混合鍵合設(shè)備關(guān)鍵性能指標(biāo)躋身行業(yè)一流水平，支持預(yù)對(duì)準(zhǔn)、實(shí)時(shí)備。公司聚焦半導(dǎo)體泛切割、2.5D/3D先進(jìn)封裝，提供封裝工藝整體解決方案。率先實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體時(shí)已成功開發(fā)晶圓混合鍵合、晶圓臨時(shí)鍵合、D2WTCB鍵合等設(shè)備，持續(xù)提升產(chǎn)品精度、穩(wěn)定性、可靠性與對(duì)準(zhǔn)偏移紅外量測(cè)、機(jī)械解鍵合等工藝單元。多位客戶評(píng)價(jià)邁為技術(shù)混合鍵合設(shè)備的精度、穩(wěn)定性、維護(hù)便利性均達(dá)到國(guó)際同類水平，綜合成本公司在固晶/鍵合機(jī)領(lǐng)域主要圍繞先進(jìn)封裝設(shè)備進(jìn)行布局，產(chǎn)品組合涵蓋從傳統(tǒng)的2D封裝到尖端的2.5D和3機(jī)方面，BESI可以提供多模塊固晶機(jī)、倒裝鍵合機(jī)、混合鍵合機(jī)在內(nèi)的多種晶圓鍵合設(shè)備。多模塊固晶機(jī)主要用組等不同模塊的互連，Datacon2200系列產(chǎn)品可以做到組裝精確度3微米、產(chǎn)能效率7000UPH；倒裝鍵合機(jī)Datacon8800FCQ運(yùn)用回流焊技術(shù)，組裝精確度達(dá)到5微米，產(chǎn)能效率較高，可以實(shí)現(xiàn)最高10000UPH；熱壓鍵合機(jī)Datacon8800TC系列主要用于中，目前可以做到2微米的精確度和1000UPH的產(chǎn)能效率；混合鍵合機(jī)8800UltraAccurateChiptoWaferHybridBonder2024年，BESI營(yíng)業(yè)收入6.075億歐元，同比增長(zhǎng)4.9%，先進(jìn)封裝毛利率為65.2%，同比增加0.3pct。2024年的增長(zhǎng)主要來自從技術(shù)演進(jìn)路徑來看，封裝工藝已完成多輪升級(jí)：最初依托引線框架，逐步發(fā)展至倒裝鍵合（FC）、熱壓鍵合（TC），），芯片的功能承載需求，同時(shí)適配移動(dòng)設(shè)備的輕薄化趨勢(shì)。在最新的混合鍵合技術(shù)加持下，鍵合性份就開始合作，共同開發(fā)了業(yè)內(nèi)首個(gè)用于基于晶圓的混合鍵合的全集成設(shè)備解決方案，開啟了半導(dǎo)體司合作的先河?？偟膩碚f，AMAT和Bes