光刻機(jī)光刻膠研發(fā)工程師崗位招聘考試試卷及答案一、填空題（每題1分，共10分）1.光刻膠按曝光后溶解性變化分為正性光刻膠和______光刻膠。答案：負(fù)性2.光刻膠核心成分包括樹脂、光敏劑、______和添加劑。答案：溶劑3.EUV光刻膠曝光波長(zhǎng)約為______納米。答案：13.54.正性光刻膠曝光區(qū)域在顯影液中______（填“溶解”或“不溶解”）。答案：溶解5.光刻工藝中顯影的目的是______。答案：去除曝光/未曝光的光刻膠區(qū)域6.負(fù)性光刻膠光敏劑通常引發(fā)______反應(yīng)。答案：交聯(lián)7.光刻機(jī)關(guān)鍵部件包括光源、______、投影物鏡和工件臺(tái)。答案：掩模臺(tái)8.光刻膠分辨率公式中，NA代表______。答案：數(shù)值孔徑9.ArF光刻膠通常為______型（化學(xué)放大/非化學(xué)放大）。答案：化學(xué)放大10.光刻膠玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（Tg）影響其______性能。答案：熱穩(wěn)定性二、單項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.適用于EUV光刻的光刻膠類型是？A.酚醛樹脂系B.化學(xué)放大型C.聚甲基丙烯酸甲酯系D.非化學(xué)放大型答案：B2.負(fù)性光刻膠顯影時(shí)去除的區(qū)域是？A.曝光區(qū)域B.未曝光區(qū)域C.全部區(qū)域D.不確定答案：B3.光刻機(jī)NA越大，分辨率______？A.越高B.越低C.不變D.不確定答案：A4.光刻膠光敏劑的主要作用是？A.溶解樹脂B.引發(fā)光化學(xué)反應(yīng)C.調(diào)節(jié)粘度D.增強(qiáng)附著力答案：B5.屬于深紫外（DUV）光源的是？A.193nmArFB.13.5nmEUVC.436nmg線D.365nmi線答案：A6.正性光刻膠未曝光區(qū)域在顯影液中______？A.溶解B.不溶解C.部分溶解D.不確定答案：B7.光刻膠附著力促進(jìn)劑通常添加量為？A.0.1%-1%B.5%-10%C.10%-20%D.20%-30%答案：A8.EUV光刻膠的主要挑戰(zhàn)不包括？A.低靈敏度B.高缺陷率C.高TgD.光源功率不足答案：C9.化學(xué)放大光刻膠的核心原理是？A.光產(chǎn)酸→酸催化樹脂反應(yīng)B.光直接分解樹脂C.光引發(fā)交聯(lián)D.光改變?nèi)芙舛却鸢福篈10.光刻工藝的正確順序是？A.涂膠→曝光→顯影→烘烤B.涂膠→烘烤→曝光→顯影C.曝光→涂膠→烘烤→顯影D.烘烤→涂膠→曝光→顯影答案：B三、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分，多選/少選不得分）1.光刻膠主要性能指標(biāo)包括？A.分辨率B.靈敏度C.對(duì)比度D.熱穩(wěn)定性答案：ABCD2.光刻機(jī)光源類型包括？A.g線（436nm）B.i線（365nm）C.ArF（193nm）D.EUV（13.5nm）答案：ABCD3.正性光刻膠成分通常包括？A.酚醛樹脂B.重氮萘醌C.溶劑D.交聯(lián)劑答案：ABC4.光刻工藝中的烘烤步驟包括？A.軟烘B.PEB（曝光后烘烤）C.硬烘D.顯影后烘烤答案：ABCD5.化學(xué)放大光刻膠的優(yōu)點(diǎn)包括？A.高靈敏度B.高分辨率C.低缺陷率D.適用于短波長(zhǎng)答案：ABD6.光刻膠缺陷類型包括？A.顆粒缺陷B.橋連缺陷C.缺口缺陷D.針孔缺陷答案：ABCD7.光刻機(jī)關(guān)鍵技術(shù)包括？A.光源技術(shù)B.物鏡技術(shù)C.工件臺(tái)精度D.掩模技術(shù)答案：ABCD8.負(fù)性光刻膠的特點(diǎn)包括？A.曝光區(qū)域交聯(lián)B.對(duì)比度較低C.分辨率較低D.適用于粗線條答案：ABCD9.影響光刻膠分辨率的因素包括？A.NAB.曝光波長(zhǎng)C.烘烤溫度D.顯影時(shí)間答案：ABCD10.光刻膠研發(fā)需考慮的環(huán)境因素包括？A.濕度B.溫度C.潔凈度D.光照強(qiáng)度答案：ABCD四、判斷題（每題2分，共20分，對(duì)/錯(cuò)）1.正性光刻膠分辨率比負(fù)性高。（對(duì)）答案：對(duì)2.EUV光刻不需要掩模。（錯(cuò)）答案：錯(cuò)3.光刻膠溶劑揮發(fā)速度影響涂膠均勻性。（對(duì)）答案：對(duì)4.化學(xué)放大光刻膠需PEB步驟。（對(duì)）答案：對(duì)5.負(fù)性光刻膠曝光后溶于顯影液。（錯(cuò)）答案：錯(cuò)6.光刻機(jī)NA越大，景深越大。（錯(cuò)）答案：錯(cuò)7.光敏劑含量越高，靈敏度越高。（錯(cuò)）答案：錯(cuò)8.ArF光刻膠可用于EUV光刻。（錯(cuò)）答案：錯(cuò)9.軟烘目的是去除大部分溶劑。（對(duì)）答案：對(duì)10.顯影時(shí)間越長(zhǎng)，分辨率越高。（錯(cuò)）答案：錯(cuò)五、簡(jiǎn)答題（每題5分，共20分）1.簡(jiǎn)述正性與負(fù)性光刻膠的核心區(qū)別。答案：正性光刻膠曝光區(qū)因光化學(xué)反應(yīng)（如重氮萘醌分解為羧酸）溶解度提升，顯影時(shí)被去除；負(fù)性膠曝光區(qū)發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，溶解度降低，顯影時(shí)保留。正性膠分辨率更高（>0.35μm）、對(duì)比度好，適合先進(jìn)制程（ArF、EUV）；負(fù)性膠靈敏度高、附著力好，但分辨率低（<1μm），適合粗線條傳統(tǒng)制程。2.化學(xué)放大光刻膠的工作原理是什么？答案：核心是“光產(chǎn)酸-酸催化放大”：曝光時(shí)，光敏劑吸收光子產(chǎn)生少量強(qiáng)酸；PEB時(shí)，酸催化樹脂保護(hù)基團(tuán)（如叔丁酯）脫除，生成極性基團(tuán)（如羧酸），使溶解度顯著變化（正性膠曝光區(qū)溶解）。因1個(gè)光子產(chǎn)酸可催化多個(gè)樹脂分子反應(yīng)，靈敏度比傳統(tǒng)膠高10-100倍，適配短波長(zhǎng)光刻。3.EUV光刻膠面臨的主要挑戰(zhàn)？答案：①低靈敏度：EUV光子能量高，光刻膠吸收損耗大，需更高劑量；②高缺陷率：短波長(zhǎng)下微小顆粒（<10nm）易導(dǎo)致缺陷；③穩(wěn)定性差：EUV易引發(fā)光刻膠降解；④光源功率不足：量產(chǎn)效率受限；⑤成本高：配方復(fù)雜，原料昂貴。4.光刻工藝中軟烘的作用？答案：①去除90%以上溶劑，防止顯影時(shí)膠膜流動(dòng)；②改善膠膜均勻性，減少厚度差異；③增強(qiáng)與襯底附著力；④穩(wěn)定膠膜結(jié)構(gòu)，避免后續(xù)工藝變形。需嚴(yán)格控制溫度（100-120℃）和時(shí)間（60-90秒），溫度過高易交聯(lián)分解，過低則溶劑殘留過多。六、討論題（每題5分，共10分）1.如何提高EUV光刻膠的靈敏度？答案：①優(yōu)化光敏劑：開發(fā)EUV吸收截面大的光敏劑（如含高原子序數(shù)元素），提升產(chǎn)酸效率；②增強(qiáng)酸催化：設(shè)計(jì)樹脂結(jié)構(gòu)，使保護(hù)基團(tuán)脫除反應(yīng)更高效；③添加增感劑：加入能傳遞EUV能量給光敏劑的化合物；④減薄膠膜：降低EUV吸收損耗（需平衡分辨率）。需注意不犧牲分辨率或增加缺陷率。2.如何平衡光刻膠分辨率與靈敏度的矛盾？答案：分辨率高需短波長(zhǎng)/高NA