1、第 3 章正弦波振蕩器,3.7寄生振蕩、間歇振蕩和頻率占據(jù),3.7.1寄生振蕩,3.7.2間歇振蕩,3.7.3頻率占據(jù),寄生振蕩、間歇振蕩和頻率占據(jù)是不希望出現(xiàn)的電路現(xiàn)象。一旦產(chǎn)生將破壞電路的正常工作。下邊討論它產(chǎn)生的原因和預(yù)防措施。,3.7.1寄生振蕩,一、產(chǎn)生原因,電路中一些集中參數(shù)及分布參數(shù)形成寄生振蕩回路，產(chǎn)生自激振蕩。,二、抑制措施,破壞寄生振蕩回路的振蕩條件。, 低頻寄生振蕩回路一般由高頻扼流圈、隔直電容或旁路電容構(gòu)成。要消除這種低頻振蕩的常用措施是：,合理選擇扼流圈的電感量或旁路電容的電容量，高頻扼流圈串接小電阻或并接大電阻。, 超高頻寄生振蕩是由電路中的分布參數(shù)(引線電感，極間

2、電容)構(gòu)成。要消除這類振蕩的常用措施是：,粗短的引線，貼片元件，基極，集電極串小無感電阻，隔直、旁路電容上并小電容。, 電源加去耦電路。,3.7.2間歇振蕩,振蕩 停振 振蕩 ，這樣現(xiàn)象稱為間歇振蕩。,一、產(chǎn)生原因,當(dāng)輸入端作用著振蕩電壓vi 時(shí),晶體管經(jīng)歷了導(dǎo)通和截止兩個(gè)過程，導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極電流向CE 充電；截止時(shí)，CE 向RE 放電，充電電阻遠(yuǎn)小于RE。,如果 CB,CE 取值過大，電容充電快，放電慢。振蕩器起振后，振幅增大，偏置電壓向負(fù)值方向增大，使振幅減小，直到停振。停振后，偏置電壓向正值方向增大，達(dá)到一定數(shù)值后，振蕩器右開始起振。振蕩波形如圖。,二、預(yù)防措施,CB,CE 取值不宜過大

3、，可增大 Q 值。,3.7.3頻率占據(jù),頻率占據(jù)是當(dāng)外部有一頻率為 fs 的信號(hào)加入到振蕩回路時(shí)，滿足一定條件，會(huì)使振蕩頻率 fosc 向 fs 靠近或等于 fs，稱為頻率占據(jù)。,fosc = fo,當(dāng) fs 接近 fosc 時(shí)，振蕩器的振蕩頻率受到 fs 的牽引。, fs - f0 f4，vs 對(duì) fosc無影響。, f1 fs - f0 f2 和 f3 fs - f0 f4 ，,fosc向 fs 靠近。, f2 fs - f0 f3，fosc = fs 。,由電路圖 3-7-4(b)可知：,加入 vs 后，,設(shè) fs f0 。,將以(s - 0)的相對(duì)角速度逆時(shí)針旋轉(zhuǎn) vi 跟著旋轉(zhuǎn) gmvi vo vf.,只要的轉(zhuǎn)速不太大(s 靠近 0)，經(jīng)過一段時(shí)間，一樣的角速度(s - 0)逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)。各矢量相對(duì)位置固定下來，振蕩器重新進(jìn)入平衡狀態(tài)，振蕩頻率為 fs。,根據(jù)矢量圖,假設(shè)Vs Vf，,當(dāng) Qe、Vs、Vf 一定時(shí)，sin| 的最大值對(duì)應(yīng)| fs - f0 |的最大值。,所以占據(jù)頻帶為,預(yù)防措