1、第七章 擴散與固相反應 從本章開始以動力學的方法研究擴散、固相反應、相變和燒結(jié)過程。主要研究過程的宏觀規(guī)律、微觀機制、過程進行的速度以及影響因素等。 71 晶體中擴散的基本特點與擴散的宏觀規(guī)律 一、晶體中的擴散及其主要特點 什麼叫擴散？ 物質(zhì)中原子或分子由于能量升高遷移到鄰近位置的微觀過程及由此引起的宏觀現(xiàn)象叫擴散。擴散是個傳質(zhì)過程。,固體中擴散的主要特點： 1、固體中質(zhì)點的擴散往往開始于較高的溫度，但遠低于熔點溫度。 2、固體中質(zhì)點擴散往往具有各向異性，擴散的速度緩慢，且遷移方向和距離都受結(jié)構(gòu)限制。 二、擴散的宏觀規(guī)律（動力學方程） 1、Fick第一定律 1855年德國學者Fick提出了第一

2、定律，適用于穩(wěn)定擴散。穩(wěn)定擴散是指擴散物質(zhì)的濃度只隨位置而變，不隨時間而變的擴散；即：,Fick第一定律的推導： 假設(shè)擴散物質(zhì)M在區(qū)的濃度為C1，在區(qū)的濃度為C0，且C1C0，則在濃度梯度的推動下M沿X方向進行擴散。假設(shè)在dt時間內(nèi)，通過截面積為ds的薄層的M物質(zhì)的量為dG,則：,式中: J擴散通量（單位時間內(nèi)通過垂擴散方向上單位截面積的原子個數(shù)叫擴散通量）,D擴散系數(shù)（cm2/s） 三位方向的Fick第一定律表達式為： 式中 分別為x、y、z方向的單位矢量。,2、Fick第二定律 Fick第二定律適用于不穩(wěn)定擴散。不穩(wěn)定擴散中擴散物質(zhì)的濃度不僅隨位置而變，而且隨時間而變，即：,Fick第二定

3、律的推導： 仍取一個厚度為dX,截面為A的薄層，由于是不穩(wěn)定擴散，進入薄層的M物質(zhì)的原子數(shù)與離開薄層的原子數(shù)不相等，但總原子數(shù)應守恒。即： （單位時間內(nèi)通過X面進入薄層的原子數(shù)）-（通過X+dX面離開的原子數(shù)）= 薄層內(nèi)增加的原子數(shù),將JX=Ddc/dx代入， 得： 三維的菲克第二定律為： 三、擴散方程的應用 1、Fick一定律的應用 氣體通過玻璃陶瓷薄片的滲透以及氣罐中氣體的泄 露都可以看作穩(wěn)定擴散。,例：氣體通過玻璃的滲透，求單位時間內(nèi)通過玻璃滲透的氣體量。 P2P1(玻璃兩側(cè)的壓力） S2S1 （氣體在玻璃中的溶解量）,積分：,雙原子分子氣體溶解度與壓力的關(guān)系為：,則：,2、Fick二定

4、律的應用 實際是根據(jù)不同的邊界初始條件，求解二階偏微分方程。常用的兩種解：）恒源向半無限大物體擴散的解；）有限源向無限大或半無限大物體擴散的解。 ）恒源向半無限大物體擴散。如晶體處于擴散物質(zhì)的恒定蒸氣壓下，氣相擴散的情形（例如把硼添加到硅片中）。,式中： K玻璃的透氣率 A玻璃面積,求解：,A、B兩棒對接，物質(zhì)A沿X方向向B中擴散 邊界條件： t=0時, x0處 c=c1=0 t0時， x0處 c=c2 x處 c=0,引入新變量，使偏微分方程變?yōu)槌Ｎ⒎址匠?（1）,令,則：,（1）式左：,（1）式右：,令,得：,積分：,積分：,令,則：,根據(jù)邊界條件，確定,（2）,和B的值，,且 t=0 時，

5、X0 處 C = C1 = 0 X0 處 C = C2,故得：,(C1=0),把 和B代入（2）式，得：,有高斯誤差函數(shù)可知：,即：,就是說，當擴散物質(zhì)的濃度一定時，擴散深度與擴散時間的平方根成正比。 例題1：把硼添加到硅片中的方法是：在11000C下當B2O3分壓達到某一定值后，其在硅片表面的溶解度達到飽和狀態(tài)，相應濃度為CS=31026原子/厘米3。保持B2O3分壓恒定，就能保持CS恒定，則B2O3向硅一個方向擴散，從而把硼添加到硅片中。若已知在11000C時硼的擴散系數(shù)D=410-17m2/s,擴散時間是6min。求硼濃度隨距離的變化曲線。,在實際應用中常將上式簡化：,解：這是一個恒源向

6、半無限大物體擴散的問題。根據(jù)Fick二定律 查誤差函數(shù)表，對應 每個X都可以得到一個C， 然后以擴散深度為橫坐標， 以濃度為縱坐標作圖，可 得到所求曲線，如圖。,可以看出計算結(jié)果與實測結(jié)果稍有偏差。造成偏差的原因：表面硼的濃度未達到飽和濃度。硼是三價的，滲入后形成電子空穴（不等價）遷移較快，造成一個電場，加速了硼的擴散。 例題2：鐵的滲碳過程。將某低碳鐵處于CH4與CO混合氣中，9500C左右保溫。滲碳的目的是使鐵的表面形成一層高碳層，即表面含碳量高于0.25wt%，以便進一步做熱處理。碳在鐵中的溶解度約為1wt%，因此在鐵的表面，混合氣體中的碳含量C0保持為1wt%。已知在9500C時，在F

7、e中碳的擴散系數(shù)為10-11m2/s，擴散處理的時間t約為104s，求碳在鐵表面的滲透深度。,查表得：,解：,）有限源向無限大或半無限大物體擴散。屬于這種擴散的實例，如陶瓷試樣表面鍍銀等。 向無限大物體擴散： 邊界條件：t=0時 ，X0 C（x，t）=0 t0時，擴散到晶體內(nèi)的質(zhì)點總數(shù)不變，為Q,式中：Q 擴散物質(zhì)的總量（常數(shù)）,有限源向半無限大物體擴散的解常用于擴散系數(shù)的測定。具體方法為：將放射性示蹤劑涂抹或沉積在磨光的尺寸一定的長棒狀試樣的端面，加熱，促使示蹤劑擴散，隔一定時間做退火處理，切片。測各切片中示蹤原子的放射強度I（xt）,向半無限大物體擴散：,兩邊取對數(shù)，,72 擴散的微觀機制

8、與推動力 一、擴散的微觀機制 晶體中原子都在平衡位置上振動，振幅0.1左右，頻率1013-1014/s，但晶體中存在著能量起伏，能量高的原子可以克服周圍質(zhì)點的束縛進行遷移。活化原子數(shù)：n1=ne-G/RT 擴散的微觀機理（遷移方式）有五種： 空位擴散：粒子沿空位遷移，空位則反向遷移。 間隙擴散：間隙原子沿晶格間隙遷移。 準（亞）間隙擴散：間隙原子遷移到正常結(jié)點位置，而把正常結(jié)點位置上的原子擠到晶格間隙中去。,易位擴散：原子間直接相互交換位置的遷移方式。 環(huán)行易位擴散：同種粒子間相互交換位置形成封閉的 環(huán)狀。 實際晶體中原子或離子的遷移機構(gòu)主要是空位擴散 和間隙擴散兩種。準間隙擴散有報導，例如：

9、AgBr中的Ag+以及UO2+x中的O2-。但直接易位和環(huán)行易位擴散尚未見報導，因為直接易位擴散尤其在離子之間發(fā)生移位將是非常困難的。,晶體中很難發(fā)生，需要的能量很高；環(huán)行易位所需能量 不如易位擴散，但幾率太小。 二、擴散的分類 按擴散機制分： 空位擴散 間隙擴散 按擴散發(fā)生的區(qū)域分： 體積擴散（晶格擴散） 表面擴散 晶界擴散 位錯擴散,按有無定向的擴散流分： 有序擴散 （有外場作用） 無序擴散 （無外場作用） 按有無雜質(zhì)分： 本征擴散 非本征擴散 順擴散 逆擴散 自擴散（一種原子或離子通過由該原子或離子所構(gòu)成的晶體中的擴散） 互擴散 三、擴散的一般推動力 擴散的推動力確切地說應該是化學位梯度

10、，物質(zhì)要由化學位高的地方向化學位低的地方遷移。 濃度梯度推動的擴散，最終導致均勻化，但并不是所有擴散的結(jié)果都會達到均勻化。,擴散系數(shù)的熱力學關(guān)系：,設(shè)在一多組分系統(tǒng)中，i組分的質(zhì)點沿X方向擴散。,它所受到的力：,每個原子所受到的力：,在 fi力的作用下，i原子沿X方向移動的平均速度為ui， 則：,式中：Bi 絕對遷移率（淌度）,設(shè)i組分的濃度為Ci:,在（）T,P下，,，代入上式，求導，得：,與Fick第一定律相比較，得：,式中：熱力學因子 ,對理想混合，,則：, 自擴散系數(shù),對非理想混合，當,0時， 0，為順擴散；,當,0時， 0，為逆擴散。,73 擴散系數(shù) 擴散系數(shù)既是反映擴散介質(zhì)結(jié)構(gòu)又是

11、反映質(zhì)點擴散機構(gòu)的一個物性參數(shù)。 一、無序擴散的擴散系數(shù) 無序擴散的特點： a無外場作用，由熱起伏引起。 b質(zhì)點遷移是無序的，隨機行走，不形成定向擴散流。 c每次遷移與上次無關(guān)，所以每次遷移都是成功的。實 際上就是無規(guī)則的布朗運動。 推導無序擴散的擴散系數(shù)： 先看一維情況：在晶體中取三個相臨的點陣面，面間距 為r。,沿x方向有個很小的組成梯度。 設(shè)點陣面1的單位面積內(nèi)可以 躍遷的原子數(shù)為n1 點陣面2的單位面積內(nèi)可以躍 遷的原子數(shù)為n2 每個原子的躍遷頻率為f 則：在dt時間內(nèi)，單位面積上，離開1面的原子數(shù)為： N1=n1fdt 在dt時間內(nèi)，單位面積上，離開2面的原子數(shù)為： N2=n2fdt

12、 因為每個面上的原子向左右躍遷的幾率相等。所以：,由12躍遷的原子數(shù)為：1/2N1 由21躍遷的原子數(shù)為：1/2N2 由12躍遷的凈原子數(shù)為： 1/2N1-1/2N2=1/2（n1-n2）fdt 單位時間單位面積上躍遷的原子數(shù)： J = 1/2（n1-n2）f （1）,令： n1/r=c1 n2/r=c2 n1-n2=c1r-c2r=(c1-c2)r 上式兩邊同除以r2:,（2）,上式推導時，既沒有考慮擴散機制，又沒考慮擴散介質(zhì)的結(jié)構(gòu)，實際上介質(zhì)的結(jié)構(gòu)不同，質(zhì)點周圍可供躍遷的位置數(shù)不同，遷移距離也不同。 對簡立方結(jié)構(gòu)，可供躍遷的位置數(shù)為6，遷移距離為：,D=1/6 6f a02 = f a02

13、,（2）式代入（1）式：,與菲克第一定律相比較，得：,考慮三維情況：,式中： f 原子的有效遷移頻率 r 躍遷距離,對體心立方結(jié)構(gòu)，可供躍遷的位置數(shù)為8，遷移距離為： D=1/6 8f 3/4 a02 = f a02 對面心立方結(jié)構(gòu)，可供躍遷的位置數(shù)為12，遷移距離為： D=1/6 12f 2/4 a02 = f a02,二、空位擴散的擴散系數(shù) 空位擴散時，質(zhì)點周圍必須有空位可供遷移，且原子必須具有克服勢壘的能量，二者缺一不可。所以它不象無序擴散那樣，每次躍遷都是成功的，空位擴散的質(zhì)點躍遷成功與否和空位濃度有關(guān)，和躍遷頻率有關(guān)。 即：,為使無序擴散系數(shù)適用于各種結(jié)構(gòu)，引入幾何因子 ：,式中：

14、空位濃度 本征振動頻率 原子的遷移能,空位擴散系數(shù)：,若空位來源于熱缺陷，則,空位擴散系數(shù)：,式中：D0 頻率因子,Q 擴散活化能,若空位是由摻雜引起的，如：,空位濃度則為： （熱缺陷+雜質(zhì)缺陷）,空位擴散系數(shù)：,高溫時，以熱缺陷為主，缺陷濃度：,擴散系數(shù)為：,（本征擴散）,低溫時，以雜質(zhì)缺陷為主，缺陷濃度取決于雜質(zhì)的加入量，,擴散系數(shù)為：,（非本征擴散）,擴散系數(shù)與溫度間的關(guān)系如下圖所示：,四、非化學計量化合物中的擴散 在非化學計量化合物中，由于缺陷濃度與氣氛有關(guān) ，所以擴散系數(shù)也明顯依賴于環(huán)境中的氣氛。,三、間隙擴散的擴散系數(shù),間隙擴散的有效躍遷頻率,擴散系數(shù)為：,則擴散系數(shù)：,陽離子缺位

15、型 如：Fe1-xO Co1-xO 等,求 ：,若同時考慮本征缺陷 空位、雜質(zhì)缺陷空位以及 由于氣氛改變所引起的非 化學計量空位對擴散的貢 獻，則擴散系數(shù)與溫度的 關(guān)系如右圖。,可以看出，D和 分壓之間的關(guān)系。當T不變時，以lnD對 作圖，得到的直線斜率為1/6。,陰離子缺位型 如TiO2-x ZrO2-x等,則擴散系數(shù)：,五、互擴散系數(shù) 在多元系統(tǒng)中，在化學位梯度推動下，幾個組分同時擴散叫互擴散。互擴散系數(shù)由Kirkendall效應和Darken方程推導。,總互擴散系數(shù)：,式中：N1,N2 物質(zhì)1，2的摩爾分數(shù) 物質(zhì)1，2的自擴散系數(shù) 活度系數(shù),各組分的互擴散系數(shù)：,可以看出各組分的互擴散系

16、數(shù)主要取決于各組分的自擴散系數(shù)，而自擴散系數(shù)的差別主要體現(xiàn)在絕對遷移速率上。,74 影響擴散的因素 一.擴散物質(zhì)性質(zhì)與擴散介質(zhì)結(jié)構(gòu)的影響 1. 擴散物質(zhì)與擴散介質(zhì)性質(zhì)差別愈大，愈有利于擴散。因為差別大，會引起晶格畸變。如某些金屬原子在鉛中的擴散：,2. 擴散介質(zhì)結(jié)構(gòu)的影響 介質(zhì)結(jié)構(gòu)越疏松，擴散越容易。如Zn在黃銅（體心立方）中的擴散系數(shù)在黃銅（面心立方）中的擴散系數(shù)。比較同一物質(zhì)在晶體玻璃液體氣體中的擴散系數(shù)，在氣體中的擴散要容易得多。 3. 化學鍵的影響 在金屬鍵、離子鍵和共價鍵材料中，空位擴散始終是晶體內(nèi)部質(zhì)點遷移的主要方式，但當晶體結(jié)構(gòu)比較開放或間隙原子比格點原子小得多時，間隙擴散機構(gòu)將

17、占優(yōu)勢。如碳氫氧等在金屬中的擴散，螢石中F-的擴散和UO2中O2-的擴散等。,共價鍵的方向性和飽和性雖然使其配位數(shù)較低，空間利用率低，結(jié)構(gòu)較開放，但由于成鍵方向性的限制其間隙擴散的擴散活化能并不低。 二. 晶界表面等結(jié)構(gòu)缺陷對擴散的影響 由于晶界和表面質(zhì)點的排列偏離了理想點陣，因此，晶界和表面處質(zhì)點遷移所需的活化能較低，擴散系數(shù)大于晶格擴散。 離子化合物中，擴散活化能： Qs = 0.5Qb Qg = 0.60.8Qb Ds Dg Db Ds:Dg:Db = 10-7:10-10:10-14,晶界、位錯都是擴散的快速通道。實驗證明，某些氧化物材料的晶界對離子的擴散還有選擇性的增強作用，如：在F

18、e2O3、CoO、SrTiO3中晶界或位錯有增強O2-離子擴散的作用。 三. 溫度和雜質(zhì)對擴散的影響 1. 溫度 由D=D0exp(-Q/RT) 可以看出：T， D T, 質(zhì)點動能 T，缺陷濃度 因為大多數(shù)實用晶體材料中都有雜質(zhì)及具有一定的熱歷史，所以在不同的溫度區(qū)間擴散活化能不同，曲線會出現(xiàn)轉(zhuǎn)折（見擴散系數(shù)部分的敘述）。,2. 雜質(zhì) 加入雜質(zhì)，造成晶格畸變，有利于擴散。 若雜質(zhì)與擴散介質(zhì)形成化合物，會使D。 四. 氣氛的影響 主要對非化學計量化合物中的擴散有明顯影響。,75 固相反應及其動力學特征 一. 固相反應及其特點 定義：凡有固相參與的化學反應都叫固相反應。 固體與固體間發(fā)生化學反應生

19、成新的固體產(chǎn)物純固相反應。 固相反應的特點： 1、固相反應屬非均相反應。 與均相反應相比：反應速度慢。濃度不再是重要影響因素。反應物的組成結(jié)構(gòu)缺陷都對反應有明 顯影響。,2、固相反應包括相界面上的化學反應和相內(nèi)的物質(zhì)遷移。參加反應的固相相互接觸是界面發(fā)生化學反應和物質(zhì)輸送的先決條件。 3、固相反應開始的溫度遠低于熔點溫度和低共熔溫度。開始溫度為物質(zhì)顯著擴散的溫度。即泰曼溫度。 當反應物之一有晶型轉(zhuǎn)變時，此轉(zhuǎn)變溫度往往是反應開始變得顯著的溫度。（海德華定律） 泰曼溫度與熔點的關(guān)系： 金屬：TS=0.30.4TM 一般鹽類：TS=0.57TM 硅酸鹽：TS=0.80.9TM,二.固相反應的動力學特

20、征 反應首先在A與B的相界面上進行，形成很薄的產(chǎn)物 層，產(chǎn)物缺陷多，結(jié)構(gòu)疏松。 產(chǎn)物層結(jié)構(gòu)調(diào)整，晶體生長。 反應物通過產(chǎn)物層擴散， 使產(chǎn)物層增厚。反應速度不 僅取決于化學反應速度，而 且受晶格調(diào)整速率晶粒生 長速率擴散速率等的影響。 哪個是最主要的影響因素，它 將控制整個反應。,三.固相反應的分類 固固反應（純固相反應） 按反應物的聚集狀態(tài)分 有液相參加的固相反應 有氣相參加的固相反應,按反應性質(zhì)分,氧化反應：如,還原反應：如,置換反應：如,加成反應：如,熱分解反應：如,按反應機理分： 化學反應控制的固相反應（化學動力學范圍） 擴散控制的固相反應 （擴散動力學范圍） 晶體生長控制的固相反應 升

21、華控制的固相反應,76 固相反應動力學方程 一固相反應一般動力學關(guān)系 以金屬氧化反應為例。金屬M與O2接觸，界面上形 成一層MO產(chǎn)物，厚度為；O2通過MO擴散到MO-M界 面上與金屬反應，使產(chǎn)物層增厚。 O2濃度：MO-O2界面上為C0 MO-M界面上為C 相界面上的化學反應速度：,達到平衡時：,O2原子通過產(chǎn)物層的擴散速度：,討論：）當擴散速度遠大于化學反應速度（Dk）時，k很小，,很大， ，即：整個反應速度由化學反應速控,制，屬化學動力學范圍。,）當化學反應速度遠大于擴散速度（kD）時，,，整個反應速度由擴散速度控制，屬擴散動力學范圍。,）當化學反應速度與擴散速度相當時，屬過渡范圍。,因此

22、，當一個固相反應過程由n個分過程組成時，總的固相,反應速度取決于各個分過程的速度，哪個過程最慢，總的固相反,應速速就由哪個分過程控制。,二化學動力學范圍 特點：相界面上的化學反應速度遠遠小于反應物通 過產(chǎn)物層的擴散速度，即擴散快，相界面上的化學反應 速度慢，所以固相反應速度由化學反應速度控制。 若為均相反應，反應速度為： (m+n為 反應級數(shù)) 若為非均相反應，由于反應只在相界面上進行，必 須考慮反應接觸面積。即： 反應接觸面積F隨顆粒形狀而變，隨反應進程而變。 以球形顆粒為例，求FG的關(guān)系,假設(shè)條件：產(chǎn)物與反應物的密度相等。,轉(zhuǎn)化率G = 產(chǎn)物量/反應物總量,=（總體積 殘余體積）/總體積,

23、設(shè)：R0為顆粒原始半徑,X為時間t的產(chǎn)物層厚度,(產(chǎn)物層厚度X與G的關(guān)系）,零級反應：,（積分式）,（微分式）,對上式積分：,確定積分常數(shù)C： t=0時，G=0 C=3,三擴散動力學范圍 特點：相界面上的化學反應速度快，擴散速度慢，所以固相反應的總速度由擴散過程控制。 擴散動力學方程，根據(jù)推導時的假設(shè)條件不同有多種，如：拋物線方程Jarder方程金斯特林格方程、Carter方程等。,一級反應：,微分式：,積分式：,在NaCl參與下，,的整個動力學過程完全符合上述一級反應的動力學關(guān)系。,反應,1.拋物線方程（平板模型） 設(shè)：反應物A與B以平面互相接觸（這種接觸面積不隨反 應而變），接觸面積為S；

24、產(chǎn)物為AB，厚度為X。A為擴 散物質(zhì)，在A-AB界面A的濃度為100%，在AB-B界面A 的濃度為0%，在dt時間內(nèi)通過產(chǎn)物層擴散的A為dm，使 產(chǎn)物層增厚dx。,則 單位時間內(nèi)A的擴散量：,本方程只適用于平板模型，沒有考慮球狀顆粒反應接觸面積要發(fā)生變化。 2.Jarder方程： 假設(shè)：反應物是半徑為R0的等徑球狀顆粒。 反應物A是擴散相，A包圍著B。AB與產(chǎn) 物都能充分接觸，反應由球面向內(nèi)部進行。,楊德爾方程作為一個較經(jīng)典的動力學方程被廣泛使用，但它只適用于反應初期G較小(G0.3)時，因為雖然用了球形顆粒，但代入了拋物線方程，拋物線方程是截面積不變的。,將,代入拋物線方程：,式中：,Jar

25、der常數(shù),微分式：,根據(jù)Jarder方程， 對t作圖，應得到一條,直線，斜率為 。在恒溫下， 是常數(shù)。,與溫度的關(guān)系：,以 對 作圖，可以,求出反應活化能Q。,3. 金斯特林格方程 假設(shè)： 反應物是平均半徑為R0的球狀顆粒，反應截面積隨反應而變化。 A是擴散相，A包圍著B，A擴散到ABB界面后 立即反應生成產(chǎn)物AB。 在 產(chǎn)物層外表面A的濃度為C0 （保持不變），在ABB界 面A的濃度C=0。,設(shè)在擴散方向上，產(chǎn)物層中任意時刻的球面半徑為r，,在dt時間內(nèi)擴散到半徑為r的殼層內(nèi)的A的量=此殼層內(nèi)A的量,式中：, AB產(chǎn)物的密度, AB的分子量, 形成AB分子所需的A,得：,（1）,設(shè)單位時間

26、內(nèi)通過r殼層擴散的A的量為M（x）：,積分：,積分：,（2）,（2）式代入（1）式：,當t=0時 X=0， c=0,金斯特林格方程比Jarder方程能適用于更大的反應程度，有較好的普遍性。,微分式：,將 代入上式，得：,式中： 金斯特林格常數(shù),比較金斯特林格方程與楊德爾方程： （1）兩者都使用球形顆粒模型，均以穩(wěn)定擴散為基本假設(shè)，都未考慮反應物與產(chǎn)物的密度差異。 （2）金斯特林格假設(shè)反應截面積隨反應而變，所以適用于更大的轉(zhuǎn)化率，有較好的普遍性。 以Q對G作圖，可以看出 轉(zhuǎn)化率G低時，兩方程的比值 Q=1，說明兩者一致。隨轉(zhuǎn)化 率G升高，兩方程之間開始出,現(xiàn)偏差，且G，Q，這是因為楊德爾方程不適用于轉(zhuǎn) 化率高的情況。 4. Carter方程 金斯特林格沒有考慮反應物與產(chǎn)物的密度不同所帶來體積效應?？紤]到反應物與產(chǎn)物密度有差異，Carter對金斯特林格方程進行了修正，得到Carter方程： 1+(Z-1)G2/3+(Z-1)(1-G)2/3=Z+2(1-Z)Kt 式中：Z消耗單位體積B組分所生成產(chǎn)物的體積 Carter方程在轉(zhuǎn)化率很大時仍然與實際符合得很好。,76影響固相反應的因素 一.反應物組成與結(jié)構(gòu)的影響 從熱力學角度看：G0，過程自發(fā)進行，G負值 愈大，反應推動力愈大。 從結(jié)構(gòu)角度看：質(zhì)點間結(jié)合鍵性質(zhì)、鍵的強弱、晶 格缺陷的多少等都對反應有影響，主要是這些都對反應 物活