1、深度專題2018-06-03芯片國(guó)產(chǎn)化專題系列之一大國(guó)重器， 功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會(huì)莫尼塔（上海）信息咨詢有限公司核心提示n 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增速創(chuàng)下 7 年新高，行業(yè)景氣度仍將持續(xù)。2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度飆升， 根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS），全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額首次突破 4000 億美元，達(dá)到4122.21 億美元同比增長(zhǎng) 21.6%。增速創(chuàng)下 7 年新高，預(yù)測(cè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度將延續(xù)至 2019 年。n 大國(guó)重器，自主可控勢(shì)不可擋，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移效應(yīng)明顯。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)高度技術(shù)與資本密集型產(chǎn)業(yè)，中國(guó)憑借政策支持、資金投入， 疊加工程師紅利，積累技術(shù)經(jīng)驗(yàn)和人才儲(chǔ)備，拉近與國(guó)外的差距，

2、逐步占據(jù)產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略高地。此外，受生產(chǎn)成本及產(chǎn)業(yè)發(fā)展周期性波動(dòng)的影響，世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)出向具有市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)、成本優(yōu)勢(shì)中國(guó)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)。n 功率半導(dǎo)體應(yīng)用廣泛前景廣闊，小行業(yè)大機(jī)會(huì)。下游涵蓋汽車、光伏、工業(yè)、消費(fèi)等各個(gè)領(lǐng)域。從需求端來(lái)看，光伏、消費(fèi)電子增長(zhǎng)穩(wěn)定，而隨著新能源汽車及自動(dòng)駕駛的推廣，汽車電子市場(chǎng)即將爆發(fā)，對(duì)功率半導(dǎo)體需求亦大幅拉動(dòng)。預(yù)計(jì) 2018 年全球半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模可達(dá) 231 億美元。近年來(lái)，歐美巨頭把戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)移到高壓 MOSFET、IGBT 等高端產(chǎn)品上，逐步退出中低端市場(chǎng)，同 首席分析師：林海TEL321E-mail:.

3、cn感謝實(shí)習(xí)生柳晨曦對(duì)此報(bào)告的幫助股價(jià)走勢(shì)：（至 6 月 1 日）70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0% -10% 揚(yáng)杰科技滬深300 時(shí)廠商又止步不前，給中國(guó)企業(yè)的崛起提供了絕好的契機(jī)。 n 優(yōu)質(zhì)的管理層鑄就細(xì)分領(lǐng)域龍頭-揚(yáng)杰科技。公司長(zhǎng)年深耕二極 管、整流橋等功率半導(dǎo)體器件及芯片，并前瞻布局 MOSFET、 IGBT 等高端產(chǎn)品及第三代半導(dǎo)體器件。一方面，公司在其銳意進(jìn) 取、充滿活力的管理層帶領(lǐng)下，打造全產(chǎn)業(yè)鏈“硅片+設(shè)計(jì)+制造+ 封測(cè)+銷售”的 IDM 模式，競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)凸顯業(yè)績(jī)穩(wěn)步增長(zhǎng)。另一方面，作為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)，一直堅(jiān)持自主研發(fā)，積極并購(gòu)擴(kuò)大全球影響力。隨

4、著國(guó)家大基金二期的啟動(dòng)，有望受益增厚資本實(shí)力，便于進(jìn)一步加速內(nèi)生和外延做大做強(qiáng)。n 積 極 推 薦 行 業(yè) 龍 頭 揚(yáng) 杰 科 技 (300373.SZ) 、 捷 捷 微 電（ 300623.SZ) 、 華 微 電 子 （ 600360.SH ） 、 富 滿 電 子（300671.SZ）、士蘭微（600460.SH）。揚(yáng)杰科技基本資料：（至 6 月 1 日）總股本（億股）4.72流通A 股（億股）2.33總市值（億）116.5流通A 股市值（億）57.51一年股價(jià)區(qū)間（元）17.66-31.98目錄1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣持續(xù)，產(chǎn)業(yè)鏈向中國(guó)轉(zhuǎn)移11.1 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概述11.2 2017 年半導(dǎo)體景氣

5、度飆升，18 年仍將延續(xù)11.3 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向中國(guó)轉(zhuǎn)移，自主可控大勢(shì)所趨22、功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會(huì)62.1 半導(dǎo)體分立器件電力電子核心62.2 常用的幾種功率半導(dǎo)體72.2.1 二極管、整流橋72.2.2 晶閘管82.2.3 MOSFET 與 IGBT92.2.4 幾種功率半導(dǎo)體的區(qū)別及市場(chǎng)規(guī)模102.3 下游需求分析：新能源汽車、光伏、LED 迅猛發(fā)展102.3.1 需求端一：汽車電子112.3.2 需求端二：光伏產(chǎn)業(yè)112.3.3 需求端三：LED 照明122.3.4 其它需求端122.4 競(jìng)爭(zhēng)格局：國(guó)外巨頭占據(jù)高端市場(chǎng)，中低端國(guó)內(nèi)廠商迎來(lái)契機(jī)123、揚(yáng)杰科技優(yōu)質(zhì)的管理層鑄就細(xì)分領(lǐng)域龍

6、頭153.1 深耕功率半導(dǎo)體，IDM 優(yōu)勢(shì)凸顯保障業(yè)績(jī)153.2 細(xì)分領(lǐng)域龍頭，產(chǎn)能釋放助力自主可控163.3 不僅僅內(nèi)生，外延并購(gòu)?fù)卣巩a(chǎn)業(yè)鏈173.4 重視研發(fā)，戰(zhàn)略布局MOSFET 及第三代半導(dǎo)體173.5 揚(yáng)杰科技業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)204、功率半導(dǎo)體上市公司214.1 捷捷微電（300623.SZ）晶閘管細(xì)分領(lǐng)域的王者214.2 華微電子（600360.SH）國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體傳統(tǒng)龍頭224.3 富滿電子（300671.SZ）MOSFET 設(shè)計(jì)與電源管理領(lǐng)先企業(yè)224.4 士蘭微（600460.SH）大基金 的IDM 龍頭22圖表目錄圖表1 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景1圖表2 2016-18E全球半導(dǎo)體分地區(qū)分

7、產(chǎn)品銷售額2圖表3 1999-18E全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模（億美元）2圖表4 2013-17中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模2圖表5 2004-17中國(guó)集成電路三大環(huán)節(jié)市場(chǎng)規(guī)模2圖表6 2013-17年中國(guó)集成電路進(jìn)出口3圖表7 國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策3圖表8 國(guó)家大基金一期投資4圖表9 2004-16年中國(guó)高等教育畢業(yè)生人數(shù)5圖表10 半導(dǎo)體分立器件分類6圖表11 1999-17年全球半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模6圖表12 全球半導(dǎo)體分立器件增長(zhǎng)率6圖表13 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈7圖表14 幾種常見(jiàn)的二極管8圖表15 整流橋的構(gòu)造及實(shí)物8圖表16 晶閘管的外形及電路符號(hào)9圖表17 MOSFET實(shí)物外形9圖表18 IG

8、BT實(shí)物外形9圖表19 各種功率半導(dǎo)體的優(yōu)缺點(diǎn)比較10圖表20 全球功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域10圖表21 中國(guó)功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域10圖表22 中國(guó)新能源汽車產(chǎn)量（輛）11圖表23 中國(guó)新能源車充電樁數(shù)量（個(gè)）11圖表24 全球及中國(guó)光伏裝機(jī)量12圖表25 2007-17年中國(guó)LED市場(chǎng)規(guī)模12圖表26 全球十大功率半導(dǎo)體公司12圖表27 A股上市功率半導(dǎo)體公司13圖表28 中外功率半導(dǎo)體企業(yè)對(duì)比13圖表29 揚(yáng)杰科技營(yíng)收及扣非歸母凈利潤(rùn)15圖表30 功率半導(dǎo)體上市公司毛利率15圖表31 揚(yáng)杰科技晶圓產(chǎn)線及產(chǎn)品16圖表32 揚(yáng)杰科技2010-17年分產(chǎn)品產(chǎn)能及銷量16圖表33 揚(yáng)杰科技主要外延并購(gòu)及影

9、響17圖表34 揚(yáng)杰科技研發(fā)投入18圖表35 揚(yáng)杰科技研發(fā)人員數(shù)量18圖表36 三代半導(dǎo)體物理性質(zhì)比較18圖表38 捷捷微電營(yíng)業(yè)收入及利潤(rùn)21圖表39 捷捷微電主營(yíng)構(gòu)成212018-06-03深度專題1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣持續(xù)，產(chǎn)業(yè)鏈向中國(guó)轉(zhuǎn)移1.1 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概述半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中。作為當(dāng)今世 界科技進(jìn)步與經(jīng)濟(jì)發(fā)展的基石，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已然成為國(guó)家綜合實(shí)力的體現(xiàn)。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）的分類，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可細(xì)分為四大領(lǐng)域：集成電路、分立器件、光電子器件和傳感器。而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要分為核心產(chǎn)業(yè)鏈（IC設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)）與半導(dǎo)體支撐

10、產(chǎn)業(yè)鏈（材料與設(shè)備等）。圖表 1 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景資料來(lái)源：莫尼塔研究半導(dǎo)體和電子產(chǎn)業(yè)過(guò)去主要是終端的變化，近年來(lái)上游半導(dǎo)體支撐業(yè)、電子元器件也開(kāi)始發(fā)生變化， 如相變存儲(chǔ)帶來(lái)了半導(dǎo)體材料到集成電路的變化。中國(guó)加大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本投入，集成電路全球格局也在發(fā)生變化。1.2 2017 年半導(dǎo)體景氣度飆升，18 年仍將延續(xù)2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，景氣度飆升。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）的統(tǒng)計(jì)，全球半 導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額首次突破4000億美元，達(dá)到4122.21億美元，同比增長(zhǎng)21.6%，增速創(chuàng)下7年新高（2010年增長(zhǎng)31.8%）。其中2017Q4增速為22.5%，略高于年平均增速，說(shuō)明半

11、導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度仍 將延續(xù)。12018-06-03深度專題2圖表 2 2016-18E 全球半導(dǎo)體分地區(qū)分產(chǎn)品銷售額圖表 3 1999-18E 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模（億美元）5000450040003500300025002000150019992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018E1000資料來(lái)源：WSTS, 莫尼塔研究資料來(lái)源：WSTS, 莫尼塔研究1.3 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向中國(guó)轉(zhuǎn)移，自主可控大勢(shì)所趨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是高度技術(shù)與資本密集的產(chǎn)業(yè)，受生產(chǎn)成本以及半導(dǎo)體自身發(fā)展周期性波動(dòng)的影響，

12、世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出向具有市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)、成本優(yōu)勢(shì)的發(fā)展中國(guó)家產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)。作為經(jīng)濟(jì)高速增長(zhǎng)的發(fā)展主體，中國(guó)依托龐大的市場(chǎng)需求及生產(chǎn)要素成本優(yōu)勢(shì)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的主要目的地。1.3.1 中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展迅速，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2017年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)到5411.3億元，同比增長(zhǎng)24.8%。其中，制造環(huán)節(jié)銷售額達(dá)到1448.1億元，同比增長(zhǎng)28.5%，設(shè)計(jì)業(yè)和封測(cè)業(yè)繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)，增速分別為26.1%和20.8%，銷售額分別為2073.5億元和1889.7億元。中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增速明顯高于全球，已成為全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)。產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)發(fā)展較快。

13、據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，IC設(shè)計(jì)銷售額占比已由2004年的14.95%提高到2017年38.32%，是集成電路三大環(huán)節(jié)中增長(zhǎng)最快、占比最高的。圖表 4 2013-17 中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模圖表 5 2004-17 中國(guó)集成電路三大環(huán)節(jié)市場(chǎng)規(guī)模6000 5000 4000 3000 2508.516.20% 20.21%19.71% 4335.5 20.10% 24.81% 5411.3 30.00% 25.00% 20.00% 15.00% 6000 5000 4000 3000 2000 1000 0 3609.810.00% 2000 1000 5.00% 0 0.00% 2004 20

14、05 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 3015.42013 2014 2015 2016 2017 集成電路銷售額（億元） 設(shè)計(jì)（億元） 制造（億元） 封測(cè)（億元） 銷售額（億元） 資料來(lái)源：中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)，莫尼塔研究增長(zhǎng)率（右軸） 資料來(lái)源：中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)，莫尼塔研究2018-06-03深度專題1.3.2 中國(guó)半導(dǎo)體逆差逐年增大，自主可控迫在眉睫雖然中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展迅速，但仍依賴大量進(jìn)口，自給率較低，與國(guó)外相比仍然存在巨大差距。據(jù)中國(guó)統(tǒng)計(jì)，2017年中國(guó)進(jìn)口集成電路3770億塊，同比增長(zhǎng)10.1

15、%，進(jìn)口金額2601.4億美元，同比增長(zhǎng)14.6%；2017年中國(guó)出口集成電路2043.5億塊，同比增長(zhǎng)13.1%，出口金額668.8億美元，同比增長(zhǎng)9.8%；進(jìn)出口逆差1932.6億美元，自主可控迫在眉睫。圖表 6 2013-17 年中國(guó)集成電路進(jìn)出口3000 2601.4 2500 2323.4 2172.6 23002270.7 2000 1932.6 1500 1446.4 1564 1606.81656.9 1000 877 608.6 693.2613.8 668.8 500 0 2013 2014 進(jìn)口額（億美元)20152016 出口額（億美元） 2017 資料來(lái)源：中國(guó)，莫尼

16、塔研究1.3.3 國(guó)家政策、大基金疊加工程師紅利，提供絕好契機(jī)國(guó)家政策大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的核心與基石頭，是關(guān)系國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展全局的基礎(chǔ)性、先導(dǎo)性和戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，其發(fā)展?fàn)顩r直接影響國(guó)家經(jīng)濟(jì)。為助力行業(yè)深度發(fā)展。國(guó)家有關(guān)部門相繼出臺(tái)了多項(xiàng)產(chǎn)業(yè)扶持政策，為我國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展?fàn)I造了良好的政策環(huán)境。圖表 7 國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策時(shí)間 政策 主要內(nèi)容 制定三階段目標(biāo)：到 2015 年，實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入超過(guò) 35002014 年 6 月 國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要 億，32/28nm 實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，中高端封測(cè)占比達(dá)到 30%以上，65-45nm 關(guān)鍵設(shè)備和 12 英

17、寸硅片等關(guān)鍵材料進(jìn)入應(yīng)用；到 2020 年，行業(yè)銷售收入年均增速超過(guò) 20%；到 2030 年，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國(guó) 際先進(jìn)水平，部分企業(yè)進(jìn)入國(guó)際第一梯隊(duì)。 2014 年 9 月 國(guó)家集成電路基金成立 為促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展而設(shè)立，重點(diǎn)投資集成電路芯片制造業(yè)，兼 顧芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、設(shè)備和材料等產(chǎn)業(yè)，實(shí)施市場(chǎng)化運(yùn)作、專業(yè)化管理。 把創(chuàng)新擺在制造業(yè)發(fā)展全局的核心位置，新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)在十大 2015 年 5 月 “中國(guó)制造 2025”的 重點(diǎn)突破發(fā)展領(lǐng)域中排在首位，而集成電路作為信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核 心，提出 2020 年中國(guó)芯片自給率要達(dá)到 40%，2025 年要達(dá)到 50%。 320

18、18-06-03深度專題42015 年 10 月 人民國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第全面落實(shí)綱要，提出著力發(fā)展集成電路設(shè)計(jì)業(yè)，大力開(kāi)發(fā)集成電路產(chǎn)品；加速發(fā)展集成電路制造業(yè)，增強(qiáng)先進(jìn)和特色工藝能力；提高十三個(gè)五年規(guī)劃綱要 先進(jìn)封裝測(cè)試業(yè)發(fā)展水平，提高規(guī)?；a(chǎn)能力；建立國(guó)家級(jí)的集成2016 年 5 月 2018 年 4 月 國(guó)家創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略綱要 關(guān)于集成電路生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)企業(yè)所得稅政 策 問(wèn) 題 電路制造技術(shù)研發(fā)中心。 加大集成電路等自主軟硬件產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)攻關(guān)和推廣力度；攻克集成電路裝備等方面的關(guān)鍵核心技術(shù) 規(guī)定符合相關(guān)條件的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，最多可享受“五免五減半” 企業(yè)所得稅。 資料來(lái)源：公開(kāi)

19、資料，莫尼塔研究國(guó)家大基金提供強(qiáng)有力的資金支持。2014年9月，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡(jiǎn)稱大基金)成立，第 一次以市場(chǎng)化投資的形式推動(dòng)該產(chǎn)業(yè)，改變了過(guò)去稅收土地優(yōu)惠、研發(fā)獎(jiǎng)勵(lì)等傳統(tǒng)補(bǔ)貼方式。截至2017年底，大基金累計(jì)有效決策投資67個(gè)項(xiàng)目，累計(jì)項(xiàng)目承諾投資額1188億元，實(shí)際出資818億元， 分別占一期募資總額的86%和61%。其投資范圍涵蓋IC產(chǎn)業(yè)制造、設(shè)計(jì)、封測(cè)、設(shè)備材料等環(huán)節(jié)，實(shí) 現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)鏈上的完整布局。其中人工智能、儲(chǔ)存器、物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用這三個(gè)大方向是集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)注 的重點(diǎn)。日前，工信部透露國(guó)家大基金二期已開(kāi)始募集資金，預(yù)計(jì)資金規(guī)模1500億元-2000億元。圖表 8 國(guó)家大基金

20、一期投資IC 設(shè)計(jì)IC 制造裝備材料封裝測(cè)試承諾投資額占比27%60%3%2%8% 紫光集團(tuán)長(zhǎng)江存儲(chǔ)七星電子硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)華天科技艾派克士蘭微拓荊科技 投資公司國(guó)科微電子北斗星通 中興微電子 硅谷數(shù)模半導(dǎo)體盛科網(wǎng)絡(luò) 國(guó)微技術(shù) 中芯國(guó)際三安光電 資料來(lái)源：莫尼塔研究工程師紅利提高充足的人才保障。一方面，中國(guó)普通高等院校畢業(yè)人數(shù)與研究生畢業(yè)人數(shù)逐年上升， 其中工科生占比較高，2007-2016年十年間中國(guó)共培養(yǎng)了工科大學(xué)生936.26萬(wàn)人、工科研究生156.35 萬(wàn)人。另一方面，留學(xué)回國(guó)人數(shù)穩(wěn)步提升，高層次人才回流趨勢(shì)明顯。據(jù)教育部統(tǒng)計(jì)，十八大以來(lái)， 已有231.36萬(wàn)人學(xué)成歸國(guó)，占改革開(kāi)放以來(lái)回國(guó)總

21、人數(shù)的73.87%。2018-06-03深度專題圖表 9 2004-16 年中國(guó)高等教育畢業(yè)生人數(shù)1,400,000 1,200,000 1,000,000 800,000 600,000 400,000 200,000 0 2004 2005 200620072008 普通本科畢業(yè)生數(shù):工學(xué) 20092010 研究生畢業(yè)生數(shù) 201120122013 研究生畢業(yè)生數(shù):工學(xué) 2014 2015 2016 資料來(lái)源：WIND，莫尼塔研究52018-06-03深度專題2、功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會(huì)2.1 半導(dǎo)體分立器件電力電子核心半導(dǎo)體分立器件作為介于電子整機(jī)行業(yè)以及上游原材料行業(yè)之間的中間產(chǎn)品，是半

22、導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一。涵蓋了消費(fèi)類電子、安防、工控、汽車電子、新能源等配套領(lǐng)域，應(yīng)用范圍廣、用量大。隨著半導(dǎo)體功率器件行業(yè)新型技術(shù)特征的發(fā)展，其應(yīng)用領(lǐng)域也將不斷擴(kuò)大。圖表 10 半導(dǎo)體分立器件分類資料來(lái)源：捷捷微電招股說(shuō)明書，莫尼塔研究根據(jù)IC Insights的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2016年分立器件（不含光電和傳感器）全球出貨量占半導(dǎo)體元件44%， 是半導(dǎo)體元件第一大銷量分支，但其全球銷售額僅占整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總銷售額的5%-6%。圖表 11 1999-17 年全球半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模 圖表 12 全球半導(dǎo)體分立器件增長(zhǎng)率250230.91 10.00% 213.87 18 015198.02

23、 216.51 201.7 194.18 9.00%506 200 169 157.62 153 165.81768.01969.35 191.38186.128.00%40 47.00%30 152.44 150 131 133.47 141.75 6.00% 100 125.278 5.00% 4.00% 3.00% 20 3 10 2 0 50 2.00% -10 1 0 分立器件銷售額（億美元） 占比 1.00% 0.00% -20 0 分立器件同比（%）全球GDP同比（%） 資料來(lái)源：WSTS，莫尼塔研究資料來(lái)源：WIND，莫尼塔研究62018-06-03深度專題半導(dǎo)體分立器件所服務(wù)

24、的行業(yè)領(lǐng)域較廣，其受下游單一行業(yè)周期性變化影響并不顯著，但與宏觀經(jīng)濟(jì)景氣度有一定的關(guān)聯(lián)性。研究發(fā)現(xiàn)，全球半導(dǎo)體分立器件銷售額增長(zhǎng)率與全球GDP增速高度正相關(guān)。圖表13 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上業(yè) 原材料 金屬材料 -銅材 半導(dǎo)體分立器件制造 下業(yè) 汽車電子研發(fā) 設(shè)備 LED照明設(shè)計(jì) 光伏 二極管 市場(chǎng)空間：450億 制造 揚(yáng)杰科技 家用電器單晶硅 -晶圓片 化學(xué)試劑 封測(cè) 晶閘管 市場(chǎng)空間：60億捷捷微電 電源 Mosfet 市場(chǎng)空間：532億 士蘭微、華微、富滿 IGBT 市場(chǎng)空間：368億 士蘭微 資料來(lái)源：百度圖片，莫尼塔研究2.2 常用的幾種功率半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體分立器件是電力電子技術(shù)中用來(lái)進(jìn)

25、行高效電能形態(tài)變換、功率控制與處理，以及實(shí)現(xiàn)能量調(diào)節(jié)的核心器件，主要用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開(kāi)關(guān)、混頻等，具有應(yīng)用范圍廣，用量大等特點(diǎn)，在消費(fèi)類電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動(dòng)控制、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用。近年來(lái)，受益于國(guó)際電子制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移，以及下游汽車、光伏、計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)類電子等需求的拉動(dòng)，中國(guó)功率半導(dǎo)體分立器件行業(yè)保持了較快的發(fā)展態(tài)勢(shì)。功率半導(dǎo)體種類繁多，按照器件種類可分為二極管、整流橋、晶閘管、MOSFED、IGBT等幾大類。2.2.1 二極管、整流橋二極管：二極管是傳統(tǒng)的不可控功率器件，如普通功率二極管、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管等，主要用

26、于整流、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓等。其最大特點(diǎn)是單向?qū)щ娦?，電流只能從二極管的正極流入，負(fù)極流出。92018-06-03深度專題圖表 14 幾種常見(jiàn)的二極管 資料來(lái)源：百度圖片，莫尼塔研究整流橋：分全橋和半橋，全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路，選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。整流橋具有將單相（三相）交流電轉(zhuǎn)換成直流電功能，其體積小、使用方便，在家用電器和工業(yè)電子電路中應(yīng)用非常廣泛。圖表 15 整流橋的構(gòu)造及實(shí)物資料來(lái)源：百度圖片，莫尼塔研究2.2.2 晶閘管晶閘管

27、：簡(jiǎn)稱可控硅，又稱半導(dǎo)體控制整流器，是基礎(chǔ)型功率半導(dǎo)體分立器件。自問(wèn)世以來(lái)，在普通晶閘管的基礎(chǔ)上派生出許多不同性能的新型晶閘管，主要包括單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘 管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管、高頻晶閘管等。每個(gè)類別按照不同的參數(shù)可繼續(xù)劃分為不同規(guī)格型號(hào)，晶閘管技術(shù)和器件是一個(gè)廣義的概念，形成功率半導(dǎo)體分立器件的細(xì)分行業(yè)。晶閘管的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ姡磁c一般的二極管相比，可以對(duì)導(dǎo)通電流進(jìn)行控制。晶閘管具 有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）作用，其能承受的電壓和電流容量是目前電力電子器件中最2018-06-03深度專題高的。此外，晶閘管具備體積小、輕、功耗低、效率高、開(kāi)

28、關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)、可 控整流、逆變、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速等方面。圖表 16 晶閘管的外形及電路符號(hào)資料來(lái)源：百度圖片，莫尼塔研究2.2.3 MOSFET 與 IGBTMOSFET：金屬氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管。主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。圖表 17 MOSFET 實(shí)物外形圖表 18 IGBT 實(shí)物外形 資料來(lái)源：百度圖片，莫尼塔研究資料來(lái)源：百度圖片，莫尼塔研

29、究IGBT：絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR（電力晶體管）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通 壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電 頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。2018-06-03深度專題2.2.4 幾種功率半導(dǎo)體的區(qū)別及市場(chǎng)規(guī)模圖表 19 各種功率半導(dǎo)體的優(yōu)缺點(diǎn)比較名稱優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)市場(chǎng)

30、規(guī)模10二極管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠性高 無(wú)法關(guān)斷，屬于不可控型功率器件約450億元MOSFET 全控型器件，開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大 擊穿電壓低，工作電流小 約532億元 IGBT 全控型器件，導(dǎo)通電阻較低、電流容量大 關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng) 約368億元 資料來(lái)源：莫尼塔研究功率半導(dǎo)體市場(chǎng)應(yīng)用廣泛前景廣闊。根據(jù)IHS markit（市場(chǎng)調(diào)研公司）數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，功率半導(dǎo)體中二極管、MOSFET、IGBT份額分別為33%、39%、27%。WSTS數(shù)據(jù)顯示，2017年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為216.5億美元。即MOSFET、二極管、IGBT市場(chǎng)規(guī)模分別約為84.435、71.445、58.455億美元。結(jié)

31、合WSTS對(duì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的判斷，我們預(yù)測(cè)2018年二極管、MOSFET、IGBT市場(chǎng)規(guī)模分別為483億元、570億元、395億元。2.3 下游需求分析：新能源汽車、光伏、LED 迅猛發(fā)展功率半導(dǎo)體分立器件的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、通訊電信、電源電器等行業(yè)，伴隨著分立器件芯片制造、器件封裝等新技術(shù)新工藝的發(fā)展，光伏、智能電網(wǎng)、汽車電子以及LED照明 等熱點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域逐漸成長(zhǎng)為半導(dǎo)體分立器件的新興市場(chǎng)。在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變，實(shí)現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領(lǐng)域成為支撐功率半

32、導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢(shì)頭的重要市場(chǎng)。圖表 20 全球功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域圖表 21 中國(guó)功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域資料來(lái)源：Gartner，莫尼塔研究資料來(lái)源：Gartner，莫尼塔研究中國(guó)功率半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域中，消費(fèi)3C電子占比較大，汽車電子占比僅為15%。未來(lái)，隨著新能源 汽車的推廣普及，汽車電子有望成為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的突破口。2018-06-03深度專題2.3.1 需求端一：汽車電子汽車領(lǐng)域是全球半導(dǎo)體分立器件最大的應(yīng)用市場(chǎng)，目前全球排名前十的分立器件廠商主要營(yíng)收均為汽車電子。而根據(jù)中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)車用電機(jī)電器委員會(huì)的計(jì)算方法，每輛新車發(fā)電機(jī)至少需要裝配1只車用整流器，每只車用整流器平均需裝

33、配9只功率車用二極管。2017年中國(guó)汽車產(chǎn)量2901.8萬(wàn)輛，車用大功率二極管芯片需求=2901.8萬(wàn)*9=2.61億只此外，新能源汽車和智能駕駛的逐步普及將會(huì)大幅增加半導(dǎo)體分立器件的需求。據(jù)統(tǒng)計(jì)，半導(dǎo)體分立器件約占新能源汽車整車價(jià)值的10%。根據(jù)2016年 “十三五”國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃 ：到2020年中國(guó)新能源汽車實(shí)現(xiàn)當(dāng)年產(chǎn)銷200萬(wàn)輛以上，累計(jì)產(chǎn)銷超過(guò)500萬(wàn)輛。圖表 22 中國(guó)新能源汽車產(chǎn)量（輛）圖表 23 中國(guó)新能源車充電樁數(shù)量（個(gè)）900,000 300,000 794,000 800,000 250,000 700,000 200,000 600,000517,000 50

34、0,000 150,000 400,000340,471 100,000 300,000 200,000 50,000 78,499 100,000 0 8,3685,885 0 201220132014201520162017 資料來(lái)源：WIND，莫尼塔研究資料來(lái)源：WIND，莫尼塔研究另一方面，MOSFET、IGBT等功率模塊是直流充電樁等設(shè)備核心電能轉(zhuǎn)換器件，需求量已逐漸放大。據(jù)公開(kāi)資料調(diào)查顯示，目前直流充電樁價(jià)格是0.6-0.8元每w，即一個(gè)40Kw功率的直流充電樁，價(jià)格大概2.5-3萬(wàn)元，其中MOSFET或IGBT功率模塊價(jià)值約占成本的20%，即5000-6000元，充電樁的普及拉動(dòng)

35、了功率半導(dǎo)體的需求。2.3.2 需求端二：光伏產(chǎn)業(yè)光伏二極管約占光伏標(biāo)準(zhǔn)組件（以220W 計(jì)算）成本的 3至 5，占光伏組件成本微小，價(jià)格彈性小。按常規(guī)配置計(jì)算，1MW的光伏組件約需太陽(yáng)能接線盒5000只，每只太陽(yáng)能接線盒平均約需光伏二極管5只左右，因此1MW光伏組件約需要2.5萬(wàn)只光伏二極管，1GW的光伏電池組件需光伏二極管2500萬(wàn)只。根據(jù)中國(guó)國(guó)家能源局公布的20172020四年間的光伏裝機(jī)指標(biāo)，普通電站指標(biāo)為54.5GW，領(lǐng)跑者指標(biāo)32GW，總計(jì)達(dá)86.5GW。據(jù)推算，到2020年中國(guó)光伏裝機(jī)將超過(guò)200GW。預(yù)測(cè)到2020年中國(guó)光伏二極管需求約為：2500萬(wàn)只*200=50億只1720

36、18-06-03深度專題圖表 24 全球及中國(guó)光伏裝機(jī)量圖表 25 2007-17 年中國(guó) LED 市場(chǎng)規(guī)模120,000 7000 6,538.00 100,000 60005,216.00 80,000 50004,245.00 60,000 40003,507.00 40,000 30002,576.00 1,920.00 20,000 20001,560.00 1,200.00 827 0 1000 483 629232151923506580 105 138 151 182 全球（兆瓦） 中國(guó)（兆瓦） 0 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014

37、 2015 2016 2017 LED市場(chǎng)規(guī)模（億元）LED外延芯片（億元） 資料來(lái)源：WIND，莫尼塔研究資料來(lái)源：國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，莫尼塔研究2.3.3 需求端三：LED 照明LED是一種新型的綠色光源產(chǎn)品，具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長(zhǎng)、體積小等特點(diǎn)，并廣泛應(yīng)用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明和城市夜景等領(lǐng)域。目前，LED已經(jīng)成為性價(jià)比較高的生態(tài)光源，全面進(jìn)入照明替代市場(chǎng)，在全球淘汰白熾燈和限制熒光燈(含 )使用的大趨勢(shì)下，全球LED照明市場(chǎng)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。2.3.4 其它需求端智能 及輸變電：智能 中需要二極管和橋式整流器來(lái)實(shí)現(xiàn)電路的數(shù)據(jù)處理，因此智能 市場(chǎng)的發(fā)展將帶動(dòng)

38、半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品的市場(chǎng)需求。一般情況下，每臺(tái)單相智能 的電路由電源電路和數(shù)據(jù)處理電路構(gòu)成，電源電路需要用12只整流橋，數(shù)據(jù)處理電路需要用913只二極管。智能 的更新?lián)Q代穩(wěn)步推進(jìn)，保證了功率半導(dǎo)體的需求。家用電器：功率半導(dǎo)體器件可以對(duì)驅(qū)動(dòng)家用電器的電能進(jìn)行控制和轉(zhuǎn)換，是家用電器的關(guān)鍵零部件，直接影響到家用電器的性能和品質(zhì)。在家用電器整體升級(jí)、市場(chǎng)擴(kuò)展的大背景下，半導(dǎo)體分立器件將隨著家電行業(yè)的發(fā)展而具有穩(wěn)定的市場(chǎng)發(fā)展前景。2.4 競(jìng)爭(zhēng)格局：國(guó)外巨頭占據(jù)高端市場(chǎng)，中低端國(guó)內(nèi)廠商迎來(lái)契機(jī)圖表 26 全球十大功率半導(dǎo)體公司公司名稱 營(yíng)收 1 英飛凌（收購(gòu)IR） 70.63億歐元 2 TI德儀 149.

39、61億美元 3 ON安森美（收購(gòu)飛兆） 55.43億美元 4 高通（收購(gòu)NXP） 222.91億美元 5 ST意法半導(dǎo)體 83.47億美元 6 Maxim美信 22.96億美元 7 ADI +Linear 51.08億美元 8 Renesas瑞薩（收購(gòu)intersil） 6.95億美元 9 Vishay威世 26.04億美元 10 Toshiba東芝 443.9億美元 資料來(lái)源：公開(kāi)資料，莫尼塔研究2018-06-03深度專題受成本壓力的影響，國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭近年來(lái)主攻高壓Mosfet、IGBT等應(yīng)用于汽車領(lǐng)域的高端市場(chǎng)，逐步放棄中低端二極體的生產(chǎn)。目前Vishay在中低端二極管上占據(jù)龍頭地

40、位，而英飛凌、安森 美、意法半導(dǎo)體等國(guó)際巨頭發(fā)展戰(zhàn)略均以汽車電子、高端IGBT為主。國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)主要產(chǎn)品不盡相同，并不構(gòu)成直接競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。圖表 27 A 股上市功率半導(dǎo)體公司證券代碼 公司名稱 總市值億 營(yíng)收億 歸母凈利潤(rùn)億 PE (TTM、 扣非） PB 公司簡(jiǎn)介 002079. SZ 蘇州固锝 48.77 18.55 1.05 65.12 3.19 主要產(chǎn)品包括最新封裝技術(shù)的無(wú)引腳集成電路產(chǎn)品和分立器件產(chǎn)品、汽車整流二極管、功率模塊、整流二極管芯片、硅整流二極管、開(kāi)關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管、微型橋堆、 熔斷絲、光伏旁路 模塊等。 300046. SZ 臺(tái)基股份 26.87 2.79 0.5

41、3 141.96 3.23 主營(yíng) TECHSEM 牌晶閘管及其模塊的研 發(fā)、制造和銷售。公司主導(dǎo)產(chǎn)品晶閘管 和模塊在大陸連續(xù)保持年銷售額前列， 在感應(yīng)加熱應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率一直 保持第一。 300373. SZ 揚(yáng)杰科技 115.33 14.70 2.67 50.61 4.94 集分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù)等縱向產(chǎn)業(yè)鏈為一體的高科技企業(yè)。產(chǎn)品線涵蓋分立器件芯片、功率二極管、整流橋等全系列。主要產(chǎn)品通過(guò)美國(guó) UL 安全認(rèn)證，并符 合最新歐盟 RoHS 指令的環(huán)保要求。 300623. SZ 捷捷微電 56.80 4.31 1.44 40.78 4.57 國(guó)內(nèi)生產(chǎn)“方片式

42、”單、雙向可控硅最早及品種最齊全的廠家之一。具有自主開(kāi)發(fā)能力和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，具有自己的 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和獨(dú)特工藝技術(shù)。 600360. SH 華微電子 53.14 16.35 0.95 57.30 2.48 產(chǎn)品主要服務(wù)于家電、綠色照明、計(jì)算機(jī)及通訊、汽車電子四大領(lǐng)域。具備自主研發(fā)能力，擁有一整套具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高反壓大功率晶體管的專用生產(chǎn)技術(shù)?，F(xiàn)已成為中國(guó)最大的半導(dǎo)體分立 器件制造基地之一。 資料來(lái)源：WIND、莫尼塔研究圖表 28 中外功率半導(dǎo)體企業(yè)對(duì)比國(guó)外 國(guó)內(nèi) 國(guó)內(nèi)廠商對(duì)比 功率二極管 Vishay 揚(yáng)杰 有一定競(jìng)爭(zhēng)力 MOSFET(SI) 英飛凌、仙童半導(dǎo)體（安森 美）、瑞薩等 士蘭

43、微、華微、揚(yáng)杰 國(guó)內(nèi)為中低壓產(chǎn)品，中高壓以國(guó) 外廠商為主 IGBT(SI) 英飛凌、三菱、富士等 中車、上海先進(jìn)、士蘭 微、嘉興斯達(dá) 高鐵用 IGBT 自主研發(fā)（中 車）、主流產(chǎn)品依然靠進(jìn)口 SIC 半導(dǎo)體 英飛凌、GREE、意法半導(dǎo)體等 技術(shù)儲(chǔ)備階段 國(guó)外技術(shù)領(lǐng)先，國(guó)內(nèi)布局較多 資料來(lái)源：莫尼塔研究2018-06-03深度專題功率半導(dǎo)體企業(yè)主營(yíng)產(chǎn)品多為二極管、中低壓MOSFET，與大陸企業(yè)產(chǎn)品重合度較高，是大陸企業(yè)的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手?？傮w來(lái)看，不同地區(qū)通過(guò)產(chǎn)業(yè)分工，形成了各自的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。美國(guó)在功率IC領(lǐng)域 具有絕對(duì)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，歐洲在功率IC和功率分立器件方面也都具有較強(qiáng)實(shí)力，日本在分立功率器件方面

44、競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)較強(qiáng)，但主要集中在芯片方面，廠商數(shù)量眾多。2018-06-03深度專題3、揚(yáng)杰科技優(yōu)質(zhì)的管理層鑄就細(xì)分領(lǐng)域龍頭3.1 深耕功率半導(dǎo)體，IDM 優(yōu)勢(shì)凸顯保障業(yè)績(jī)揚(yáng)杰科技成立于2006年，2014年上市。公司集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，專業(yè)致力于芯片、二極管、整流橋、電力電子模塊等半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。公司產(chǎn)品主要用于汽車電子、LED照明、太陽(yáng)能光伏、通訊電源、開(kāi)關(guān)電源、家用電器等多個(gè)領(lǐng)域。管理治理結(jié)構(gòu)優(yōu)秀。公司股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，創(chuàng)始人梁勤董事長(zhǎng)為公司實(shí)控人，公司管理層多為70后，凝聚力、執(zhí)行力較強(qiáng)，銳意進(jìn)取、充滿活力。此外，公司通過(guò)股權(quán)激勵(lì)管理人員及核心技術(shù)人員，將公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)與員工個(gè)

45、人利益綁定，確保公司未來(lái)發(fā)展戰(zhàn)略與目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。得益于管理層卓越的戰(zhàn)略目光，公司準(zhǔn)確把握中國(guó)光伏市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇，大力發(fā)展的光伏二極管產(chǎn)品迅速占領(lǐng)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，將揚(yáng)杰科技打造成國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，未來(lái)有望成為國(guó)際知名品牌。公司業(yè)績(jī)處于成長(zhǎng)期，18年Q1實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.96億元同比增長(zhǎng)31.05%；扣非歸母凈利潤(rùn)0.54億元同比增長(zhǎng)30.15%。圖表 29 揚(yáng)杰科技營(yíng)收及扣非歸母凈利潤(rùn)圖表 30 功率半導(dǎo)體上市公司毛利率16 60 60.00 14 12 50 50.00 10 40 40.0034.64 35.36 35.58 30.90 33.06 32.27 8 30 30.0024.94 26.0

46、5 6 20 21.06 4 20.00 2 10 10.00 0 0 0.00 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 營(yíng)收（億） 營(yíng)收yoy（%） 歸母凈利潤(rùn)（億） 歸母yoy（%） 揚(yáng)杰臺(tái)基固锝捷捷華微 資料來(lái)源：揚(yáng)杰科技?xì)v年年報(bào)，莫尼塔研究資料來(lái)源：揚(yáng)杰科技?xì)v年年報(bào)，莫尼塔研究IDM模式競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)凸顯。功率半導(dǎo)體器件的性能由其內(nèi)部芯片決定，而芯片的設(shè)計(jì)參數(shù)必須通過(guò)嚴(yán)謹(jǐn)精湛的生產(chǎn)工藝得以體現(xiàn)，因此，器件的設(shè)計(jì)與工藝制造密切相關(guān)。按照半導(dǎo)體分立器件的生產(chǎn)環(huán)節(jié)完整性，行業(yè)的經(jīng)營(yíng)模式分為IDM垂直整合式和代工式。IDM模式包含芯片設(shè)計(jì)、制造及器件

47、封裝和銷售等所有環(huán)節(jié)，其中核心競(jìng)爭(zhēng)力在于強(qiáng)大的芯片設(shè)計(jì)能力和精湛的生產(chǎn)工藝，產(chǎn)品附加值高，高盈利性主要體現(xiàn)在芯片設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)。以代工為經(jīng)營(yíng)模式的企業(yè)主要為有芯片設(shè)計(jì)、制造能力的企業(yè)提供后道封裝工序代工業(yè)務(wù)，競(jìng)爭(zhēng)激烈，利潤(rùn)空間較小。此外，從資金投入上看，功率半導(dǎo)體采用特色工藝，并不需要追求先進(jìn)的制程，資金投入遠(yuǎn)小于集成電路，國(guó)內(nèi)廠商可以利用資本優(yōu)勢(shì)獲得先進(jìn)工藝，快速追趕海外巨頭；從技術(shù)上看，國(guó)內(nèi)企業(yè)從低端2018-06-03深度專題功率器件起家，積累多年開(kāi)始向高端器件進(jìn)軍，以中車、比亞迪為代表的廠商已實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，成功 實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化 IGBT 在高鐵和新能源汽車中的應(yīng)用。而揚(yáng)杰科技、華微電子、捷

48、捷微電等在功率半導(dǎo)體上的技術(shù)儲(chǔ)備與國(guó)外差距很小，國(guó)產(chǎn)替代大勢(shì)所趨。3.2 細(xì)分領(lǐng)域龍頭，產(chǎn)能釋放助力自主可控?fù)P杰科技從2006年開(kāi)始建立第一條生產(chǎn)線，2012年IPO過(guò)會(huì)后更是加快了產(chǎn)能的擴(kuò)張，2015年非公開(kāi)發(fā)行股份募集資金建設(shè)新一 產(chǎn)線。目前揚(yáng)杰設(shè)立兩大生產(chǎn)中心：封裝運(yùn)營(yíng)中心和晶圓運(yùn)營(yíng)中心。封裝運(yùn)營(yíng)中心下設(shè)8個(gè)工廠單元，其中光伏工廠采用聚焦式競(jìng)爭(zhēng)模式，專注于光伏領(lǐng)域，其他7個(gè)工廠采用總成本領(lǐng)先的競(jìng)爭(zhēng)模式。晶圓運(yùn)營(yíng)中心下設(shè)4個(gè)工廠單元，專注開(kāi)發(fā)高技術(shù)含量產(chǎn)品，實(shí)行大規(guī)模生產(chǎn)，采用差異化競(jìng)爭(zhēng)模式。公司4寸線產(chǎn)能穩(wěn)步提升，6 寸線產(chǎn)能逐步釋放。圖表 31 揚(yáng)杰科技晶圓產(chǎn)線及產(chǎn)品晶圓生產(chǎn)線： 4 寸 6 寸 8 寸 月產(chǎn)能（17 底） 80 萬(wàn)片 2 萬(wàn)片 規(guī)劃中 2018 一季度末 85 萬(wàn)片 2.2 萬(wàn)片 月產(chǎn)能（18 底） 100 萬(wàn)片 4-5 萬(wàn)片 規(guī)劃中 對(duì)應(yīng)封裝工廠 中高端二極體 MOSFET IGBT 主要產(chǎn)品 GPP 工藝芯片和汽車電子芯片 Trench 工藝芯片、中高端 MOSFET 芯片大規(guī)模量產(chǎn) 技術(shù)儲(chǔ)備期 資料來(lái)源：揚(yáng)杰科技?xì)v年年報(bào)，莫尼塔研究公司一方面通過(guò)降低一定毛利不斷提高產(chǎn)品的市場(chǎng)占有率，另一方面持續(xù)推出新產(chǎn)品獲得高毛利。隨 著6寸線