1、電力電子技術(shù)習(xí)題及解答1晶閘管的導(dǎo)通條件是什么? 導(dǎo)通后流過(guò)晶閘管的電流和負(fù)載上的電壓由什么決定?答：晶閘管的導(dǎo)通條件是：晶閘管陽(yáng)極和陽(yáng)極間施加正向電壓，并在門(mén)極和陽(yáng)極間施加正向觸發(fā)電壓和電流（或脈沖）。導(dǎo)通后流過(guò)晶閘管的電流由負(fù)載阻抗決定，負(fù)載上電壓由輸入陽(yáng)極電壓UA決定。2晶閘管的關(guān)斷條件是什么?如何實(shí)現(xiàn)?晶閘管處于阻斷狀態(tài)時(shí)其兩端的電壓大小由什么決定?答：晶閘管的關(guān)斷條件是：要使晶閘管由正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樽钄酄顟B(tài)，可采用陽(yáng)極電壓反向使陽(yáng)極電流IA減小，IA下降到維持電流IH以下時(shí)，晶閘管內(nèi)部建立的正反饋無(wú)法進(jìn)行。進(jìn)而實(shí)現(xiàn)晶閘管的關(guān)斷，其兩端電壓大小由電源電壓UA決定。3溫度升高時(shí)，晶閘管

2、的觸發(fā)電流、正反向漏電流、維持電流以及正向轉(zhuǎn)折電壓和反向擊穿電壓如何變化？答：溫度升高時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流隨溫度升高而減小，正反向漏電流隨溫度升高而增大，維持電流IH會(huì)減小，正向轉(zhuǎn)折電壓和反向擊穿電壓隨溫度升高而減小。7型號(hào)為KP100-3，維持電流IH=4mA的晶閘管，使用在圖題1.8所示電路中是否合理，為什么?(暫不考慮電壓電流裕量) 圖題1.8 答：（a）因?yàn)?，所以不合理?b) 因?yàn)? KP100的電流額定值為100，裕量達(dá)倍，太大了。（c）因?yàn)?，大于額定值，所以不合理。8 圖題1.9中實(shí)線部分表示流過(guò)晶閘管的電流波形，其最大值均為Im，試計(jì)算各圖的電流平均值電流有效值和波形系數(shù)。解：

3、圖(a)： IT(AV)=IT= Kf=1.57 圖題19圖(b)： IT(AV)= ImIT=Kf=1.11圖(c)： IT(AV)= ImIT= ImKf=1.26圖(d)： IT(AV)=ImIT= ImKf=1.78圖(e)： IT(AV)=IT=Kf=2.83圖(f)： IT(AV)=IT=Kf=29上題中，如不考慮安全裕量，問(wèn)額定電流100A的晶閘管允許流過(guò)的平均電流分別是多少?解：(a)圖波形系數(shù)為1.57，則有： 1.57=1.57100A , IT(AV) = 100 A(b)圖波形系數(shù)為1.11，則有： 1.11=1.57100A , IT(AV)=141.4A(c)圖波形

4、系數(shù)為1.26，則有： 1.26=1.57100A , IT(AV)=124.6A(d)圖波形系數(shù)為1.78，則有： 1.78=1.57100A , IT(AV)=88.2A(e)圖波形系數(shù)為2.83，則有： 2.83=1.57100A, IT(AV)=55.5A(f)圖波形系數(shù)為2，則有： 2=1.57100A , IT(AV)=78.5A10某晶閘管型號(hào)規(guī)格為KP200-8D，試問(wèn)型號(hào)規(guī)格代表什么意義?解：KP代表普通型晶閘管，200代表其晶閘管的額定電流為200A，8代表晶閘管的正反向峰值電壓為800V，D代表通態(tài)平均壓降為。11如圖題1.12所示，試畫(huà)出負(fù)載Rd上的電壓波形(不考慮管子

5、的導(dǎo)通壓降)。 圖題1.12解：其波形如下圖所示：12單相正弦交流電源，晶閘管和負(fù)載電阻串聯(lián)如圖題1.14所示，交流電源電壓有效值為220V。 (1)考慮安全余量，應(yīng)如何選取晶閘管的額定電壓？ (2)若當(dāng)電流的波形系數(shù)為Kf=2.22時(shí)，通過(guò)晶閘管的有效電流為100A，考慮晶閘管的安全余量，應(yīng)如何選擇晶閘管的額定電流？解：（1）考慮安全余量, 取實(shí)際工作電壓的2倍 UT=V, 取600V（2）因?yàn)镵f=2.22, 取兩倍的裕量，則：2IT(AV) 得： IT(AV)=111(A) 取100A。圖題1.1413什么叫GTR的一次擊穿?什么叫GTR的二次擊穿?答：處于工作狀態(tài)的GTR，當(dāng)其集電極反

6、偏電壓UCE漸增大電壓定額BUCEO時(shí)，集電極電流IC急劇增大（雪崩擊穿），但此時(shí)集電極的電壓基本保持不變，這叫一次擊穿。發(fā)生一次擊穿時(shí)，如果繼續(xù)增大UCE，又不限制IC，IC上升到臨界值時(shí)，UCE突然下降，而IC繼續(xù)增大（負(fù)載效應(yīng)），這個(gè)現(xiàn)象稱(chēng)為二次擊穿。14怎樣確定GTR的安全工作區(qū)SOA?答：安全工作區(qū)是指在輸出特性曲線圖上GTR能夠安全運(yùn)行的電流、電壓的極限范圍。按基極偏量分類(lèi)可分為：正偏安全工作區(qū)FBSOA和反偏安全工作區(qū)RBSOA。正偏工作區(qū)又叫開(kāi)通工作區(qū)，它是基極正向偏量條件下由GTR的最大允許集電極功耗PCM以及二次擊穿功率PSB，ICM，BUCEO四條限制線所圍成的區(qū)域。反偏

7、安全工作區(qū)又稱(chēng)為GTR的關(guān)斷安全工作區(qū)，它表示在反向偏置狀態(tài)下GTR關(guān)斷過(guò)程中電壓UCE，電流IC限制界線所圍成的區(qū)域。15GTR對(duì)基極驅(qū)動(dòng)電路的要求是什么？答：要求如下：（1）提供合適的正反向基流以保證GTR可靠導(dǎo)通與關(guān)斷，（2）實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路隔離，（3）自動(dòng)保護(hù)功能，以便在故障發(fā)生時(shí)快速自動(dòng)切除驅(qū)動(dòng)信號(hào)避免損壞GTR。（4）電路盡可能簡(jiǎn)單，工作穩(wěn)定可靠，抗干擾能力強(qiáng)。16在大功率GTR組成的開(kāi)關(guān)電路中為什么要加緩沖電路?答：緩沖電路可以使GTR在開(kāi)通中的集電極電流緩升，關(guān)斷中的集電極電壓緩升，避免了GTR同時(shí)承受高電壓、大電流。另一方面，緩沖電路也可以使GTR的集電極電壓變化率和集電

8、極電流變化率得到有效值抑制，減小開(kāi)關(guān)損耗和防止高壓擊穿和硅片局部過(guò)熱熔通而損壞GTR。17與GTR相比功率MOS管有何優(yōu)缺點(diǎn)?答：GTR是電流型器件，功率MOS是電壓型器件，與GTR相比，功率MOS管的工作速度快，開(kāi)關(guān)頻率高，驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，無(wú)二次擊穿問(wèn)題，安全工作區(qū)寬，并且輸入阻抗可達(dá)幾十兆歐。但功率MOS的缺點(diǎn)有：電流容量低，承受反向電壓小。18試簡(jiǎn)述功率場(chǎng)效應(yīng)管在應(yīng)用中的注意事項(xiàng)。答：（1）過(guò)電流保護(hù)，（2）過(guò)電壓保護(hù)，（3）過(guò)熱保護(hù)，（4）防靜電。19與GTR、VDMOS相比，IGBT管有何特點(diǎn)?答：IGBT的開(kāi)關(guān)速度快，其開(kāi)關(guān)時(shí)間是同容量GTR的1/10，IGBT電流容量大

9、，是同容量MOS的10倍；與VDMOS、GTR相比，IGBT的耐壓可以做得很高，最大允許電壓UCEM可達(dá)4500V，IGBT的最高允許結(jié)溫TJM為150，而且IGBT的通態(tài)壓降在室溫和最高結(jié)溫之間變化很小，具有良好的溫度特性；通態(tài)壓降是同一耐壓規(guī)格VDMOS的1/10，輸入阻抗與MOS同。20在SCR、GTR、IGBT、GTO、MOSFET、IGCT及MCT器件中，哪些器件可以承受反向電壓？哪些可以用作靜態(tài)交流開(kāi)關(guān)？答：SCR、GTR、IGBT、GTO、MCT都可承受反向電壓。SCR可以用作靜態(tài)開(kāi)關(guān)。21試說(shuō)明有關(guān)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)。答：功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是：輸入阻抗高

10、，所需驅(qū)動(dòng)功率小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，工作頻率高。22 什么是整流？它與逆變有何區(qū)別？答：整流就是把交流電能轉(zhuǎn)換成直流電能，而將直流轉(zhuǎn)換為交流電能稱(chēng)為逆變，它是對(duì)應(yīng)于整流的逆向過(guò)程。23 單相半波可控整流電路中，如果：(1) 晶閘管門(mén)極不加觸發(fā)脈沖；(2) 晶閘管內(nèi)部短路；(3) 晶閘管內(nèi)部斷開(kāi)；試分析上述三種情況負(fù)載兩端電壓ud和晶閘管兩端電壓uT的波形。答：（1）負(fù)載兩端電壓為0，晶閘管上電壓波形與U2相同；（2）負(fù)載兩端電壓為U2，晶閘管上的電壓為0；（3）負(fù)載兩端電壓為0，晶閘管上的電壓為U2。24某單相全控橋式整流電路給電阻性負(fù)載和大電感負(fù)載供電，在流過(guò)負(fù)載電流平均值相同的情況下，哪一種負(fù)

11、載的晶閘管額定電流應(yīng)選擇大一些?答：帶大電感負(fù)載的晶閘管額定電流應(yīng)選擇小一些。由于具有電感，當(dāng)其電流增大時(shí)，在電感上會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，抑制電流增加。電阻性負(fù)載時(shí)整流輸出電流的峰值大些，在流過(guò)負(fù)載電流平均值相同的情況下，為防此時(shí)管子燒壞，應(yīng)選擇額定電流大一些的管子。25某電阻性負(fù)載的單相半控橋式整流電路，若其中一只晶閘管的陽(yáng)、陰極之間被燒斷，試畫(huà)出整流二極管、晶閘管兩端和負(fù)載電阻兩端的電壓波形。解：設(shè)=0，T2被燒壞，如下圖： 26相控整流電路帶電阻性負(fù)載時(shí)，負(fù)載電阻上的Ud與Id的乘積是否等于負(fù)載有功功率，為什么?帶大電感負(fù)載時(shí)，負(fù)載電阻Rd上的Ud與Id的乘積是否等于負(fù)載有功功率，為什么?答

12、：相控整流電路帶電阻性負(fù)載時(shí)，負(fù)載電阻上的平均功率不等于負(fù)載有功功率。因?yàn)樨?fù)載上的電壓、電流是非正弦波，除了直流Ud與Id外還有諧波分量和，負(fù)載上有功功率為。相控整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，雖然Ud存在諧波，但電流是恒定的直流，故負(fù)載電阻Rd上的Ud與Id的乘積等于負(fù)載有功功率。27某電阻性負(fù)載，Rd=50,要求Ud在0600V可調(diào)，試用單相半波和單相全控橋兩種整流電路來(lái)供給，分別計(jì)算：(1) 晶閘管額定電壓、電流值；(2) 連接負(fù)載的導(dǎo)線截面積(導(dǎo)線允許電流密度j=6Amm2)；(3) 負(fù)載電阻上消耗的最大功率。解：（1）單相半波時(shí),晶閘管的最大電流有效值 晶閘管額定電流為 IT(AV)12(A

13、) 晶閘管承受最大電壓為 =1885V 取2倍安全裕量，晶閘管的額定電壓、額定電流分別為4000V和30A。所選導(dǎo)線截面積為 負(fù)載電阻上最大功率 （2）單相全控橋時(shí),負(fù)載電流有效值 (Kf=1.11)晶閘管的額定電流為 IT(AV)6(A) IT=晶閘管承受最大電壓為 =1885V取2倍安全裕量，晶閘管的額定電壓、額定電流分別為4000V和20A。所選導(dǎo)線截面積為 負(fù)載電阻上最大功率 28整流變壓器二次側(cè)中間抽頭的雙半波相控整流電路如圖題2.8所示。(1) 說(shuō)明整流變壓器有無(wú)直流磁化問(wèn)題?(2) 分別畫(huà)出電阻性負(fù)載和大電感負(fù)載在=60時(shí)的輸出電壓Ud、電流id的波形，比較與單相全控橋式整流電路

14、是否相同。若已知U2=220V，分別計(jì)算其輸出直流電壓值Ud。（3）畫(huà)出電阻性負(fù)載=60時(shí)晶閘管兩端的電壓uT波形，說(shuō)明該電路晶閘管承受的最大反向電壓為多少? 圖題2.8解：（1）因?yàn)樵谝粋€(gè)周期內(nèi)變壓器磁通增量為零，所以沒(méi)有直流磁化。（2）其波形如下圖所示，與單相全控橋式整流電路相同。電阻性負(fù)載： 感性負(fù)載： (3)其波形如下圖所示，晶閘管承受的最大反向電壓為。29 三相半波相控整流電路帶大電感負(fù)載，Rd=10，相電壓有效值U2=220V。求=45時(shí)負(fù)載直流電壓Ud、流過(guò)晶閘管的平均電流IdT和有效電流IT，畫(huà)出ud、iT2、uT3的波形。解：因?yàn)椋?，Ud=1.17=182Vud、iT2、u

15、T3波形圖如下所示：30在圖題2.11所示電路中，當(dāng)=60時(shí)，畫(huà)出下列故障情況下的ud波形。(1) 熔斷器1FU熔斷。 (2) 熔斷器2FU熔斷。(3) 熔斷器2FU、3FU同時(shí)熔斷。圖題2.11解：這三種情況下的波形圖如下所示： (a) (b) (c)31現(xiàn)有單相半波、單相橋式、三相半波三種整流電路帶電阻性負(fù)載，負(fù)載電流Id都是40A，問(wèn)流過(guò)與晶閘管串聯(lián)的熔斷器的平均電流、有效電流各為多大?解：設(shè)單相半波：IdT=Id=40A (Kf=1.57)單相橋式：IdT=Id=20A三相半波：IdT=Id=13.3A當(dāng)時(shí) Ud=1.17UU=Ud/1.17時(shí) 32三相全控橋式整流電路帶大電感負(fù)載，負(fù)

16、載電阻Rd=4，要求Ud從0220V之間變化。試求： (1)不考慮控制角裕量時(shí)，整流變壓器二次線電壓。(2)計(jì)算晶閘管電壓、電流值，如電壓、電流取2倍裕量，選擇晶閘管型號(hào)。 解：（1）因?yàn)閁d=2.34U；不考慮控制角裕量，時(shí)（2）晶閘管承受最大電壓為取2倍的裕量,URM=460.6V晶閘管承受的平均電流為IdT=Id又因?yàn)樗訧dT=18.33A，取2倍的裕量IdTmax=36.67(A)選擇KP505的晶閘管。33 三相半波相控整流電路帶電動(dòng)機(jī)負(fù)載并串入足夠大的電抗器，相電壓有效值U2=220V，電動(dòng)機(jī)負(fù)載電流為40A，負(fù)載回路總電阻為0.2，求當(dāng)=60時(shí)流過(guò)晶閘管的電流平均值與有效值、電

17、動(dòng)機(jī)的反電勢(shì)。解：電流平均值為：IdT=Id=40/3=13.3 電流有效值為：設(shè)電動(dòng)機(jī)的反電勢(shì)為ED，則回路方程為：而 所以 34三相全控橋電路帶串聯(lián)Ld的電動(dòng)機(jī)負(fù)載，已知變壓器二次電壓為100V，變壓器每相繞組折合到二次側(cè)的漏感L1為100H，負(fù)載電流為150A，求： (1)由于漏抗引起的換相壓降； (2)該壓降所對(duì)應(yīng)整流裝置的等效內(nèi)阻及=0時(shí)的換相重疊角。解：(1) (2) 等效內(nèi)阻35什么是有源逆變？有源逆變的條件是什么？有源逆變有何作用？答：如果將逆變電路交流側(cè)接到交流電網(wǎng)上，把直流電逆變成同頻率的交流電，反送到電網(wǎng)上去稱(chēng)為有源逆變。有源逆變的條件：（1） 一定要有直流電動(dòng)勢(shì)，其極性

18、必須與晶閘管的導(dǎo)通方向一致，其值應(yīng)稍大于變流器直流側(cè)的平均電壓；（2） 變流器必須工作在的區(qū)域內(nèi)使Ud180如果采用窄脈沖觸發(fā)，當(dāng)下的電流下降為零，T2的門(mén)極脈沖已經(jīng)消失而無(wú)法導(dǎo)通，然后T1重復(fù)第一周期的工作，這樣導(dǎo)致先觸發(fā)一只晶閘管導(dǎo)通，而另一只管子不能導(dǎo)通，因此出現(xiàn)失控。50晶閘管相控直接變頻的基本原理是什么？為什么只能降頻、降壓，而不能升頻、升壓？答：晶閘管相控直接變頻的基本原理是：電路中具有相同特征的兩組晶閘管整流電路反并聯(lián)構(gòu)成，將其中一組整流器作為正組整流器，另外為反組整流器，當(dāng)正組整流器工作，反組整流器被封鎖，負(fù)載端輸出電壓為上正下負(fù)；如果負(fù)組整流器工作，正組整流器被封鎖，則負(fù)載端

19、得到輸出電壓上負(fù)下正，這樣就可以在負(fù)載端獲得交變的輸出電壓。晶閘管相控直接變頻，當(dāng)輸出頻率增高時(shí)，輸出電壓一周期所含電網(wǎng)電壓數(shù)就越少，波形畸變嚴(yán)重。一般認(rèn)為：輸出上限頻率不高于電網(wǎng)頻率的。而當(dāng)輸出電壓升高時(shí)，也會(huì)造成輸出波形畸變。因此，只能降頻、降壓，而不能升頻、升壓。51晶閘管相控整流電路和晶閘管交流調(diào)壓電路在控制上有何區(qū)別？答：相控整流電路和交流調(diào)壓電路都是通過(guò)控制晶閘管在每一個(gè)電源周期內(nèi)的導(dǎo)通角的大?。ㄏ辔豢刂疲﹣?lái)調(diào)節(jié)輸出電壓的大小。但二者電路結(jié)構(gòu)不同，在控制上也有區(qū)別。相控整流電路的輸出電壓在正負(fù)半周同極性加到負(fù)載上，輸出直流電壓。交流調(diào)壓電路，在負(fù)載和交流電源間用兩個(gè)反并聯(lián)的晶閘管T

20、1 、T2 或采用雙向晶閘管T相聯(lián)。當(dāng)電源處于正半周時(shí)，觸發(fā)T1 導(dǎo)通，電源的正半周施加到負(fù)載上；當(dāng)電源處于負(fù)半周時(shí)，觸發(fā)T2 導(dǎo)通，電源負(fù)半周便加到負(fù)載上。電源過(guò)零時(shí)交替觸發(fā)T1、T2 ，則電源電壓全部加到負(fù)載。輸出交流電壓。52交流調(diào)壓和交流調(diào)功電路有何區(qū)別？答：交流調(diào)功能電路和交流調(diào)壓電路的電路形式完全相同，但控制方式不同。交流調(diào)壓電路都是通過(guò)控制晶閘管在每一個(gè)電源周期內(nèi)的導(dǎo)通角的大?。ㄏ辔豢刂疲﹣?lái)調(diào)節(jié)輸出電壓的大小。晶閘管交流調(diào)功能電路采用整周波的通、斷控制方法，例如以n個(gè)電源周波為一個(gè)大周期，改變導(dǎo)通周波數(shù)與阻斷周波數(shù)的比值來(lái)改變變換器在整個(gè)大周期內(nèi)輸出的平均功率，實(shí)現(xiàn)交流調(diào)功。53

21、一交流單相晶閘管調(diào)壓器，用作控制從220V交流電源送至電阻為0.5，感抗為0.5的串聯(lián)負(fù)載電路的功率。試求：（1） 控制角范圍；（2） 負(fù)載電流的最大有效值。解：(1) 負(fù)載阻抗角為： 最小控制角為 故控制范圍 (2) 處，輸出電壓最大，電流也最大，故最大有效值為：54試述單相交-交變頻電路的工作原理。答：其電路有兩組整流圈，一組為正組整流器，另一組為反組整流器，其正組和反組整流器以交替地以低于電源的頻率切換正反組整流器的工作狀態(tài)，當(dāng)正組工作，反組封鎖時(shí)，負(fù)載輸出電壓為上正下負(fù)，如果負(fù)組工作，正組封鎖，則為上負(fù)下正，如果控制角的大小不變，則輸出電壓波形為矩形波，如果讓控制角按900逐漸減小，然

22、后再?gòu)?90逐漸增大。那么正組整流電流的輸出電壓的平均值按正弦規(guī)律變化，從零增大到最大，然后從最大減小到零，反組用上述同樣的控制方法，就可以得到接近正弦波的輸出電壓。55交-交變頻電路的輸出頻率有何限制？答：交交變頻電路的輸出電壓是由若干段電網(wǎng)電壓拼接而成的。當(dāng)輸出頻率升高時(shí)，輸出電壓一個(gè)周期內(nèi)電網(wǎng)電壓的段數(shù)就減少，所含的諧波分量就要增加。這種輸出電壓波形的畸變是限制輸出頻率提高的主要因素之一。一般認(rèn)為，交流電路采用6脈波的三相橋式電路時(shí)，最高輸出頻率不高于電網(wǎng)頻率的1/31/2。電網(wǎng)頻率為50HZ，交交變頻電路的輸出上限頻率約為20Hz。56何謂軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)？ 答：如果開(kāi)關(guān)器件在其端電壓不

23、為零時(shí)開(kāi)通則稱(chēng)為硬件通，在其電流不為零時(shí)關(guān)斷則稱(chēng)為硬關(guān)斷。硬開(kāi)通、硬關(guān)斷統(tǒng)稱(chēng)為硬開(kāi)關(guān)。在硬開(kāi)關(guān)過(guò)程中，開(kāi)關(guān)器件在較高電壓下承載有較大電流，故產(chǎn)生很大的開(kāi)關(guān)損耗。57軟開(kāi)關(guān)電路可以分為哪幾類(lèi)？ 答：準(zhǔn)諧振變換電路、零開(kāi)關(guān)PWM變換電路和零轉(zhuǎn)換PWM變換電路。58軟開(kāi)關(guān) PWM的含義是什么？答：恒頻PWM變換器當(dāng)輸人電壓和負(fù)載在一個(gè)很大的范圍內(nèi)變化時(shí)又可像常規(guī)PWM那樣通過(guò)恒頻PWM調(diào)節(jié)其輸出電壓，從而給電路中變壓器、電感器和濾波器的最優(yōu)化設(shè)計(jì)創(chuàng)造了良好的條件。59什么叫組合變流電路？請(qǐng)畫(huà)出間接直流變流電路的結(jié)構(gòu)框圖。答：將AC/DC、DC/DC、AC/AC、DC/AC四大類(lèi)基本的變流電路，某幾種

24、基本電路組合起來(lái)，以實(shí)現(xiàn)一定的新功能，即構(gòu)成組合變流電路。間接直流變流電路的結(jié)構(gòu)框圖如下， （60試分析圖中間接交流交流電路的工作原理，并說(shuō)明該電路有何局限性。答：圖中所示為不能再生反饋電力的電壓型見(jiàn)解交流變流電路。該電路中整流部分采用不控整流電路，逆變部分采用全控型器件構(gòu)成能量雙向流動(dòng)的方式，若負(fù)載能量反饋到直流中間直流電路，將導(dǎo)致電容電壓升高，由于能量無(wú)法反饋回交流電源，故電容只能承擔(dān)少量的反饋能量，否則電壓過(guò)高會(huì)危及整個(gè)電路的安全。61 GTO與SCR具有相同的PNPN結(jié)構(gòu)，為什么GTO能自關(guān)斷，而普通晶閘管不能？答：GTO和晶閘管有以下不同點(diǎn)：1）在設(shè)計(jì)器件時(shí)使得較大，這樣晶體管控制靈敏，使得GTO易于關(guān)斷；2）使得導(dǎo)通時(shí)的更接近于1。普通晶閘管設(shè)計(jì)為，而GTO設(shè)計(jì)為。這樣使得GTO導(dǎo)通時(shí)飽和程度不深，更接近于臨界飽和，從而為門(mén)極控制關(guān)斷提供了有利條件；3）多元集成結(jié)構(gòu)使得每個(gè)GTO元陰極面積很小，門(mén)極和陰極間的距離大為縮短，使得基區(qū)所謂橫向電阻很小，從而使從門(mén)極抽出較大的電流成為可能。62可控