1、模擬電路版圖,集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證,第六章 模擬電路版圖,模擬電路版圖,主要內(nèi)容,概述 寄生參數(shù) 匹配 噪聲問(wèn)題,模擬電路版圖,6.1 概述,在模擬電路的版圖設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)規(guī)則不象數(shù)字電路一樣重要，但是也可以使用。 在高質(zhì)量的數(shù)字電路中，其設(shè)計(jì)方法通常類(lèi)似于模擬電路，即所謂的全定制設(shè)計(jì)方法。,模擬電路版圖,6.1.1數(shù)字技巧和模擬技巧的對(duì)比,一、規(guī)模不同 二、主要目標(biāo)不同 數(shù)字電路的目標(biāo)：優(yōu)化芯片的尺寸和提高集成度 模擬電路的目標(biāo)：優(yōu)化電路的性能、匹配程度、速度和各種功能方面的問(wèn)題。 在模擬電路版圖設(shè)計(jì)中，性能比尺寸更重要。,模擬電路版圖,6.1.1數(shù)字技巧和模擬技巧的對(duì)比,三、團(tuán)隊(duì)工作方式不

2、同 在模擬集成電路的版圖設(shè)計(jì)中，團(tuán)隊(duì)溝通更加重要，例如，需要從電路設(shè)計(jì)者了解電路需要的匹配、屏蔽、特定的器件防止方向等信息。 在整個(gè)的設(shè)計(jì)流程中，都要不斷溝通，以保證所設(shè)計(jì)的版圖不僅功能正確，且性能最優(yōu)。,模擬電路版圖,6.1.1數(shù)字技巧和模擬技巧的對(duì)比,四、完成進(jìn)度不同 在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中，芯片的絕大部分電路往往在開(kāi)始版圖工作時(shí)，就已經(jīng)完成。而模擬電路則不同，電路設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì)可能會(huì)同時(shí)進(jìn)行。,模擬電路版圖,6.1.1數(shù)字技巧和模擬技巧的對(duì)比,五、創(chuàng)新要求不同 與數(shù)字電路不同，模擬電路的版圖設(shè)計(jì)重復(fù)性不多，創(chuàng)新很重要。 六、約束條件不同 在模擬電路中，版圖設(shè)計(jì)幾乎沒(méi)有什么規(guī)則，最終的目標(biāo)就是電

3、路的性能。數(shù)字版圖設(shè)計(jì)中的規(guī)則可以選擇，也可以不選擇。,模擬電路版圖,6.1.1數(shù)字技巧和模擬技巧的對(duì)比,七、對(duì)電路技術(shù)理解程度的要求不同 模擬電路版圖設(shè)計(jì)比數(shù)字電路版圖設(shè)計(jì)更需要了解電路技術(shù)。 如：電壓、電流及相互關(guān)系 差分對(duì)需要匹配等,模擬電路版圖,6.1.2三個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題,一、問(wèn)題1：這個(gè)電路是做什么用的 電路的功能決定了下面的一些關(guān)鍵問(wèn)題： 絕緣 匹配 布局 均衡 覆蓋 保護(hù)方法 I/O導(dǎo)線(xiàn)的位置 器件分割 平面布置,模擬電路版圖,6.1.2三個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題,二、問(wèn)題2a：它需要多大的電流 所影響的問(wèn)題： 器件的選擇 金屬線(xiàn)尺寸的選擇 布置方案,模擬電路版圖,6.1.2三個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題,例如，最

4、小導(dǎo)線(xiàn)寬度的確定：根據(jù)工藝手冊(cè)（認(rèn)識(shí)工藝規(guī)則）中查到的金屬線(xiàn)的所能承受的最大電流，計(jì)算某個(gè)器件中所需要的最小線(xiàn)寬。,模擬電路版圖,6.1.2三個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題,三、問(wèn)題2b：大電流路徑和小電流路徑在哪 電路中的各個(gè)部分所需要的電流大小是不同的，因此導(dǎo)線(xiàn)寬度的要求也不同，要根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。 四、問(wèn)題3：有哪些匹配要求,模擬電路版圖,6.1.3雙極性模擬電路,其規(guī)則比CMOS版圖設(shè)計(jì)要簡(jiǎn)單，主要是器件簡(jiǎn)單。 對(duì)模擬版圖設(shè)計(jì)者的期望：不要太相信電路設(shè)計(jì)者。,模擬電路版圖,6.2寄生參數(shù),三種主要的寄生參數(shù)： 寄生電容 寄生電阻 寄生電感,模擬電路版圖,6.2.1寄生電容,各層金屬線(xiàn)之間，以及金屬線(xiàn)與

5、襯底之間，都會(huì)產(chǎn)生寄生電容。 對(duì)于高頻電路，由于要求版圖的電路速度高，電容就會(huì)變得越加重要。 一、導(dǎo)線(xiàn)長(zhǎng)度 如果知道某些部分的布線(xiàn)寄生參數(shù)要小，實(shí)現(xiàn)方法之一就是讓那一部分導(dǎo)線(xiàn)盡量短，以減少重疊。,模擬電路版圖,6.2.1寄生電容,模擬電路版圖,6.2.1寄生電容,二、選擇金屬層 一般來(lái)說(shuō)，最關(guān)心的寄生電容來(lái)自金屬層與襯底之間，因此，一般的經(jīng)驗(yàn)是選擇遠(yuǎn)離襯底的金屬層走線(xiàn)。 但是這個(gè)經(jīng)驗(yàn)也要與實(shí)際情況相結(jié)合來(lái)使用。 還與工藝規(guī)則有關(guān)系，比如工藝規(guī)則所規(guī)定的最小線(xiàn)寬，可能會(huì)使得高層金屬的電容更大。 例子,模擬電路版圖,6.2.1寄生電容,模擬電路版圖,6.2.1寄生電容,模擬電路版圖,6.2.1寄生

6、電容,不能僅僅采用普遍適用的方法，也并不是簡(jiǎn)單地提倡讓每一樣?xùn)|西都盡可能短和盡可能小，應(yīng)該根據(jù)電路的功能和可用的工藝來(lái)進(jìn)行選擇。,模擬電路版圖,6.2.1寄生電容,三、金屬疊著金屬 在數(shù)字電路中，有一些關(guān)鍵導(dǎo)線(xiàn)對(duì)噪聲非常敏感，如果僅僅依賴(lài)工具自動(dòng)布線(xiàn)，而不加干預(yù)，會(huì)產(chǎn)生很?chē)?yán)重的后果。 在布線(xiàn)時(shí)最好繞過(guò)電路模塊，而不是僅僅簡(jiǎn)單的在它上面走線(xiàn)。 應(yīng)該讓敏感的信號(hào)遠(yuǎn)離。 因此再次說(shuō)明了，版圖設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)版圖時(shí)，必須與電路設(shè)計(jì)人員進(jìn)行足夠的溝通。,模擬電路版圖,6.2.1寄生電容,模擬電路版圖,6.2.1寄生電容,模擬電路版圖,6.2.1寄生電容,模擬電路版圖,6.2.2寄生電阻,一、計(jì)算IR壓降

7、當(dāng)根據(jù)電流計(jì)算出來(lái)所需要的導(dǎo)線(xiàn)寬度后，還有一項(xiàng)任務(wù)就是計(jì)算導(dǎo)線(xiàn)的電阻。如果導(dǎo)線(xiàn)電阻過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致過(guò)多的電壓損失，在模擬電路中，會(huì)產(chǎn)生很?chē)?yán)重的后果。 降低電阻的方法：導(dǎo)線(xiàn)加寬。,模擬電路版圖,6.2.2寄生電阻,模擬電路版圖,6.2.2寄生電阻,二、布線(xiàn)方案 針對(duì)某一種要求，會(huì)有不同的布線(xiàn)方案進(jìn)行選擇。P8889的一個(gè)例子。 經(jīng)驗(yàn)：如果一段導(dǎo)線(xiàn)的壓降大于10mv，就應(yīng)該與電路設(shè)計(jì)人員進(jìn)行溝通。 為了降低寄生電阻，可以選擇較厚的金屬，其方塊電阻較小。,模擬電路版圖,方塊電阻,ohms per square，薄層電阻又稱(chēng)方塊電阻，其定義為正方形的半導(dǎo)體薄層，在電流方向所呈現(xiàn)的電阻，單位為歐姆每方。簡(jiǎn)單

8、來(lái)說(shuō)，方塊電阻（Sheet Resistance）就是指導(dǎo)電材料單位厚度單位面積上的電阻值。簡(jiǎn)稱(chēng)方阻，理想情況下它等于該材料的電阻率除以厚度。方塊電阻有一個(gè)特性，即任意大小的正方形邊到邊的電阻都是一樣的，不管邊長(zhǎng)是1m還是0.1m，它們的方阻都是一樣，這樣方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度和電阻率有關(guān)。方塊電阻計(jì)算公式：R=L/S ，為物質(zhì)的電阻率，單位為歐姆米(. m)，L為長(zhǎng)度，單位為米(m)，S為截面積，單位為平方米（m2），長(zhǎng)寬相等時(shí)，R=/h ，h為薄膜厚度。材料的方阻越大，器件的本征電阻越大，從而損耗越大。,模擬電路版圖,6.2.2寄生電阻,模擬電路版圖,6.2.2寄生電阻,模擬電路版圖,6.2

9、.2寄生電阻,模擬電路版圖,6.2.2寄生電阻,模擬電路版圖,6.2.2寄生電阻,并聯(lián)布線(xiàn)：將上下層金屬線(xiàn)重疊起來(lái)，形成疊層結(jié)構(gòu)，實(shí)際上是幾層金屬線(xiàn)的并聯(lián)，相當(dāng)于加寬了導(dǎo)線(xiàn)。,模擬電路版圖,6.2.2寄生電阻,模擬電路版圖,6.2.3寄生電感,在高頻電路中，寄生電感不可忽略。 利用寄生參數(shù) 不能依賴(lài)寄生參數(shù)作為電路的一個(gè)成分，因?yàn)闊o(wú)法很好的控制它們，通常的誤差可以是正負(fù)50%。 但是在不關(guān)心電路參數(shù)的大小，例如只想要一個(gè)大電容，可以利用寄生參數(shù)來(lái)滿(mǎn)足。,模擬電路版圖,6.2.4器件的寄生參數(shù),一、CMOS晶體管 由阱至襯底的電容 由柵極至阱的電容 這些寄生參數(shù)會(huì)使得電路的工作速度變慢。,模擬電

10、路版圖,6.2.4器件的寄生參數(shù),模擬電路版圖,6.2.4器件的寄生參數(shù),一種技術(shù)：減少多晶硅的串聯(lián)電阻?？梢酝ㄟ^(guò)將多晶硅分成多個(gè)“指形”的結(jié)構(gòu)，然后用導(dǎo)線(xiàn)將它們并聯(lián)起來(lái)以降低電阻。 通過(guò)分成多個(gè)器件以及源漏共享可以大大減小CMOS晶體管上的寄生參數(shù)。,模擬電路版圖,6.2.4器件的寄生參數(shù),二、雙極型晶體管 沒(méi)有太好的辦法減小參數(shù)，因?yàn)榧纳娙菖c器件的尺寸關(guān)系固定，只能依靠模擬對(duì)它們的作用進(jìn)行掌握。 兩個(gè)該晶體管不能靠的太近，會(huì)引起一個(gè)大的電阻。,模擬電路版圖,6.2.4器件的寄生參數(shù),模擬電路版圖,6.2.4器件的寄生參數(shù),三、全定制方案 采用某些全定制技術(shù)可以將器件做的很小。通常的做法式

11、把幾個(gè)較小的器件組合成一個(gè)較大的器件，一般都在一個(gè)公共的N阱中，可以使得N阱的總面積較小，從而縮小了至襯底的電容。,模擬電路版圖,6.3匹配,什么叫做匹配？平衡 我們希望無(wú)論是cd播放器還是其它音響,它們相搭檔的器件反應(yīng)完全一樣。也就是說(shuō)，其中一個(gè)放大器的頻率和幅值能完全符合并跟蹤另一個(gè)運(yùn)放的頻率和幅值響應(yīng)，達(dá)到這一目標(biāo)的方法之一就是匹配。 實(shí)現(xiàn)匹配過(guò)程中，版圖設(shè)計(jì)是一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)。一個(gè)優(yōu)秀的版圖可以大大提升一個(gè)設(shè)計(jì)。,模擬電路版圖,6.3.1版圖的重要性,匹配與版圖的關(guān)系相當(dāng)密切，對(duì)電路的成敗至關(guān)重要。 匹配規(guī)則之一：把需要匹配的器件相互靠近放置。避免由于周?chē)骷h(huán)境的不同而導(dǎo)致匹配器件

12、的工作差異。,模擬電路版圖,6.3.1版圖的重要性,不重復(fù)性：兩個(gè)完全相同的CAD版圖在被生產(chǎn)出來(lái)后，它們的作用和工作可能會(huì)差別很大。 雖然版圖上的每一樣?xùn)|西看上去都一樣，但是由于某些原因，就是無(wú)法在兩個(gè)器件中重復(fù)同樣的性質(zhì)。 良好的習(xí)慣可以免除某些費(fèi)力的匹配工作。將版圖設(shè)計(jì)規(guī)則形成一種習(xí)慣。,模擬電路版圖,6.3.2交流的重要性,要了解電路設(shè)計(jì)者的意圖，知道在什么時(shí)候應(yīng)當(dāng)在版圖中運(yùn)用匹配技術(shù)。,模擬電路版圖,6.3.3簡(jiǎn)單匹配,匹配規(guī)則之二：注意周?chē)骷?。（如周?chē)骷陌l(fā)熱等） 由于不同方向上制造工藝的誤差，在屏幕上看似相同的圖形可能會(huì)有不同的實(shí)際尺寸。 匹配規(guī)則之三：保持器件的方向一致。,

13、模擬電路版圖,6.3.3簡(jiǎn)單匹配,模擬電路版圖,6.3.3簡(jiǎn)單匹配,當(dāng)把所有的器件都保持同一方向時(shí)，可能由于器件尺寸的原因，使版圖很難實(shí)現(xiàn)，此時(shí)就應(yīng)該與電路設(shè)計(jì)人員交流，找出最不重要的器件，將其轉(zhuǎn)向或做其他的處理。,模擬電路版圖,6.3.3簡(jiǎn)單匹配,匹配規(guī)則之四：與電路設(shè)計(jì)者交流 匹配規(guī)則之五：掩膜設(shè)計(jì)者不會(huì)心靈感應(yīng)。電路設(shè)計(jì)者應(yīng)該清楚他們需要哪些匹配，并讓版圖設(shè)計(jì)者知道這一點(diǎn)。,模擬電路版圖,6.3.4根器件方法,例如電阻 在這里，根部件指的是這樣一個(gè)電阻，可以根據(jù)這個(gè)電阻設(shè)計(jì)出所有其他的電阻。這樣在工藝過(guò)程中，所有電阻的工藝差別將會(huì)保持一致。,模擬電路版圖,6.3.4根器件方法,模擬電路版

14、圖,6.3.4根器件方法,例如圖5.2，通常許多人會(huì)選擇一個(gè)最小的電阻作為根部件，形成圖5.3所示的情況。 另外一種做法是采用一個(gè)中間值作為根部件，其他的電阻由串聯(lián)和并聯(lián)實(shí)現(xiàn)，如圖5.4。 這樣做節(jié)省了接觸電阻的總數(shù)，而根電阻又較大，所以接觸電阻在總電阻中所占的比例就較小。,模擬電路版圖,6.3.4根器件方法,模擬電路版圖,6.3.4根器件方法,模擬電路版圖,6.3.4根器件方法,匹配規(guī)則之六：選擇一個(gè)中間值作為根部件。 根部件方法不禁適用于電阻，也適用于任何其他類(lèi)型的器件。,模擬電路版圖,6.3.5指狀交叉器件,通常在電路中有些大堆部件都必須與一個(gè)給定的器件匹配，這個(gè)器件稱(chēng)為定義部件。 把根

15、部件圍起來(lái)，使它處于中間，是解決上述匹配問(wèn)題的一個(gè)非常好的解決方法，也稱(chēng)為簡(jiǎn)單匹配，或者指狀交叉匹配。 匹配規(guī)則之七：采用指狀交叉方式,模擬電路版圖,6.3.5指狀交叉器件,模擬電路版圖,6.3.5指狀交叉器件,例子：如圖5.6的兩串電阻需要匹配，解決方案是圖5.7，注意其排列方式A1，B3，A2，B2，A3，B1。 指狀交叉部件的布線(xiàn)方式可以采用蛇形線(xiàn)，如圖5.8. 這種交叉排列技術(shù)不僅適用于電阻，也適用于其他任何器件。,模擬電路版圖,6.3.5指狀交叉器件,模擬電路版圖,6.3.5指狀交叉器件,模擬電路版圖,6.3.5指狀交叉器件,模擬電路版圖,6.3.6虛設(shè)器件,在圖5.8中，邊上的期間

16、A1和B1的外邊不再有器件，這也會(huì)造成不一致，因?yàn)樵谶M(jìn)行刻蝕時(shí)，邊上的器件會(huì)被刻蝕的重一些，從而使它們比中間的器件要窄。如圖5.9。,模擬電路版圖,6.3.6虛設(shè)器件,模擬電路版圖,6.3.6虛設(shè)器件,解決方法：在邊上加虛設(shè)器件。如圖5.10和5.11。 匹配規(guī)則之八：用虛設(shè)器件圍起來(lái)。,模擬電路版圖,6.3.6虛設(shè)器件,模擬電路版圖,6.3.6虛設(shè)器件,模擬電路版圖,6.3.7共心,將器件圍繞一個(gè)公共的中心點(diǎn)放置，稱(chēng)為共心布置。甚至把器件在一條直線(xiàn)上對(duì)稱(chēng)放置也可以看做是共心技術(shù)。 共心技術(shù)對(duì)減少在集成電路中存在的熱或工藝的線(xiàn)性梯度影響非常有效。 圖5.12和圖5.13：共心布置的一些例子,模

17、擬電路版圖,6.3.7共心,一、四方交叉 把一個(gè)器件分為兩半，然后把他們成對(duì)角線(xiàn)放置。這種特殊的工薪技術(shù)稱(chēng)為四方交叉。 如電路圖5.14中的兩個(gè)晶體管需要高度匹配，可以講它們采用四方交叉技術(shù)，設(shè)計(jì)成如圖5.15所示的模式。,模擬電路版圖,6.3.7共心,模擬電路版圖,6.3.7共心,模擬電路版圖,6.3.7共心,匹配規(guī)則之九：將成對(duì)器件四方交叉 當(dāng)需要匹配時(shí)，需要記住，要讓每一樣?xùn)|西看起來(lái)都完全一樣，可能會(huì)有一些不必要的重疊，如圖5.16,模擬電路版圖,6.3.7共心,模擬電路版圖,6.3.7共心,經(jīng)濟(jì)性四方交叉，或稱(chēng)為A-B-B-A線(xiàn)性形式。如圖5.17，其中也有一些不必要的重疊，是為了使布

18、線(xiàn)上的寄生參數(shù)相匹配。,模擬電路版圖,6.3.7共心,模擬電路版圖,6.3.7共心,匹配規(guī)則之十：使布線(xiàn)上的寄生參數(shù)匹配 對(duì)稱(chēng)性是器件匹配中要考慮的問(wèn)題。尤其在高頻電路版圖中，如果希望使寄生參數(shù)匹配，就必須在一條對(duì)稱(chēng)軸的兩邊布置功能塊。 如圖5.18和圖5.19 匹配規(guī)則之十一：使每一樣?xùn)|西都對(duì)稱(chēng),模擬電路版圖,6.3.7共心,模擬電路版圖,6.3.7共心,模擬電路版圖,6.3.8匹配信號(hào)路徑,一種需要高度匹配的電路技術(shù)就是所謂的差分邏輯。只要涉及到差分問(wèn)題，就要特別注意匹配問(wèn)題。 兩條導(dǎo)線(xiàn)并排排列，每條導(dǎo)線(xiàn)傳遞同樣的信息，但信息的狀態(tài)相反。 在差分邏輯中，每個(gè)信號(hào)由兩條導(dǎo)線(xiàn)，這兩條導(dǎo)線(xiàn)上的兩

19、個(gè)信號(hào)之間的差別就是邏輯狀態(tài)。 如圖5.21，A和B分別是差分邏輯中的兩個(gè)信號(hào)，B-A決定了差分邏輯狀態(tài)。,模擬電路版圖,6.3.8匹配信號(hào)路徑,模擬電路版圖,6.3.8匹配信號(hào)路徑,因此，為了使差分邏輯能很好的工作，必須使版圖中的兩個(gè)信號(hào)線(xiàn)長(zhǎng)度匹配，其寄生參數(shù)也匹配，時(shí)間常數(shù)一致，這樣才能在圖5.22中的B端看到兩個(gè)輸入信號(hào)在同一時(shí)間上升和下降。 差分邏輯依賴(lài)于完全一致的布線(xiàn)。 圖5.24差的匹配，所導(dǎo)致的的信號(hào)波形如圖5.25所示。 匹配規(guī)則之十二：使差分布線(xiàn)一致,模擬電路版圖,6.3.8匹配信號(hào)路徑,模擬電路版圖,6.3.8匹配信號(hào)路徑,模擬電路版圖,6.3.8匹配信號(hào)路徑,模擬電路版圖

20、,6.3.9器件尺寸的選擇,匹配規(guī)則之十三：使器件的寬度一致，比如電阻。 需要匹配的器件選擇一個(gè)統(tǒng)一的合理的尺寸，使電阻的寬度一致，只改變長(zhǎng)度。 匹配規(guī)則之十四：采用較大的器件。這樣可以減少工藝偏差的影響。 經(jīng)驗(yàn)之談：電阻的最小寬度為5um，最小長(zhǎng)度為10um,模擬電路版圖,6.4 噪聲問(wèn)題,由于模擬電路和數(shù)字電路是在非常不同的噪聲電平上工作，所以混合信號(hào)電路的噪聲問(wèn)題最多。 在數(shù)字電路中，每當(dāng)邏輯狀態(tài)改變時(shí)，F(xiàn)ET門(mén)的電容就充電或放點(diǎn)一次。這一充放電電流通過(guò)晶體管流至軌線(xiàn)就會(huì)引起另一個(gè)電流脈沖。 在模擬電路中，有時(shí)需要接收一個(gè)非常小的信號(hào)，然后用很多放大器對(duì)其進(jìn)行放大，但同時(shí)也放大了一些不必

21、要的噪聲。 模擬電路的輸出也會(huì)對(duì)輸入信號(hào)形成噪聲干擾。,模擬電路版圖,6.4.1利用常識(shí)解決噪聲的方法,一、調(diào)小音量（減小信號(hào)擺幅） 使得觸發(fā)器發(fā)生切換時(shí)，具有較小的能量交換。 混合芯片中，最主要的噪聲來(lái)源是數(shù)字信號(hào)。 二、讓搖滾樂(lè)隊(duì)搬進(jìn)他們自己的屋里 將產(chǎn)生噪聲的電路部分隔離起來(lái)。,模擬電路版圖,6.4.1利用常識(shí)解決噪聲的方法,隔離的方法有很多種，其中之一是用一大圈接地的襯底接觸把整個(gè)模塊圍起來(lái)。 而襯底接觸的尺寸要選擇較大的。 接地的導(dǎo)線(xiàn)也應(yīng)該選擇導(dǎo)電良好的粗大導(dǎo)線(xiàn)，不要使用很細(xì)的導(dǎo)線(xiàn)。 保護(hù)環(huán)或保護(hù)帶，作用都是為了屏蔽噪聲。,模擬電路版圖,6.4.1利用常識(shí)解決噪聲的方法,模擬電路版圖,6.4.1利用常識(shí)解決噪聲的方法,三、回到自己的屋里 將受保護(hù)的電路模塊也放到保護(hù)環(huán)之內(nèi)，所謂的雙重隔離。 保護(hù)帶應(yīng)該嚴(yán)密（把窗子關(guān)好）,模擬電路版圖,6.4.1利用常識(shí)解決噪聲的方法,四、安排時(shí)序 將噪聲電路和受保護(hù)電路的操作時(shí)間錯(cuò)開(kāi)。 這是電路設(shè)計(jì)的一個(gè)手段，但是版圖設(shè)計(jì)人員可以在必要的時(shí)候提出建議。 如圖6.6,模擬電路版圖,6.4.1利用常識(shí)解決噪聲的方法,模擬電路版圖,6.4.1利用常識(shí)解決噪聲的方法,五、遠(yuǎn)離噪聲,模擬電路版圖,6.4.2導(dǎo)線(xiàn)方面的解決方法,采用一些布線(xiàn)技術(shù)，使電路圖變成對(duì)噪聲不敏感的版圖。 一、同軸屏蔽 保護(hù)措施類(lèi)似于同軸電纜線(xiàn)。 圖6.9