1、存儲器分類簡稱： Cache標(biāo)準(zhǔn)： Cache Memory中文：高速緩存高速緩存是隨機存取內(nèi)存(RAM) 的一種，其存取速度要比一般RAM 來得快。當(dāng)中央處理器(CPU) 處理數(shù)據(jù)時，它會先到高速緩存中尋找，如果數(shù)據(jù)因先前已經(jīng)讀取而暫存其中，就不需從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)。由于CPU 的運行速度通常比主存儲器快，CPU 若要連續(xù)存取內(nèi)存的話，必須等待數(shù)個機器周期造成浪費。所以提供“高速緩存 ”的目的是適應(yīng)CPU 的讀取速度。如Intel 的 Pentium 處理器分別在片上集成了容量不同的指令高速緩存和數(shù)據(jù)高速緩存，通稱為L1 高速緩存 (Memory) 。 L2 高速緩存則通常是一顆獨立的靜態(tài)隨機

2、存取內(nèi)存(SRAM) 芯片。簡稱： DDR標(biāo)準(zhǔn)： Double Date Rate中文：雙倍數(shù)據(jù)傳輸率DDR 系統(tǒng)時脈為100 或 133MHz ，但是數(shù)據(jù)傳輸速率為系統(tǒng)時脈的兩倍，即 200 或 266MHz ，系統(tǒng)使用 3.3 或 3.5V 的電壓。因為 DDR SDRAM 的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (SDRAM) 好。DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM memory technology is an evolutionary technology

3、derived from mature SDRAM technology. The secret to DDR memorys high performance is its ability toperform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput of SDRAM簡稱： DIMM標(biāo)準(zhǔn)： Dual in Line Memory Module中文：雙直列內(nèi)存條DIMM是一個采用多塊隨機存儲器(RAM) 芯片 (Chip) 焊接在一片PCB 板上模塊，它實際上是一種封裝技術(shù)。在PCB 板的一邊

4、緣上，每面有64 叫指狀銅接觸條，兩面共有168 條。 DIMM可以分為 3.3V 和 5V 兩種電壓，這其中又有含緩沖器以及不含緩沖器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩沖器類型，而DIMM還需要一個抹除式只讀存儲器(EPROM) 供基本輸出入系統(tǒng)(BIOS) 儲1 / 6存各種參數(shù)，讓芯片組(Chipset)達到最佳狀態(tài)。簡稱： DRAM標(biāo)準(zhǔn)： Dynamic Random Access Memory中文：動態(tài)隨機存儲器一般計算機系統(tǒng)使用的隨機存取內(nèi)存(RAM) 可分動態(tài)與靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM) 兩種，差異在于 DRAM 需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數(shù)據(jù)保存，

5、SRAM 的數(shù)據(jù)則不需要刷新過程，在上電期間，數(shù)據(jù)不會丟失。簡稱： ECC標(biāo)準(zhǔn)： Error Checking and Correction ）在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位的誤差，也可以作雙位或多位的誤差核對與改正。簡稱： EDO DRAM標(biāo)準(zhǔn)： Extend Data Out Dynamic Random Access Memory中文： EDO 動態(tài)隨機存儲器EDO DRAM也稱為 Hyper Page Mode DRAM ，這是一種可以增加動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)讀取效能的存儲器，為了提高 EDO DRAM 的讀取效率， EDO DRAM 可以保持資料輸出直到下一周期CAS

6、# 之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100 個兆字節(jié) (MB) 增加到了200MB 。簡稱： EEPROM標(biāo)準(zhǔn)： Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory中文：電子抹除式只讀存儲器非揮發(fā)性存儲器。電源撤除后，儲存的信息(Data)依然存在，在特殊管腳上施加電壓，同時輸出相應(yīng)命令，就可以擦除內(nèi)部數(shù)據(jù)。 典型應(yīng)用于如電視機、空調(diào)中，存儲用戶設(shè)置的參數(shù)。這種存儲器支持再線修改數(shù)據(jù)， 每次寫數(shù)據(jù)之前， 必須保證書寫單元被擦除干凈， 寫一個數(shù)據(jù)的大約時間在 2-10ms 之間。支持單字節(jié)單元擦除功能。簡稱： EPROM2 / 6標(biāo)準(zhǔn)：

7、Erasable Programmable Read-Only Memory中文：紫外擦除只讀存器非揮發(fā)性存儲器。不需要電力來維持其內(nèi)容，非常適合用作硬件當(dāng)中的基本輸出入系統(tǒng)(BIOS) 。允許使用者以紫外線消除其中的程序重復(fù)使用。這種存儲器不支持再線修改數(shù)據(jù)。簡稱： Flash標(biāo)準(zhǔn)： Memory中文：閃爍存儲器非揮發(fā)性存儲器。是目前在可在線可改寫的非揮發(fā)性存儲器中容量最大的存儲器。支持再線修改數(shù)據(jù)，寫數(shù)據(jù)的速度比EEPROM 提高 1 個數(shù)量級。Flash 應(yīng)用于大容量的數(shù)據(jù)和程序存儲，如電子字典庫、固態(tài)硬盤、PDA 上的操作系統(tǒng)等。簡稱： FeRAM標(biāo)準(zhǔn)： Ferroelectric r

8、andom access memory中文：鐵電存儲器ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile memory that combines high-performance and low-power operation with the ability to retain data without power.FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and eliminates t

9、he need for a battery簡稱： MRAM標(biāo)準(zhǔn)： Magnetoresistive Random Access Memory中文：磁性隨機存儲器磁性隨機存儲器是正在開發(fā)階段的，基于半導(dǎo)體(1T)和磁通道 (magnetic tunneljunction-MTJ) 技術(shù)的固態(tài)存儲介質(zhì)，屬于非揮發(fā)性芯片。主要開發(fā)廠商有IBM 、 Infineon(英飛凌 )、 Cypress 和 Motorola( 摩托羅拉 ) 。其擦寫次數(shù)高于現(xiàn)有的Flash 存儲器，可達1015，讀寫時間可達70nS，簡稱： RAM標(biāo)準(zhǔn)： Random Access Memory3 / 6中文：隨機存儲器隨機

10、存取內(nèi)存，是內(nèi)存(Memory) 的一種，由計算機CPU 控制，是計算機主要的儲存區(qū)域，指令和資料暫時存在這里。RAM 是可讀可寫的內(nèi)存，它幫助中央處理器(CPU ) 工作，從鍵盤(Keyboard ) 或鼠標(biāo)之類的來源讀取指令，幫助CPU 把資料 (Data)寫到一樣可讀可寫的輔助內(nèi)存 (Auxiliary Memory)，以便日后仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如打印機、顯示器。 RAM 的大小會影響計算的速度，RAM 越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。簡稱： RDRAM標(biāo)準(zhǔn)： Rambus DRAM中文： Rambus 動態(tài)隨機存儲器這是一種主要用于影像加速的內(nèi)存(

11、Memory )，提供了 1000Mbps 的傳送速率，作業(yè)時不會間斷，比起動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM ) 的 200mbps 更加快速，當(dāng)然價格比要DRAM 貴。雖然RDRA 無法完全取代現(xiàn)有內(nèi)存，不過因為總線(BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態(tài)隨機存取內(nèi)存 (SRAM ) 。 SDRAM 的運算速度為100 赫茲 (Hz ) ，制造商展示的RDRAM 則可達600MHz ，內(nèi)存也只有8 或 9 位 (bit ) 長，若將 RDRAM 并排使用，可以大幅增加頻寬(Bandwidth) ，將內(nèi)存增為32 或 64 位。簡稱： ROM標(biāo)準(zhǔn)： Read Only Memory中文：只讀存

12、儲器只讀存儲器，這種內(nèi)存(Memory )的內(nèi)容任何情況下都不會改變，計算機與使用者只能讀取保存在這里的指令，和使用儲存在ROM 的數(shù)據(jù)，但不能變更或存入資料。ROM 被儲存在一個非揮發(fā)性芯片上， 也就是說， 即使在關(guān)機之后記憶的內(nèi)容仍可以被保存，所以這種內(nèi)存多用來儲存特定功能的程序或系統(tǒng)程序。ROM 儲存用來激活計算機的指令，開機的時候 ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM 位置 (location) 以確認其儲存數(shù)據(jù)的能力。此外其它電子組件包括鍵盤(Keyboard ) 、計時回路 (timercircuit) 以及 CPU 本身也被納入 CPU 的測試

13、中。簡稱： SDRAM4 / 6標(biāo)準(zhǔn)： Synchronous Dynamic RAM中文：同步動態(tài)隨機存儲器SDRAM 的運作時脈和微處理器(Microprocessor)同步，所以可以比EDO 動態(tài)記憶模塊(EDO DRAM )的速度還快，采用3.3V 電壓 (EDO DRAM為 5V) ， 168 個接腳，還可以配合中央處理器(CPU ) 的外頻(External Clock)，而有 66 與 100MHz 不同的規(guī)格， 100MHz 的規(guī)格就是大家所熟知的PC100 內(nèi)存(Memory )。簡稱： SIMM標(biāo)準(zhǔn)： Single In-Line Memory Module中文：單直列內(nèi)存

14、模塊內(nèi)存 (Memory ) 模塊的概念一直到80386 時候才被應(yīng)用在主機板(Mother Board) 上，當(dāng)時的接腳主要為30 個，可以提供8 條資料(Data) 存取線(Access Line) ，一次資料存取(Access)為 32 個字節(jié)， 所以分為四條一組， 因此 80386 以四條為一個單位。 而今一條 SIMM 為72Pins，不過只能提供32 字節(jié)的工作量，但是外部的數(shù)據(jù)總線(Data Bus)為 64 字節(jié) (bite) ，因此一個主機板上必須有兩條SIMM 才足以執(zhí)行龐大的資料(Data)處理工作。簡稱： SRAM標(biāo)準(zhǔn)： Static Random Access Mem

15、ory中文：靜態(tài)隨機存儲器SRAM 制造方法與動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM ) 不同，每個位使用6 個晶體管 (transistor)組成，不需要不斷對晶體管周期刷新以保持數(shù)據(jù)丟失，其存取時間較短控制電路簡單，但制造成本較高，單片難以做到DRAM 那樣容量。簡稱： VCM SDRAM標(biāo)準(zhǔn)： Virtual Channel Memory SDRAM中文：虛擬信道存儲器1999 年由于 SDRAM 在市場上大為缺貨，而由日本NEC 恩益禧搭配一些主機板廠商及芯片組(Chipset) 業(yè)者，大力推廣所謂的VCM 模塊技術(shù)， 而為消費者廣為接受，日本 NEC 更希望一舉將 VCM 的規(guī)格推向工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)。 VCM 內(nèi)存規(guī)格是以 SDRAM 為基礎(chǔ)觀念所開發(fā)出的新產(chǎn)品，并加強原有的 SDRAM 功能。昔日的 SDRAM 須等待中央處理器 (CPU) 處理完資料或 VGA 卡處5 / 6理完資料后，才能完整地送至SDRAM 做進一步的處理， 然