ICT測(cè)試局限性在實(shí)際的電路板上,大量各式主,被動(dòng)組件通過(guò)串,并聯(lián)方式連接起來(lái). 下述情形,ICT無(wú)法測(cè)試或無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)試.1) 探針不可即的零件一般來(lái)說(shuō),每個(gè)零件的兩端(或各引腳)所在的銅箔面均有探針觸及才可測(cè)試.目前, 本廠SMT零件,IC腳(包括懸空引腳)少數(shù)因沒(méi)有相應(yīng)的Test Point而未取探針,致使這顆零件以及與之相關(guān)的開(kāi)短路不可測(cè). 今后可考慮在同一金道上加裝雙針(確保探點(diǎn)接觸良好)來(lái)解決.Sub-Board上的零件,多數(shù)零件沒(méi)有取到針號(hào),故不可測(cè). 最好是生產(chǎn)時(shí)Sub-Board亦用ICT測(cè)試.2) 小電容并聯(lián)大電容(C1/C2),小電容不可測(cè)兩電容并聯(lián)后,容值為C1+C2, 一般而言,如果C2的容值是C1的10倍以上,則C1不可測(cè).假設(shè): C1=100nF ;C2=1uF.通常,實(shí)際之電容均以標(biāo)準(zhǔn)電容量的20%的誤差表示之. 故在編制程序時(shí),通常設(shè)Tolerance為20. 設(shè)標(biāo)準(zhǔn)值為100nF+1uF=1100 nF.則:下限為1100 nF*(1-20%)=880 nF;上限為1100 nF*(1+20%)=1320 nF.當(dāng)C1缺件時(shí), C1+C2=1000 nF, 仍在880 nF1320 nF的范圍內(nèi),故C1不可測(cè).實(shí)際電子線路中,常見(jiàn)大,小電容并聯(lián),或者是小電容經(jīng)電感或小電阻與大電容并聯(lián). 所以小電容不可測(cè)的情形最常遇到.3) 大電阻并聯(lián)小電阻R1/R2,大電阻不可測(cè)一般而言, 如果R1的阻值是R2的20倍以上,則R1不可測(cè).兩電阻并聯(lián)后,其阻值為R1*R2/(R1+R2),比小電阻略小. 這時(shí)大電阻缺件不可測(cè). 當(dāng)然,如果R2錯(cuò)成R1,只要下限小于50,仍然可測(cè).計(jì)算方法同樣可參照以下計(jì)算方法，假設(shè)R1是10歐姆，R2是200歐姆，上下限為10%，則設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)值為R1*R2/(R1+R2)=9.5 下限為9.5*(1-10%)=8.55 上限為9.5*(1+10)=10.45當(dāng)R2缺件時(shí)，R1/R2=10,仍然在8.5510.45的范圍內(nèi)，故R2缺件不可測(cè)。如果R2錯(cuò)件成R1，則R1/R2=5,不在8.5510.455的范圍內(nèi)，所以錯(cuò)件可以測(cè)出。同理, 與跳線并聯(lián)的電阻(J/R),不可測(cè).4) 小電阻過(guò)小, 無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)試.慮及探針接觸電阻,排線公母連接器之間電阻(反復(fù)插拔會(huì)增大)等影響,(約幾百毫歐至幾歐),故上限要放寬.例如: 四顆0.47ohm的電阻并聯(lián),假設(shè)其中一顆缺件,系統(tǒng)不可測(cè). 另外通過(guò)PIN Search 可以探測(cè)到探針到開(kāi)關(guān)板之間的阻抗值，應(yīng)保證在1歐姆以內(nèi)，測(cè)試小電阻就比較準(zhǔn)確了，也可以嘗試四線制測(cè)試小電阻。具體0.1ohm 的電阻誤差=+/-20%5) 同一金道上的跳線以及相并聯(lián)的的跳線不可測(cè), 不同粗細(xì)或不同材質(zhì)的跳線不可測(cè).6) 大電阻/大電容, 大電阻無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)試.這是所說(shuō)的大, 實(shí)際調(diào)試時(shí)才能判定是否可測(cè).從測(cè)試原理部分分析：例如：R1為100k歐姆的電阻同1mf的電容C1并聯(lián)，電容的容抗為：Zc=1/(2*3.14*50*1*0.001)=3.18電阻的阻抗為： Zr=100000歐姆R1/C1=Zr*Zc/Zr+Zc=100000*3.18/（100000+3.18）=3.17所以可以看出，大電阻無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)試，具體電路還要具體分析，套用上述公式計(jì)算是否可以準(zhǔn)確測(cè)試。7) 小電容/小電阻,小電容無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)試.釆用AC法,小電容呈現(xiàn)高阻抗, 與大電阻并聯(lián)小電阻同理, 小電容無(wú)法測(cè).釆用交流相位分離法,當(dāng)電容,電阻均較小時(shí),其相拉差漸趨于0.故小電容也無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)量.8) 與小電感并聯(lián)的較大電阻,常不可測(cè).釆用定電流法,電感通直流,使電阻兩端短接而不可測(cè).釆用交流相位分離法, 小電感并聯(lián)大電阻,其相拉差漸趨于/2. 故常不可測(cè).而與大電感并聯(lián)的小電阻,則可試蓍以相位分離法測(cè)量出來(lái).9) 電容并聯(lián)電感, 兩者往往都不可測(cè).這時(shí)所說(shuō)的電感,包括變壓器,繼電器等.小電容并聯(lián)小電感, 同理于小電容/小電阻,小電容無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)試.當(dāng)電容較大時(shí),其本身一般可以測(cè). 電容較小時(shí),電感感值可以測(cè). 當(dāng)然,如把電感當(dāng)成一小電阻(一般須加延時(shí)測(cè)試), 始終可以測(cè)出內(nèi)部斷開(kāi)或缺件的情形.10) 二極管/小電阻, 二極管插反或漏件均不可測(cè)對(duì)于硅材質(zhì)的二極管,其正向偏置電壓約為0.7V.當(dāng)R約為3545ohm以下時(shí),二極管插反或漏件均不可測(cè).因ICT系非破壞性測(cè)試,所提供電流較小,一般最大約為20mA（MODE 1）. 當(dāng)R約為35ohm以下時(shí),其正反向所量到的電壓小于V=I*R=0.7V. 則二極管插反甚至漏件,所量到的結(jié)果不變. 11) 與跳線或電感并聯(lián)的二極管(L/D,J/D)不可測(cè)通常二極管的正向壓降為0.7V,反向壓降0.7V.與第10條同理, 如果D/J或D/L.則,正反向壓降約為0. 這時(shí),二極管插反,漏件, ICT測(cè)到的結(jié)果仍為0,和正確時(shí)相同,故不可測(cè).12) 兩個(gè)二極管同向并聯(lián), 其中一個(gè)漏件或空焊不可測(cè)l 但插反應(yīng)在可測(cè)之列l(wèi) 而兩個(gè)二極管異向并聯(lián),其漏件或插反均應(yīng)在可測(cè)之列.(以上兩點(diǎn)須釆用正反向雙步測(cè)試, 方可有效檢出.)另外：TR518EP以上測(cè)試設(shè)備（TR5001,TR8001）通過(guò)測(cè)試漏電流的原理，可以測(cè)試出漏件，空焊。此處所說(shuō)的二極管泛指PN結(jié).包括Diode,Transistor,FET, Photo Coupler,SCR,IC等內(nèi)的PN結(jié).13) ZENER的齊納電壓因ICT系統(tǒng)TR518F,TR518FE,TR518FV最大僅提供10V的電壓, 故如果齊納電壓大于10V, 則無(wú)法測(cè)試.當(dāng)然,如果錯(cuò)成齊納電壓小于10V的ZENER,仍在可測(cè)之列.TR518FR可提供48V,此部分可以測(cè)試。14) 電容極性ICT利用電解電容正反向漏電流之差異,判定其是否插反. 但在整個(gè)網(wǎng)絡(luò)中,常遇到電感(包括變壓器),IC,小電阻等的分流作用,正反向漏電流并無(wú)明顯差異,則極性無(wú)法測(cè)試. 故電容極性測(cè)試比較有限.針對(duì)電解電容一般使用三端測(cè)試，效果很好，并聯(lián)電解電容掉件，反向可測(cè)率接近100%。15) 電容容值過(guò)小時(shí),常不可測(cè)ICT可以偵測(cè)1pF的電容, 其方法是扣除雜散電容而得一較穩(wěn)定的值. 但是,如果測(cè)量值受旁路影響而使其極不穩(wěn)定,變化幅度超過(guò)被測(cè)電容容值,則電容缺件不可測(cè). 當(dāng)然,如果其錯(cuò)件為一較大電容,仍然可測(cè).晶振,突波吸收器作小電容測(cè)試,有時(shí)漏件不可測(cè).調(diào)試時(shí)要細(xì)心試驗(yàn).16) 小電感錯(cuò)件為跳線或被短路例如: Bead錯(cuò)件為跳線或短路. 當(dāng)然,其缺件或斷開(kāi)仍然可測(cè). 而變壓器宜將每繞組作電感來(lái)測(cè)試，以利于測(cè)出短路情形。17) IC內(nèi)性能不良ICT通過(guò)測(cè)其保護(hù)二極管,可判定IC空焊,開(kāi)短路,插反,錯(cuò)件以及保護(hù)二極管不良.但對(duì)于IC內(nèi)部性能不良須仰賴其它測(cè)試. 另外,共地的若干個(gè)IC腳空焊常不可測(cè).18) CONNECTOR,打開(kāi)的SWITCH缺件或插反不可測(cè)因其處于OPEN(每Pin之間)狀態(tài). 但若是以HPTestJet 技術(shù)在其上加裝Sensor Plate來(lái)進(jìn)行測(cè)試,仍可測(cè)出空焊, 缺件等.19) 可調(diào)電阻(VR),熱敏電阻無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)試20) FET常遇空焊不能測(cè)例如,N型溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),通常在D-S間存在一PN結(jié),可作Diode來(lái)測(cè)試,而G極處于絕緣狀態(tài). 對(duì)于ID的測(cè)試,常因受旁路分流而使其在G極空焊時(shí)仍量到一沒(méi)有多大變化的值.故對(duì)于FET,