標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 29420-2012 摻釹釩酸鹽激光單晶元件》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),它規(guī)定了摻釹釩酸鹽(Nd:YVO4)激光單晶元件的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等方面的要求。這項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)適用于各種規(guī)格的Nd:YVO4晶體作為激光材料使用時(shí)的質(zhì)量控制。

根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn),對(duì)于Nd:YVO4激光單晶元件的基本尺寸偏差有明確的規(guī)定,包括長(zhǎng)度、寬度、厚度等參數(shù)的具體允許范圍。此外,還詳細(xì)描述了晶體表面質(zhì)量的要求,比如不允許存在裂紋、氣泡或其他影響使用的缺陷,并對(duì)表面粗糙度也設(shè)定了具體指標(biāo)。

在光學(xué)性能方面,《GB/T 29420-2012》明確了Nd:YVO4晶體的透過(guò)率測(cè)試條件及合格標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)也對(duì)晶體的折射率一致性提出了要求,確保其在整個(gè)工作波長(zhǎng)范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。關(guān)于吸收系數(shù),則給出了測(cè)量方法及其上限值,以保證晶體具有良好的熱穩(wěn)定性。

對(duì)于機(jī)械強(qiáng)度,《GB/T 29420-2012》通過(guò)規(guī)定抗壓強(qiáng)度來(lái)間接反映晶體抵抗外部沖擊的能力。同時(shí),考慮到實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的環(huán)境因素,標(biāo)準(zhǔn)還特別強(qiáng)調(diào)了溫度循環(huán)試驗(yàn)的重要性,用以評(píng)估Nd:YVO4晶體在不同溫差變化下的耐久性表現(xiàn)。


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  • 2013-08-01 實(shí)施
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ICS17180 A 60 . 中 華 人 民 共 和 國(guó) 國(guó) 家 標(biāo) 準(zhǔn) GB/T294202012 摻釹釩酸鹽激光單晶元件 Nd-dopedvanadatelasercrystaldevices2012-12-31發(fā)布 2013-08-01實(shí)施 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 發(fā) 布 中 國(guó) 國(guó) 家 標(biāo) 準(zhǔn) 化 管 理 委 員 會(huì) GB/T294202012 前 言 本標(biāo)準(zhǔn)按照 給定的規(guī)則起草 GB/T1.12009 。 本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)建筑材料聯(lián)合會(huì)提出 。 本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)人工晶體標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) 歸口 (SAC/TC461) 。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 國(guó)家光電子晶體材料工程技術(shù)研究中心 福建 : 、 、福晶科技股份有限公司 中國(guó)計(jì)量學(xué)院材料與工程學(xué)院 、 。 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人 蘭國(guó)政 吳少凡 林文雄 王昌運(yùn) 張劍虹 李雄 史宏聲 秦來(lái)順 : 、 、 、 、 、 、 、 。 本標(biāo)準(zhǔn)為首次制定 。 GB/T294202012 摻釹釩酸鹽激光單晶元件1 范圍 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了摻釹釩酸鹽激光單晶元件的術(shù)語(yǔ)和定義 技術(shù)要求 試驗(yàn)方法 檢驗(yàn)規(guī)則及包裝 標(biāo) 、 、 、 、 識(shí) 運(yùn)輸 貯存等過(guò)程的要求 、 、 。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于摻釹釩酸鹽激光單晶元件 其他種類(lèi)的激光單晶元件也可參照使用 , 。2 規(guī)范性引用文件 下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 僅注日期的版本適用于本文 。 , 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改單 適用于本文件 。 , ( ) 。 激光棒波前畸變的測(cè)量方法 GB/T11297.12002 光學(xué)表面激光損傷閾值測(cè)試方法 第 部分 對(duì) 測(cè)試 GB/T166011996 1 :1 1 硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用技術(shù)條件 GB/T224522008 硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件質(zhì)量測(cè)試方法 GB/T224532008 3 術(shù)語(yǔ)和定義 界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件 GB/T224522008 。31 . 摻釹釩酸釔 Nd-dopedyttriumvanadate 一種摻釹的釩酸釔激光單晶以及其加工而成的元件 。32 . 不垂直度 nonperpendicularity 單晶元件通光面與側(cè)面之間的不垂直程度 。33 . 光學(xué)不均勻性 opticalheterogenity 介質(zhì)折射率的不均勻程度 。34 . 透射波前畸變 transmittedwavefrontdistortion 平行光束的波面透過(guò)被檢單晶元件后相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)參考波面的畸變 。4 技術(shù)要求 41 物理性能 . 411 散射 . 在波長(zhǎng)為 的氦氖激光

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