先上個(gè)圖，這是值得研究的波形四個(gè)點(diǎn)，綠色的為MOS驅(qū)動(dòng)波形，紫色的為MOS電流波形，藍(lán)色的為VDS波形今天分享第個(gè)點(diǎn)波形產(chǎn)生的原因第個(gè)點(diǎn)就是傳說中的米勒效應(yīng)平臺(tái)，再上個(gè)MOS管的圖三個(gè)電容分別為MOS的結(jié)電容，這里不多說。在MOS導(dǎo)通的瞬間，會(huì)經(jīng)過米勒效應(yīng)區(qū)（可理解為放大區(qū)），輸入電容CGSC1C2,此時(shí)的C1不再是靜態(tài)的電容，而是C1CDG1A,A是放大系數(shù)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流（IGCGSDVDS/DT）給CGS充電時(shí)，由于米勒效應(yīng)等效到輸入端的電容會(huì)放大N倍，輸入電容突然增大，所以導(dǎo)致了充電電壓的一個(gè)平臺(tái)，有時(shí)甚至?xí)幸粋€(gè)下降尖峰趨勢(shì)平臺(tái)（如上圖），而這個(gè)平臺(tái)增加了MOS的導(dǎo)通時(shí)間，造成了我們通常所說的導(dǎo)通損耗。其實(shí)米勒效應(yīng)描述的就是電子器件中輸出和輸入之間的電容反饋。上圖中，LS為漏感，LM為激磁電感，CS為分布電容，CD和CDS分別為肖特基和MOS的結(jié)電容。下面分析點(diǎn)電流尖峰波形產(chǎn)生的原因在開關(guān)導(dǎo)通之前，輸入電壓和電感的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)對(duì)結(jié)電容CDS和分布電容CS進(jìn)行了充電，在Q1接通的瞬間，CS和CDS瞬間放電,產(chǎn)生電流（路線和路線）疊加到MOS管。如果是反激的話，次級(jí)關(guān)斷，D1由于結(jié)電容產(chǎn)生反向恢復(fù)電流，經(jīng)過線圈反射到初級(jí)，如上圖的路線。如果是DCM模式，由于二極管中在MOS導(dǎo)通前已經(jīng)沒有電流存在了，所以在DCM中這部分尖峰電流沒有。總結(jié)一下就是由上面的個(gè)通路產(chǎn)生了開通瞬間的那個(gè)電流尖峰。如有誤區(qū)，請(qǐng)大家指出先講第點(diǎn)吧，因?yàn)榈邳c(diǎn)我暫時(shí)也說的不清楚，這個(gè)看起來圖比較明顯，為什么在DCM模式下才會(huì)有這個(gè)振蕩我們知道在DCM模式下，有一段初級(jí)電流和次級(jí)電流都為0的死區(qū)時(shí)間，在這段時(shí)間內(nèi)，初級(jí)激磁電感LM會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)去阻礙初級(jí)電流為0（電感總是阻礙電流的變化），CDS先是放電，等放到VIN時(shí)，LM兩端電壓相等（因?yàn)長MLK，忽略LK），為阻礙電感電流為0，LM產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)，同時(shí)對(duì)CDS進(jìn)行充電，當(dāng)充電電壓到VINVOR時(shí)，CDS又開始放電，如此反復(fù)發(fā)生阻尼振蕩，就產(chǎn)生了我們看到的這個(gè)波形，諧振頻率F1/2根號(hào)下LMLKCOSS。而VDS前面那個(gè)尖峰振蕩頻率高很多，是因?yàn)橹挥蠰K和CDS發(fā)生阻尼振蕩，諧振頻率F1/2根號(hào)下LKCOSS。歡迎大家提出疑問在副邊整流二極管開通后，原邊漏感儲(chǔ)存的能量一部分進(jìn)入了RCD吸收電路，一部分給MOS管DS電容充電，在MOS管管斷后，VDS電壓最高充電到輸入電壓反射電壓尖峰電壓。當(dāng)吸收階段完成后，由于MOS管DS電壓高于輸入電壓反射電壓，接下來是不是DS電容與漏感會(huì)產(chǎn)生一個(gè)諧振MOS管輸出電容通過漏感給輸入充電，由于漏感很小，反向電流相對(duì)較大，而這個(gè)電流時(shí)通過取樣電阻的。同時(shí)由于這部分能量很小因此很快就衰減到零。我只能理解到這一點(diǎn)，不知道對(duì)不對(duì)。我說的是MOS管的DS電容，這個(gè)電容是跟MOS管并聯(lián)在一起的，當(dāng)MOS管開通的時(shí)候，DS電容放電，電流由電容上端經(jīng)MOS管的D到達(dá)MOS管的S，然后回到電容的下端，因此這個(gè)