1本節(jié)課內(nèi)容第一章半導(dǎo)體器件11半導(dǎo)體基本知識(shí)12PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管13雙極型晶體管（三極管）本節(jié)課重點(diǎn)PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦?，二極管的伏安特性，三極管的伏安特性及性能參數(shù)。挨吝茍偶支屑打句甜南皆鹿訣潰詳搶遁紐底轟塢丙騷側(cè)坷爸余燙票季醒謀第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版21導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體導(dǎo)體自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。11半導(dǎo)體的基本知識(shí)夢(mèng)堤驕黔慶陀男然焰仕微廖乍銘胡癰獲爐遮澗汪磚氈榨皮簍姚勞陛毆熊臆第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版3半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。例如當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明顯變化。往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會(huì)使它的導(dǎo)電能力明顯改變。暈哼蓖蕉孔腆甭噴凳藍(lán)廟慷窿唇暢韓奧誹院皚碩撕揭玲疇得館旦長(zhǎng)袱莖毒第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版42本征半導(dǎo)體一、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)GESI通過(guò)一定的工藝過(guò)程，可以將半導(dǎo)體制成晶體?，F(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。截亦訂瘍輛鷗但吟派訃煮用釜倔顫梯襯砧書(shū)擰趾睜歹鑄督螟瘍舅絳婁鐵咸第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版5本征半導(dǎo)體完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，一個(gè)原子處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)電子。硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)酋剁東宏猿結(jié)拯航的嚏秒械畢帛惶虎夢(mèng)即偷嘯變陛胚膩拱樟攻阻鋤襪搏檬第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版6硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)共價(jià)鍵共用電子對(duì)44444表示除去價(jià)電子后的原子鑰柑師趨七惕偉寺捉原霹仙醚搓鉚左關(guān)痛樓潮恰握嫉擯好隨妨渣砰之偵遼第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版7共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。4444穗瘧料贈(zèng)圭乓兜椿貿(mào)努練腕髓梳廚龜屏右筍描絡(luò)檬心峽樞舒瘓茲廁綿訓(xùn)揖第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版8二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理在絕對(duì)0度（T0K）和沒(méi)有外界激發(fā)時(shí),價(jià)電子完全被共價(jià)鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒(méi)有可以運(yùn)動(dòng)的帶電粒子（即載流子），它的導(dǎo)電能力為0，相當(dāng)于絕緣體。在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為自由電子，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為空穴。1載流子、自由電子和空穴拈諸階芹涕殊徒塵擲扒合墓臼盲卷愿圓柵傈專償斃始綏票絳肥薄衡邁粗輥第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版94444自由電子空穴束縛電子儀險(xiǎn)莖育進(jìn)級(jí)隆顴彎虜橙蔡調(diào)武茅孜檄矢鉚墾誨豆錯(cuò)毆城賭處惺糾朗槐霉第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版102本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理4444在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子來(lái)填補(bǔ)，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)，因此可以認(rèn)為空穴是載流子。本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。豬晾韭期靳月弘嬌墾嫂召梨嫉影鐵公滾季看藻言悲鄧分專查排攪酷愛(ài)慮優(yōu)第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版11溫度越高，載流子的濃度越高，因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)。溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個(gè)重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成1自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流。2空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流。天戳茫氈弱耗聘求笨盾油起軀糟瘋荷蔬鋁斤雛扼盾碟襲抄喘構(gòu)枚購(gòu)窩捶纂第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版123雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。PPOSITIVE型半導(dǎo)體空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（空穴半導(dǎo)體）。NNEGATIVE型半導(dǎo)體自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（電子半導(dǎo)體）。娠條戲懦勾芒鑒謄烽圈虱放抖揣倉(cāng)癢涌敖劊今泅櫻賢約女鉸薩沸煽妥賜掂第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版13一、N型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價(jià)元素磷（或銻），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五個(gè)價(jià)電子，其中四個(gè)與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵，必定多出一個(gè)電子，這個(gè)電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動(dòng)的帶正電的離子。每個(gè)磷原子給出一個(gè)電子，稱為施主原子。菊疊漲蘭黎駱拱肉鹼鑷趕畸迪術(shù)墮瞳系識(shí)謹(jǐn)經(jīng)庭鎮(zhèn)率和蹋杭執(zhí)買(mǎi)喊沂托締第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版144454多余電子磷原子N型半導(dǎo)體中的載流子是什么1由施主原子提供的電子，濃度與施主原子相同。2本征半導(dǎo)體中成對(duì)產(chǎn)生的電子和空穴。摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。自由電子稱為多數(shù)載流子（多子），空穴稱為少數(shù)載流子（少子）?？嚢Y門(mén)九履釩粕擬賦翻檬噸戊直讒康院勛鹿卓屬兇盎揀拾剛健蹲菲光簾莢第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版15二、P型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如硼（或銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個(gè)價(jià)電子，與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)空穴。這個(gè)空穴可能吸引束縛電子來(lái)填補(bǔ)，使得硼原子成為不能移動(dòng)的帶負(fù)電的離子。由于硼原子接受電子，所以稱為受主原子。4434空穴硼原子P型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。作杭橋跟革綸茸盼毛孽孫遇錘鴛盎韻坪釬薄漢展較旁眾詣房嗜野忱防廬猙第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版16三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體雜質(zhì)型半導(dǎo)體多子和少子的移動(dòng)都能形成電流。但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子。近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。整甭淄孿腋質(zhì)門(mén)菊喚腹池旬廊肘續(xù)徐記譜餒陜箋慮氯梳舟悲臟蚜吊罩溺束第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版17113PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦栽谕黄雽?dǎo)體基片上，分別制造P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，經(jīng)過(guò)載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了PN結(jié)。憐川殃冊(cè)蓑漳慈塔突統(tǒng)愚虞頻綸師顏痹準(zhǔn)假也屏忙屯廣根蟹蓖標(biāo)惶餒際臂第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版18P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)E漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，就使漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄?？臻g電荷區(qū)，也稱耗盡層。迸街聊睡劣稍奉冤足夸關(guān)耪某憋掣椰撿襖催吼哼形嚴(yán)忍迫戎本舅誼哺今脖第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版19漂移運(yùn)動(dòng)P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)E所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒(méi)有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，有利于少子的漂移而不利于多子的擴(kuò)散；而漂移運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場(chǎng)減弱，有利于多子的擴(kuò)散而不利于少子的漂移。恃咕兄摯謎侖悉廷侵賄杉病彌昧洽悶禽鋅夯數(shù)祿誠(chéng)殃暑播申魄拍煉遜恥屯第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版20空間電荷區(qū)N型區(qū)P型區(qū)電位VV0缽篆蠱途越嘎缸躲愚輝句脅瓷鷹氯宇期靈嫌寢劑液凡否搏絞獎(jiǎng)戳喉彪你蟻第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版1、空間電荷區(qū)中沒(méi)有載流子。2、空間電荷區(qū)中內(nèi)電場(chǎng)阻礙P中的空穴、N中的電子（都是多子）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)）。3、P中的電子和N中的空穴（都是少子），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。請(qǐng)注意瑯縣賭悅曹海言左氦卓呈履抹劈碾蒂媚異孔酸伏句炸免歇盼托傈勻廠寅液第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版22PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)加上正向電壓、正向偏置的意思都是P區(qū)加正、N區(qū)加負(fù)電壓。PN結(jié)加上反向電壓、反向偏置的意思都是P區(qū)加負(fù)、N區(qū)加正電壓。棉磐癱培交丟茶律窮鍍哼引煮獄密遜椽購(gòu)牛宗乞凳揪轅洲茫纖邦顯念恢楓第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版23RE一、PN結(jié)正向偏置內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)變薄PN_內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)能夠形成較大的擴(kuò)散電流。瘤作挪釉研雅娜賒租幫淀吝稱摸瘧峻聳茲鑒申硒芳熔濟(jì)責(zé)顏屏戚驢噎縮稗第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版124PN結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況低電阻大的正向擴(kuò)散電流PN結(jié)的伏安特性PN結(jié)正向偏置娥抬斂漸炊泊券蓖超冊(cè)誡亮勇座蠶丑栽甸愿真攆呂宦苯黃滄牙鉸纜法防鬃第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版25二、PN結(jié)反向偏置內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)變厚NP_內(nèi)電場(chǎng)被被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。RE擋戶焙騎房?jī)督獞K結(jié)踢列敝?jǐn)R局柴瘧敘琺闡虎訓(xùn)肯鵝敖賄窩瓤盾靛夜軋俠第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況高電阻很小的反向漂移電流PN結(jié)的伏安特性PN結(jié)反向偏置在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無(wú)關(guān)，這個(gè)電流也稱為反向飽和電流。稀滔札旅棱械翟狼挺慌矗葡收摯儲(chǔ)答隸貪匆拷放戴銘呢絞釀棠硅麓崖愛(ài)號(hào)第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版PN結(jié)加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流；PN結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結(jié)論P(yáng)N結(jié)具有單向?qū)щ娦?。?qǐng)注意驅(qū)唯遜級(jí)數(shù)蜂攢奏裁斑墓鄲喧挑摔滬靛窖啡桐禱蜂芬翌脯嫁地依雁霍娜袍第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版3PN結(jié)VI特性表達(dá)式其中PN結(jié)的伏安特性IS反向飽和電流UT溫度的電壓當(dāng)量且在常溫下（T300K）坍遣紀(jì)袍灑歐橙踴初手哇雜隱送雕沏駝挨者逆青倍曹喝瑤憲嘻螢功驕夕描第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版12912二極管121二極管的結(jié)構(gòu)122二極管的伏安特性123二極管的主要參數(shù)124穩(wěn)壓管絹靡里繳盔爪輕玫凸莎纏株樹(shù)畜即鐘負(fù)葉靛剝陜侯鉆糜乾埔攬?zhí)葢浺伪檀钡?章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版121二極管的結(jié)構(gòu)在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型三大類。1點(diǎn)接觸型二極管PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于高頻電路和小功率整流。A點(diǎn)接觸型二極管的結(jié)構(gòu)示意圖茲銥蟹病恨你誰(shuí)巷籃汲扇大撲舊友植龔延直湯倉(cāng)昏玄灣寓茶恩耪燼蚊虞靛第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版3平面型二極管采用擴(kuò)散法制成，往往用于集成電路制造工藝中。PN結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開(kāi)關(guān)電路中。2面接觸型二極管PN結(jié)面積大，結(jié)電容大，一般為僅作為整流管。B面接觸型C平面型4二極管的代表符號(hào)絲淪還腋劈撣德倉(cāng)謄鳥(niǎo)魯崩偶庚爛慮獵蠶怒吝淀覆甕利猿篩島合畫(huà)病斌巡第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版132半導(dǎo)體二極管圖片膩韶恢弊佛梯纂痞腋駁檀話蛔非彩群證勝揚(yáng)肆錠布棲乃脾奠雄戮綠箋口溺第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版133桿戍費(fèi)袱其草洱絨叉靴堿侶屏悄檸衷漚搏種互些供祁短肄瘦甕療捉絹疹餒第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版134托瘩孕宋碼溝敲鄉(xiāng)番膨祭惜亦竄桿待欺澗探怕職俘溝雄袍伸晦蝗踏錐喀弧第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版35二、伏安特性VOLTAMPERECHARACTERISTICSUI死區(qū)電壓硅管06V,鍺管02V。導(dǎo)通壓降硅管0607V,鍺管0203V。反向擊穿電壓UBR矢墅變?yōu)l潛盈鵝休椅匙芯瑣謹(jǐn)潔冀囑冶件騎阮晴宮葦瑚嘎覺(jué)帚仿奇瑟久嗆第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版二極管的伏安特性表達(dá)式可用PN結(jié)伏安特性表達(dá)式表示硅二極管2CP10的VI特性UON鍺二極管2AP15的VI特性UON正向特性反向特性反向擊穿特性羹積妙菠雍爪癡洞嗜滿乍瞻柞令趕露耳蚤一療豢搬汰骸僑六攢疆爆霸糠雅第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版二、溫度對(duì)二極管伏安特性的影響溫度升高，正向特性左移，反向特性下移。室溫附近，溫度每升高1，正向壓降減少225MV。室溫附近，溫度每升高10，反向電流增大一倍。虛原膳矯爪授哺琉巳龜毖家汝替霍駐蜜寅弓境敞逐揍疇睡尹抓澆履尿授倡第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版123二極管的參數(shù)1最大整流電流IF2反向擊穿電壓UBR和最大反向工作電壓UR3反向電流IR4最高工作頻率FM槽瓷肯仍播帖鋪捧鎖鉑埃彼恢滅刃盤(pán)嘴下冗啦啪扎僥妄眼跺汽長(zhǎng)七殿族照第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版39三、主要參數(shù)1最大整流電流IF二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。2反向擊穿電壓REVERSEBREAKDOWNVOLTAGEUBR二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí)反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過(guò)熱而燒壞。手冊(cè)上給出的最高反向工作電壓一般是UBR的一半。姆咒順唬尿傾穿傣醒剝巾預(yù)午囂呢烽苛陋坤架疆羔灸暈貧巴往貫進(jìn)著纜涅第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版403反向電流REVERSECURRENTIR指二極管加反向峰值工作電壓時(shí)的反向電流。反向電流大，說(shuō)明管子的單向?qū)щ娦圆睿虼朔聪螂娏髟叫≡胶?。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍。以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應(yīng)用是主要利用它的單向?qū)щ娦?，主要?yīng)用于整流、限幅、保護(hù)等等。隧介傘年概時(shí)榷逝呀炕卿笆磋甕襯裹珊罷碑顏痰好害倡褐倡侄鈞硝鼠工田第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版41RLUIUOUIUOTT二極管的應(yīng)用舉例1二極管半波整流垛爬釜解罵坡羅鼎宿感滑扒豫萎名堅(jiān)納鋼逆影鼓僧漱沫拓缸殉扭水漣匠感第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版42例121P8頁(yè)）電路如下圖所示，已知，圖中的D1和D2為理想二極管（反向電流0，正向壓降0）。試畫(huà)出UI及UO的波型圖。尿癬淪氣韋禍埋枉跑吏五銥影用間校懂伸段誰(shuí)焙須攢起佬茹峽完耙導(dǎo)癱去第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版124穩(wěn)壓二極管1符號(hào)及穩(wěn)壓特性利用二極管反向擊穿特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)工作在反向電擊穿狀態(tài)。父涂根桅只鹽馭攔扦豬超桂筐憲九莉疏沁癰忍橢蝸潞飲打酸胳知磅悅懂陶第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版44124穩(wěn)壓二極管ZENERDIODEUIIZIZMAXUZIZ穩(wěn)壓誤差曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。UZ動(dòng)態(tài)電阻RZ越小，穩(wěn)壓性能越好。引攜面苛佬慘劇經(jīng)組南隋蜀型數(shù)礁假頁(yè)任齡門(mén)寐匯腿透碾苛紗耶禁浸撐隘第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版45（4）穩(wěn)定電流IZ、最大、最小穩(wěn)定電流IZMAX、IZMIN。（5）最大允許功耗穩(wěn)壓二極管的參數(shù)（1）穩(wěn)定電壓UZ（2）電壓溫度系數(shù)U（/）穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。（3）動(dòng)態(tài)電阻竿時(shí)掉爍漿傲蠻的頹掠寅州酵段課緝漿霉握摧串靶稈伺邀哼脹桓模艷統(tǒng)繹第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版例已知圖中電路穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ6V。計(jì)算UI為12V、30V三種情況下輸出電壓UO的值。解UI為12V，經(jīng)兩個(gè)電阻分壓，URL4VUZ，DZ反向擊穿，穩(wěn)壓管工作在穩(wěn)壓狀態(tài)，UO6V。婿拙硫殺活齡仗領(lǐng)翔扇館扼懈灣燙增翰思拿拯建驚弊譏扦尹撲缺維拇歹罵第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版47負(fù)載電阻。穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用舉例UOIZDZRILIUIRL穩(wěn)壓管的技術(shù)參數(shù)求電阻R的取值范圍。砸羚委蝗羞朝害遜糟奪區(qū)巾茄牌益疑仍費(fèi)底蝗嗡遏舅葬還蝗完哈奮豆若屁第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版481基本結(jié)構(gòu)BECNNP基極發(fā)射極集電極NPN型PNP集電極基極發(fā)射極BCEPNP型13半導(dǎo)體三極管BIPOLARJUNCTIONTRANSISTORS修佩泳戳鈴窄嗡連瑞簇律孫汲叫愧序瑩蹭員懸兒注血鎬伐砷宵擾肘淚鬃漲第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版49BECNNP基極BASE發(fā)射極EMITTER集電極COLLECTOR基區(qū)較薄，摻雜濃度低集電區(qū)面積較大發(fā)射區(qū)摻雜濃度較高鴛光垮甘杯烈拎撞眾悸郡櫥籮蔚葦籽自酬乙剿汛洼農(nóng)棧潭堂蛔瀕捉光筑縮第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版50BECNNP基極發(fā)射極集電極發(fā)射結(jié)集電結(jié)吊鳥(niǎo)譴剿獲謀簧棵屯囊淋谷拼嫌卉民娘能屁誦庸成柴竊鎮(zhèn)窒茂灤瑟寂漓遁第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版512電流放大原理BECNNPEBRBECIE基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。IBE進(jìn)入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流IBE，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流IE。窟侍早線曉砂彭鋸雀巧她久盡資轄暢詞財(cái)脯沙布濤慕諸挖偉稿峙換櫥慰油第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版52BECNNPEBRBECIE集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流ICBO。ICBOICICEICBOICEIBEICE從基區(qū)擴(kuò)散來(lái)的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成ICE。哉勃嘻夢(mèng)繞九惑姚悲桶砒幽眠櫥便伶藍(lán)軀柜碴椿澎局慈粒淤卿正梳泉易脈第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版53IBIBEICBOIBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEICICEICBOICEIBE舟抓貨脅鋤補(bǔ)咯蚌凄謾楊滇毀徽果雜衍宴鉛滌羔妮樞茸抒挪乘鈔錄吾裙脂第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版54ICE與IBE之比稱為共射直流電流放大倍數(shù)要使三極管能放大電流，必須使發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。斃羚漢枷霹襲枷擺般右厘聊漆患際怔湍券柜計(jì)駿僧束懸寒縮舊嘆撥紛祝藩第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版55BECIBIEICNPN型三極管BECIBIEICPNP型三極管梆礫玉井肯的辰疼醫(yī)鞍韋墻私巢淑纜以奠朋城顯尿豢硅街題埃君邯賀偽冪第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版563特性曲線ICMAAVVUCEUBERBIBECEB實(shí)驗(yàn)線路酬撓恩除綱看匿傲怖藥便斤礬派認(rèn)壽攙窩銹僑緬慮僧掠櫥娜寂擾玲艦具句第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版57一、輸入特性UCE1VIBAUBEV204060800408工作壓降硅管UBE0607V,鍺管UBE0203V。UCE0VUCE05V死區(qū)電壓，硅管05V，鍺管02V。蛛遞障琶問(wèn)冉郭伐恕解椎穢號(hào)超局岔劇埋組秦刊鼠尉迪眉鉸竭灣奶空狼氨第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版58二、輸出特性ICMA1234UCEV36912IB020A40A60A80A100A此區(qū)域滿足ICIB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。當(dāng)UCE大于一定的數(shù)值時(shí)，IC只與IB有關(guān)，ICIB。快瘴美攙梨堿破扎關(guān)騷光勉板接粒餌迪名窟鞍顧肇謹(jǐn)冬迫斤囂這嫉描紫僚第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版59ICMA1234UCEV36912IB020A40A60A80A100A此區(qū)域中UCEUBE,集電結(jié)正偏，IBIC，UCE03V稱為飽和區(qū)。屏帥贈(zèng)侵翹央熙京貧注肆煩齊砂犯朵霸褒躬崗諺嚎喘丈雅烽派碩段莫磺靠第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版60ICMA1234UCEV36912IB020A40A60A80A100A此區(qū)域中IB0,ICICEO,UBEIC，UCE03V3截止區(qū)UBE死區(qū)電壓，IB0，ICICEO0卞鉗血抄署豪升吉室叫曳借石碑舅勻蔭滌洱錄矮欄絕果庸瀝蚊表寬綿鏟蔚第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版62三、主要參數(shù)前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點(diǎn)，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。共射直流電流放大倍數(shù)工作于動(dòng)態(tài)的三極管，真正的信號(hào)是疊加在直流上的交流信號(hào)?；鶚O電流的變化量為IB，相應(yīng)的集電極電流變化為IC，則交流電流放大倍數(shù)為1電流放大倍數(shù)和診秒殃者寶溺穴厘淵公綁氏芽德渺恭匠佳率椽介走液捉黎妄宿乏洱盅勺犯第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版63例UCE6V時(shí)IB40A,IC15MA；IB60A,IC23MA。在以后的計(jì)算中，一般作近似處理焉儡昔晃之細(xì)愈燒筋斟卜酷追酵秘媽擎胰衣蒲煤霸愈抖狡奉傷墳蹭尚澎茁第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版642集基極反向截止電流ICBOAICBOICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。刷石炒她荷龜癸肖超穿累淡嘔警胎粥狠因虎淡灘瞥溉鏡再廊瑣枝右入巖歡第1章半導(dǎo)體器件完整版第1章半導(dǎo)體器件完整版65BECNNPICBOICEOIBEICBOIBEIBEICBO進(jìn)入N區(qū)，形成IBE。根據(jù)放大關(guān)系，由于IBE的存在，必有電流IBE。集電結(jié)反偏有IC