1、內(nèi)存種類 一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器RAM的特點是：電腦開機時，操作系統(tǒng)和應用程序的所有正在運行的數(shù)據(jù)和程序都會放置其中，并且隨時可以對存放在里面的數(shù)據(jù)進行修改和存取。它的工作需要由持續(xù)的電力提供，一旦系統(tǒng)斷電，存放在里面的所有數(shù)據(jù)和程序都會自動清空掉，并且再也無法恢復。根據(jù)組成元件的不同，RAM內(nèi)存又分為以下十八種：01.DRAM（Dynamic RAM，動態(tài)隨機存取存儲器）：這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內(nèi)存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，

2、因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數(shù)據(jù)會丟失。存取時間和放電時間一致，約為24ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內(nèi)的主存儲器。02.SRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機存取存儲器）靜態(tài)，指的是內(nèi)存里面的數(shù)據(jù)可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態(tài)隨機處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定，往往用來做高速緩存。03.VRAM（Video RAM，視頻內(nèi)存）它的主要功能是將顯卡的視頻數(shù)據(jù)輸出到數(shù)模轉(zhuǎn)換器中，有效降低繪圖顯示芯片的工作負擔。它采用雙數(shù)據(jù)口設計，其中一個數(shù)據(jù)口是并行式的數(shù)據(jù)輸出入口，另一個是串行

3、式的數(shù)據(jù)輸出口。多用于高級顯卡中的高檔內(nèi)存。04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態(tài)隨機存取存儲器）改良版的DRAM，大多數(shù)為72Pin或30Pin的模塊。傳統(tǒng)的DRAM在存取一個BIT的數(shù)據(jù)時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數(shù)據(jù)。而FRM DRAM在觸發(fā)了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行內(nèi)，則可以連續(xù)輸出列地址而不必再輸出行地址了。由于一般的程序和數(shù)據(jù)在內(nèi)存中排列的地址是連續(xù)的，這種情況下輸出行地址后連續(xù)輸出列地址就可以得到所需要的數(shù)據(jù)。FPM將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù)Pages，從512B到數(shù)KB不等，在讀取一連續(xù)區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)時，就可以通

4、過快速頁切換模式來直接讀取各page內(nèi)的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，F(xiàn)PM DRAM被大量使用。05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機存取存儲器）這是繼FPM之后出現(xiàn)的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數(shù)據(jù)時必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時間，然后才能讀寫有效的數(shù)據(jù)，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用于中檔以下的P

5、entium主板標準內(nèi)存，后期的486系統(tǒng)開始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM開始執(zhí)行。06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發(fā)式延伸數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機存取存儲器）這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一個地址計數(shù)器來追蹤下一個地址。它是突發(fā)式的讀取方式，也就是當一個數(shù)據(jù)地址被送出后，剩下的三個數(shù)據(jù)每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數(shù)據(jù)，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內(nèi)存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRA

6、M取代了。（Multi-Bank DRAM，多插槽動態(tài)隨機存取存儲器）MoSys公司提出的一種內(nèi)存規(guī)格，其內(nèi)部分成數(shù)個類別不同的小儲存庫 (BANK，也即由數(shù)個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高于外部的資料速度相互連接，一般應用于高速顯示卡或加速卡中，也有少數(shù)主機板用于L2高速緩存中。Rambus公司獨立設計完成的一種內(nèi)存模式，速度一般可以達到500530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內(nèi)存后內(nèi)存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用于專業(yè)的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內(nèi)存中。（Synchronous DRAM，同步動態(tài)隨機存取存儲器）這是一種與CPU實現(xiàn)外頻Clo

7、ck同步的內(nèi)存模式，一般都采用168Pin的內(nèi)存模組，工作電壓為。 所謂clock同步是指內(nèi)存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t，因此可提升計算機的性能和效率。（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）SDRAM的改良版，它以區(qū)塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內(nèi)存整體讀寫的次數(shù)，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，并提供區(qū)塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高于SDRAM。12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發(fā)式靜態(tài)隨機存取存儲器）一般的SRAM

8、是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統(tǒng)同步，這就是SB SRAM產(chǎn)生的原因。13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發(fā)式靜態(tài)隨機存取存儲器）CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內(nèi)存提出了更高的要求，管線爆發(fā)式SRAM取代同步爆發(fā)式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器）15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環(huán)動態(tài)隨機存取存儲器） 這是一種擴展型SDRAM結構內(nèi)存，在增加了更先

9、進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由于技術顯示，投入實用的難度不小。（CACHED DRAM，同步緩存動態(tài)隨機存取存儲器）這是三菱電氣公司首先研制的專利技術，它是在DRAM芯片的外部插針和內(nèi)部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鐘頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統(tǒng)性能產(chǎn)生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步

10、雙倍速率動態(tài)隨機存取存儲器DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯(lián)盟于1999年解散后將既有的研發(fā)成果與DDR整合之后的未來新標準。DDRII的詳細規(guī)格目前尚未確定。18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM是下一代的主流內(nèi)存標準之一，由Rambus 公司所設計發(fā)展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。二、ROM(READ Only Memory，只讀存儲器ROM是線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝，一次性制造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數(shù)據(jù)將永久保存，并且不能夠進行修改。一般應用于PC系統(tǒng)的程序碼、主機

11、板上的 BIOS (基本輸入/span輸出系統(tǒng)spanBasic Input/Output System等。它的讀取速度比RAM慢很多。根據(jù)組成元件的不同，ROM內(nèi)存又分為以下五種：1.MASK ROM（掩模型只讀存儲器）制造商為了大量生產(chǎn)ROM內(nèi)存，需要先制作一顆有原始數(shù)據(jù)的ROM或EPROM作為樣本，然后再大量復制，這一樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。它的成本比較低。（Programmable ROM，可編程只讀存儲器）這是一種可以用刻錄機將資料寫入的ROM內(nèi)存，但只能寫入一次，所以也被稱為“一次可編程只讀存儲器”(One Time Progarm

12、ming ROM，OTP-ROM。PROM在出廠時，存儲的內(nèi)容全為1，用戶可以根據(jù)需要將其中的某些單元寫入數(shù)據(jù)0(部分的PROM在出廠時數(shù)據(jù)全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1， 以實現(xiàn)對其“編程”的目的。（Erasable Programmable，可擦可編程只讀存儲器）這是一種具有可擦除功能，擦除后即可進行再編程的ROM內(nèi)存，寫入前必須先把里面的內(nèi)容用紫外線照射它的IC卡上的透明視窗的方式來清除掉。這一類芯片比較容易識別，其封裝中包含有“石英玻璃窗”，一個編程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。（Electrically Erasable

13、Programmable，電可擦可編程只讀存儲器）功能與使用方式與EPROM一樣，不同之處是清除數(shù)據(jù)的方式，它是以約20V的電壓來進行清除的。另外它還可以用電信號進行數(shù)據(jù)寫入。這類ROM內(nèi)存多應用于即插即用（PnP）接口中。5.Flash Memory（快閃存儲器）這是一種可以直接在主機板上修改內(nèi)容而不需要將IC拔下的內(nèi)存，當電源關掉后儲存在里面的資料并不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然后才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。（一）自檢及初始化這部分負責啟動電腦，具體有三個部分：第一個部分是用于電腦剛接通電源時對硬件部分的檢測，也叫做加電自檢（Power On Sel

14、f Test，簡稱POST），功能是檢查電腦是否良好，通常完整的POST自檢將包括對CPU，640K基本內(nèi)存，1M以上的擴展內(nèi)存，ROM，主板，CMOS存儲器，串并口，顯示卡，軟硬盤子系統(tǒng)及鍵盤進行測試，一旦在自檢中發(fā)現(xiàn)問題，系統(tǒng)將給出提示信息或鳴笛警告。自檢中如發(fā)現(xiàn)有錯誤，將按兩種情況處理：對于嚴重故障（致命性故障）則停機，此時由于各種初始化操作還沒完成，不能給出任何提示或信號；對于非嚴重故障則給出提示或聲音報警信號，等待用戶處理。第二個部分是初始化，包括創(chuàng)建寄存器、對一些外部設備進行初始化和檢測等，其中很重要的一部分是BIOS設置，主要是對硬件設置的一些參數(shù)，當電腦啟動時會讀取這些參數(shù)，并和實際硬件設置進行比較，如果不符合，會影響系統(tǒng)的啟動。第三個部分是引導程序，功能是引導DOS或其他操作系統(tǒng)概念（用法）軟盤或硬盤的開始扇區(qū)時間狀語（標志詞）引導記錄，如果沒有找到，則會在顯示器上顯示沒有引導設備，如果找到引導記錄會把電腦的控制權轉(zhuǎn)給引導記錄，由引導記錄把操作系統(tǒng)裝入電腦，在電腦啟動成功后，BIOS的這部分任務就完成了。（二）程序服務處理程序服務處理程序主要是為應用程序和操作系統(tǒng)服務，這些服務主要與輸入輸出設備有關，例如讀一般現(xiàn)在打印機 等。為了完成這些操作， BIOS 必須直接與 計算機 的 I O 設備打交道，