1、CD4047BE 單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器原理及應(yīng)用多諧振蕩器是一種自激振蕩電路。因?yàn)闆]有穩(wěn)定的工作狀態(tài)，多諧振蕩器也稱為無穩(wěn)態(tài)電路。具體地說，如果一開始多諧振蕩器處于0狀態(tài)，那么它在0狀態(tài)停留一段時(shí)間后將自動轉(zhuǎn)入1狀態(tài)，在1狀態(tài)停留一段時(shí)間后又將自動轉(zhuǎn)入0狀態(tài)，如此周而復(fù)始，輸出矩形波。圖6.4.1 對稱式多諧振蕩器電路 對稱式多諧振蕩器是一個(gè)正反饋振蕩電路圖6.4.1，。和是兩個(gè)反相器，和是兩個(gè)耦合電容，和是兩個(gè)反饋電阻。只要恰當(dāng)?shù)剡x取反饋電阻的阻值，就可以使反相器的靜態(tài)工作點(diǎn)位于電壓傳輸特性的轉(zhuǎn)折區(qū)。上電時(shí)，電容器兩端的電壓和均為0。假設(shè)某種擾動使有微小的正跳變，那么經(jīng)過一個(gè)正反饋過程，迅速跳變?yōu)椋?/p>

2、迅速跳變?yōu)椋杆偬優(yōu)?，迅速跳變?yōu)椋娐愤M(jìn)入第一個(gè)暫穩(wěn)態(tài)。電容和開始充電。的充電電流方向與參考方向相同，正向增加； 的充電電流方向與參考方向相反，負(fù)向增加。隨著的正向增加，從逐漸上升；隨著的負(fù)向增加，從逐漸下降。因?yàn)榻?jīng)和兩條支路充電而經(jīng)一條支路充電，所以充電速度較快，上升到時(shí)還沒有下降到。上升到使跳變?yōu)?。理論上，向下跳變，也將向下跳變?？紤]到輸入端鉗位二極管的影響，最多跳變到。下降到使跳變?yōu)?，這又使從向上跳變，即變成，電路進(jìn)入第二個(gè)暫穩(wěn)態(tài)。經(jīng)一條支路反向充電（實(shí)際上先放電再反向充電），逐漸下降。經(jīng)和兩條支路反向充電（實(shí)際上先放電再反向充電），逐漸上升。的上升速度大于的下降速度。當(dāng)上升到時(shí)，電路

3、又進(jìn)入第一個(gè)暫穩(wěn)態(tài)。 此后，電路將在兩個(gè)暫穩(wěn)態(tài)之間來回振蕩。非對稱式多諧振蕩器是對稱式多諧振蕩器的簡化形式圖6.4.6。這個(gè)電路只有一個(gè)反饋電阻和一個(gè)耦合電容。反饋電阻使的靜態(tài)工作點(diǎn)位于電壓傳輸特性的轉(zhuǎn)折區(qū)，就是說，靜態(tài)時(shí)，的輸入電平約等于，的輸出電平也約等于。因?yàn)榈妮敵鼍褪堑妮斎耄造o態(tài)時(shí)也被迫工作在電壓傳輸特性的轉(zhuǎn)折區(qū)。圖6.4.6 非對稱是多諧振蕩器電路環(huán)形振蕩器圖6.4.10不是正反饋電路，而是一個(gè)具有延遲環(huán)節(jié)的負(fù)反饋電路。圖6.4.10 最簡單的環(huán)形振蕩器圖6.4.19 石英晶體多諧振蕩器石英晶體具有優(yōu)越的選頻性能。將石英晶體引入普通多諧振蕩器就能構(gòu)成具有較高頻率穩(wěn)定性的石英晶體多

4、諧振蕩器圖6.4.19。我們知道，普通多諧振蕩器是一種矩形波發(fā)生器，上電后輸出頻率為的矩形波。根據(jù)傅里葉分析理論，頻率為的矩形波可以分解成無窮多個(gè)正弦波分量，正弦波分量的頻率為（），如果石英晶體的串聯(lián)諧振頻率為，那么只有頻率為的正弦波分量可以通過石英晶體（第個(gè)正弦波分量，），形成正反饋，而其它正弦波分量無法通過石英晶體。頻率為的正弦波分量被反相器轉(zhuǎn)換成頻率為矩形波。因?yàn)槭⒕w多諧振蕩器的振蕩頻率僅僅取決于石英晶體本身的參數(shù)，所以對石英晶體以外的電路元件要求不高。HEF4093BP 施密特觸發(fā)器原理及應(yīng)用我們知道，門電路有一個(gè)閾值電壓，當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時(shí)

5、電路的狀態(tài)將發(fā)生變化。施密特觸發(fā)器是一種特殊的門電路，與普通的門電路不同，施密特觸發(fā)器有兩個(gè)閾值電壓，分別稱為正向閾值電壓和負(fù)向閾值電壓。在輸入信號從低電平上升到高電平的過程中使電路狀態(tài)發(fā)生變化的輸入電壓稱為正向閾值電壓（），在輸入信號從高電平下降到低電平的過程中使電路狀態(tài)發(fā)生變化的輸入電壓稱為負(fù)向閾值電壓（）。正向閾值電壓與負(fù)向閾值電壓之差稱為回差電壓（）。普通門電路的電壓傳輸特性曲線是單調(diào)的，施密特觸發(fā)器的電壓傳輸特性曲線則是滯回的圖6.2.2(a)(b)。 圖6.2.1 用CMOS反相器構(gòu)成的施密特觸發(fā)器（a）電路 （b）圖形符號圖6.2.2 圖6.2.1電路的電壓傳輸特性（a

6、）同相輸出 （b）反相輸出用普通的門電路可以構(gòu)成施密特觸發(fā)器圖6.2.1。因?yàn)镃MOS門的輸入電阻很高，所以的輸入端可以近似的看成開路。把疊加原理應(yīng)用到和構(gòu)成的串聯(lián)電路上，我們可以推導(dǎo)出這個(gè)電路的正向閾值電壓和負(fù)向閾值電壓。當(dāng)時(shí)，。當(dāng)從0逐漸上升到時(shí)，從0上升到，電路的狀態(tài)將發(fā)生變化。我們考慮電路狀態(tài)即將發(fā)生變化那一時(shí)刻的情況。因?yàn)榇藭r(shí)電路狀態(tài)尚未發(fā)生變化，所以仍然為0，于是，。與此類似，當(dāng)時(shí)，。當(dāng)從逐漸下降到時(shí)，從下降到，電路的狀態(tài)將發(fā)生變化。我們考慮電路狀態(tài)即將發(fā)生變化那一時(shí)刻的情況。因?yàn)榇藭r(shí)電路狀態(tài)尚未發(fā)生變化，所以仍然為，于是，。通過調(diào)節(jié)或，可以調(diào)節(jié)正向閾值電壓和反向閾值電壓。不過，這

7、個(gè)電路有一個(gè)約束條件，就是。如果，那么，我們有及，這說明，即使上升到或下降到0，電路的狀態(tài)也不會發(fā)生變化，電路處于“自鎖狀態(tài)”，不能正常工作。圖6.2.4 帶與非功能的TTL集成施密特觸發(fā)器集成施密特觸發(fā)器比普通門電路稍微復(fù)雜一些。我們知道，普通門電路由輸入級、中間級和輸出級組成。如果在輸入級和中間級之間插入一個(gè)施密特電路就可以構(gòu)成施密特觸發(fā)器圖6.2.4。集成施密特觸發(fā)器的正向閾值電壓和反向閾值電壓都是固定的。利用施密特觸發(fā)器可以將非矩形波變換成矩形波圖6.2.8。圖6.2.8 用施密特觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)波形變換利用施密特觸發(fā)器可以恢復(fù)波形圖6.2.9(a)(b)(c)。圖6.2.9 用施密特觸發(fā)器對脈沖整形利用施密特觸發(fā)器可以進(jìn)行脈沖鑒幅圖6.2.10。圖6.2.10 用施密特觸發(fā)器鑒別脈沖幅度金屬化聚酯膜！參考如下：歐洲對薄膜電容的命名，會用MK開頭！MKP = 金屬化聚丙烯介質(zhì)電容MKC = 金屬化聚碳酸酯