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1、具不同邊界摻雜濃度突波抑制具不同邊界摻雜濃度突波抑制器二極體之模擬、製程與量測器二極體之模擬、製程與量測n學生學生: :汪海寧汪海寧( (P94943008)P94943008)n 指導教授指導教授: :胡振國胡振國 博士博士IntroductionnTransient Voltage Suppressors(TVS ) are off-chip devices designed for EOS / ESD protection.nThis exp is focused on different structure (1) Conventional P/N , (2) Blanket impl

2、anted , (3) LOCOS Diode performance How TVS works in Circuit -1Conclusion nLOCOS and Blanket implanted structure can effective increase breakdown voltage and reduce leakage current by reduce E-field in termination design. n In 1e15 dosage , depletion region width is wider than 2e15 dosage structure,

3、 so Cj in 1e15 structure is smaller than 2e15 structure. And because of edge uniformity effect , the capacitance can be observed with difference in different termination dosage. nFor surge performance , major impact factor is in main junction implantation , not in termination design . There is about 10% difference fo

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