1、概要 保護(hù)電路基本構(gòu)成 各元器件簡(jiǎn)要介紹 保護(hù)電路工作原理 保護(hù)電路的附加功能 保護(hù)電路的最新發(fā)展保護(hù)電路基本構(gòu)成 貼片電阻、貼片電容、場(chǎng)效應(yīng)管、保護(hù)IC另外有的有熱敏電阻、識(shí)別電阻（或識(shí)別IC)、保險(xiǎn)絲等。元器件簡(jiǎn)要介紹 元器件作用保護(hù)IC檢測(cè)保護(hù)電路當(dāng)前的電壓、電流、時(shí)間等參數(shù)以此來(lái)控制場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)狀態(tài)場(chǎng)效應(yīng)管由保護(hù)IC來(lái)控制回路中是否有需開(kāi)或關(guān)貼片電阻限流貼片電容濾波、調(diào)節(jié)延遲時(shí)間熱敏電阻檢測(cè)電池塊內(nèi)的環(huán)境溫度保險(xiǎn)絲防止流過(guò)電池的電流過(guò)大，切斷電流回路元器件簡(jiǎn)要介紹-貼片電阻 基本參數(shù)有封裝尺寸、額定功率、阻值、允許偏差等。 1、封裝及功率：表示電阻的尺寸大小，表示方法有兩種：EIA（

2、美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)）代碼，用4位數(shù)字表示，以英寸為單位表示長(zhǎng)和寬及米制代碼，也是用4位數(shù)字表示，以毫米為單位表示長(zhǎng)和寬，下表為7種電阻尺寸代碼及功率。EIA代碼0402060308051206124020192512實(shí)際尺寸1.0X0.51.55X0.82.0X1.253.1X1.553.2X2.65.0X2.56.3X3.15尺寸代碼1005160820193216322550256432額定功率1/161/161/101/81/41/21元器件簡(jiǎn)要介紹-貼片電阻 2、 阻值及允許偏差：貼片電阻表面上用三位數(shù)字表示阻值，其中第一、二位為有效數(shù)字，第三位數(shù)字表示后接零的數(shù)目，有小數(shù)點(diǎn)時(shí)用“R”來(lái)

3、表示，并占一位有效位數(shù)，如511是51101=510R。2R2=2.2R；允許偏差：F檔表示1；J檔表示5 ；K檔表示10。元器件簡(jiǎn)要介紹-貼片電容 基本參數(shù)：封裝尺寸、耐壓、容值、允許偏差、材質(zhì)、阻抗等 1、封裝尺寸：其尺寸代碼與貼片電阻相同。 2、耐壓：不同容值、不同封裝、不同偏差的電容廠家能做到的耐壓值也不相同。一般容值越低，耐壓值越高；封裝尺寸越大耐壓值也越高；偏差越大耐壓值越高。 3、容值與允許偏差：容值表示方法與電阻類(lèi)似，如0R5表示0.5PF,104表示100000PF即0.1UF；允許偏差表示方法也與電阻類(lèi)似，F(xiàn)檔表示1；J檔表示5；K檔表示10；M檔表示20； Z檔表示+80

4、,-20。 4、材質(zhì)：COG(NPO)容值精度為5； X5R(X7R)容值精度為10；Y5V容值精度為20；Z5U容值精度為+80,-20 ；元器件簡(jiǎn)要介紹-熱敏電阻 有PTC(POSITIVE TEMPERATURE COEFFICENT)正溫度系數(shù)，如過(guò)流保護(hù)器；NTC(NEGATIVE TEMPERATURE COEFFICENT)負(fù)溫度系數(shù)兩種。NTC基本參數(shù)有封裝尺寸、阻值、允許偏差，B常數(shù)、B值偏差等。 NTC阻值隨溫度呈非線性變化，NTC熱敏電阻的阻值隨溫度的變化函數(shù)如下式： R25C是熱敏電阻在室溫下的阻值，是熱敏電阻材料的開(kāi)爾文(Kelvins)常數(shù)，T是熱敏電阻的實(shí)際攝氏溫

5、度。 元器件簡(jiǎn)要介紹-保險(xiǎn)絲 基本參數(shù)有封裝尺寸、電流與熔斷時(shí)間、內(nèi)阻等。 1、封裝尺寸：與貼片電阻（或貼片電容）表示方法相同。 2、電流與熔斷時(shí)間：電流越大，熔斷時(shí)間越短，以力特434系列為例，廠家建議設(shè)計(jì)為正常工作電流=3/4額定電流： 3、內(nèi)阻：遠(yuǎn)低于過(guò)流保護(hù)器，一般為10MR左右。 元器件簡(jiǎn)要介紹-場(chǎng)效應(yīng)管 縮寫(xiě)為FET，電壓控制器件，可通過(guò)改變輸入電壓來(lái)改變輸入電流，有N溝道與P溝道兩種。基本參數(shù)封裝、耐壓、耐流、內(nèi)阻等。 1、與三極管相比具有的優(yōu)點(diǎn)：三極管電流控制器件，內(nèi)阻較大，耗電很大，電流不可雙向流動(dòng)。 2、N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管相比：N溝道高電平導(dǎo)通，內(nèi)阻較小，價(jià)格較

6、低；P溝道低電平導(dǎo)通，內(nèi)阻較大，價(jià)格較高。 3、耐壓：指柵源間耐壓VGSS與漏源間耐壓VDSS。 4、耐流：指場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)可流過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管D、S間的最大電流，有恒流耐流與脈沖電流兩種。 5、內(nèi)阻：指場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)不同電壓、電流下D、S間的內(nèi)阻，電壓越高時(shí)，內(nèi)阻越低；電流越大，內(nèi)阻越高。 6、保護(hù)電路中，單雙節(jié)保護(hù)電路用N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，多節(jié)用P溝道。元器件簡(jiǎn)要介紹-保護(hù)IC 分單節(jié)保護(hù)IC與多節(jié)（串聯(lián)）用保護(hù)IC，有內(nèi)置延時(shí)與外置延時(shí)，發(fā)展趨勢(shì)是由外置延時(shí)發(fā)展到內(nèi)置延時(shí)?；竟δ苡羞^(guò)充保護(hù)、過(guò)放保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)等?；緟?shù)有過(guò)充電保護(hù)（釋放）電壓、過(guò)放電保護(hù)（釋放）電壓、過(guò)充（放、流）保

7、護(hù)延時(shí)等。 保護(hù)電路工作原理-應(yīng)用電路圖保護(hù)電路工作原理-IC內(nèi)部框圖保護(hù)電路工作原理-特點(diǎn)1、每種保護(hù)只關(guān)斷一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管。關(guān)斷具體場(chǎng)效應(yīng)管為：過(guò)充保護(hù)-過(guò)充場(chǎng)效應(yīng)管 過(guò)放保護(hù)-過(guò)放場(chǎng)效應(yīng)管 過(guò)流保護(hù)-過(guò)放場(chǎng)效應(yīng)管 短路保護(hù)-過(guò)放場(chǎng)效應(yīng)管2、每種保護(hù)關(guān)斷時(shí)都經(jīng)過(guò)一定的延時(shí)以避免誤動(dòng)作。其中過(guò)充保護(hù)延時(shí)是通過(guò)改變外部電容容值來(lái)設(shè)置延時(shí)的，其它保護(hù)延時(shí)是內(nèi)置的。保護(hù)電路工作原理-兩參數(shù)確定1、過(guò)充電保護(hù)延時(shí)：計(jì)算公式為： tVdet1sec=(C3FX(Vdd(V)-0.7)/(0.48X10-6) 式中：Vdd為保護(hù)IC的過(guò)充電檢測(cè)電壓值。 簡(jiǎn)便計(jì)算：延時(shí)時(shí)間=C3（UF）/0.01UFX77m

8、s 如若C3容值為0.22UF,則延時(shí)值為0.22/0.01X77=1694ms。嚴(yán)格計(jì)算還要考慮電容容值的偏差。保護(hù)電路工作原理-兩參數(shù)確定 2、過(guò)電流值的計(jì)算： 依據(jù)公式I=U/R 式中I為所要計(jì)算的過(guò)電流檢測(cè)值； U為保護(hù)IC的過(guò)電流檢測(cè)電壓值；R為保護(hù)電路中從B-P-間的內(nèi)阻值，具體來(lái)間說(shuō)指的是保護(hù)IC的第6腳與R2外接P-處的內(nèi)阻（大電流回路中MOSFET與PCB布線內(nèi)阻之和）。 例如： 一個(gè)保護(hù)電路中保護(hù)IC檢驗(yàn)電壓為0.20V,R為40mR（MOS管內(nèi)阻以3.8V左右計(jì)），則過(guò)電流檢測(cè)電壓值0.20V/40mR=5A保護(hù)電路工作原理-外置延時(shí)優(yōu)點(diǎn)w 優(yōu)點(diǎn)：過(guò)充電檢測(cè)延時(shí)時(shí)間可以調(diào)

9、整，適用于對(duì)延時(shí)有特殊要求且一般內(nèi)置延時(shí)的IC又不能達(dá)到要求的場(chǎng)和；w 缺點(diǎn)：元件數(shù)量多，成本增加，故障率提高。保護(hù)電路工作原理-兩串保護(hù)電路工作原理-三（四）串保護(hù)電路工作原理-三（四）串保護(hù)電路的附加功能-識(shí)別、溫度檢測(cè)功能1234ABCD4321DCBATitleNumberRevisionSizeA4Date:30-Oct-2002Sheet of File:E:學(xué) 習(xí) 資 料 鋰 電 池 1LPA90.SCHDrawn By:R1510RR22.2KC10.1uF P+ P-CELLB-B+VDDVSSDOCOVM13265U1S-8261AAJMD-G2J-T2ID3.3K ID5

10、 742,3 6,1 8U2FTD2011PTCNTC10KTH123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:17-Feb-2003Sheet of File:C:MYDOCU1SCH_1.SCHDrawn By:F3OPAMPF4RE S2F5RE S2F6RE S2R?RE S3Q?MOSFET NVCCT O PACKT O MOBILE保護(hù)電路附加功能-振動(dòng)、容量測(cè)試功能1234ABCD4321DCBATitleNumberRevisionSizeA4Date:30-Oct-2002Sheet of File:E:學(xué) 習(xí) 資 料 鋰

11、電 池 1LPA01-3-.SCHDrawn By:R40.05RR2100KR1100KR31MR5100KR61KR7510RR81KR1010RR112.2kC10.1uFC20.1uFC30.1uFC40.1uFC50.1uFZ14.7VR1233KQ1AQ1BI/OP-P+M-VID21435,6 7,8U2TPC8204VCCVSSDOCOVM45132U1S-8241AAAMC-GAA-T2cellB+B-WAKESR1SR2RBIREGVCCVSSHDQU3BQ2018M+保護(hù)電路附加功能-加充電電路1234ABCD4321DCBAR 3270kC 80.1uF P+ B -

12、B +V E X T45123V ING N DE NE R RV O U TU 2FA N 2501S305678D 1D 2S2S1S1S2G 1G 21234U 4FT D 2011D 2U PS5817V R 1D 3P4SM A 12AR 1100R 2100kR 61kR 103.3kR 5270kR 96.8kR 710kR 11100R 4470KR 810.7kC 24.7uFC 71nFC 61nFC 44.7uFC 90.1uFC 50.1uFC 10.1uF P- IDT H 110KC 3100uFD 1M M SD 4148Q 1SR C 1211E FQ 2SR

13、C 1211E FQ 3SR C 1211E FQ 42SC 5343E FYQ 52SC 5343E FY31654DDS2DDGU 1SI3441D V321C O54D OV MV D DV SSU 5S-8241A A Q M C5678V SS1234X IN /P1.0X O U T /P1.1R E SE T /P1.2V D DP0.0/A D C 0/IN T 0P0.1/A D C 1/IN T 1P0.2/A D C 2U 3S3F9444X Z Z -SC B 4T_P-T_IDT_VEXTT_P+T_VDDT_B+保護(hù)電路附加功能-加充電控制電路1234ABCD4321DCBATitleNumberRevisionSizeA4Date:30-Dec-2002Sheet of File:D:ZLH.LPA138-3.SCHDrawn By:R1470RR22.2KVerror P-CELLC10.1uF B+ B-VDDVSSDOCOVM13265U1S-8261AAJMD-G2J-T2D1UDZ20BNTC10KR910KR5 2KR6 18KR810