1、低效分析培訓(xùn)低效分析培訓(xùn)工藝部整合組工藝部整合組目錄目錄u片源類低效分析u制程類低效分析EL圖局部發(fā)暗低效分析刻蝕污染低效分析漏電類低效分析u報(bào)告小結(jié)片源類低效分析片源類低效分析u“L型黑邊”低效說明描述：描述：L型低效主要表現(xiàn)為EL圖邊緣L型黑邊，IQE長波響應(yīng)差，電性能為開壓、短流、Rs均偏低，特別表現(xiàn)為Rs比正常片子偏低。說明：說明：因在鑄錠長晶過程中硅料中的雜質(zhì)（金屬雜質(zhì)等）逐漸向硅錠表面聚集，靠近外部的硅錠切片后因片子邊緣雜質(zhì)含量較多，導(dǎo)致其體復(fù)合嚴(yán)重，少子壽命低，開壓、短流均偏低，效率偏低，且因體摻雜較多，電阻率低，導(dǎo)致串阻偏低。Uoc（V）Isc（A)Rs（） Rsh（）FF（%

2、）Eta（%） IRev2（A)0.6114878.3189810.001985145.16476.7086316.034390.2169190.6156778.2789520.002029379.511276.7524516.075760.0588170.6179148.4840860.002448424.685977.3431816.661190.3814650.6187248.4720040.002492487.763377.3668416.664360.361767片源類低效分析片源類低效分析Uoc（V）Isc（A)Rs（）Rsh（）FF（%）Eta（%）IRev2（A)0.57039

3、37.0365330.001993419.228875.6654412.479040.0883890.6013087.9464070.002202103.811975.2377114.772490.2267650.6016687.8784870.001744514.214476.0742314.817960.0625620.6022797.889440.002044251.192176.0456214.848040.106866u整面發(fā)暗低效說明描述：描述：其EL圖表現(xiàn)為整面發(fā)暗，電性能同L型低效均表現(xiàn)為開壓、短流、Rs偏低，IQE長波響應(yīng)差。說明：說明：同L型低效均因體摻雜較多導(dǎo)致體復(fù)合嚴(yán)重

4、，少子壽命低，導(dǎo)致低效。制程類低效分析制程類低效分析uEL圖局部發(fā)暗低效分析Uoc（V）Isc（A)Rs（）Rsh（）FF（%）Eta（%）IRev2（A)0.6369198.8347540.014966270.800565.1024115.053120.0628340.6396138.866540.018104197.492664.7344815.085450.0564910.637758.856580.014087265.369765.4020215.179520.0788840.6317088.7684790.012951162.726367.5930615.384850.256575描

5、述：描述：EL圖表現(xiàn)為局部發(fā)黑，電性能Rs異常偏大，開壓、短流、漏電正常。說明：說明：開壓、短流正常，Rs偏大，說明片子內(nèi)部并未被破壞，而只是電子輸出被消耗，導(dǎo)致輸出電壓電流偏低。且用HF擦拭對應(yīng)位置后正常，說明只是片子表面受污染且污染物并未滲透進(jìn)入氮化硅膜。具體情況有待分析。制程類低效分析制程類低效分析u刻蝕下料風(fēng)刀污染低效分析Uoc（V）Isc（A)Rs（）Rsh（）FF（%）Eta（%）IRev2（A)0.6061958.4221590.002698207.218678.085516.381620.1100920.605698.4482610.002732257.835277.92049

6、16.3840.1477510.6060458.4043760.00276410.614878.2870916.385190.0848690.6058528.4349460.002656175.884478.0429416.388280.121972描述：描述：EL圖表現(xiàn)為整面發(fā)暗，電性能中開壓、短流偏低，Rs略低，漏電正常。說明：說明：開壓短流偏低且漏電正常，說明片子表面或內(nèi)部復(fù)合嚴(yán)重；因當(dāng)時(shí)設(shè)備維護(hù)刻蝕開機(jī)后出現(xiàn)低效，因此初步鎖定刻蝕風(fēng)刀污染；初步分析可能為刻蝕下料風(fēng)刀吹進(jìn)粉塵（或臟污，可能含有金屬離子），當(dāng)經(jīng)過PE高溫電離后金屬離子等雜質(zhì)滲透，導(dǎo)致表面或內(nèi)部復(fù)合較大，少子壽命降低，導(dǎo)致開

7、壓短流下降。制程類低效分析制程類低效分析u 漏電類低效分析Uoc（V）Isc（A)Rs（）Rsh（）FF（%）Eta（%）IRev2（A)0.6073568.6213540.00309516.8726274.8879516.113181.4544840.6086268.6265810.00322927.5872276.7055716.548820.7949120.6080028.6187760.00319919.3957875.5751816.273491.3563770.6262648.7560910.0028751.93925175.4159416.993469.655914描述：描述：EL圖表現(xiàn)為整體發(fā)暗，電性能開壓、短流偏低，Rs正常，而漏電異常偏大，IQE長短波均較差。說明：說明：開壓短流偏低，漏電異常偏大，說明片子正面有污染，燒結(jié)后雜質(zhì)滲透