1、第5章 存 儲 器5.1 存儲器概述存儲器概述 5.2 隨機存取存儲器隨機存取存儲器RAM 5.3 只讀存儲器只讀存儲器ROM 5.4 CPU與存儲器的連接與存儲器的連接 習(xí)題習(xí)題 5.1 存存 儲儲 器器 概概 述述5.1.1 存儲器分類存儲器分類 按存取速度和用途可把存儲器分為兩大類，內(nèi)部存儲器和按存取速度和用途可把存儲器分為兩大類，內(nèi)部存儲器和外部存儲器。外部存儲器。 內(nèi)存具有一定容量，存取速度快。內(nèi)存是計算機的重要組內(nèi)存具有一定容量，存取速度快。內(nèi)存是計算機的重要組成部分，成部分，CPU可對它進行訪問。可對它進行訪問。 內(nèi)存主要是半導(dǎo)體存儲器。內(nèi)存主要是半導(dǎo)體存儲器。 外存速度較慢，但

2、存儲容量不受限制，故稱海量存儲器。外存速度較慢，但存儲容量不受限制，故稱海量存儲器。 外存主要是磁記錄存儲器和光記錄存儲器。外存主要是磁記錄存儲器和光記錄存儲器。半導(dǎo)體存儲器從制造工藝分為雙極型、CMOS型、HMOS型等；從應(yīng)用角度分為隨機讀寫存儲器(Random Access Memory)和只讀存儲器(Read Only Memory) 。掩膜ROM可編程ROM(PROM)電可擦PROM(EEPROM)可擦除ROM(EPROM)非易失RAM(NVRAM)靜態(tài)RAM(SRAM)動態(tài)RAM(DRAM)組合RAM(IRAM)雙極型RAMMOS型RAM只讀存儲器(ROM)隨機讀寫存儲器(RAM)半

3、導(dǎo)體存儲器隨機讀寫存儲器隨機讀寫存儲器(RAM)(RAM)1)1)靜態(tài)靜態(tài)RAM (Static RAM RAM (Static RAM ，SRAM)SRAM) 速度非?？?，只要不掉電，信息不會丟失。缺點是集成度低。速度非常快，只要不掉電，信息不會丟失。缺點是集成度低。 適于用作高速緩存適于用作高速緩存(Cache)(Cache)。2) 2) 動態(tài)動態(tài)RAM (Dynamic RAMRAM (Dynamic RAM，DRAM)DRAM) 存儲單元以電容為基礎(chǔ)，電路簡單，集成度高。但需定時存儲單元以電容為基礎(chǔ)，電路簡單，集成度高。但需定時刷新。刷新。 適用于計算機的內(nèi)存。適用于計算機的內(nèi)存。3)

4、 3) 非易失非易失RAM (Non Volative RAMRAM (Non Volative RAM，NVRAM)NVRAM) 由由SRAMSRAM和和EEPROMEEPROM共同構(gòu)成，正常運行時和共同構(gòu)成，正常運行時和SRAMSRAM一樣，而在一樣，而在掉電時，它把掉電時，它把SRAMSRAM的信息保存在的信息保存在EEPROMEEPROM中，從而使信息不會丟中，從而使信息不會丟失。失。 多用于存儲非常重要的信息和掉電保護。多用于存儲非常重要的信息和掉電保護。只讀存儲器只讀存儲器ROM 非易失性，斷電后數(shù)據(jù)不會消失，通常存儲操作系統(tǒng)或固非易失性，斷電后數(shù)據(jù)不會消失，通常存儲操作系統(tǒng)或固化

5、的程序?；某绦颉?) 掩膜掩膜ROM 利用掩膜工藝制造的存儲器，廠家在制造器件過程中寫入，利用掩膜工藝制造的存儲器，廠家在制造器件過程中寫入，不能更改。不能更改。2) 可編程可編程ROM (Programable ROM，PROM) 由用戶利用特殊方法寫入。寫入后不能更改。由用戶利用特殊方法寫入。寫入后不能更改。3) 可擦除可擦除PROM (Erasable Programable ROM，EPROM) 由用戶按規(guī)定的方法多次編程，如編程之后想修改，可用紫由用戶按規(guī)定的方法多次編程，如編程之后想修改，可用紫外線燈制作的擦除器照射使存儲器復(fù)原，用戶可再編程。外線燈制作的擦除器照射使存儲器復(fù)原，

6、用戶可再編程。4) 電可擦電可擦PROM (Electrically Erasable PROM，EEPROM) 能以字節(jié)或塊為單位擦除和改寫，將可作為不易失的能以字節(jié)或塊為單位擦除和改寫，將可作為不易失的RAM使用。使用。 32位微機系列配置4個存儲體，分別連接數(shù)據(jù)總線D7D0,D15D8, D23D16,D31D24,一次傳送32位數(shù)據(jù)；相應(yīng)64位微機配置8個存儲體。 5.1.3 存儲器性能指標存儲容量 = 單元數(shù)數(shù)據(jù)線位數(shù)存取時間 指從CPU給出有效的存儲器地址到存儲器給出有效數(shù)據(jù)所需要的時間。存取時間越小，存取速度越快。5.1.2 5.1.2 存儲器組織存儲器組織 1616位微機系列配

7、置偶位微機系列配置偶奇兩個存儲體，分布連接奇兩個存儲體，分布連接數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線D7 D7 D0 D0 和和D15D15D8 D8 ，一次數(shù)據(jù)總線，一次數(shù)據(jù)總線可傳送可傳送1616位數(shù)據(jù)。位數(shù)據(jù)。5.2 隨機存取存儲器隨機存取存儲器(RAM)5.2.1 靜態(tài)隨機存取存儲器靜態(tài)隨機存取存儲器 （SRAM） 1. 靜態(tài)靜態(tài)RAM的構(gòu)成的構(gòu)成 通常由地址譯碼器，存儲矩通常由地址譯碼器，存儲矩陣，控制邏輯和三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖陣，控制邏輯和三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖器組成。器組成。 不需要進行刷新，外部電路不需要進行刷新，外部電路簡單。簡單。 基本存儲單元所包含的管子基本存儲單元所包含的管子數(shù)目較多，且功耗也較大。數(shù)目較多

8、，且功耗也較大。 適合在小容量存儲器中使用。適合在小容量存儲器中使用。V5V3VCCV6AI/OI/O選擇線V4V1V2六個MOS管組成的靜態(tài)RAM存儲電路 靜態(tài)RAM內(nèi)部是由很多基本存儲電路組成的，為了選中某一個單元，往往利用矩陣式排列的地址譯碼電路。 例如芯片6116(2K8位)，有2048個存儲單元，需11根地址線，7根用于行地址譯碼輸入，4根用于列譯碼地址輸入，每條列線控制8位，從而形成了128128個存儲陣列，即16K 個存儲體。6116的控制線有三條，片選CS、輸出允許OE和讀寫控制WE。 CS2 CS1 WE OE D7D0 1 0 0 1 輸入 1 0 1 0 輸出 其 它 高

9、阻抗 2. 靜態(tài)RAM的例子 6264芯片的容量為8K8位，地址線引腳A12A0可選擇8K個存儲單元。每個單元8位。 存儲器的地址由CPU輸入，8位數(shù)據(jù)輸出時， A12A0與CPU的地址總線A12A0相連接； 16位數(shù)據(jù)輸出時，要用2片6264， A12A0與地址總線A13A1相連接。偶地址存儲體，用A0片選，輸出數(shù)據(jù)為低8位；奇地址存儲體，用BHE片選， 輸出數(shù)據(jù)為高8位。 5.2.2 5.2.2 動態(tài)隨機存取存儲器動態(tài)隨機存取存儲器DRAM)DRAM)動態(tài)動態(tài)RAMRAM的構(gòu)成的構(gòu)成 讀寫時，對應(yīng)存儲單元的行列讀寫時，對應(yīng)存儲單元的行列選擇信號都為高電平。選擇信號都為高電平。 DRAMDR

10、AM存放信息依靠電容，電容存放信息依靠電容，電容有電荷時，為邏輯有電荷時，為邏輯“1”1”，沒有，沒有電荷時，為邏輯電荷時，為邏輯“0”0”。為防止。為防止電容漏電導(dǎo)致電荷流失，需每隔電容漏電導(dǎo)致電荷流失，需每隔一定時間一定時間( (約約2ms)2ms)刷新一次。刷新一次。 刷新是逐行進行的，當某一行刷新是逐行進行的，當某一行選擇信號為選擇信號為“1 1時，選中了該時，選中了該行，電容上信息送到刷新放大器，行，電容上信息送到刷新放大器，刷新放大器又對這些電容立即進刷新放大器又對這些電容立即進行重寫。由于刷新時，列選擇信行重寫。由于刷新時，列選擇信號總為號總為“0”0”，因此電容上信息，因此電容

11、上信息不可能被送到數(shù)據(jù)總線上。不可能被送到數(shù)據(jù)總線上。單管動態(tài)存儲器電路刷 新放大器DV列選擇信號數(shù)據(jù)輸入輸出行選擇信號Intel 2164A引腳2. 2. 動態(tài)動態(tài)RAMRAM例子例子 Intel2164Intel2164是是64K64K1 1的的DRAMDRAM芯片，它的內(nèi)部有芯片，它的內(nèi)部有4 4個個128128128128基本存儲電路矩陣?；敬鎯﹄娐肪仃?。 64K64K個存儲單元需要個存儲單元需要1616條條地址線，分兩次打入，先由地址線，分兩次打入，先由RASRAS選通選通8 8位行地址并鎖存，位行地址并鎖存，再由再由CASCAS選通選通8 8位列地址來譯位列地址來譯碼。碼。 刷新

12、時由行地址同時對刷新時由行地址同時對4 4個存儲矩陣的同一行個存儲矩陣的同一行(4(4128128個單元個單元) )進行刷新。進行刷新。3. 3. 內(nèi)存條內(nèi)存條 計算機的內(nèi)存由計算機的內(nèi)存由DRAMDRAM組成，組成，DRAMDRAM芯片放在內(nèi)存條上，用戶只需把內(nèi)存芯片放在內(nèi)存條上，用戶只需把內(nèi)存條插到系統(tǒng)板上提供的存儲條插座上即可使用。條插到系統(tǒng)板上提供的存儲條插座上即可使用。 PCPC機常用的內(nèi)存條主要由機常用的內(nèi)存條主要由SDRAMSDRAM、DDR SDRAMDDR SDRAM和和DDRII SDRAMDDRII SDRAM三種。三種。同步動態(tài)隨機存取存儲器同步動態(tài)隨機存取存儲器SDR

13、AMSDRAM 與系統(tǒng)時鐘同步，在時鐘上升沿采樣與系統(tǒng)時鐘同步，在時鐘上升沿采樣 ；內(nèi)部存儲單元分成兩個或以；內(nèi)部存儲單元分成兩個或以上的體，一個讀上的體，一個讀/ /寫，其余預(yù)充電；支持突發(fā)模式，減少地址建立時間。寫，其余預(yù)充電；支持突發(fā)模式，減少地址建立時間。雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器DDR SDRAMDDR SDRAM 在時鐘上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)；使用在時鐘上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)；使用DDLDDL技術(shù)精確定位數(shù)據(jù)。技術(shù)精確定位數(shù)據(jù)。第二代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器第二代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器DDRII SDRAMDDRI

14、I SDRAM 每個時鐘能以每個時鐘能以4 4倍外部總線的速度讀倍外部總線的速度讀/ /寫數(shù)據(jù)；采用寫數(shù)據(jù)；采用FBGAFBGA封裝、片外驅(qū)封裝、片外驅(qū)動調(diào)校、片內(nèi)終結(jié)和前置技術(shù)，性能更好；動調(diào)校、片內(nèi)終結(jié)和前置技術(shù)，性能更好；5.2.3 5.2.3 高速緩沖存儲器高速緩沖存儲器 1.高速緩沖存儲器的使用 隨著CPU速度的不斷提高，DRAM的速度難以滿足CPU的要求，CPU訪問存儲器時一般要插入等待周期，對高速CPU來說這是一種極大的浪費。 為了使CPU全速運行，可采用CACHE技術(shù)，將經(jīng)常訪問的代碼和數(shù)據(jù)保存到SRAM組成的高速緩沖器中，把不常訪問的數(shù)據(jù)保存到DRAM組成的大容量存儲器中，這

15、樣使存儲器系統(tǒng)的價格降低，又提供了接近零等待的性能。 Cache一般由兩部分組成，一部分存放由主存儲器來的數(shù)據(jù)，另一部分存放該數(shù)據(jù)在主存儲器中的地址。(此部分稱地址標記存儲器，記為Tag)。 由關(guān)聯(lián)性，高速緩沖存儲器結(jié)構(gòu)可分為：全相聯(lián)Cache 、直接映象Cache和成組相聯(lián)Cache。5.3 只讀存儲器只讀存儲器(ROM)5.3.1 掩膜掩膜ROM和可編程和可編程ROM 掩膜掩膜ROM中信息由廠家對芯中信息由廠家對芯片圖形掩膜進行兩次光刻而定，片圖形掩膜進行兩次光刻而定，用戶不能修改。用戶不能修改。 PROM的內(nèi)容由用戶編寫，不的內(nèi)容由用戶編寫，不能修改，能修改，PROM出廠時全為出廠時全為

16、“1”，通過燒斷熔絲將某些單元變?yōu)橥ㄟ^燒斷熔絲將某些單元變?yōu)椤?”。單元3單元2單元1單元0VCC地址譯碼器A1A0D3D2D1D0掩膜ROM電路原理圖5.3.2 可擦可編程只讀存儲器可擦可編程只讀存儲器(EPROM) 利用編程器寫入后，信息可長久保持。當其內(nèi)容需要變更利用編程器寫入后，信息可長久保持。當其內(nèi)容需要變更時，可由紫外線燈照射將其擦除，復(fù)原為全時，可由紫外線燈照射將其擦除，復(fù)原為全“1”，再根據(jù)需要，再根據(jù)需要利用編程器編程。利用編程器編程。 1. EPROM的工作原理的工作原理 EPROM存儲電路是利用浮柵雪崩注入技術(shù)實現(xiàn)。平時浮柵存儲電路是利用浮柵雪崩注入技術(shù)實現(xiàn)。平時浮柵上無

17、電荷，在控制柵加正壓，管子導(dǎo)通，上無電荷，在控制柵加正壓，管子導(dǎo)通，ROM存儲信息為存儲信息為“1”；寫入時在漏極和襯底、漏極和源極加高壓，內(nèi)部；寫入時在漏極和襯底、漏極和源極加高壓，內(nèi)部PN結(jié)結(jié)擊穿，浮柵捕獲電荷，擊穿，浮柵捕獲電荷，ROM存儲信息存儲信息“0”；紫外光源照射時；紫外光源照射時浮柵上電荷形成光電流泄漏，實現(xiàn)擦除。浮柵上電荷形成光電流泄漏，實現(xiàn)擦除。SSiO2浮柵PPN襯底(a)行線位線輸出位線DS浮柵管(b)VCC方式A9A0VPPVCC數(shù)據(jù)端功能讀低低高VCC5 V數(shù)據(jù)輸出輸出禁止低高高VCC5 V高阻備用高VCC5 V高阻編程低高低12.5 VVCC數(shù)據(jù)輸入校驗低低高12

18、.5 VVCC數(shù)據(jù)輸出編程禁止高12.5 VVCC高阻標識符 低 低 高 高低高VCCVCC5 V5 V制造商編碼器件編碼引腳CEOEPGM2. EPROM2. EPROM例子例子 Intel 2764(8KIntel 2764(8K8)8)有有1313條地址線，條地址線，8 8條數(shù)據(jù)線，條數(shù)據(jù)線，2 2個電壓輸入端個電壓輸入端VCCVCC和和VPPVPP，一個片選端，一個片選端CECE，此外還有輸出允許，此外還有輸出允許OEOE和編程控制端和編程控制端PGMPGM。2764A2764A的工作方式選擇的工作方式選擇1) 標志符方式 要讀出2764的編碼必須順序讀出兩個字節(jié)，把A9接+12.5V

19、的高電平，先讓A1A8全為低電平，而使A0從低變高。當A0=0時，讀出的內(nèi)容為制造商編碼(陶瓷封裝為89H，塑封為88H)，當A0=1時，讀出器件的編碼(2764A為08H，27C64為07H)。2) 備用方式 只要CE為高電平，2764A就工作在備用方式，輸出端為高阻狀態(tài)，這時芯片功耗將下降，從電源所取電流由100 mA下降到40 mA。3) 編程方式 VPP接+12.5V，VCC仍接+5V，從數(shù)據(jù)線輸入這個單元要存儲的數(shù)據(jù)，每寫一個地址單元，都必須在PGM端送一個寬度為45ms的負脈沖。4) 編程校驗方式 編程過程中，在一個字節(jié)的編程完成后，讀出同一單元的數(shù)據(jù)，這樣與寫入數(shù)據(jù)相比較，校驗編

20、程的結(jié)果是否正確。2764編程波形編程波形地址數(shù)據(jù)VPPCEPGMOE45ms地址穩(wěn)定編程校驗NMC98C64NMC98C64引腳圖引腳圖5.3.3 5.3.3 電可擦可編程電可擦可編程ROM(EEPROM)ROM(EEPROM) EPROM EPROM的缺點是整個芯片只寫錯一位，也必須從電路的缺點是整個芯片只寫錯一位，也必須從電路板上取下擦掉重寫。而板上取下擦掉重寫。而EEPROMEEPROM可以按字節(jié)擦除，也可以全片擦可以按字節(jié)擦除，也可以全片擦除。另外可以在線讀寫。除。另外可以在線讀寫。1.1.并行接口并行接口EEPROMEEPROM 讀寫方法簡單，容量較大，速度快，功耗大。讀寫方法簡單

21、，容量較大，速度快，功耗大。98C6498C64的寫入過程：的寫入過程：字節(jié)寫入字節(jié)寫入OE=1OE=1，WEWE加負脈沖，數(shù)據(jù)寫入指定地址單元。加負脈沖，數(shù)據(jù)寫入指定地址單元。 頁寫入頁寫入3232個頁數(shù)據(jù)在內(nèi)存中連續(xù)排列，一次寫一頁。個頁數(shù)據(jù)在內(nèi)存中連續(xù)排列，一次寫一頁。 擦除擦除 寫入寫入FFHFFH，擦除指定地址單元；，擦除指定地址單元； 在在OEOE加高壓，全片擦除。加高壓，全片擦除。24C6424C64引腳圖引腳圖2.串行接口EEPROM 功耗低，信號線少，讀寫方法復(fù)雜，速度慢。 24C64是8K8位的EEPROM。 引腳A2A0為片選或頁面選擇地址，當多個24C64芯片連接到一條

22、總線時，通過A2A0選擇芯片。 SDA為串行數(shù)據(jù)輸入/輸出。 SCL為串行時鐘輸入，在上升沿寫入，下降沿讀出。 WP為寫保護。5.3.4 5.3.4 閃存閃存 閃存與EEPROM都是電可擦除可編程的存儲器，閃存采用單管單元，可以做到很高的集成度。 閃存允許多線程重寫，速度很快。NOR閃存 寫入和擦除速度很快，有完整的地址和數(shù)據(jù)接口，可以隨機讀取。 適合用于個人電腦主板上BIOS資料的存儲或作為手持裝置系統(tǒng)資料的存放。NAND閃存 更快的寫入和擦除速度。只運行連續(xù)讀取擦除。 適合于做存儲卡5.4 CPU與存儲器的連接與存儲器的連接 CPU對存儲器進行讀寫操作，首先由地址總線給出地址信號，然后發(fā)出

23、讀寫控制信號，最后才能在數(shù)據(jù)總線上進行數(shù)據(jù)的讀寫。連接時應(yīng)注意:1. CPU總線的帶負載能力 存儲器主要是電容負載，在簡單系統(tǒng)中，CPU可直接與存儲器相連，在較大系統(tǒng)中，需加驅(qū)動器再與存儲器相連。2. CPU時序與存儲器存取速度之間的配合 CPU的取指周期和對存儲器讀寫都有固定的時序，由此決定了對存儲器存取速度的要求。若存儲器芯片已定，應(yīng)考慮如何插入TW。3. 存儲器地址分配和片選 內(nèi)存分為ROM區(qū)和RAM區(qū)，RAM區(qū)又分為系統(tǒng)區(qū)和用戶區(qū)，每個芯片的片內(nèi)地址由CPU的低位地址來選擇，芯片的片選信號由CPU的高位地址譯碼取得。4. 控制信號的連接5.4.1 存儲器的地址選擇存儲器的地址選擇 存儲

24、器系統(tǒng)通常由許多存儲器芯片組成，對存儲器的尋址必存儲器系統(tǒng)通常由許多存儲器芯片組成，對存儲器的尋址必須有兩部分：低位地址線連到所有存儲器芯片，實現(xiàn)片內(nèi)尋址；須有兩部分：低位地址線連到所有存儲器芯片，實現(xiàn)片內(nèi)尋址；高位地址線通過譯碼器或線性組合后輸出作為芯片的片選信號，高位地址線通過譯碼器或線性組合后輸出作為芯片的片選信號，實現(xiàn)片間尋址。實現(xiàn)片間尋址。 存儲器地址選擇有三種方法：存儲器地址選擇有三種方法：1.線性選擇方式線性選擇方式 將某根高位地址線直接作為芯片的片選。將某根高位地址線直接作為芯片的片選。 電路簡單，但地址分配重疊，且地址空間不連續(xù)。電路簡單，但地址分配重疊，且地址空間不連續(xù)。

25、適于用在容量小且不要求擴充的系統(tǒng)中。適于用在容量小且不要求擴充的系統(tǒng)中。 1 1芯片的地址范圍：芯片的地址范圍：200020003FFFH , 6000 3FFFH , 6000 7FFFH 7FFFH 2 2芯片的地址范圍：芯片的地址范圍：800080009FFFH , C000 9FFFH , C000 DFFFH DFFFH 2.2.全譯碼選擇方式全譯碼選擇方式 對全部高位地址進行譯碼，輸出作為片選。對全部高位地址進行譯碼，輸出作為片選。 譯碼電路復(fù)雜，但所得地址是唯一且連續(xù)的，并且便于內(nèi)存擴充。譯碼電路復(fù)雜，但所得地址是唯一且連續(xù)的，并且便于內(nèi)存擴充。第一片：地址范圍為0000003F

26、FFH 第二片：地址范圍為0400007FFFH 第三片：地址范圍為080000BFFFH 第四片：地址范圍為0C0000FFFFH 3.3.部分譯碼選擇方式部分譯碼選擇方式 將高位地址線中的幾位經(jīng)過譯碼后作為片選控制。將高位地址線中的幾位經(jīng)過譯碼后作為片選控制。例如：例如： 要設(shè)計一個要設(shè)計一個8K8K8 8的存儲器系統(tǒng)，采用的存儲器系統(tǒng)，采用2K2K8 8的的RAMRAM芯片芯片4 4片，選片，選用用A13A13A11A11作為作為74LS13874LS138的譯碼輸入，譯碼輸出端的譯碼輸入，譯碼輸出端Y0Y0Y3Y3作為片選信號，作為片選信號，則其地址分配為：則其地址分配為：第一片：第一

27、片：0000000000007FFH 007FFH 第二片：第二片：008000080000FFFH 00FFFH 第三片：第三片：0100001000017FFH 017FFH 第四片：第四片：018000180001FFFH 01FFFH 由于由于A19 A19 A14A14可以任意選擇，所以地址有重疊區(qū)。可以任意選擇，所以地址有重疊區(qū)。 若采用若采用Y4Y4Y7Y7作為片選信號，作為片選信號，4 4片片RAMRAM芯片的地址分配又不同，分別為：芯片的地址分配又不同，分別為：第一片：第一片：0200002000027FFH 027FFH 第二片：第二片：028000280002FFFH 0

28、2FFFH 第三片：第三片：0300003000037FFH 037FFH 第四片：第四片：038000380003FFFH 03FFFH 5.4.25.4.2存儲器的數(shù)據(jù)線和控制線的連接存儲器的數(shù)據(jù)線和控制線的連接 8086CPU8086CPU數(shù)據(jù)線有數(shù)據(jù)線有1616位，可以讀寫一個字節(jié)，也可以讀寫一個位，可以讀寫一個字節(jié)，也可以讀寫一個字。字。 與與8086CPU8086CPU相連的存儲器分為奇偶兩個存儲體，用相連的存儲器分為奇偶兩個存儲體，用A0A0和和BHEBHE分別選擇。分別選擇。 若若A0=0A0=0選中偶地址存儲體，它的數(shù)據(jù)線連到總線低選中偶地址存儲體，它的數(shù)據(jù)線連到總線低8 8位位D7D7D0D0； 若若BHE=0BHE=0選中奇地址存儲體，它的數(shù)據(jù)線連到總線高選中奇地址存儲體，它的數(shù)據(jù)線連到總線高8 8位位D15D15D8D8； 若讀寫一個字，若讀寫一個字，A0A0和和BHEBHE都位都位0 0，兩個存儲體全選中。，兩個存儲體全選中。 控制線主要有地址鎖存控制線主要有地址鎖存ALEALE，讀，讀RDRD，寫，寫WRWR，存儲器或，存儲器或I/OI/O選擇選擇M