1、高壓低功耗同步升壓控制芯片HB6803功能特性簡述高效率90%同步N型MOSFET整流VCC寬輸入范圍：2.5V至24V1.5%的輸出電壓精度高位電流采樣空載時(shí)低靜態(tài)電流：60uA內(nèi)置軟啟動(dòng)開關(guān)頻率600/900KHz關(guān)斷電流8uAPWM峰值電流?？刂戚p載自動(dòng)切換Burst模式邏輯控制使能端Cycle-By-Cycle峰值電流限制工作環(huán)境溫度范圍：-40C125CDFN12LTSSOP14L封裝應(yīng)用移動(dòng)電話工業(yè)供電通訊硬件概述HB6803是一款恒定頻率PWM電流?？刂?，驅(qū)動(dòng)N型功率管的高效同步升壓芯片。同步整流提高效率，減小功耗，并且減輕散熱要求，所以HB6803可以應(yīng)用在大功率環(huán)境。2.5V

2、到24V的輸入電壓支持供電系統(tǒng)和電池的較寬范圍應(yīng)用。根據(jù)負(fù)載情況的變化自動(dòng)切換工作*II式，在輕載Burst模式下靜態(tài)電流低至60uA。HB6803內(nèi)置峰值電流限制和輸出過壓保護(hù)。在ENB邏輯控制為高時(shí)，芯片電流降至8uA以下。典型應(yīng)用電路2.5-24V7.5m3.3uQVCCLXENBHGATECSNHB6803BOOTCSPLDO121110心0.27u5-24VVOUT6COMPLGATEFBGND8U84.7u管腳定義HB6803DFN12L封裝HB6803TSS0P-14封裝45VCCLXENBHGATECSNHB6803BOOTCSPLDOCOMPLGATEFBGNDO12111v

3、.：,cLXENBHGATECSNCSPALDOCOMPPLLMJFBLGATEAGNDPGNDHE戰(zhàn)03A141331245106g-sDFN12L封裝序號符號I/O描述1VCCI輸入電源2ENBI使能端3CSNI高位電流檢測輸入負(fù)端4CSPI高位電流檢測輸入正端5COMPO環(huán)路補(bǔ)償管腳6FBI輸出端反饋電壓7GND-模擬地8LGATEO同步低位功率MOSFET驅(qū)動(dòng)輸出9LDOO5V內(nèi)置穩(wěn)壓輸出10BOOT-同步高位功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電源正端11HGATEO同步高位功率MOSFET驅(qū)動(dòng)輸出12LX-同步高位功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電源負(fù)端SSOP-14封裝序號符號I/O描述1VCCI輸入電源2

4、ENBI使能端3CSNI高位電流檢測輸入負(fù)端4CSPI高位電流檢測輸入正端5COMPO環(huán)路補(bǔ)償管腳6FBI輸出端反饋電壓7AGND-模擬地8PGND功率地9LGATEO同步低位功率MOSFET驅(qū)動(dòng)輸出10PLDOO功率5V內(nèi)置穩(wěn)壓輸出11ALDOO模5V內(nèi)置穩(wěn)壓輸出12BOOT同步高位功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電源正端13HGATEO同步高位功率MOSFET驅(qū)動(dòng)輸出14LX同步高位功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電源負(fù)端模塊功能框圖VCCLDOENGNDCOMPBOOTHGATELXLGATECSNCSPFB最大工作范圍最小取大單位VCC,EN-0.340VBOOT-LX,LDO-0.36電壓范圍FB-0.36

5、HGATE-LX,LGATE-0.3LDOCSP-0.340LX-240工作結(jié)溫-40125C推薦工作條件最小取大單位VCC2.524VBOOT-LX,LDO05電壓范圍FB05HGATE-LX,LGATE0LDOCSP-CSN-0.20.2LX-240工作結(jié)溫0125C電氣參數(shù)2.5V<VCC<24V,0C<Tj<125C,典型情況Temp=25CVCC=12V參爹符號測試條件最小典型取大單位輸入電壓電流VCC供電電壓VCC2.524VVCC供電電流IVCCBurst休眠模式，F(xiàn)B=1.25V,E60uAEN=0V8uAFB電壓調(diào)整調(diào)整反饋電壓VFB1V反饋電壓精度-

6、1.5%+1.5%FB負(fù)載調(diào)整率CSP-CSN從0至U120mV0.013%/mVFB電壓調(diào)整率VCC從3至U40V0.002%/VLDO輸出LDO輸出電壓LDO5.2V<VCC<24V,LDO負(fù)載0到50mA5VLDO欠壓鎖定VUVLOLDO上升2.1VLDO下降2VENB使能VENBENB高電平2VENB0.5VCSP使能VCSPCSP高電平2.2VCSP低電平2.1V振蕩器和驅(qū)動(dòng)輸出開關(guān)振蕩頻率FOSC600/900kHz最大占空比DMAX83%最小開啟時(shí)間TMIN80ns驅(qū)動(dòng)輸出上升時(shí)間TrCload=5nF,10%to90%20ns驅(qū)動(dòng)輸出下降時(shí)間TfCload=5nF,

7、90%to10%20夕匕區(qū)時(shí)間TidleCload=5nF40ns保護(hù)FB過壓保護(hù)閾值Vovp1.1V零電流保護(hù)閾值VZCDVCC-CS,檢測電阻兩端壓降3mV最大峰值電流保護(hù)閾值VLIMVCC-CS,檢測電阻兩端壓降120mV內(nèi)置溫度保護(hù)閾值Ttemp160C溫度遲滯Thys20功能描述主控制回路HB6803采用恒定頻率，電流模升壓控制結(jié)構(gòu)。在正常模式，底部主功率MOSFET在時(shí)鐘置位時(shí)打開，在ICMP峰值電流控制比較器復(fù)位時(shí)關(guān)斷。峰值電流比較器的由電感電流和誤差放大器EA的輸出觸發(fā)和產(chǎn)生復(fù)位信號。誤差放大器比較輸出的反饋電壓FB和內(nèi)部的1.2V基準(zhǔn)。在底部主功率MOSFET關(guān)斷時(shí)，頂部整流

8、MOSFET開啟；在電感電流臨界，即將開始反向時(shí)，頂部整流MOSFET斷開。LDO輸出對頂部和底部MOSFET驅(qū)動(dòng)和大部分內(nèi)部電路供電。最大電流限制在50mA。關(guān)閉和啟動(dòng)HB6803在ENB為高時(shí)關(guān)閉。此時(shí)芯片的功耗降到8uA以下。ENB為邏輯低電平時(shí)，芯片啟動(dòng)。最大峰值電流限制HB6803在正常模式工作時(shí)，外部檢測電阻上的壓降超過120mV時(shí)，PWM控制器立即關(guān)斷以防止電感電流過高。輕載Burst模式HB6803能在輕載時(shí)自動(dòng)切換到Burst模式，提高工作效率。當(dāng)電感的平均電流高于負(fù)載所需時(shí)，誤差放大器EA的輸出會(huì)隨之降低，當(dāng)EA的輸出低到閾值時(shí)，進(jìn)入Burst的休眠模式，外部主MOSFET和整流MOSFET均關(guān)斷。此時(shí)，HB6803內(nèi)部大部分電路也關(guān)斷，總電流減小到60uA。當(dāng)輸出反饋電壓FB降低，誤差放大器的輸出開始升高，Burst的休眠模式終止，環(huán)路繼續(xù)正常工作。輸出過電壓保護(hù)HB6803內(nèi)置過電壓保護(hù)功能。當(dāng)輸出電壓過高時(shí)，比如說負(fù)載突然移除時(shí)產(chǎn)生的過電壓，該功能可以保護(hù)芯片本身和其他元器件。當(dāng)FB大于1.1V時(shí)，該功能立即關(guān)閉PWM控制器，底部和整流MOSFET的驅(qū)動(dòng)。封裝和包裝尺寸SYMBOLMILLIMETERMINN1JMMAXA0.700,75o.soAl0,020.05b0-160