1、高分辨率雙側(cè)向儀器高分辨率雙側(cè)向儀器測(cè)井方法及現(xiàn)場運(yùn)用測(cè)井方法及現(xiàn)場運(yùn)用2021年年06月月22日日內(nèi)部培訓(xùn)資料內(nèi)部培訓(xùn)資料提提 綱綱一、預(yù)備知識(shí)一、預(yù)備知識(shí)二、儀器研發(fā)背景二、儀器研發(fā)背景三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理四、探測(cè)深度四、探測(cè)深度五、分層才干五、分層才干六、井眼影響六、井眼影響七、參考七、參考N N電極的電位影響電極的電位影響八、數(shù)值模擬對(duì)比八、數(shù)值模擬對(duì)比九、現(xiàn)場運(yùn)用九、現(xiàn)場運(yùn)用十、總結(jié)十、總結(jié)一、預(yù)備知識(shí)一、預(yù)備知識(shí) 普通電阻率測(cè)井電流非聚焦，受井眼等環(huán)境影響大分流，因此開展了聚焦側(cè)向測(cè)井，參與聚焦電極，使主電流盡能夠程度流入地層，減小井眼、圍巖的分流作用。

2、 側(cè)向儀器丈量結(jié)果主要受井眼泥漿、侵入帶、圍巖等要素影響，往往不能測(cè)到原狀地層電阻率，丈量結(jié)果稱視電阻率Ra。一、預(yù)備知識(shí)一、預(yù)備知識(shí) 假設(shè)被測(cè)物體兩端的電壓為假設(shè)被測(cè)物體兩端的電壓為VMNVMN，經(jīng)過的電流為經(jīng)過的電流為I,I,那么電阻定義為電那么電阻定義為電壓與電流的比值壓與電流的比值,r=VMN/I,r=VMN/I。 假設(shè)被測(cè)物體的橫截面積為假設(shè)被測(cè)物體的橫截面積為S S，長度為長度為L L，電阻率為，電阻率為R, R, r=VMN/I=Rr=VMN/I=R* *L/S=L/S=R=(S/L)R=(S/L)* * VMN/I, VMN/I,S/LS/L定義為常數(shù)定義為常數(shù)K,K,R=K

3、R=K * * VMN/I VMN/I側(cè)向中的側(cè)向中的M M在電極系上，在電極系上，N N普通在加普通在加長電極、魚雷處或地面。長電極、魚雷處或地面。提提 綱綱一、預(yù)備知識(shí)一、預(yù)備知識(shí)二、儀器研發(fā)背景二、儀器研發(fā)背景三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理四、探測(cè)深度四、探測(cè)深度五、分層才干五、分層才干六、井眼影響六、井眼影響七、參考七、參考N N電極的電位影響電極的電位影響八、數(shù)值模擬對(duì)比八、數(shù)值模擬對(duì)比九、現(xiàn)場運(yùn)用九、現(xiàn)場運(yùn)用十、總結(jié)十、總結(jié)二、儀器研發(fā)背景二、儀器研發(fā)背景 雙側(cè)向測(cè)井是在三側(cè)向和雙側(cè)向測(cè)井是在三側(cè)向和七側(cè)向的根底上開展起來的；七側(cè)向的根底上開展起來的；其電極系陳列

4、與七側(cè)向非常類其電極系陳列與七側(cè)向非常類似，在七側(cè)向的根底上添加了似，在七側(cè)向的根底上添加了兩個(gè)屏蔽電極兩個(gè)屏蔽電極A1A1和和A2A2；斯侖貝謝斯侖貝謝CSUCSU雙側(cè)向、雙側(cè)向、Atlas 1229 Atlas 1229 3700 3700 、1239 1239 5700 5700 、哈利伯頓、哈利伯頓EXCELL2000 DLLT-B/MSFLEXCELL2000 DLLT-B/MSFL等都等都屬于普通雙側(cè)向儀器。屬于普通雙側(cè)向儀器。普通雙側(cè)向儀器普通雙側(cè)向儀器二、儀器研發(fā)背景二、儀器研發(fā)背景 多年來雙側(cè)向測(cè)井是廣泛運(yùn)用的測(cè)井方法之一，在油氣田的勘探與開發(fā)中起到很大的作用。隨著石油勘探開

5、發(fā)的深化開展，薄層、裂痕層等油氣藏的開發(fā)顯得日益重要，這要求測(cè)井儀器能對(duì)更薄的地層進(jìn)展探測(cè)。 普通雙側(cè)向具有較深的探測(cè)深度，但它的缺陷是：垂直分辨率較差，約為2至3英尺0.60.9m，無法識(shí)別薄層和薄互層，難以滿足油田對(duì)薄層油氣藏勘探開發(fā)的需求；電極系較長特別是深側(cè)向的第二屏蔽電極很長，普通在8.5m以上，不利于現(xiàn)場測(cè)井施工和組合測(cè)井。 高分辨率雙側(cè)向是在傳統(tǒng)雙側(cè)向的根底上，對(duì)電極系進(jìn)展改良，提出了新型的電極系構(gòu)造。其特點(diǎn)是：大大地縮短了電極系長度主電極系為4m左右；既堅(jiān)持了傳統(tǒng)雙側(cè)向深淺探測(cè)深度，又大大提高了縱向分層才干0.4m左右，在大部分地域，高分辨率雙側(cè)向可以取代常規(guī)雙側(cè)向用于常規(guī)測(cè)井

6、。二、儀器研發(fā)背景二、儀器研發(fā)背景 高分辨率雙側(cè)向是在傳統(tǒng)雙側(cè)向的根底上，對(duì)電極系進(jìn)展改良，提出了新型的電極系構(gòu)造。其特點(diǎn)是：大大地縮短了電極系長度主電極系為4m左右；既堅(jiān)持了傳統(tǒng)雙側(cè)向深淺探測(cè)深度，又大大提高了縱向分層才干0.4m左右，在大部分地域，高分辨率雙側(cè)向可以取代常規(guī)雙側(cè)向用于常規(guī)測(cè)井。二、儀器研發(fā)背景二、儀器研發(fā)背景提提 綱綱一、預(yù)備知識(shí)一、預(yù)備知識(shí)二、儀器研發(fā)背景二、儀器研發(fā)背景三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理四、探測(cè)深度四、探測(cè)深度五、分層才干五、分層才干六、井眼影響六、井眼影響七、參考七、參考N N電極的電位影響電極的電位影響八、數(shù)值模擬對(duì)比八、數(shù)值模擬對(duì)比九

7、、現(xiàn)場運(yùn)用九、現(xiàn)場運(yùn)用十、總結(jié)十、總結(jié)電極系構(gòu)造對(duì)比電極系構(gòu)造對(duì)比三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理 A1* A1 A0 A0 M2 M1 M2 A2 A1 A1* A2 A1* A1 M2 M1 M2 A0A0 M2 A2 A1 A1* A2 高分辨率雙側(cè)向高分辨率雙側(cè)向5700雙側(cè)向雙側(cè)向構(gòu)造陳列類似、尺寸不同中間對(duì)應(yīng)電極功能不同任務(wù)原理對(duì)比任務(wù)原理對(duì)比深側(cè)向深側(cè)向淺側(cè)向淺側(cè)向)0()0()1(+=AdAdMddadIIVKR)0()0()1(+=AsAsMssasIIVKR三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理小小 結(jié)結(jié) 高分辨率雙側(cè)向電極系構(gòu)造外觀上看與普通雙側(cè)

8、向沒有什高分辨率雙側(cè)向電極系構(gòu)造外觀上看與普通雙側(cè)向沒有什么區(qū)別，但是各電極尺寸都不一樣，最重要的是中間一組電極么區(qū)別，但是各電極尺寸都不一樣，最重要的是中間一組電極承當(dāng)?shù)墓δ芘c普通雙側(cè)向完全不同。承當(dāng)?shù)墓δ芘c普通雙側(cè)向完全不同。 高分辨率雙側(cè)向深、淺聚焦任務(wù)根本原理與普通雙側(cè)向一高分辨率雙側(cè)向深、淺聚焦任務(wù)根本原理與普通雙側(cè)向一致，區(qū)別在于高分辨率雙側(cè)向的主流由兩個(gè)電極共同發(fā)射，再致，區(qū)別在于高分辨率雙側(cè)向的主流由兩個(gè)電極共同發(fā)射，再加上電極尺寸和各電極間間隔以及監(jiān)控電位等要素，構(gòu)成一種加上電極尺寸和各電極間間隔以及監(jiān)控電位等要素，構(gòu)成一種過聚焦任務(wù)形狀，從而實(shí)現(xiàn)儀器的高分辨率，但帶來直接的

9、問過聚焦任務(wù)形狀，從而實(shí)現(xiàn)儀器的高分辨率，但帶來直接的問題是井眼影響嚴(yán)重。題是井眼影響嚴(yán)重。三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理提提 綱綱一、預(yù)備知識(shí)一、預(yù)備知識(shí)二、儀器研發(fā)背景二、儀器研發(fā)背景三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理四、探測(cè)深度四、探測(cè)深度五、分層才干五、分層才干六、井眼影響六、井眼影響七、參考七、參考N N電極的電位影響電極的電位影響八、數(shù)值模擬對(duì)比八、數(shù)值模擬對(duì)比九、現(xiàn)場運(yùn)用九、現(xiàn)場運(yùn)用十、總結(jié)十、總結(jié)四、探四、探 測(cè)測(cè) 深深 度度探測(cè)深度定義探測(cè)深度定義偽幾何因子曲線（Rt=30,Rxo=10,Rm=1,井徑8英寸）0.00.10.20.30.40.

10、50.60.70.80.91.00.00.51.01.52.02.53.03.5徑向深度(m)偽幾何因子5700淺側(cè)向5700深側(cè)向高分辨率淺側(cè)向高分辨率深側(cè)向Ra=GRa=G* *Rxo+(1-G)Rxo+(1-G)* *RtRt受侵入影受侵入影響小響小四、探四、探 測(cè)測(cè) 深深 度度小小 結(jié)結(jié) 側(cè)向儀器的探測(cè)深度目的都是在某一特定側(cè)向儀器的探測(cè)深度目的都是在某一特定環(huán)境下的一種定義，它是一種宏觀描畫，與感環(huán)境下的一種定義，它是一種宏觀描畫，與感應(yīng)是有本質(zhì)區(qū)別的。因此，儀器目的中的探測(cè)應(yīng)是有本質(zhì)區(qū)別的。因此，儀器目的中的探測(cè)深度普通都要注明條件，并且只作為一種參考，深度普通都要注明條件，并且只

11、作為一種參考，并不是絕對(duì)意義上的探測(cè)深度。并不是絕對(duì)意義上的探測(cè)深度。提提 綱綱一、預(yù)備知識(shí)一、預(yù)備知識(shí)二、儀器研發(fā)背景二、儀器研發(fā)背景三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理四、探測(cè)深度四、探測(cè)深度五、分層才干五、分層才干六、井眼影響六、井眼影響七、參考七、參考N N電極的電位影響電極的電位影響八、數(shù)值模擬對(duì)比八、數(shù)值模擬對(duì)比九、現(xiàn)場運(yùn)用九、現(xiàn)場運(yùn)用十、總結(jié)十、總結(jié)五、分五、分 層層 能能 力力圍巖校正圖版對(duì)比圍巖校正圖版對(duì)比深側(cè)向圍巖校正(Rs=10,Rm=1,井眼=8英寸)0.01.02.03.04.00.010.101.0010.00100.00層厚(m)Rc/Ra5700Rt

12、/Rs=105700Rt/Rs=55700Rt/Rs=2高分辨率Rt/Rs=10高分辨率Rt/Rs=5高分辨率Rt/Rs=2校正系數(shù)校正系數(shù)目的層厚目的層厚高分辨率為高分辨率為0.3-0.4m0.3-0.4m57005700為為0.7-0.8m0.7-0.8m五、分五、分 層層 能能 力力小小 結(jié)結(jié) 高分辨率雙側(cè)向圍巖影響比普通雙側(cè)向小，同等條高分辨率雙側(cè)向圍巖影響比普通雙側(cè)向小，同等條件下分層才干優(yōu)于普通雙側(cè)向，可以有效分辨件下分層才干優(yōu)于普通雙側(cè)向，可以有效分辨0.3-0.4m0.3-0.4m的薄層。的薄層。提提 綱綱一、預(yù)備知識(shí)一、預(yù)備知識(shí)二、儀器研發(fā)背景二、儀器研發(fā)背景三、電極系構(gòu)造及

13、任務(wù)原理三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理四、探測(cè)深度四、探測(cè)深度五、分層才干五、分層才干六、井眼影響六、井眼影響七、參考七、參考N N電極的電位影響電極的電位影響八、數(shù)值模擬對(duì)比八、數(shù)值模擬對(duì)比九、現(xiàn)場運(yùn)用九、現(xiàn)場運(yùn)用十、總結(jié)十、總結(jié)六、井六、井 眼眼 影影 響響井眼校正圖版對(duì)比井眼校正圖版對(duì)比高分辨率深側(cè)向井眼校正曲線0.40.50.60.70.80.91.01.11.21.31.41.51.010.0100.01000.010000.0HRLD/RmRc/HRLD6英寸8英寸10英寸12英寸14英寸16英寸5700淺側(cè)向井眼校正曲線0.40.50.60.70.80.91.01.11.21.31.4

14、1.51.010.0100.01000.010000.0LLS/RmRc/LLS6英寸8英寸10英寸12英寸14英寸16英寸高分辨率淺側(cè)向井眼校正曲線0.40.50.60.70.80.91.01.11.21.31.41.51.010.0100.01000.010000.0HRLS/RmRc/HRLS6英寸8英寸10英寸12英寸14英寸16英寸校正系數(shù)校正系數(shù)六、井六、井 眼眼 影影 響響小小 結(jié)結(jié)u 高分辨率雙側(cè)向井眼影響復(fù)雜，校正曲線交錯(cuò)不單調(diào)，尤高分辨率雙側(cè)向井眼影響復(fù)雜，校正曲線交錯(cuò)不單調(diào)，尤其是在其是在Ra/Rm10Ra/Rm10范圍，校正曲線幅度變化猛烈，儀器丈量的范圍，校正曲線幅度

15、變化猛烈，儀器丈量的視電阻率會(huì)偏高，需求做有效井眼校正，其它范圍與視電阻率會(huì)偏高，需求做有效井眼校正，其它范圍與57005700雙雙側(cè)向吻合較好；側(cè)向吻合較好；u井眼校正可以在宏觀上處理高分辨率井眼影響嚴(yán)重問題，井眼校正可以在宏觀上處理高分辨率井眼影響嚴(yán)重問題，改善曲線質(zhì)量，但在細(xì)節(jié)上還存在缺乏之處；改善曲線質(zhì)量，但在細(xì)節(jié)上還存在缺乏之處；u在進(jìn)展井眼校正過程中，泥漿電阻率是其中一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，在進(jìn)展井眼校正過程中，泥漿電阻率是其中一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，測(cè)準(zhǔn)泥漿電阻率尤為重要；還有橢圓井徑影響；測(cè)準(zhǔn)泥漿電阻率尤為重要；還有橢圓井徑影響；u井眼校正圖版計(jì)算模型理想，而實(shí)踐丈量值是受各種環(huán)境井眼校正圖版計(jì)算

16、模型理想，而實(shí)踐丈量值是受各種環(huán)境要素和復(fù)雜地層模型綜合影響得到的，這種校正并不是準(zhǔn)確要素和復(fù)雜地層模型綜合影響得到的，這種校正并不是準(zhǔn)確校正；校正；u井眼曲線切線斜率越大，越不利于準(zhǔn)確校正，容易帶來較井眼曲線切線斜率越大，越不利于準(zhǔn)確校正，容易帶來較大校正誤差。大校正誤差。提提 綱綱一、預(yù)備知識(shí)一、預(yù)備知識(shí)二、儀器研發(fā)背景二、儀器研發(fā)背景三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理四、探測(cè)深度四、探測(cè)深度五、分層才干五、分層才干六、井眼影響六、井眼影響七、參考七、參考N N電極的電位影響電極的電位影響八、數(shù)值模擬對(duì)比八、數(shù)值模擬對(duì)比九、現(xiàn)場運(yùn)用九、現(xiàn)場運(yùn)用十、總結(jié)十、總結(jié)七、參考七、參考

17、N電極的電位影響電極的電位影響 格羅寧根效應(yīng)Groningen effect 雙雙側(cè)側(cè)向向儀儀器器 B 電電極極(魚魚雷雷電電纜纜外外皮皮) （魚魚雷雷） 加加長長電電極極馬馬籠籠頭頭 井井下下 N 電電極極 特拉華效應(yīng)特拉華效應(yīng)Delaware effect 雙雙側(cè)側(cè)向向儀儀器器 B 電電極極(魚魚雷雷電電纜纜外外皮皮) （魚魚雷雷） 加加長長電電極極馬馬籠籠頭頭 井井下下N 電電極極 高高阻阻厚厚層層 七、參考七、參考N電極的電位影響電極的電位影響或套管下部幾十米或套管下部幾十米七、七、Groningen、Delaware效效應(yīng)應(yīng)特拉華效應(yīng)特拉華效應(yīng) 地面N電極受外界影響遼河榮161-29

18、井七、參考七、參考N電極的電位影響電極的電位影響提提 綱綱一、預(yù)備知識(shí)一、預(yù)備知識(shí)二、儀器研發(fā)背景二、儀器研發(fā)背景三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理四、探測(cè)深度四、探測(cè)深度五、分層才干五、分層才干六、井眼影響六、井眼影響七、參考七、參考N N電極的電位影響電極的電位影響八、數(shù)值模擬對(duì)比八、數(shù)值模擬對(duì)比九、現(xiàn)場運(yùn)用九、現(xiàn)場運(yùn)用十、總結(jié)十、總結(jié)八、數(shù)值模擬八、數(shù)值模擬低圍巖對(duì)比低圍巖對(duì)比低阻井眼影低阻井眼影響導(dǎo)致丈量響導(dǎo)致丈量值偏高值偏高受侵入影響受侵入影響小，峰值更小，峰值更接近地層真接近地層真電阻率電阻率八、數(shù)值模擬八、數(shù)值模擬高圍巖對(duì)比高圍巖對(duì)比受井眼影響受井眼影響小與小與57

19、005700丈丈量值接近量值接近圍巖影響小圍巖影響小于于57005700丈量丈量值接近圍巖值接近圍巖提提 綱綱一、預(yù)備知識(shí)一、預(yù)備知識(shí)二、儀器研發(fā)背景二、儀器研發(fā)背景三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理三、電極系構(gòu)造及任務(wù)原理四、探測(cè)深度四、探測(cè)深度五、分層才干五、分層才干六、井眼影響六、井眼影響七、參考七、參考N N電極的電位影響電極的電位影響八、數(shù)值模擬對(duì)比八、數(shù)值模擬對(duì)比九、現(xiàn)場運(yùn)用九、現(xiàn)場運(yùn)用十、總結(jié)十、總結(jié)九、現(xiàn)九、現(xiàn) 場場 應(yīng)應(yīng) 用用儀器主要運(yùn)用區(qū)塊儀器主要運(yùn)用區(qū)塊 高分辨率雙側(cè)向研制的目的主要是在中高阻地域可以高分辨率雙側(cè)向研制的目的主要是在中高阻地域可以有效的識(shí)別薄層、薄互層，可以替代常規(guī)

20、雙側(cè)向儀器進(jìn)展有效的識(shí)別薄層、薄互層，可以替代常規(guī)雙側(cè)向儀器進(jìn)展測(cè)井效力。測(cè)井效力。 高分辨率雙側(cè)向的主要優(yōu)勢(shì)并不在低阻地域，假設(shè)必高分辨率雙側(cè)向的主要優(yōu)勢(shì)并不在低阻地域，假設(shè)必需在低阻地域運(yùn)用，應(yīng)該進(jìn)展有效井眼校正，曲線質(zhì)量可需在低阻地域運(yùn)用，應(yīng)該進(jìn)展有效井眼校正，曲線質(zhì)量可以得到改善，但要留意校正存在的一些問題。以得到改善，但要留意校正存在的一些問題。九、現(xiàn)九、現(xiàn) 場場 應(yīng)應(yīng) 用用與與57005700雙側(cè)向?qū)Ρ入p側(cè)向?qū)Ρ韧鹿|吐哈牛東8-58-5丈量值高丈量值高于于57005700雙雙側(cè)向側(cè)向丈量值與丈量值與57005700雙側(cè)向雙側(cè)向吻合較好吻合較好校正后效校正后效果明顯果明顯九、現(xiàn)九

21、、現(xiàn) 場場 應(yīng)應(yīng) 用用與與57005700陣列感應(yīng)對(duì)比陣列感應(yīng)對(duì)比 九、現(xiàn)九、現(xiàn) 場場 應(yīng)應(yīng) 用用井眼校正存在的問題井眼校正存在的問題 屬于特低屬于特低阻，原始阻，原始丈量值相丈量值相近？近？疙南疙南1 1井井九、現(xiàn)九、現(xiàn) 場場 應(yīng)應(yīng) 用用井眼校正存在的問題井眼校正存在的問題 神神3 3井井用用Y Y井徑進(jìn)井徑進(jìn)展校正展校正九、現(xiàn)九、現(xiàn) 場場 應(yīng)應(yīng) 用用井眼校正存在的問題井眼校正存在的問題 神神3 3井井用密度井用密度井徑進(jìn)展校徑進(jìn)展校正正兩種側(cè)向低阻兩種側(cè)向低阻丈量值接近，丈量值接近，表現(xiàn)了側(cè)向丈表現(xiàn)了側(cè)向丈量的復(fù)雜性，量的復(fù)雜性，應(yīng)該與感應(yīng)曲應(yīng)該與感應(yīng)曲線做對(duì)比線做對(duì)比九、現(xiàn)九、現(xiàn) 場場

22、應(yīng)應(yīng) 用用井眼校正存在的問題井眼校正存在的問題校 正過大 校正后泥巖段出現(xiàn)負(fù)差別 九、現(xiàn)九、現(xiàn) 場場 應(yīng)應(yīng) 用用本卷須知本卷須知u測(cè)準(zhǔn)三參數(shù)中的泥漿電阻率。由于泥漿電阻率是井眼校測(cè)準(zhǔn)三參數(shù)中的泥漿電阻率。由于泥漿電阻率是井眼校正的關(guān)鍵參數(shù)，假設(shè)泥漿電阻率測(cè)不準(zhǔn)，直接影響到井眼正的關(guān)鍵參數(shù)，假設(shè)泥漿電阻率測(cè)不準(zhǔn)，直接影響到井眼校正效果。因此三參數(shù)儀器應(yīng)按要求和步驟進(jìn)展定期刻度。校正效果。因此三參數(shù)儀器應(yīng)按要求和步驟進(jìn)展定期刻度。u假設(shè)必需在低阻地域測(cè)井，儀器串中應(yīng)該銜接有丈量井假設(shè)必需在低阻地域測(cè)井，儀器串中應(yīng)該銜接有丈量井徑曲線的儀器，假設(shè)沒有需地面輸入固定井徑值固定井徑曲線的儀器，假設(shè)沒有需地面輸入固定井徑值固定井徑值校正效果沒有丈量值好，進(jìn)展有效井眼校正，目前徑值校正效果沒有丈量值好，進(jìn)展有效井眼校正，目前井眼校正已集成到地面軟件的新版本中。井眼校正已集成到地面軟件的新版本中。u測(cè)井時(shí)必需按要求在指定位置上下測(cè)井時(shí)必需按要求在指定位置上下A2A2電極部分加裝電極部分加裝間隙器，以減少儀器偏心對(duì)丈量結(jié)果間隙器，以減少儀器偏心對(duì)丈量結(jié)果RaRa的影響。的影響。u儀器上電子儀上端必需按操作要求銜接絕緣短節(jié)儀器上電子儀上端必需按操作要求銜接絕緣短節(jié)u建議盡量采用地面建議盡量采用地面N N電極進(jìn)