缺陷測高方法-6dB法測定缺陷自身高度_第1頁
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文檔簡介

1、缺陷測高方法-6dB法測定缺陷自身高度T.1 一般要求T.1.1 使用-6dB法測定缺陷自身高度時，應(yīng)盡可能采用直射波法。T.1.2 靈敏度應(yīng)根據(jù)需要確定，但應(yīng)使噪聲水平不超過顯示屏滿刻度的10%。T.1.3 原則上應(yīng)選用K1、標稱頻率為2MHz5MHz的探頭為宜。T.1.4 使用聚焦探頭時，其聲束會聚范圍等參數(shù)應(yīng)滿足所探測缺陷位置的要求。T.2 -6dB法T.2.1 -6dB法適用于波形模式類型的缺陷。T.2.2 使探頭垂直于缺陷長度方向移動，注意觀察動態(tài)波形包絡(luò)的形態(tài)變化。若回波高度變化很小，可將回波迅速降落前的波高值，作為-6dB法測高的基點，即圖T.1中的A和A1點。圖T.1 用-6d

2、B法測缺陷自身高度T.3 時基線校準在CSK-IA試塊上校準時基線。T.4 測定將回波高度調(diào)到顯示屏滿刻度的80%100%，移動聲束使之偏離缺陷邊緣，直至回波高度降低6dB。根據(jù)已知的探頭入射點位置、聲束折射角和聲程長度，標出缺陷的邊緣位置。T.4.1 埋藏缺陷的測定缺陷自身高度：H = (W2 W1 ) cos （T.1）式中W1和W2分別為缺陷上、下邊緣位置至入射點的聲程，為探頭折射角。T.4.2 表面開口缺陷的測定T.4.2.1 當缺陷開口位于檢測面一側(cè)時缺陷自身高度：H =W cos （T.2）式中:W 缺陷下邊緣位置至入射點的聲程，mm； 探頭折射角，（）。T.4.2.2 當缺陷開口位于檢測面另一側(cè)時缺陷自身高度：H = t W cos （T.3）式中：t 壁厚，

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