1、第2章 分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 2.2.1 價(jià)層電子對(duì)互斥理論選擇題（共12小題）1.用價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷NO的立體構(gòu)型( )A正四面體BV形C三角錐形D平面三角形2.根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論，判斷下列分子或者離子的空間構(gòu)型不是平面三角形的是( )ASO3BBF3CCO32-DPH33.根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論，判斷下列分子或者離子的空間構(gòu)型是平面三角形的是（）ACO2BH3O+CBF3DPO434.下列分子或離子中，VSEPR(價(jià)層電子對(duì)互斥理論)模型名稱(chēng)與分子或離子的空間構(gòu)型名稱(chēng)不一致的是ACO2BCO32-CH2ODCC145.根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論(VSEPR)，下列分子或者離子的中心原子的V

2、SEPR模型為四面體，且立體構(gòu)型為三角錐形的是 ( )ABF3BH2SCPCl3DSO42-6.用價(jià)層電子對(duì)互斥理論預(yù)測(cè)NH3和BF3的空間構(gòu)型，結(jié)論正確的是（）A直線形；三角錐形BV形；三角錐形C三角錐形；平面三角形D直線形；平面三角形7.下列有關(guān)說(shuō)法正確的是A氧原子處于基態(tài)的軌道表示式B用價(jià)層電子對(duì)互斥理論預(yù)測(cè)的空間結(jié)構(gòu)為三角錐形C用電子式表示的形成：D向5%的溶液中加入粉末后，分解速率迅速加快是因?yàn)榉勰┙档土朔磻?yīng)的焓變8.元素“氦、銣、銫”等是用下列哪種科學(xué)方法發(fā)現(xiàn)的A紅外光譜 B質(zhì)譜 C原子光譜 D核磁共振譜9.能夠確定有機(jī)物相對(duì)分子質(zhì)量的方法是( )A紅外光譜B質(zhì)譜C核磁共振氫譜D紫

3、外光譜10.可以準(zhǔn)確判斷有機(jī)物分子中含有哪些官能團(tuán)的分析方法是A核磁共振氫譜 B質(zhì)譜 C紅外光譜 D紫外光譜11.價(jià)層電子對(duì)互斥理論(VSEPR)是關(guān)于分子幾何構(gòu)型的經(jīng)驗(yàn)規(guī)律，該理論認(rèn)為，分子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)應(yīng)使中心原子價(jià)層電子對(duì)之間的斥力最小，且不同價(jià)層電子對(duì)之間排斥力相對(duì)大小滿足：孤對(duì)電子孤對(duì)電子孤對(duì)電子鍵對(duì)電子鍵對(duì)電子鍵對(duì)電子。如H2O分子中H-O-H104.5，下列推斷不合理的是ANH3分子中H-N-H109.5BH2O鍵角H-O-H小于H3O+鍵角H-O-HC已知P4分子為正四面體，P4O6中的O-P-O小于P4O10中的O-P-ODZn(NH3)62+離子中H-N-H小于NH3分子中H-

4、N-H12.設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法中正確的是（）A標(biāo)準(zhǔn)狀況下，1mol金剛石中含有的CC鍵數(shù)目為4NAB1mol SiO2晶體中含有的SiO鍵數(shù)目為2NAC63g HNO3，中心原子N的價(jià)層電子對(duì)中，孤電子對(duì)數(shù)為NAD常溫常壓下，1mol配合物Cu(NH3)4SO4中，含有的鍵數(shù)目為20NA二填空題（共3小題）13用價(jià)層電子對(duì)互斥理論預(yù)測(cè)下列粒子的立體結(jié)構(gòu)。（1）H2Se_；（2）BCl3_；（3）PCl3_； （4）CO2_；（5）SO2_；（6）SO42-_。14價(jià)層電子對(duì)互斥理論(簡(jiǎn)稱(chēng)VSEPR理論)可用于預(yù)測(cè)簡(jiǎn)單分子的立體構(gòu)型。其要點(diǎn)可以概括為：.用AXnEm表示只含一個(gè)

5、中心原子的分子組成，A為中心原子，X為與中心原子相結(jié)合的原子，E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(duì)(稱(chēng)為孤電子對(duì))，(nm)稱(chēng)為價(jià)層電子對(duì)數(shù)。分子中的價(jià)層電子對(duì)總是互相排斥，均勻地分布在中心原子周?chē)目臻g；.分子的空間構(gòu)型是指分子中的原子在空間的排布，不包括中心原子未成鍵的孤電子對(duì)；.分子中價(jià)層電子對(duì)之間的斥力主要順序?yàn)椋?孤電子對(duì)之間的斥力孤電子對(duì)與共用電子對(duì)之間的斥力共用電子對(duì)之間的斥力；.雙鍵與雙鍵之間的斥力雙鍵與單鍵之間的斥力單鍵與單鍵之間的斥力；.X原子得電子能力越弱，AX形成的共用電子對(duì)之間的斥力越強(qiáng)；.其他。請(qǐng)仔細(xì)閱讀上述材料，回答下列問(wèn)題：根據(jù)要點(diǎn)可以畫(huà)出AXnEm的VSEPR理想模型，請(qǐng)?zhí)顚?xiě)下表nm2_VSEPR理想模型_正四面體形價(jià)層電子對(duì)之間的理想鍵角_10928(2)請(qǐng)用VSEPR模型解釋CO2為直線形分子的原因：_；(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論(VSEPR)判斷下列分子或離子的空間構(gòu)型：分子或離子