1、光子晶體實(shí)驗(yàn)方案實(shí)驗(yàn)?zāi)康模阂怨铻樵?，通過離子束刻蝕(EBL)、十法刻蝕(dry-etching)、電化學(xué)腐蝕等 方法在制備大孔硅的基礎(chǔ)上，通過理論分析、設(shè)計(jì)和模擬，制備具有特殊要求的 二維光子品體。參數(shù)如下：平板硅(11.56)，空氣孔，品格周期a=300um，孔半徑為144um實(shí)驗(yàn)原理：介電常數(shù)周期性改變的材料會(huì)出現(xiàn)對(duì)光子的局域作用，會(huì)產(chǎn)生類似于電子在 半導(dǎo)體中的帶隙結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)材料：所有試驗(yàn)材料參見“光子晶體試驗(yàn)設(shè)備報(bào)表”實(shí)驗(yàn)方案：借助傳統(tǒng)的半導(dǎo)體的工藝，完成三角品格多孔硅的試驗(yàn)制備方法實(shí)驗(yàn)步驟：1、對(duì)硅片表面的氧化物、金屬及其他雜志進(jìn)行清洗，主要使用氧化劑h2o2 和丙酮溶劑。2、使用鍍

2、膜機(jī)在硅的表面鍍一層氮化硅掩膜，再在氮化硅掩膜上使用旋轉(zhuǎn) 涂覆的方法甩上一層600nm厚度的光刻膠3、通過顯影技術(shù)將預(yù)先設(shè)計(jì)好的正方形格子復(fù)制到光刻膠上，進(jìn)而傳遞到 光刻膠下的氮化硅層4、干法刻蝕氮化硅層到硅片5、使用KOH溶液(35wt%40wt%,60C)在硅片表面形成倒金字塔尖端6、電化學(xué)腐蝕的方法腐蝕出深孔硅對(duì)于電化學(xué)腐蝕：6.1、完成實(shí)驗(yàn)步驟第5步后，將已經(jīng)形成腐蝕尖端的硅片的背面通過銅片 與腐蝕電極的陽極相連6.2、將硅片固定在鐵氟龍夾具中，注意密封，保證不會(huì)有腐蝕液透過密封 槽到另一側(cè)6.3、將完成密封的鐵氟龍夾具放到培養(yǎng)皿中，確保有倒金字塔尖端的一側(cè) 與腐蝕液完全接觸。6.4、

3、將體積比大概為1： 1的氫氟酸和乙醇混合溶液500m 1倒入腐蝕槽中， 保證電解液的溫度在20C左右。6.5、鉑絲與腐蝕電極的陰極相連后放入到腐蝕溶液中，連接導(dǎo)線從腐蝕槽 頂端接出6.6、開始腐蝕，10分鐘后完成腐蝕6.7、清洗試驗(yàn)后的硅片實(shí)驗(yàn)分析：一、分析影響試驗(yàn)的因素1、光照強(qiáng)度與腐蝕速率的關(guān)系，光強(qiáng)與孔隙率的關(guān)系2、電解的電流密度與腐蝕的關(guān)系3、電解液的配比與腐蝕的關(guān)系4、腐蝕時(shí)間與結(jié)果的關(guān)系5、產(chǎn)生的氫氣氣泡對(duì)大孔硅的影響6、光照波長(zhǎng)對(duì)多孔硅生長(zhǎng)的影響二、試驗(yàn)中應(yīng)注意事項(xiàng)1、有毒性的化學(xué)藥劑一覽：丙酮：吸入后可引起頭痛，支氣管炎等癥狀。如果大量吸入，還可能失去意 識(shí)。氫氟酸：可經(jīng)皮膚吸入，對(duì)人體組織有脫水腐蝕作用，估計(jì)人攝入1.5g氫 氟酸可致立即死亡，吸入高濃度的氫氟酸酸霧，會(huì)引起支氣