1、所謂的光輝歲月，并不是以后，閃耀的日子，而是無人問津時，你對夢想的偏執(zhí)。同是寒窗苦讀，怎愿甘拜下風(fēng)! *(_ jpiiii匚 FiL 1 300XiTie Fait 1 15, mm號、口。F6 11 NM*2111vMltsriNFC rhl 150 mmC51K BtlCHikmrnn. Md e111r. F.jbV XK Fill. J 3皿山naKh4MlUi3irnFab 5 J (JU mmF.il1 6 Ru( ktMi ISuiLliuu He 山1; Fab 1 200 min 4 Hr, I Ji A FjiL 1 J (MJ BMH Fwet Chi. ZVI ihib

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8、ii BipuLuF向40000L海洎同兩2001 H NEC 5oaScJiortly ChipF岫115000h.州03 10九); 3 ACiMC-|；Jlr:.F孫1?oaoo同悔、M11 判斗技C亡O.WlniFatl60000tr蘇尢n;1M7和曲技tslsFDARLED&bl17000沈陽04 02卜戶“想；京1 CSMC Be值喂k iitnF*加000北京岫幀與 二 _ 節(jié) 電子 Foiusd?r Micro0 3fpie. SiGFatl?O0M406 10西畫電子 Xiyw Eketrome：D g Je C15-E R Md AMl”lwg西安07.01人心道用僻電子B

9、CT.T$RCRjCDFsb20000哈力:演06 05印/中環(huán)半導(dǎo)Ijsema。l?,LtnNAN A犬律在鋌口山彥尼克建LPSBepalnr2 ?1KA-川樂山在也7：一二 HJ5MCO.J：Uui0.930000黑量江大慶在過IC產(chǎn)業(yè)可分為設(shè)備業(yè)、設(shè)計業(yè)、加工業(yè)和支撐業(yè)（包括硅晶圓、各種 化學(xué)試劑、氣體、引線框架等）。IC加工業(yè)本身按其順序可分為光掩膜業(yè)、制 造業(yè)（包括IDM#真式和Foundry#模式）、封裝業(yè)和測試業(yè)。IC制造流程見圖0LED晶片生崖流程圃:清洗播 烘烤上光阻、 照相曝光感影研磨械避橫、清洗佛晶圓的生產(chǎn)工藝流程：從大的方面來講，晶圓生產(chǎn)包括晶棒制造和晶片制造兩大步驟，

10、它又可細(xì)分為以下幾道主要工序(其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部屬晶片制造，所以有時又統(tǒng)稱它們?yōu)榫е衅筇幚砉ば?：晶棒成長-晶棒裁切與檢測-外徑研磨-切片-圓邊-表層研 磨-蝕刻- 去疵- 拋光- 清洗- 檢驗- 包裝1、晶棒成長工序：它又可細(xì)分為：1)、融化(Melt Down :將塊狀的高純度復(fù)晶硅置于石英培鍋內(nèi)，加熱到其熔點1420 C以上，使其完全融化。2)、頸部成長(Neck Growth):待硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將1.0.0方向 的品種慢慢插入其中，接著將品種慢慢往上提升，使其直徑縮小到一定尺寸(一 股約6m*右)，維持止匕直徑并拉長100-200mm以消除品種內(nèi)

11、的晶粒排列取向 差異。3)、品冠成長(Crown Growth):頸部成長完成后，慢慢降低提升速度和溫度， 使頸部直徑逐漸加大到所需尺寸(如 5、6、8、12時等)。4)、晶體成長(Body Growth):不斷調(diào)整提升速度和融煉溫度，維持固定的品 棒直徑，只到晶棒長度達(dá)到預(yù)定值。5)、尾部成長(Tail Growth):當(dāng)晶棒長度達(dá)到預(yù)定值后再逐漸加快提升速度 并提高融煉溫度，使晶棒直徑逐漸變小，以避免因熱應(yīng)力造成排差和滑移等現(xiàn)象 產(chǎn)生，最終使晶棒與液面完全分離。到此即得到一根完整的晶棒。2、晶棒裁切與檢測(Cutting & Inspection ):將長成的晶棒去掉直徑偏 小的頭、尾部分

12、，并對尺寸進(jìn)行檢測，以決定下步加工的工藝參數(shù)。3、外徑研磨(Surface Grinding & Shaping ):由于在晶棒成長過程中， 其外徑尺寸和圓度均有一定偏差，其外因柱面也凹凸不平，所以必須對外徑進(jìn)行 修整、研磨，使其尺寸、形狀誤差均小于允許偏差。4、切片(Wire Saw Slicing ):由于硅的硬度非常大，所以在本工序里， 采用環(huán)狀、其內(nèi)徑邊緣鑲嵌有鉆石顆粒的薄片鋸片將晶棒切割成一片片薄片。5、圓邊(Edge Profiling ):由于剛切下來的晶片外邊緣很鋒利，硅單晶 又是脆性材料，為避免邊角崩裂影響晶片強(qiáng)度、破壞晶片表面光潔和對后工序帶 來污染顆粒，必須用專用的電腦控

13、制設(shè)備自動修整晶片邊緣形狀和外徑尺寸。6、研磨(Lapping)：研磨的目的在于去掉切割時在晶片表面產(chǎn)生的鋸痕和 破損，使晶片表面達(dá)到所要求的光潔度。7、蝕刻(Etching)：以化學(xué)蝕刻的方法，去掉經(jīng)上幾道工序加工后在晶片 表面因加工應(yīng)力而產(chǎn)生的一層損傷層。8、去疵(Gettering )：用噴砂法將晶片上的瑕疵與缺陷感到下半層，以利 于后序加工。9、拋光(Polishing ):對晶片的邊緣和表面進(jìn)行拋光處理，一來進(jìn)一步去掉附著在晶片上的微粒，二來獲得極佳的表面平整度，以利于后面 所要講到的晶圓處理工序加工。10、清洗(Cleaning )：將加工完成的晶片進(jìn)行最后的徹底清洗、風(fēng)干。11、

14、檢驗(Inspection )：進(jìn)行最終全面的檢驗以保證產(chǎn)品最終達(dá)到規(guī)定的 尺寸、形狀、表面光潔度、平整度等技術(shù)指標(biāo)。12、包裝(Packing)：將成品用柔性材料，分隔、包裹、裝箱，準(zhǔn)備發(fā)往 以下的芯片制造車間或出廠發(fā)往訂貨客戶。芯片生產(chǎn)工藝流程：芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序( WaferFabrication )、晶圓針測工序(Wafer Probe)、構(gòu)裝工序(Packaging)、測 試工序(Initial Test and Final Test )等幾個步驟。其中晶圓處理工序和晶 圓針測工序為前段(Front End)工序，而構(gòu)裝工序、測試工序為后段(Back End) 工序。

15、1、晶圓處理工序：本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件 (如 晶體管、電容、邏輯開關(guān)等)，其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)， 但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗， 再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復(fù)步驟，最終在晶圓 上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。2、晶圓針測工序：經(jīng)過上道工序后，晶圓上就形成了一個個的小格，即 晶粒，一般情況下，為便于測試，提高效率，同一片晶圓上制作同一品種、規(guī)格 的產(chǎn)品；但也可根據(jù)需要制作幾種不同品種、規(guī)格的產(chǎn)品。在用針測( Probe) 儀對每個晶粒檢測其電氣特性，并將不合格的晶粒標(biāo)上記號后， 將晶圓

16、切開，分 割成一顆顆單獨(dú)的晶粒，再按其電氣特性分類，裝入不同的托盤中，不合格的晶 粒則舍棄。3、構(gòu)裝工序：就是將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用以保護(hù)晶粒避免受到 機(jī)械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片(即我們在電腦里可以 看到的那些黑色或褐色，兩邊或四邊帶有許多插腳或引線的矩形小塊)。4、測試工序：芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者運(yùn)行速度、耐壓度等。經(jīng)是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、 晶圓生

17、產(chǎn)工藝流程介紹：測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級。 數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片， 特殊需求，以決定是否須為客戶設(shè)計專用芯片。 廠日期等標(biāo)識的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠。 作降級品或廢品。而特殊測試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術(shù)參做有針對性的專門測試， 看是否能滿足客戶的經(jīng)一般測試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號及出而未通過測試的芯片則視其達(dá)到的參數(shù)情況定表面清洗2、 初次氧化3、CVD(Chemical Vapor deposition)法沉積一層 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD)。(1)常壓 CVD (Normal Pressure CVD)(2)低壓 CVD (Low

18、Pressure CVD)(3)熱 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)(4)電漿增強(qiáng) CVD (Plasma Enhanced CVD)(5) MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成長 (Molecular Beam Epitaxy)(6)外延生長法(LPE)4、涂敷光刻膠(1)光刻膠的涂敷(2)預(yù)烘 (pre bake)(3)曝光(4)顯影(5)后烘 (post bake)(6)腐蝕(etching)(7)光刻膠的去除5、此處用干法氧化法將氮化硅去除6、離子布植將硼離子(B+3) 透過SiO2膜注入襯底，形成 P型阱7、去除光刻膠，放高溫爐中進(jìn)

19、行退火處理8、用熱磷酸去除氮化硅層，摻雜磷 (P+5)離子，形成N型阱9、 退火處理，然后用 HF去除SiO2層10、干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPCVD沉積一層氮化硅11、利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層12、濕法氧化，生長未有氮化硅保護(hù)的SiO2層，形成PN之間的隔離區(qū)13、熱磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除柵隔離層位置的SiO2 ,并重新生成品質(zhì)更好的SiO2薄膜，作為柵極氧化層。14、LPCVD 沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，并氧化生成SiO2保護(hù)層。15、表面涂敷光阻，去除 P阱區(qū)的光阻，注入神 (As) 離子，形

20、成NMOS的源漏極。用同樣的方法，在 N阱區(qū)，注入B離子形成PMOS的源漏極。16、利用PECVD 沉積一層無摻雜氧化層，保護(hù)元件，并進(jìn)行退火處理。17、沉積摻雜硼磷的氧化層18、鍍第一層金屬薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。真空蒸發(fā)法( Evaporation Deposition )濺鍍(Sputtering Deposition )19、光刻技術(shù)定出 VIA孔洞，沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結(jié)構(gòu)。然后，用 PECVD法氧 化層和氮化硅保護(hù)層。20、光刻和離子刻蝕，定出 PAD位置21、最后進(jìn)行退火處理，以保證整個Chip的完整和連線的連接性工藝流程圖干式機(jī)械真空泵

21、的應(yīng)用是廣泛的，主要有以下幾個方面：1）低壓化學(xué)氣相沉積中的多晶硅制備工藝中；2）半導(dǎo)體刻蝕工藝。 在這些生產(chǎn)工藝中往往用到或生成腐蝕性氣體和研磨微粒；3）除半導(dǎo)體工藝外的某些產(chǎn)生微粒的工藝，不希望微?；烊氡糜椭?，而希望微粒排出 泵外，則用一定型式的干式機(jī)械真空泵可以滿足要求；4）在化學(xué)工業(yè)、醫(yī)藥工業(yè)、食品工業(yè)中的蒸儲、干燥、脫泡、包裝等，要防止有機(jī)溶劑造成污染，適合用干式真空泵；5）用做一般無油清潔真空系統(tǒng)的前級泵，以防止油污染。Edwards的iGX干式泵具有能耗低的特點，能夠應(yīng)用于大量中小功率的設(shè)備，包 括：真空進(jìn)樣室、傳送裝置、計量、平版印刷術(shù)、PVD工藝和預(yù)清潔、RTA帶材/粉末、氧

22、化物、硅材料和金屬的蝕刻以及注入源等等供應(yīng)英國BOC EDWARDS愛德華真空泵EDWARDS愛德華EM系列 E1M5, E1M8, E1M12, E1M18, E1M30, E1M40, E1M80, E1M175,E1M275, E2M0.7, E2M1,E2M1.5, E2M2, E2M5, E2M8, E2M12, E2M18 , E2M28, E2M30, E2M40, E2M80, E2M175, E2M275, E-Lab2EDWARDS 愛德華 RV 系歹U RV3, RV5, RV8, RV12EDWARDS 愛德華 EH 系列 EH250, EH500, EH1200, EH2600, EH4200EDWARDS 愛德華 QMB 系列 QMB-250, QMB500, QMB1200英國愛德華BOC EDWARDS真空泵：型號：RV3 RV5 RV8 RV12RV3 115/220-240V 單相 50/60Hz SE65201903RV5 115