半導(dǎo)體器件物理第一章學(xué)習(xí)_第1頁
半導(dǎo)體器件物理第一章學(xué)習(xí)_第2頁
半導(dǎo)體器件物理第一章學(xué)習(xí)_第3頁
半導(dǎo)體器件物理第一章學(xué)習(xí)_第4頁
半導(dǎo)體器件物理第一章學(xué)習(xí)_第5頁
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1、半導(dǎo)體器件物理第一章學(xué)習(xí)第1頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二 說明與聲明歡迎和感謝對半導(dǎo)體器件物理學(xué)習(xí)指導(dǎo)的使用。由于作者水平所限,編寫時間倉促,錯誤之處在所難免 ,歡迎和感謝批評指正。半導(dǎo)體器件物理學(xué)習(xí)指導(dǎo)僅供師生教學(xué)使用, 尚未作為文字出版物出版,但是半導(dǎo)體器件物理學(xué)習(xí)指導(dǎo)作為吉林大學(xué),吉林省和中華人民共和國教育部國家精品課半導(dǎo)體器件物理與實(shí)驗課程的網(wǎng)上資源已經(jīng)上網(wǎng)。任何未經(jīng)本人允許而銷售或在任何出版物中引用半導(dǎo)體器件物理學(xué)習(xí)指導(dǎo)中的任何材料的做法都將被視為是侵犯編者的知識產(chǎn)權(quán)的行為。 半導(dǎo)體器件物理學(xué)習(xí)指導(dǎo)編者 孟慶巨 于吉林大學(xué) 2007年12月30日 第2頁,

2、共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二第一章 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)第3頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二一名詞、概念、術(shù)語與問題 第4頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二1.2載流子的統(tǒng)計分布導(dǎo)帶電子濃度其中稱為導(dǎo)帶有效狀態(tài)密度第5頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二價帶空穴密度其中稱為價帶有效狀態(tài)密度第6頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二導(dǎo)帶電子濃度和價帶空穴濃度之積式中 為禁帶寬度。 與溫度有關(guān),可以把它寫成經(jīng)驗關(guān)系式于是 ,其中 為常數(shù)第7頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二本

3、征半導(dǎo)體 np于是 ,稱為質(zhì)量作用定律。利用 和 ,也可以把電子和空穴濃度寫成下面的形式第8頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二只有一種雜質(zhì)的半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體在雜質(zhì)飽和電離的溫度范圍內(nèi),導(dǎo)帶電子濃度就等于施主濃度或p升高,費(fèi)米能級逐漸遠(yuǎn)離導(dǎo)帶底。 第9頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二P型半導(dǎo)體在雜質(zhì)飽和電離的溫度范圍內(nèi),導(dǎo)帶電子濃度為費(fèi)米能級 第10頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二雜質(zhì)補(bǔ)償半導(dǎo)體在 的半導(dǎo)體中, 相應(yīng)的費(fèi)米能級為 和第11頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二在 的半導(dǎo)體 相應(yīng)的費(fèi)米能級為第1

4、2頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二流密度和電流密度在漂移和擴(kuò)散同時存在的情況下,空穴和電子的流密度分別為電流密度分別為在一維情況下,空穴和電子的電流分別為式中為電流垂直流過的面積。(1-135) (1-132) (1-133) (1-134) (1-136) (1-137) 第13頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二非均勻半導(dǎo)體中的自建場半導(dǎo)體中的靜電場和勢非均勻半導(dǎo)體和自建電場第14頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二電場 定義為電勢 的負(fù)梯度電勢與電子勢能的關(guān)系為可以把電場表示為(一維)取 表示靜電勢與此類似,定義 為費(fèi)米勢。

5、(1-138) (1-140) (1-141) (1-142) 第15頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二于是式中 稱為熱電勢.在熱平衡情況下,費(fèi)米勢為常數(shù),可以把它取為零基準(zhǔn), (1-145) (1-146) (1-143) (1-144) 第16頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二非均勻的雜質(zhì)分布會在半導(dǎo)體中形成電場,稱為自建電場。在熱平衡情況下,由 有和同樣,對于型半導(dǎo)體,有 (1-145)(1-146) (1-150) (1-151) (1-152) (1-153) 第17頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二1.6非平衡載流子

6、在非平衡狀態(tài)下可以定義 和 兩個量以代替 ,使得式中 和 分別稱為電子和空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級, 和 分別為相應(yīng)的準(zhǔn)費(fèi)米勢:(1-162) (1-163) 第18頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二修正的歐姆定律 (1-166)式和(1-167)式稱為修正的歐姆定律,其中分別稱為電子和空穴的等效電導(dǎo)率。修正歐姆定律雖然在形式上和歐姆定律一致,但它包括了載流子的漂移和擴(kuò)散的綜合效應(yīng)。從修正歐姆定律可以看出,費(fèi)米能級恒定(即 )是電流為零的條件。處于熱平衡的半導(dǎo)體,費(fèi)米能級恒定?;蛘哒f,熱平衡系統(tǒng)具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級。(1-166) (1-167) 第19頁,共22頁,2022年,5月

7、20日,1點(diǎn)43分,星期二通過復(fù)合中心的復(fù)合:為簡單計,假設(shè)復(fù)合中心對電子和空穴的俘獲系數(shù)相等。凈復(fù)合率可寫成或表面復(fù)合(1-207) (1-208) (1-209) (1-210) 第20頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二半導(dǎo)體中的基本控制方程連續(xù)性方程利用電流密度表達(dá)式,(1-211)式和(1-212)式可以分別寫成在一維情況下, (1-211) (1-212) (1-213) (1-214) (1-218) (1-219) 第21頁,共22頁,2022年,5月20日,1點(diǎn)43分,星期二泊松方程在飽合電離的情況下設(shè)空間電荷所形成的電勢分布為 ,則 與 之間滿足泊松方程式中 =相對介電常數(shù) =自由空間電容率,其數(shù)值為方程(1-213)式、(1-214)式或(1-218)式、

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