1、關(guān)于半導(dǎo)體激光器 (2)第一張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 6.3.1 半導(dǎo)體激光器工作原理和基本結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體激光器是向半導(dǎo)體PN結(jié)注入電流，實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布，產(chǎn)生受激輻射，再利用諧振腔的正反饋，實(shí)現(xiàn)光放大而產(chǎn)生激光振蕩的。 光受激輻射、發(fā)出激光必須具備三個要素：1、激活介質(zhì)經(jīng)受激后能實(shí)現(xiàn)能級之間的躍遷；2、能使激活介質(zhì)產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的泵浦裝置；3、放置激活介質(zhì)的諧振腔，提供光反饋并進(jìn)行放大，發(fā)出激光。第二張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月受激輻射和粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布 有源器件的物理基礎(chǔ)是光和物質(zhì)相互作用的效應(yīng)。 在物質(zhì)的原子中，存在許多能級，最低能級E1稱為基態(tài)，能量比基態(tài)

2、大的能級Ei(i=2, 3, 4 )稱為激發(fā)態(tài)。(熱力學(xué)平衡狀態(tài)下，在較低能級上比較高能級上存在較多的電子) 電子在低能級E1的基態(tài)和高能級E2的激發(fā)態(tài)之間的躍遷有三種基本方式：受激吸收（本征吸收） 自發(fā)輻射 受激輻射第三張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月(a) 自發(fā)輻射h=E2-E1初態(tài)E2E1終態(tài)E2E1光子的特點(diǎn)：非相干光第四張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月h初態(tài)E2E1終態(tài)E2E1(b) 受激輻射光子的特點(diǎn)：相干光第五張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 (c) 受激吸收 h終態(tài)E2E1初態(tài)E2E1 產(chǎn)生激光的必要條件一：受激輻射占主導(dǎo)地位h初態(tài)E2E1終態(tài)E2

3、E1(b) 受激輻射第六張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月(1)自發(fā)輻射 在高能級E2的電子是不穩(wěn)定的，即使沒有外界的作用， 也會自動地躍遷到低能級E1上與空穴復(fù)合，釋放的能量轉(zhuǎn)換為光子輻射出去，這種躍遷稱為自發(fā)輻射，見圖615(a)。 (2)受激輻射 在高能級E2的電子，受到入射光的作用，被迫躍遷到低能級E1上與空穴復(fù)合，釋放的能量產(chǎn)生光輻射，這種躍遷稱為受激輻射，見圖615(b)。(3)受激吸收 在正常狀態(tài)下，電子處于低能級E1，在入射光作用下，它會吸收光子的能量躍遷到高能級E2上，這種躍遷稱為受激吸收。電子躍遷后，在低能級留下相同數(shù)目的空穴，見圖615(c)。 第七張，PPT共五

4、十四頁，創(chuàng)作于2022年6月受激輻射和自發(fā)輻射區(qū)別在于是否有外來光子的參與，且產(chǎn)生的光的特點(diǎn)很不相同。 受激輻射光的頻率、相位、偏振態(tài)和傳播方向與入射光相同，這種光稱為相干光。 自發(fā)輻射光是由大量不同激發(fā)態(tài)的電子自發(fā)躍遷產(chǎn)生的，其頻率和方向分布在一定范圍內(nèi)，相位和偏振態(tài)是混亂的，這種光稱為非相干光。受激輻射和受激吸收的區(qū)別與聯(lián)系 受激輻射是受激吸收的逆過程。電子在E1和E2兩個能級之間躍遷，吸收的光子能量或輻射的光子能量都要滿足波爾條件，即 E2-E1=h式中，h=6.62810-34Js，為普朗克常數(shù)， 為吸收或輻射的光子頻率。 第八張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 產(chǎn)生受激輻射和

5、產(chǎn)生受激吸收的物質(zhì)是不同的。 設(shè)在單位物質(zhì)中，處于低能級E1和處于高能級E2(E2E1)的原子數(shù)分別為N1和N2。 當(dāng)系統(tǒng)處于熱平衡狀態(tài)時，存在下面的分布 式中， k=1.38110-23J/K，為波爾茲曼常數(shù)，T為熱力學(xué)溫度。由于(E2-E1)0，T0，所以在這種狀態(tài)下，總是N1N2。 這是因?yàn)殡娮涌偸鞘紫日紦?jù)低能量的軌道。第九張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 受激吸收和受激輻射的速率分別比例于N1和N2，且比例系數(shù)(吸收和輻射的概率)相等。 如果N1N2，即受激吸收大于受激輻射。當(dāng)光通過這種物質(zhì)時，光強(qiáng)按指數(shù)衰減， 這種物質(zhì)稱為吸收物質(zhì)。 如果N2N1，即受激輻射大于受激吸收，當(dāng)

6、光通過這種物質(zhì)時，會產(chǎn)生放大作用，這種物質(zhì)稱為激活物質(zhì)。 N2N1的分布，和正常狀態(tài)(N1N2)的分布相反，所以稱為粒子(電子)數(shù)反轉(zhuǎn)分布。 問題：如何得到粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布的狀態(tài)呢? 第十張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 導(dǎo)帶 價帶 導(dǎo)帶 價帶正常分布反轉(zhuǎn)分布產(chǎn)生激光的必要條件二：粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布第十一張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的方法注入載流子半導(dǎo)體激光器強(qiáng)光對激光物質(zhì)進(jìn)行照射固體激光器氣體電離氣體激光器第十二張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 圖 3.2 半導(dǎo)體的能帶和電子分布 (a) 本征半導(dǎo)體； (b) N型半導(dǎo)體； (c) P型半導(dǎo)體 2.

7、PN結(jié)的能帶和電子分布 在半導(dǎo)體中，由于鄰近原子的作用，電子所處的能態(tài)擴(kuò)展成能級連續(xù)分布的能帶。能量低的能帶稱為價帶，能量高的能帶稱為導(dǎo)帶，導(dǎo)帶底的能量Ec 和價帶頂?shù)哪芰縀v 之間的能量差Ec-Ev=Eg稱為禁帶寬度或帶隙。電子不可能占據(jù)禁帶。第十三張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月在熱平衡狀態(tài)下，能量為E的能級被電子占據(jù)的概率為費(fèi)米分布 式中，k為波茲曼常數(shù)，T為熱力學(xué)溫度。Ef 稱為費(fèi)米能級，用來描述半導(dǎo)體中各能級被電子占據(jù)的狀態(tài)。 在費(fèi)米能級，被電子占據(jù)和空穴占據(jù)的概率相同。 (3.3)第十四張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 一般狀態(tài)下，本征半導(dǎo)體的電子和空穴是成對出

8、現(xiàn)的，用Ef 位于禁帶中央來表示，見圖3.2(a)。 在本征半導(dǎo)體中摻入施主雜質(zhì)，稱為N型半導(dǎo)體，見圖3.2(b)。 在本征半導(dǎo)體中，摻入受主雜質(zhì)，稱為P型半導(dǎo)體，見圖3.2(c)。 在P型和N型半導(dǎo)體組成的PN結(jié)界面上，由于存在多數(shù)載流子(電子或空穴)的梯度，因而產(chǎn)生擴(kuò)散運(yùn)動，形成內(nèi)部電場， 見圖3.3(a)。 內(nèi)部電場產(chǎn)生與擴(kuò)散相反方向的漂移運(yùn)動，直到P區(qū)和N區(qū)的Ef 相同，兩種運(yùn)動處于平衡狀態(tài)為止，結(jié)果能帶發(fā)生傾斜，見圖3.3(b)。第十五張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 （a) P-N結(jié)內(nèi)載流子運(yùn)動； P區(qū)PN結(jié)空間電荷區(qū)N區(qū)內(nèi)部電場 擴(kuò)散 漂移勢壘能量EpcP區(qū)EncEfE

9、pvN區(qū)Env(b) 零偏壓時P-N結(jié)的能帶傾斜圖圖 3.3PN結(jié)的能帶和電子分布第十六張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月hfhfEfEpcEpfEpvEncnEnv電子，空穴內(nèi)部電場外加電場正向偏壓下P-N結(jié)能帶圖獲得粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布 第十七張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月增益區(qū)（作用區(qū)）的產(chǎn)生： 在PN結(jié)上施加正向電壓，產(chǎn)生與內(nèi)部電場相反方向的外加電場，結(jié)果能帶傾斜減小，擴(kuò)散增強(qiáng)。電子運(yùn)動方向與電場方向相反，便使N區(qū)的電子向P區(qū)運(yùn)動，P區(qū)的空穴向N區(qū)運(yùn)動，最后在PN結(jié)形成一個特殊的增益區(qū)。 增益區(qū)的導(dǎo)帶主要是電子，價帶主要是空穴，結(jié)果獲得粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布，見圖3.3(c)。

10、在電子和空穴擴(kuò)散過程中，導(dǎo)帶的電子可以躍遷到價帶和空穴復(fù)合，產(chǎn)生自發(fā)輻射光,這些光子將引起處于反轉(zhuǎn)分布狀態(tài)的非平衡載流子產(chǎn)生受激復(fù)合而發(fā)射受激輻射光子。 產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布的條件：第十八張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月3 激光振蕩和光學(xué)諧振腔工作物質(zhì)第十九張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月光增益ECEV產(chǎn)生激光的必要條件三：有光學(xué)諧振腔第二十張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月激光振蕩的產(chǎn)生 粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布（必要條件)+ 激活物質(zhì)置于光學(xué)諧振腔中，對光的頻率和方向進(jìn)行選擇 = 連續(xù)的光放大和激光振蕩輸出。 基本的光學(xué)諧振腔由兩個反射率分別為R1和R2的平行反射鏡構(gòu)成，并

11、被稱為法布里-珀羅(FabryPerot, FP)諧振腔。 由于諧振腔內(nèi)的激活物質(zhì)具有粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布，可以用它產(chǎn)生的自發(fā)輻射光作為入射光。3 激光振蕩和光學(xué)諧振腔第二十一張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月激光穩(wěn)定工作的條件1：合適的諧振腔產(chǎn)生穩(wěn)定振蕩的條件（相位條件）m 縱模模數(shù)，n 激光媒質(zhì)的折射率第二十二張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月注入電流有源區(qū)解理面解理面L增益介質(zhì)R1R2z=0z=L 法布里珀羅腔 第二十三張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 只有當(dāng)增益等于或大于總損耗時，才能建立起穩(wěn)定的振蕩，這一增益稱為閾值增益。為達(dá)到閾值增益所要求的注入電流稱為閾值電流

12、。 一個縱模只有在其增益大于或等于損耗時，才能成為工作模式，即在該頻率上形成激光輸出。 激光穩(wěn)定工作的條件2：光增益等于或大于總損耗在諧振腔內(nèi)開始建立穩(wěn)定的激光振蕩的閾值條件為 th =+ 式中，th 為閾值增益系數(shù)，為諧振腔內(nèi)激活物質(zhì)的損耗系數(shù)，L為諧振腔的長度，R1，R21為兩個反射鏡的反射率第二十四張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 式中，為激光波長，n為激活物質(zhì)的折射率，m=1, 2, 3 稱為縱模模數(shù)。 在共振腔內(nèi)沿腔軸方向形成的各種駐波稱為諧振腔的縱模。 有2個以上縱模激振的激光器，稱為多縱模激光器。通過在光腔中加入色散元件或采用外腔反饋等方法，可以使激光器只有一個模式激振

13、，這樣的激光器稱為單縱模激光器。 L= m 激光振蕩的相位條件為第二十五張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月LD的發(fā)光過程注入電流，即注入載流子；在有源區(qū)形成粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，導(dǎo)帶電子不穩(wěn)定，少數(shù)電子自發(fā)躍遷到價帶，產(chǎn)生光子；1個光子被導(dǎo)帶中電子吸收躍遷到價帶，同時釋放出2個相干光子，持續(xù)這個過程，直到釋放出多個相干光子，即在合適的腔內(nèi)振蕩放大；光子穩(wěn)定振蕩，光能量大于總損耗時，LD開始工作。第二十六張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 4. 半導(dǎo)體激光器基本結(jié)構(gòu)驅(qū)動電源工作物質(zhì)諧振腔注入式光子激勵電子束激勵PN結(jié)（同質(zhì)結(jié)）異質(zhì)結(jié)單異質(zhì)結(jié)雙異質(zhì)結(jié)（DH）解理面布拉格反饋分布反饋式DFB分

14、布布拉格反射式DBR第二十七張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 4. 半導(dǎo)體激光器基本結(jié)構(gòu) 最簡單的半導(dǎo)體激光器由一個薄有源層（厚度約0.1m）、P型和N型限制層構(gòu)成，如下圖所示。解理面金屬接觸電流有源層P型N型300m100m200m大面積半導(dǎo)體激光器1）、同質(zhì)結(jié)（PN結(jié)）半導(dǎo)體激光器 第二十八張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月PN能帶正向電壓V時形成的雙簡并能帶結(jié)構(gòu)PN結(jié)LD的特點(diǎn)：閾值電流高，常溫下不能連續(xù)工作所加的正向偏壓必須滿足1）、同質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器 4. 半導(dǎo)體激光器基本結(jié)構(gòu)第二十九張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月2）、異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器 同質(zhì)結(jié)、異質(zhì)結(jié)

15、結(jié)構(gòu)示意圖為了獲得高勢壘,要求兩種材料的禁帶寬度有較大的差值。4. 半導(dǎo)體激光器基本結(jié)構(gòu)第三十張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 4. 半導(dǎo)體激光器基本結(jié)構(gòu) 這種結(jié)構(gòu)由三層不同類型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，不同材料發(fā)射不同的光波長。 結(jié)構(gòu)中間有一層厚0.1-0.3 m的窄帶隙P型半導(dǎo)體，稱為有源層；兩側(cè)分別為寬帶隙的P型和N型半導(dǎo)體，稱為限制層。三層半導(dǎo)體置于基片(襯底)上，前后兩個晶體解理面作為反射鏡構(gòu)成法布里-珀羅(FP)諧振腔。 圖3.5是雙異質(zhì)結(jié)(DH)平面條形結(jié)構(gòu)。 3）、雙異質(zhì)結(jié)（DH）半導(dǎo)體激光器 第三十一張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月第三十二張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作

16、于2022年6月 DH激光器工作原理 由于限制層的帶隙比有源層寬，施加正向偏壓后， P層的空穴和N層的電子注入有源層。 P層帶隙寬，導(dǎo)帶的能態(tài)比有源層高，對注入電子形成了勢壘，注入到有源層的電子不可能擴(kuò)散到P層。 同理， 注入到有源層的空穴也不可能擴(kuò)散到N層。 這樣，注入到有源層的電子和空穴被限制在厚0.1-0.3 m的有源層內(nèi)形成粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布，這時只要很小的外加電流，就可以使電子和空穴濃度增大而提高效益。 另一方面，有源層的折射率比限制層高，產(chǎn)生的激光被限制在有源區(qū)內(nèi)，因而電/光轉(zhuǎn)換效率很高，輸出激光的閾值電流很低，很小的散熱體就可以在室溫連續(xù)工作。 第三十三張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2

17、022年6月 圖 3.6 DH激光器工作原理(a) 雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)； (b) 能帶； (c) 折射率分布； (d) 光功率分布 第三十四張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 3.1.2 半導(dǎo)體激光器的主要特性 1. 發(fā)射波長和光譜特性 半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長等于禁帶寬度Eg(eV) h f =Eg(3.6)不同半導(dǎo)體材料有不同的禁帶寬度Eg，因而有不同的發(fā)射波長。 鎵鋁砷-鎵砷(GaAlAs-GaAs)材料適用于0.85 m波段 銦鎵砷磷 - 銦磷(InGaAsP-InP)材料適用于1.3-1.55 m波段式中，f=c/，f (Hz)和(m)分別為發(fā)射光的頻率和波長， c=3108 m/s為

18、光速，h=6.62810-34JS為普朗克常數(shù)， 1eV=1.610-19 J，代入上式得到第三十五張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月峰值波長：在規(guī)定輸出光功率時，激光器受激輻射發(fā)出的若干發(fā)射模式中最大強(qiáng)度的光譜波長。中心波長：在激光器發(fā)出的光譜中，連接50最大幅度值線段的中點(diǎn)所對應(yīng)的波長。1. 發(fā)射波長和光譜特性第三十六張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 圖 3.7 GaAlAs-DH激光器的光譜特性 (a) 直流驅(qū)動; (b) 300 Mb/s數(shù)字調(diào)制 0799 800 801 802Im/mA40353025I=100mAPo=10mWI=85mAPo=6mWI= 8 0

19、mAPo=4mWI=75mAPo=2.3mWL=250mW=12 mT=300K830 828 832 830 828 832 830 828 826832 830 828 826 824836 834 832 830 828 826 824 822 820(a)(b)第三十七張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 在直流驅(qū)動下， 發(fā)射光波長只有符合激光振蕩的相位條件式(3.5)的波長存在。這些波長取決于激光器縱向長度L，并稱為激光器的縱模。 驅(qū)動電流變大，縱模模數(shù)變小 ，譜線寬度變窄。 這種變化是由于諧振腔對光波頻率和方向的選擇，使邊模消失、主模增益增加而產(chǎn)生的。 當(dāng)驅(qū)動電流足夠大時，多

20、縱模變?yōu)閱慰v模，這種激光器稱為靜態(tài)單縱模激光器。 圖3.7(b)是300 Mb/s數(shù)字調(diào)制的光譜特性， 由圖可見，隨著調(diào)制電流增大，縱模模數(shù)增多，譜線寬度變寬。第三十八張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 2. 激光束的空間分布 激光束的空間分布用近場和遠(yuǎn)場來描述。 近場是指激光器輸出反射鏡面上的光強(qiáng)分布； 遠(yuǎn)場是指離反射鏡面一定距離處的光強(qiáng)分布。 圖3.8是GaAlAs-DH激光器的近場圖和遠(yuǎn)場圖，近場和遠(yuǎn)場是由諧振腔(有源區(qū))的橫向尺寸，即平行于PN結(jié)平面的寬度w和垂直于結(jié)平面的厚度t所決定，并稱為激光器的橫模。 由圖3.8可以看出，平行于結(jié)平面的諧振腔寬度w由寬變窄，場圖呈現(xiàn)出由多

21、橫模變?yōu)閱螜M模；垂直于結(jié)平面的諧振腔厚度t很薄，這個方向的場圖總是單橫模。 第三十九張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月圖 3.8 GaAlAs-DH條形激光器的近場和遠(yuǎn)場圖樣 第四十張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 3.9典型半導(dǎo)體激光器的遠(yuǎn)場輻射特性和遠(yuǎn)場圖樣 (a) 光強(qiáng)的角分布； (b) 輻射光束 圖3.9為典型半導(dǎo)體激光器的遠(yuǎn)場輻射特性，圖中和分別為平行于結(jié)平面和垂直于結(jié)平面的輻射角，整個光束的橫截面呈橢圓形。第四十一張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月3. 轉(zhuǎn)換效率和輸出光功率特性 激光器的電/光轉(zhuǎn)換效率可用功率效率和量子效率表示。量子效率又分為內(nèi)量子效率、外

22、量子效率以及外微分量子效率。(3.7a)由此得到(3.7b)式中，P和I分別為激光器的輸出光功率和驅(qū)動電流，Pth 和Ith 分別為相應(yīng)的閾值，h f 和e分別為光子能量和電子電荷。 外微分量子效率d其定義是在閾值電流以上，每對復(fù)合載流子產(chǎn)生的光子數(shù)外量子效率為：第四十二張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 圖 3.10 典型半導(dǎo)體激光器的光功率特性 (a) 短波長AlGaAs/GaAs (b) 長波長InGaAsP/InP 第四十三張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月4 3 2 1 0 50 100 150 02570電流/mA輸出功率/ mWLED的P-I特性543210 0

23、50 100 I /mA發(fā)射光功率P/mW 22 50 70 LD的P-I特性第四十四張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 Ith=I0 exp(3.9) 4. 溫度特性半導(dǎo)體激光器對溫度十分敏感，其輸出功率隨溫度會發(fā)生很大變化，其主要原因?yàn)椋海?）激光器的閾值電流Ith 隨溫度升高而增大（2）外微分量子效率d隨溫度升高而減小。 溫度升高時，Ith 增大，d減小， 輸出光功率明顯下降，達(dá)到一定溫度時，激光器就不再受激輻射了。當(dāng)以直流電流驅(qū)動激光器時，閾值電流隨溫度的變化更加嚴(yán)重。當(dāng)對激光器進(jìn)行脈沖調(diào)制時，閾值電流隨溫度呈指數(shù)變化，在一定溫度范圍內(nèi)，可以表示為第四十五張，PPT共五十四頁，

24、創(chuàng)作于2022年6月 式中，I0為常數(shù)，T為結(jié)區(qū)的熱力學(xué)溫度，T0為激光器材料的特征溫度。 GaAlAs GaAs 激光器T0=100-150 K InGaAsP-InP 激光器T0=4070 K 所以長波長InGaAsP-InP激光器輸出光功率對溫度的變化更加敏感。 圖3.12示出脈沖調(diào)制的激光器，由于溫度升高引起閾值電流增加和外微分量子效率減小，造成的輸出光功率特性P I曲線的變化。 第四十六張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月圖 3.12 P I曲線隨溫度的變化 第四十七張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 3.1.3 分布反饋半導(dǎo)體激光器 分布反饋(DFB)激光器用靠近有源層沿長度方向制作的周期性結(jié)構(gòu)(波紋狀)衍射光柵實(shí)現(xiàn)光反饋。這種衍射光柵的折射率周期性變化，使光沿有源層分布式反饋。 分布反饋激光器的要求： （1）譜線寬度更窄 （2）高速率脈沖調(diào)制下保持動態(tài)單縱模特性 （3）發(fā)射光波長更加穩(wěn)定，并能實(shí)現(xiàn)調(diào)諧 （4） 閾值電流更低 （5）輸出光功率更大第四十八張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 圖 3.13 分布反饋(DFB)激光器 (a) 結(jié)構(gòu)； (b) 光反饋 第四十九張，PPT共五十四頁，創(chuàng)作于2022年6月 如圖3.13所示