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文檔簡介

1、綜合訓(xùn)練(14)電磁學(xué)1 如圖所示,一正點(diǎn)電荷位于 0點(diǎn),光滑絕緣桿 MN豎直固定在其右側(cè), 0點(diǎn)為桿上一點(diǎn)且與 0點(diǎn)等高。質(zhì)量為 m的帶正電小球套在桿 MN上, 從桿上距0 點(diǎn)高為H的A點(diǎn)靜止釋放。若取 0點(diǎn)為重力勢能零點(diǎn), 小球相對0 點(diǎn)的位移為h.位移h、加速度a取向下為正方向,無限遠(yuǎn) 處電勢為零。小球從 A運(yùn)動(dòng)到A (A 與A關(guān)于0對稱)過程中,加速度a、重力勢能Epg、機(jī)械能E、電勢能Ep電隨位移h變化的圖象,可能正確的是 * A3 Or 1 t * w m u ti AARCD2如圖所示,四邊形 可能正確的是 * A3 Or 1 t * w m u ti AARCD2如圖所示,四邊

2、形 ABCD處在勻強(qiáng)電場中,場強(qiáng)方向與四邊形所在平 面平行,一束帶正電的相同微粒以相同的初動(dòng)能沿著各個(gè)方向從AB中點(diǎn)P進(jìn)入四邊形區(qū)域中,只在電場力作用下運(yùn)動(dòng),從四邊形上不同點(diǎn)離開 四邊形的邊界區(qū)域,其中唯有從C點(diǎn)離開的微粒動(dòng)能最大,則下列說法中正確的是B A .從A、D兩點(diǎn)離開的粒子動(dòng)能可能相同B .從D點(diǎn)離開的粒子動(dòng)能可能等于初動(dòng)能C.從D、B兩點(diǎn)射出的粒子速率一定相同D .可確定過C點(diǎn)的電場方向3.如圖所示,成30。角的0A 0日間有一垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,0A邊界上的S點(diǎn)有一電子源,在紙面內(nèi)向各個(gè)方向均勻發(fā)射速率相同的電子,電子在磁場中運(yùn)動(dòng)的半徑為r,周期為T。已知從0B邊界射出的電子

3、在磁場中詿動(dòng)的最短時(shí)間為T/6,則下列說法正確的是A.沿某一方向發(fā)射的電子,可能從 0點(diǎn)射出B.沿某一方向發(fā)射的電子,可能沿垂直于0B勺方向射出C.從0A邊界射出的電子在磁場中運(yùn)動(dòng)的最長時(shí)間為T/3D.從0她界射出的電子在磁場中運(yùn)動(dòng)的最長時(shí)間為T/4 BC4.如圖所示,導(dǎo)體棒 ab兩個(gè)端點(diǎn)分別接在兩個(gè)豎直放置、電阻不計(jì)、半徑相等的金屬圓環(huán)上,圓環(huán)通過電刷與導(dǎo)線c、d相接。c、d兩個(gè)端點(diǎn)接在匝數(shù)比 :n2 10:1的變壓器原DB;x X X 皿 K X / $4 X :X X /線圈兩端,變壓器副線圈接一個(gè)滑動(dòng)變阻器,勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向豎直向下,導(dǎo)體棒ab長為L (電阻不計(jì)),繞與a

4、b平行的水平軸(也是兩圓環(huán)的中心軸)00以角速度3勻速轉(zhuǎn)動(dòng)。 如果變阻器的阻值為 R時(shí),通過電流表的讀數(shù)為I,則 D A變 阻器上消耗的功率為 P=10I2RB .變壓器原線圈兩端的電壓U=10IR 取ab在環(huán)的最低端時(shí)t=0,則棒ab中感應(yīng)電流的表達(dá)式是=s 21sm總垃ab沿環(huán)轉(zhuǎn)動(dòng)過程中受到的最大安培力 序二血丘憶5如圖所示,在地面上方等間距分布著足夠多的、每一條形磁場區(qū)域的寬d。現(xiàn)有一邊長為1(1 v d) h處以水平初速度 vo從左水平方向的條形勻強(qiáng)磁場, 度及相鄰區(qū)域的間距均為 的正方形線框在離地高 側(cè)磁場邊緣進(jìn)入磁場,運(yùn)動(dòng)中線框平面始終豎直, 最終落在地面上,不計(jì)空氣阻力,則( A

5、C(A )線框在空中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間一定為:,:2hh越大線框運(yùn)動(dòng)的水平位移一定越大 每一條形磁場區(qū)域的寬d?,F(xiàn)有一邊長為1(1 v d) h處以水平初速度 vo從左水平方向的條形勻強(qiáng)磁場, 度及相鄰區(qū)域的間距均為 的正方形線框在離地高 側(cè)磁場邊緣進(jìn)入磁場,運(yùn)動(dòng)中線框平面始終豎直, 最終落在地面上,不計(jì)空氣阻力,則( AC(A )線框在空中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間一定為:,:2hh越大線框運(yùn)動(dòng)的水平位移一定越大 vo越大線框運(yùn)動(dòng)過程中產(chǎn)生的焦耳熱一定越多 若Vo的大小連續(xù)變化,則線框落地點(diǎn)也一定相應(yīng)的連續(xù)變化(B)(C)(D)d 一 d十d dd 一d *Il11idi1IX XIIIII1X;IX41X* i

6、X;X;X:41III1IX XIIII1欣X 1dXXI1 X:X1嚴(yán)百!X 対:X彳!xXil;h1Itx X|iXi嚴(yán)X;!x x!II:X X: IIIX x-d6如圖所示的電路中, 電源的內(nèi)電阻為r, R2、R3、R4均為定值電阻, 電表均為理想電表,閉合電鍵 S,當(dāng)滑動(dòng)變阻器 Ri的滑片P處于左 端點(diǎn)a時(shí),兩表讀數(shù)分別為Ii與Ui;當(dāng)滑片 則下列關(guān)系式成立的是 ACD:t空訂辺:學(xué)門壬::畑応:曲::曲:廠:工門::二P滑動(dòng)至右端點(diǎn)b時(shí),兩表讀數(shù)分別為|2與U2;A . U2 Ui B . |2 Ii C .U2 UiI2 Ii=R3D.UiIi=R37電源、開關(guān)S、S、定值電阻R

7、i、光敏電阻R2和電容器連接亍暫S / ”一 4-成如圖所示電路,電容器的兩平行板水平放置。當(dāng)開關(guān)S、S閉合,并且無光照射光敏電阻R2時(shí),一帶電液滴恰好靜止在電容器兩板間的 M點(diǎn)。當(dāng)用強(qiáng)光照射光敏電阻 R2時(shí),光敏電阻的阻值變小,則A .液滴向下運(yùn)動(dòng)B .液滴向上運(yùn)動(dòng)C. R2兩端的電勢差是否升高無法分析D .當(dāng)光照強(qiáng)度不變時(shí)斷開 S,把電容器的上極板向上移一小段距 離,則上極板的電勢比 A點(diǎn)的電勢高,8如圖所示電路中,電源內(nèi)阻不能忽略,電流表、電壓表都是理想電表,當(dāng)滑動(dòng)變阻器 R0的滑片P從a端移到b端的過程中,下列不符合.實(shí)際的是A .電壓表示數(shù)先增大后減小,電流表示數(shù)不斷減小B .電流表

8、示數(shù)不斷減小,小燈亮度先變暗后變亮C.電流表示數(shù)先減小后增大,小燈亮度先變暗后變亮D .流過滑動(dòng)變阻器 Pb部分電流不斷增大C9利用霍爾效應(yīng)制作的霍爾元件,廣泛應(yīng)用 于測量和自動(dòng)控制等領(lǐng)域。 如圖是霍爾元件的工作原理示意圖,磁感應(yīng)強(qiáng)度B垂直于霍爾元件的工作面向下,通入圖示方向的電流I, C、兩側(cè)面會(huì)形成電勢差Ucd,下列說法中正確的是A .電勢差Ucd僅與材料有關(guān)B.若霍爾元件的載流子是自由電子,則電勢差UCd 0C .僅增大磁感應(yīng)強(qiáng)度時(shí),電勢差Ucd變大D .在測定地球赤道上方的地磁場強(qiáng)弱時(shí),元件的工作面應(yīng)保持水平10 一有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域如圖(甲)所示,abed是一個(gè)質(zhì)量為m、電阻為R、邊長

9、為L、匝數(shù)為N的正方形線圈。線圈一半在磁場內(nèi), 一半在磁場外。t=0時(shí)刻磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度由 B0開始均勻減小,線圈在磁場力作用下運(yùn)動(dòng),v-t圖象如圖(乙),圖中斜向虛線為速度圖線在0點(diǎn)的切線,數(shù)據(jù)由圖中給出,不考慮重力影響。則磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化率為(10C )mRv0t1 NB0 L3(B)2mRv)t1 NB0 L22mRv023t1N B0L(D)mRvbt1N2BL211 一臺理想變壓器的原、副線圈的匝數(shù)比是11: 1,原線圈接入電壓為220V的正弦交流電。一只理想二級管和一個(gè)滑動(dòng) 變阻器串聯(lián)接在副線圈上,如圖所示則下列判斷正確的是)A.原、副線圈中的功率之比為11: 1B.若滑動(dòng)變阻器接入電路的阻值為10 ,貝U 1 min內(nèi)產(chǎn)生的熱量為1200 J C .只將S從1撥到2,電流表示數(shù)減小D.若將滑動(dòng)變阻器的滑片向下滑動(dòng),則兩電表示數(shù)均減少 11BC12. (18分)如圖所示,豎直平面內(nèi)的直角坐標(biāo)系中,X軸上方有一個(gè)圓形有界勻強(qiáng)磁場(圖中未畫出),x軸下方分布有斜向左上與Y軸方向夾角0 =45的勻強(qiáng)電場;在 x軸上放置有一擋板,長 0.16m,板的中心與 O點(diǎn)重合。今有一帶正電粒子從y軸上某點(diǎn)P勻

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