1、材料科學基礎（上）期末考試1單選（2分）影響間隙固溶體的固溶度最主要的因素有得分/總分A.電負性B.原子半徑差C.組元晶體結構D.電子濃度正確答案：B2單選（2分）面心立方、體心立方和密排六方的晶胞原子數(shù)分別為得分/總分A.2、4、4B.4、4、6C.4、2、6D.4、2、4正確答案：C3單選（2分）混合位錯的柏氏矢量得分/總分A.與位錯線正方向無關B.與位錯線平行C.與位錯線垂直與位錯線不平行，也不垂直正確答案：D單選（2分）面心立方、體心立方和密排六方的配位數(shù)分別為得分/總分A.8、8、6B.12、6、8C.12、12、12D.12、8、12正確答案：D單選（2分）部分位錯是得分/總分柏氏

2、矢量大于點陣矢量柏氏矢量等于點陣矢量整數(shù)倍柏氏矢量等于點陣矢量柏氏矢量小于點陣矢量正確答案：D單選（2分）堆垛層錯得分/總分無畸變能B.是面缺陷對晶體沒有影響引起較大的畸變正確答案：B單選（2分）非立方晶系中，具有完全相同指數(shù)的晶向與晶面得分/總分A.有可能相互平行B.夾角不確定C.有可能相互垂直D.45相交正確答案：C單選（2分）面心立方、體心立方和密排六方的致密度分別為得分/總分74、68、74B.68、68%、68%C.74、74%、74%68、74%、68%正確答案：A單選（2分）面心立方、體心立方、密排六方的八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA得分/總分A.都不相同面心立方與體心立方

3、相同密排六方與體心立方相同面心立方與密排六方相同正確答案：D10單選（2分）刃位錯的柏氏矢量得分/總分A.與位錯線平行B.與位錯線垂直與位錯線正方向無關D.與位錯線不平行，也不垂直正確答案：B11單選（2分）螺位錯的柏氏矢量得分/總分與位錯線正方向無關與位錯線不平行，也不垂直與位錯線平行與位錯線垂直正確答案：C12單選（2分）異號、平行位錯之間相互得分/總分吸引排斥C.交割纏繞正確答案：A13單選（2分）六方晶系包括點陣得分/總分A.體心六方密排六方簡單六方底心六方正確答案：C14單選（2分）點陣常數(shù)為a的面心立方晶體中，（100）晶面間距為得分/總分A.B.aC.D.正確答案：D15單選（2

4、分）體心立方密排面的堆垛方向和次序為得分/總分A.,ABB.,ABCC.111,ABD.001,ABC正確答案：A16多選（2分）科肯道爾效應得分/總分揭示了宏觀擴散規(guī)律與微觀擴散機制間的內在聯(lián)系會對擴散偶產生不利影響，應盡量避免擴散偶界面兩側原子遷移速度不相等擴散系統(tǒng)中每一種組元都有各自的擴散系數(shù)正確答案：A、C、D17多選（2分）刃位錯的滑移是得分/總分能在任意經過位錯線的原子面上運動原子面上的整體平移正、負刃位錯運動方向相反依次逐排的運動正確答案：C、D18多選（2分）混合位錯滑移得分/總分需要外力平行于位錯線或具有平行的分量需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分C.滑移量二柏氏矢量的模位

5、錯線沿法線方向運動正確答案：B、C、D19多選（2分）作用在混合位錯線上的力得分/總分垂直位錯線與柏氏矢量大小有關總是與外力方向相同就是外加切應力正確答案：A、B20多選（2分）螺位錯滑移得分/總分A.需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量滑移面不唯一C.滑移量二柏氏矢量的模需要外力平行于位錯線或具有平行的分量正確答案：A、B、C、D21多選（2分）影響化合物類型的因素有得分/總分A.電子濃度原子半徑差電負性組元晶體結構正確答案：A、B、C、D22多選（2分）螺位錯的滑移是得分/總分A.依次逐排的運動原子面上的整體平移能在任意經過位錯線的原子面上運動D.左螺、右螺位錯運動方向相反正確答案：A、

6、C、D23多選（2分）晶態(tài)的陶瓷材料的特點包括得分/總分A.以離子鍵為主B.典型的非金屬性質C.原子比例比較嚴格，可以用分子式表示D.以共價鍵為正確答案：A、B、C24多選（2分）硅酸鹽結構包括得分/總分A.島狀硅酸鹽B.層狀硅酸鹽C.鏈狀硅酸鹽網狀硅酸鹽正確答案：A、B、C、D25多選（2分）反應擴散得分/總分A.形成新相層，并有明確界面不可能出現(xiàn)兩相共存區(qū)擴散引起反應的擴散過程D.反應擴散速度受原子擴散速度和反應速度共同影響正確答案：A、B、C、D26多選（2分）作用在刃位錯線上的力得分/總分A.垂直位錯線就是外加切應力總是與外力方向相同與柏氏矢量大小有關正確答案：A、D27多選（2分）影

7、響置換固溶體的固溶度的因素有得分/總分電子濃度電負性組元晶體結構原子半徑差正確答案：A、B、C、D28多選（2分）非穩(wěn)態(tài)擴散指的是得分/總分濃度梯度隨時間變化B.與時間t有關與距擴散距離遠近有關各處濃度梯度隨位置變化正確答案：A、B29多選（2分）擴散的路徑包括得分/總分外表面擴散位錯擴散界面擴散體擴散正確答案：A、B、C、D30多選（2分）點缺陷種類包括得分/總分A.雜質原子B.間隙原子C.空位D.溶質原子正確答案：A、B、C、D31判斷（2分）D差別很大的晶體結構可以屬于同一點陣32判斷（2分）C若沒有宏觀擴散流，則說明沒有發(fā)生擴散33判斷（2分）C空位可以被完全消除。34判斷（2分）D小

8、角晶界中位錯密度越大，位向差越大35判斷（2分）D影響間隙固溶體固溶度的因素主要是原子尺寸差，另外組元晶體結構、電負性和原子價也有影響36判斷（2分）C只有螺位錯才能發(fā)生攀移37判斷（2分）C擴散通量是指擴散物質的流量38判斷（2分）D位錯塞積必然阻礙位錯運動39判斷（2分）DF-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，兩端點位錯必為同性質、異號位錯40判斷（2分）C擴展位錯越寬，畸變能越低41判斷（2分）D按界面兩側是否同種介質，可分為晶界和相界42判斷（2分）C固溶體中同類原子之間結合力小，往往形成是有序固溶體43判斷（2分）D位錯塞積是位錯與面缺陷間的彈性交互作用44判斷（2分）C完整晶體中是不含

9、空位的45判斷（2分）C只有刃位錯才能發(fā)生交滑移46判斷（2分）D位錯線張力類似與液體表明張力47判斷（2分）DC.位錯線張力的作用是降低體系能量48判斷（2分）D位錯增殖機制可以使晶體中的位錯密度提高數(shù)個數(shù)量級49判斷（2分）C只有密排面才能產生層錯50判斷（2分）D相界兩側是異質的（不同的固體相之間的分界面）第一章原子結構及鍵合測驗單選（2分）離子鍵通過（）成鍵得分/總分A.價電子轉移B.自由電子與陽離子C.靜電偶極吸引力D.共用電子對正確答案：A單選（2分）金屬鍵通過（）成鍵得分/總分A.靜電偶極吸引力B.價電子轉移自由電子與陽離子D.共用電子對正確答案：C多選（2分）分子鍵為主的晶體得

10、分/總分固態(tài)導電熔點低C.塑性差硬度低正確答案：B、D4判斷（2分）D氫鍵有方向性5判斷（2分）C金屬鍵有方向性第二章晶體的結構（一）：測驗多選（2分）立方晶系包括：得分/總分A.體心立方B.簡單立方D.面心立方正確答案：A、B、D多選（2分）正交晶系包括：得分/總分A.體心正交B.面心正交底心正交D.簡單正交正確答案：A、B、C、D3判斷（2分）D相似的晶體結構可屬于不同點陣。4判斷（2分）D空間點陣可以劃分為七大晶系，包括14種點陣類型5判斷（2分）C晶胞就是點陣中最小的單元體。第二章晶體的結構（二）：測驗1單選（2分）在簡單立方晶胞中畫出晶面得分/總分A.B.C.D.正確答案：C2單選（

11、2分）在簡單立方晶胞中畫出晶面得分/總分A.B.C.D.正確答案：A單選（2分）點陣常數(shù)為a的簡單立方晶體中，（100）晶面間距為得分/總分A.aC.D.正確答案：B單選（2分）非立方晶系中，具有完全相同指數(shù)的晶向與晶面得分/總分A.有可能相互垂直B.45相交C.有可能相互平行D.夾角不確定正確答案：A多選（2分）晶面指數(shù)表示得分/總分A.不同晶面的指數(shù)肯定不同B.晶體中一個晶面晶體中所有平行的晶面晶面的指數(shù)是唯一的正確答案：B、C第二章晶體的結構（三）：測驗1單選（2分）體心立方八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA分別為得分/總分A.0.29、0.15B.0.414、0.29C.0.414、

12、0.15D.0.15、0.29正確答案：D2單選（2分）面心立方、體心立方、密排六方的八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA得分/總分密排六方與體心立方相同B.都不相同C.面心立方與密排六方相同D.面心立方與體心立方相同正確答案：C3單選（2分）面心立方、體心立方和密排六方的晶胞原子數(shù)分別為得分/總分A.2、4、4B.4、2、6C.4、4、6D.4、2、4正確答案：B4單選（2分）面心立方八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA分別為得分/總分A.0.414、0.225B.0.414、0.29C.0.414、0.15D.0.29、0.15正確答案：A5單選（2分）面心立方密排面的堆垛方向和次序為得分

13、/總分A.,ABCB.001,ABC.111,ABD.,ABC正確答案：D第三章晶體缺陷（一）：測驗1多選（2分）點缺陷是得分/總分A.一個方向上尺寸很小二個方向上尺寸很小零維缺陷三個方向上尺寸都很小正確答案：c、D2多選（2分）點缺陷種類包括得分/總分弗蘭克缺陷反位原子c.空位片D.肖脫基缺陷正確答案：A、B、D3判斷（2分）C完整晶體中是不含空位的。4判斷（2分）C常溫下，空位可以被完全消除5判斷（2分）D點缺陷是熱力學平衡缺陷。第三章晶體缺陷（二）：測驗1單選（2分）螺位錯的柏氏矢量得分/總分與位錯線垂直與位錯先正方向無關與位錯線平行與位錯線不平行，也不垂直正確答案：C2多選（2分）位錯

14、的基本類型包括得分/總分混合位錯刃位錯C.位錯環(huán)螺位錯正確答案：A、B、D3判斷（2分）C隨著位錯線的彎曲，柏氏矢量是可變的4判斷（2分）D位錯的密度可以分為體密度和面密度。5判斷（2分）D一根位錯先不能終止與晶體內部。第三章晶體缺陷（三）：測驗1多選（2分）混合位錯滑移得分/總分A.滑移量二柏氏矢量的模位錯線沿法線方向運動需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量需要外力平行于位錯線或具有平行的分量正確答案：A、B、C2多選（2分）螺位錯的滑移是得分/總分左螺、右螺位錯運動方向相反原子面上的整體平移依次逐排的運動在任意經過位錯線的原子面上運動正確答案：A、C3判斷（2分）D半原子面縮短是正攀移4

15、判斷（2分）C只有螺位錯才能發(fā)生攀移5判斷（2分）D攀移和交滑移都是躲避障礙物的運動方式V第三章晶體缺陷（四）：測驗1多選（2分）研究位錯應力場的基本假設包括得分/總分各向同性完全彈性體，服從胡可定律可研究位錯線核心區(qū)至外圍全范圍連續(xù)介質，可以用連續(xù)函數(shù)表達正確答案：A、B、D2多選（2分）混合位錯的應力場得分/總分A.遠離位錯線時，應力場逐漸減弱既有正應力，也有切應力C.軸向對稱，與9角無關D.可分解為刃型位錯分量和螺型位錯分量正確答案：A、B、D3判斷（2分）D位錯線附近區(qū)域畸變嚴重，因而不符合連續(xù)介質模型的相關假設4判斷（2分）C位錯的應變能越高，位錯穩(wěn)定性越好5判斷（2分）C柏氏矢量的

16、模越小，位錯的應變能越高第三章晶體缺陷（五）：測驗多選（2分）位錯線張力得分/總分使位錯自發(fā)收縮與位錯柏氏矢量大小有關C.方向垂直與位錯線D.是一虛擬力正確答案：A、B多選（2分）作用在螺位錯線上的力得分/總分A.就是外加切應力B.垂直位錯線C.與柏氏矢量大小有關總是與外力方向相同正確答案：B、C3判斷（2分）D位錯線張力類似與液體表明張力4判斷（2分）D作用在位錯線上的力與柏氏矢量大小有關5判斷（2分）D作用在位錯線上的力與外力大小有關第三章晶體缺陷（六）：測驗單選（2分）異號、平行位錯之間相互得分/總分A.吸引B.排斥C.交割D.纏繞正確答案：A2判斷（2分）同號、平行位錯相互靠近可降低體

17、系能量得分/總分A.B.正確答案：B3判斷（2分）D位錯塞積必然阻礙位錯運動4判斷（2分）D位錯可能通過攀移或交滑移繞過障礙物，減輕位錯塞積5判斷（2分）D位錯塞積是位錯與面缺陷間的彈性交互作用第三章晶體缺陷（七）：測驗1判斷（2分）DF-R源開動需要克服一定的臨界阻力（勢壘）2判斷（2分）DF-R源開動臨界切應力值與固定點間距大小有關3判斷（2分）D位錯增殖機制可以使晶體中的位錯密度提高數(shù)個數(shù)量級4判斷（2分）C位錯源只有Frank-Read這一種類型5判斷（2分）DF-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，兩端點位錯必為同性質、異號位錯第三章晶體缺陷（八）：測驗1單選（2分）全位錯是得分/總分柏氏

18、矢量小于點陣矢量柏氏矢量不等于點陣矢量柏氏矢量等于點陣矢量D.柏氏矢量等于點陣矢量整數(shù)倍正確答案：D2判斷（2分）DFcc晶體中，單位位錯的模可以不同3判斷（2分）DFcc晶體中，最短單位位錯是4判斷（2分）C只有密排面才能產生層錯5判斷（2分）DBcc晶體中，最短單位位錯是第三章晶體缺陷（九）：測驗1判斷（2分）D按界面兩側是否同種介質，可分為晶界和相界2判斷（2分）D小角度晶界可以理解為位錯墻3判斷（2分）D小角晶界中位錯密度越大，位向差越大4判斷（2分）D小角晶界中位錯密度越大，晶界能越大5判斷（2分）C層錯不產生晶格畸變第四章固體中的相：測驗1多選（2分）影響置換固溶體的固溶度的因素有

19、得分/總分A.電子濃度B.組元晶體結構C.原子半徑差D.電負性正確答案：A、B、C、D多選（2分）硅酸鹽結構包括得分/總分A.鏈狀硅酸鹽B.島狀硅酸鹽C.層狀硅酸鹽D.網狀硅酸鹽正確答案：A、B、C、D3判斷（2分）D相是結構、性質、聚集狀態(tài)相同的均勻體，不涉及形貌4判斷（2分）D固溶體中異類原子間結合力越大，固溶體的有序度（有序的范圍和有序程度）越大5判斷（2分）C化合物中原子嚴格按比例結合，不存在偏差，因而可以用分子式表示第五章固體中的擴散：測驗1多選（2分）原子擴散激活能來自得分/總分A.結合鍵破壞B.能量起伏C.能級躍遷D.外界能量輸入正確答案：B、D2多選（2分）擴散的路徑包括得分/

20、總分A.界面擴散B.體擴散C.位錯擴散D.外表面擴散正確答案：A、B、C、D3判斷（2分）C晶體化合物中，非本征缺陷少，因此非本征擴散是次要機制4判斷（2分）C間隙固溶體中，溶質原子越多，則占據(jù)間隙越多，剩余間隙越少，因此使得擴散系數(shù)下降5判斷（2分）C若沒有宏觀擴散流，則說明沒有發(fā)生擴散期末考試已經超過規(guī)定的考試次數(shù)或提交截止時間已過。你可以作為自我學習進行考試，但提交的結果將不再計分1多選（2分）下列哪些屬于偽共晶的形成原理得分/總分A.快速冷卻B.共晶點附近的合金C.液相中析出先析相D.領先相依附在初生相上正確答案：A、B2多選（2分）決定共晶組織形態(tài)的因素有哪些得分/總分A.交替形核B

21、.慢速冷卻C.相的性質D.相的相對含量正確答案：C、D多選（2分）包晶轉變與共晶轉變有哪些相同點得分/總分A.形成的三角均在水平線下方B.均為一分為二的反應C.相圖上為一條水平線D.恒溫、恒成分結晶正確答案：c、D多選（2分）相變按照熱力學劃分，可以分為哪些類型得分/總分高級相變第一類漲落c.一級相變D.二級相變正確答案：A、C、D多選（2分）液態(tài)金屬與固體金屬相比，液體得分/總分A.原子能量高，擴散系數(shù)大體積大C.原子混亂度大D.結合鍵相似正確答案：A、B、C、D多選（2分）相平衡必須滿足哪些條件得分/總分A.數(shù)量相等機械平衡熱量平衡尺寸平衡正確答案：B、C多選（2分）穩(wěn)定化合物具備以下哪些

22、特點得分/總分具有固定的熔點B.熔點以下保持固有的結構不發(fā)生分解C.會發(fā)生包晶轉變加熱時發(fā)生分解正確答案：A、B多選（2分）非均勻形核涉及哪些界面得分/總分母相與空氣間的界面新相與母相間的界面母相與基底間的界面新相與基底間的界面正確答案：B、C、D多選（2分）非平衡凝固具有以下哪些特點得分/總分A.不產生宏觀偏析B.固相擴散容易冷卻速度快，擴散不充分D.固相、液相成分沿平均成分線變化正確答案：C、D10多選（2分）相變具有以下哪些特點得分/總分A.化學鍵不遭到破壞發(fā)生成分、物性、結構上的躍變C.沒有畸變能D.沿著阻力最小的路徑進行正確答案：B、D多選（2分）均勻形核時，體系能量變化包括得分/總

23、分A.液固相之間的應力場B.固體中的晶體缺陷能新增的晶核表面能液固體積自由能差正確答案：c、D多選（2分）相圖可以用來描述平衡條件下的下列哪些內容得分/總分頻率與相之間的關系溫度與相之間的關系c.速度與相之間的關系D.相與相之間的轉化規(guī)律正確答案：B、D多選（2分）下列哪些特征為固溶體的平衡凝固過程所具有得分/總分A.凝固每個階段都能達到平衡B.原子震動頻率極高c.擴散不充分D.凝固速度極其緩慢正確答案：A、D多選（2分）下列哪些特征屬于包晶轉變非平衡過程所具有的得分/總分包晶轉變具有不完全性固相中原子擴散速度慢包晶轉變結束時，先析出相沒有剩余不產生偏析正確答案：A、B15多選（2分）下列哪些

24、轉變屬于三相平衡恒溫轉變得分/總分A.同素異晶轉變B.共析轉變共晶轉變勻晶轉變正確答案：B、C16判斷（2分）D對于正的溫度梯度，隨著離開液固界面液相一側距離的增大，過冷度減小17判斷（2分）C制備單晶體時，體系當中可以有雜質存在18判斷（2分）D由液相和一個固相生成另外一個固相的轉變，稱為包晶轉變19判斷（2分）C包晶線是一條固相線20判斷（2分）C二元包晶相圖上，兩組元在液態(tài)能無限互溶，在固態(tài)也能無限互溶21判斷（2分）D具有包晶轉變的相圖，稱為包晶相圖22判斷（2分）D從能量角度看，穩(wěn)定相的自由能最低23判斷（2分）D冷卻時，凝固是自由能降低的過程；加熱時，熔化是自由能降低的過程24判斷

25、（2分）D晶胚體積、晶胚的表面積都是晶胚半徑的函數(shù)25判斷（2分）D小于臨界晶核半徑的晶胚，引起體系能量上升，因此不能穩(wěn)定存在26判斷（2分）C相平衡是一種靜態(tài)的平衡狀態(tài)27判斷（2分）D能量條件研究形成能夠穩(wěn)定存在的晶核所需能量的問題28判斷（2分）C過冷度越大，臨界晶核半徑越小，但原子運動也越困難，能夠形成的最大晶胚尺寸也越29判斷（2分）C隨著含碳量的增加，鐵碳合金中的鐵素體的量逐漸增加30判斷（2分）D定向凝固是控制冷卻方式，從鑄件的一端開始凝固，按照一定方向逐步向另一端發(fā)展的結晶過程31判斷（2分）D勻晶相圖上的液相線，是表示開始凝固的線32判斷（2分）D共晶組織的形核機制為交替形核

26、機制33判斷（2分）C熔點是液固轉變的溫度，因此當液體冷卻到熔點時就會開始凝34判斷（2分）C共晶轉變時，液相成分沿著合金的平均成分線變化35判斷（2分）D純金屬凝固過程中，溫度始終低于熔點36判斷（2分）DD包晶轉變與共晶轉變都具備三相平衡反應的特點37判斷（2分）D結構條件研究關于晶核是否能夠穩(wěn)定存在的尺寸問題38判斷（2分）C處于臨界晶核半徑的晶胚，一定會逐步長大39判斷（2分）C形核的動力全部來源于液固相的體積自由能差40判斷（2分）D形核需要通過能量起伏獲得驅動力41判斷（2分）C珠光體是共晶轉變的產物42判斷（2分）C非均勻形核所需形核功小，因此不再等于三分之一表面能43判斷（2分

27、）D從鐵素體中通過脫溶轉變析出的Fe3C稱為三次滲碳體44判斷（2分）D純金屬生長時，如果液固界面是粗糙型，則液相原子是一個一個沿著固相面的垂直方向連接上去45判斷（2分）C制備單晶時，結晶過程當中，形核速度要非?？?6判斷（2分）C系統(tǒng)處于相平衡時，不同相之間的原子靜止不動47判斷（2分）D相律不能反應相變的路徑48判斷（2分）C吉布斯相律可以描述系統(tǒng)中獨立可變的因素49判斷（2分）C杠桿定律可以直接計算組織的相對含量50判斷（2分）C共晶組織的長大為長程橫向擴散的平行長大機制第六章塑性變形（一）：宏觀規(guī)律測驗多選（2分）描述材料強度的指標包括得分/總分A.屈服極限B.抗拉強度C.硬化指數(shù)D

28、.彈性極限正確答案：A、B、D多選（2分）描述材料塑性的指標包括得分/總分A.延伸率B.硬度C.斷裂韌性D.斷面收縮率正確答案：A、D3判斷（2分）D一般地，陶瓷材料彈性變形量很小4判斷（2分）C塑性材料的工程應力應變曲線后期出現(xiàn)下降，但實際施加載荷并沒有下降5判斷（2分）D形變硬化指數(shù)反映了抵抗持續(xù)塑性變形的能力第六章塑性變形（二）：單晶體塑性變形測驗多選（2分）滑移變形會在晶體表面產生哪些現(xiàn)象得分/總分A.滑移帶B.滑移線C.滑移系D.臺階正確答案：A、B、D多選（2分）滑移特點包括得分/總分變形不均勻出現(xiàn)滑移線分切應力較小平行滑動正確答案：A、B、C、D3判斷（2分）D非最密排面也有可能

29、成為滑移面4判斷（2分）C滑移面肯定是最密排面5判斷（2分）D能否成為滑移面取決于該面的滑移阻力測驗第六章塑性變形（三）：多晶體塑性變形多選（2分）多晶體中，位錯運動受到哪些影響得分/總分晶界對位錯有阻礙晶粒間變形不協(xié)調晶粒間晶體結構差異位向差不同，分切應力有差異正確答案：A、B、D多選（2分）多晶體變形特點包括得分/總分晶粒變形量不一晶粒間變形不協(xié)調晶粒內變形里不均勻晶粒變形先后不一正確答案：A、B、C、D3判斷（2分）C晶粒細化，對塑性不利4判斷（2分）D晶界是晶粒之間的界面5判斷（2分）C由于細晶強化，所以多晶體比單晶體強度高測驗第六章塑性變形（四）：合金塑性變形1多選（2分）兩（多）相

30、合金塑性變形能力取決于得分/總分A.基體與第二相間界面性能基體變形能力外載荷大小D.第二相的性能正確答案：A、B、D2多選（2分）第二相對合金塑性變形能力影響因素包括得分/總分A.第二相的強度B.第二相的分布形式C.第二相的尺寸D.第二相的數(shù)量正確答案：A、B、C、D3判斷（2分）C置換固溶體中，溶質、溶劑原子尺寸差異越小，固溶強化效果越強4判斷（2分）D含90%溶質原子的固溶體合金的強度比含50%溶質原子的高5判斷（2分）D一般地，間隙原子引起的點陣畸變比置換原子大，故間隙型固溶體的固溶強化效果大第六章塑性變形（五）：塑性變形引起的變化測驗1多選（2分）存儲能包括得分/總分A.點陣畸變B.熱

31、能C.微觀內應力宏觀內應力正確答案：A、C、D2判斷（2分）C存儲能主要以內應力為主3判斷（2分）C冷變形對合金的磁性沒有影響4判斷（2分）C冷變形時，外力作功大部分都以熱能耗散了，只有很少的能量被晶體保存下來，可以忽略不計5判斷（2分）C多晶體與單晶體加工硬化特點相同第七章回復與再結晶（一）：回復測驗多選（2分）中溫回復對應的缺陷運動包括得分/總分A.位錯重組、合并空位與間隙原子復合C.空位與面缺陷、線缺陷復合D.異號位錯抵消正確答案：A、B、C、D多選（2分）影響回復的因素包括得分/總分溶質原子、第二相顆粒B.原始晶粒尺寸C.變形量D.溫度正確答案：A、B、C、D3判斷（2分）C回復后物理

32、性能基本維持冷變形后的狀態(tài)4判斷（2分）D去應力退火是回復的實際應用5判斷（2分）C回復的驅動力主要由宏觀和微觀內應力提供第七章回復與再結晶（二）：再結晶測驗1多選（2分）影響再結晶晶粒大小的因素包括得分/總分A.原始晶粒尺寸B.冷變形量C.第二相粒子與溶質原子D.溫度正確答案：A、B、C、D2判斷（2分）亞晶合并形核機制通過亞晶界消失形成再結晶晶核得分/總分A.B.正確答案：B3判斷（2分）D亞晶長大（吞并）形核機制通過亞晶界遷移形成再結晶晶核4判斷（2分）D再結晶驅動力來源與回復驅動力的來源相同5判斷（2分）D溶質原子既提高再結晶驅動力，又阻礙再結晶形核和長大第七章回復與再結晶（三）：晶粒

33、長大測驗多選（2分）再結晶后晶粒長大方式有得分/總分異常長大B.樹枝晶長大正常長大胞狀晶長大正確答案：A、C判斷（2分）溶質原子易偏聚與晶界，因而阻礙晶粒長大得分/總分A.B.正確答案：B3判斷（2分）C晶粒長大是單純的小角晶界遷移過程4判斷（2分）D熱蝕溝是高溫下，表面能與晶界能尋求平衡的結果5判斷（2分）C正常長大與異常長大的熱力學驅動力相同第七章回復與再結晶（四）：熱變形測驗1判斷（2分）C熱變形就是加熱至高溫后進行塑性變形2判斷（2分）D動態(tài)再結晶后形成中心有畸變的細小等軸晶3判斷（2分）C晶粒沿變形方向拉長形成帶狀組織4判斷（2分）D動態(tài)回復后形成拉長的晶粒與恒尺寸的亞晶粒5判斷（2

34、分）C熱變形速度越快，動態(tài)再結晶形成的晶粒越大測驗第八章凝固與結晶（一）：液體結構與凝固宏觀規(guī)律1多選（2分）液態(tài)金屬的結構特點包括得分/總分A.長程有序B.長程無序C.短程有序D.短程無序正確答案：B、C2判斷（2分）D動力學研究凝固過程路徑、速度、方式、能量等3判斷（2分）D冷卻時，凝固是自由能降低的過程；加熱時，熔化是自由能降低的過程4判斷（2分）C熔點是液固轉變的溫度，因此當液體冷卻到熔點時就會開始凝固5判斷（2分）C熔點以下，固態(tài)金屬能量高于液態(tài)金屬，所以金屬以固態(tài)存在第八章凝固與結晶（二）：均勻形核測驗多選（2分）均勻形核時，體系能量變化包括得分/總分液/固相之間的應力場B.液固體

35、積自由能差C.新增的晶核表面能D.固體中的晶體缺陷能正確答案：B、C多選（2分）理論分析得到的形核率特點包括得分/總分A.逐步增大臨界形核功和原子擴散激活能控制著形核率在某一過冷度下形核率達到最大隨過冷度增大，形核率逐步升高而后降低正確答案：B、C、D3判斷（2分）C處于臨界晶核半徑的晶胚，一定會逐步長大4判斷（2分）C過冷度越大，臨界晶核半徑越大5判斷（2分）C形核的動力全部來源于液固相的體積自由能差第八章凝固與結晶（三）：非均勻形核測驗1判斷（2分）C若新相與基底完全不浸潤，則不需要形核功2判斷（2分）D非均勻形核的臨界晶核體積小，所以所需結構起伏小3判斷（2分）D非均勻形核阻力與新相/基

36、底浸潤程度有關4判斷（2分）D非均勻形核所需形核功小，所以所需形核驅動力小5判斷（2分）C非均勻形核所需形核功小，因此不再等于三分之一表面能第八章凝固與結晶（四）：晶核的長大測驗1多選（2分）液固界面的微觀結構包括哪些類型得分/總分A.孿晶界晶界光滑界面粗糙界面正確答案：c、D2判斷（2分）D晶體長大后的形態(tài)可以分為平面狀及樹枝狀3判斷（2分）D對于正的溫度梯度，隨著離開液固界面液相一側距離的增大，過冷度減小4判斷（2分）C對于負的溫度梯度，隨著離開液固界面液相一側距離的增大，過冷度減小5判斷（2分）D對于多數(shù)無機物來講，在正的溫度梯度下，生長形貌為小鋸齒平面狀第八章凝固與結晶（五）：凝固理論

37、的應用測驗1多選（2分）實際生產中，下面哪些方面應用了凝固理論得分/總分定向凝固技術鑄件晶粒的細化C.單晶體的制備D.非晶體的制備正確答案：A、B、C、D2判斷（2分）C一般地，定向凝固得到的柱狀晶，垂直于其晶軸方向的性能比其他方向性能好3判斷（2分）C制備單晶體時，體系當中可以有少量雜質4判斷（2分）D凝固時，控制晶粒度主要從控制形核率和長大速度兩方面著手5判斷（2分）C增加冷卻速度細化晶粒的方法同樣適用于特大型的制件第九章二元合金相圖（一）：相平衡與相圖測驗1多選（2分）相圖可以用來描述平衡條件下的下列哪些內容得分/總分A.相與相之間的轉化規(guī)律B.頻率與相之間的關系C.速度與相之間的關系D.溫度與相之間的關系正確答案：A、D2判斷（2分）C相變指的是結構、聚集狀態(tài)及性質均發(fā)生突變的過程3判斷（2分）C體系當中組元的類型和含量，可以通過相律來描述4判斷（2分）C二元合金的結晶過程，是恒溫結晶5判斷（2分）C吉布斯相律可以描述系統(tǒng)中獨立可變的因素第九章二元合金相圖（二）：勻晶相圖測驗1多選（2分）下列哪些特征為固溶體的平衡凝固過程所具有得分/總分凝固速度極其緩慢原子震動頻率極高凝固每個階段都能達到平衡擴散不充分正確答案：A、C2判斷（2